DE725287C - Verfahren zur Herstellung einer Kontaktschicht auf der Halbleiterschicht von Kupferoxydultrockengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Kontaktschicht auf der Halbleiterschicht von Kupferoxydultrockengleichrichtern

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DE725287C
DE725287C DES136055D DES0136055D DE725287C DE 725287 C DE725287 C DE 725287C DE S136055 D DES136055 D DE S136055D DE S0136055 D DES0136055 D DE S0136055D DE 725287 C DE725287 C DE 725287C
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Germany
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contact layer
copper oxide
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semiconductor layer
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Expired
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DES136055D
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English (en)
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Dipl-Ing Ernst Siebert
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/16Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
    • H01L21/161Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment
    • H01L21/167Application of a non-genetic conductive layer

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Description

  • Verfahren zur Herstellung einer Kontaktschicht auf der Halbleiterschicht von Kupferoxydultrockengleichrichtern Es ist bekannt, bei Kontaktgleichrichtern die Kupferoxydschicht zur Verbesserung des Kontaktes mit der diese überdeckenden Bleiauflage mit Graphit zu überziehen. Das Kontaktmittel, zweckmäßig Graphit in kolloidaler Verteilung, wird dabei bekanntlich mit dem Pinsel auf die Halbleiterschicht der Kupferoxydulgleichrichterplatten aufgetragen. Der Graphit wird vorteilhafterweise in der Aufschlemmung einer gut trocknenden Flüssigkeit, z. B. in einer wässerigen Klebstofflösung, verwendet. Die aufgebrachte Kontaktschicht wird im weiteren Arbeitsverlauf getrocknet, wobei sie eine gewisse Haftfähigkeit auf ihrer Unterlage und eine allerdings nicht allzu große Widerstandsfähigkeit gegen mechanische Einflüsse erhält. Die Gleichrichteraggregate werden aus 'den in der vorbeschriebenen Weise hergestellten Gleichrichterplatten in an sich bekannter Weise, z. B. unter Verwendung von Gegenelektroden, Kühlblechen und Zwischenstücken zusammengebaut.
  • Leim Bau der Kupferoxydulgleichrichter hat es sich jedoch gezeigt, daß die Kontaktschicht, wie sie bisher auf die Kupferoxydulschicht aufgebracht wurde, sehr leicht beschädigt werden kann, wodurch, wenn derart beschädigte Gleichrichterplatten mit in den Arbeitsgang zur Herstellung der Trockengleichrichier gelangen, diese zu Störungen im Betrieb der Apparate Anlaß geben. Es hat sich weiterhin gezeigt, daß die Kontaktschicht auch in zusammengebauten Gleichrichtern leicht -Feuchtigkeit aufnimmt, die ihrerseits die gleichrichtende Schicht in ungünstiger Weise beeinflußt. Dadurch können ganz bedeutende Verschlechterungen des Gleichrichterwirkungsgrades verursacht werden.
  • Die Erfindung betrifft die Herstellung einer Kontaktschicht für Kupferoxydultrockengleichrichter mit besonders vorteilhaften Eigenschaften und hat den Zweck, die vorgenannten Nachteile zu beseitigen. Dies geschieht nach der Erfindung in der Weise, daß die auf der Halbleiterschicht von Kupferoxydulgleichrichtern unter Verwendung eines nichtmetallischen elektrischen Leiters, z. B. von Kohlenstoff, insbesondere fein verteiltem Graphit oder Ruß, in an sich bekannter Weise aufgebrachte Kontaktschicht in einem geeigneten Elektrolyten derart galvanisch behandelt wird, daß ein dünner, möglichst nicht zusammenhängender Niederschlag aus Metall, z. B. Nickel, Kobalt, Zink, entsteht, der die Kontaktschicht verfestigt.
  • Durch die neue Maßnahme tritt nicht nur eine Erhöhung der Haftfestigkeit der Kontaktschicht auf ihrer Unterlage ein, sondern es wird insbesondere eine ganz erhebliche Verfestigung der Graphitschicht in sich unter Beibehaltung der guten Kontakteigenschaften des Kontaktmittels erreicht.
  • Die nach der Erfindung vorzunehmende galvanische Behandlung der in der üblichen Weise hergestellten Gleichrichterplatte kann in der zur Erzeugung von galvanischen Niederschlägen an sich bekannten Weise durchgeführt werden. Die Platten, von denen jede auf ihrer Oberfläche die gleichrichtende und darüber die Kontaktschicht aufweist, werden als Kathoden in ein galvanisches Bad, z. B. in ein Vernicklungsbad, eingehängt. Die Abscheidung des Metalls auf der Kontaktschicht wird so geregelt, daß ein dünner, möglichst nicht zusammenhängender Metallüberzug auf der Graphitschicht entsteht. Durch die Anwendung bestimmter Stromstärken und Spannungen sowie durch eine verhältnismäßig kurze Behandlungsdauer kann die Abscheidung des Metalls in der gewünschten Form herbeigeführt werden. Es ist weiterhin darauf zu achten, daß die auberhalb der Kontaktschicht noch vorhandene, mit Kupferoxydul überzogene Fläche der Gleichrichterplatte keinen galvanischen Niederschlag erhält. Dies kann um so leichter vermieden werden, als das Metall sich bevorzugt auf der leitenden Kontaktschicht niederschlägt.
  • Für die Erzeugung des Metallniederschlages können alle Metalle Verwendung finden, die sich zur Herstellung galvanischer Oberzüge eignen. Auf Grund der günstigen Eigenschaften der Metallüberzüge und ihrer vergleichsweise einfachen Herstellung in haltbaren galvanischen Bädern finden für das Verfahren nach der Erfindung galvanische überzüge aus Nickel, Kobalt, Zink usw., gegebenenfalls auch aus Edelmetallen, bevorzugt Verwendung.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung einer Kontaktschicht auf der Halbleiterschicht von Kupferoxydultrockengleichrichtern unter Verwendung eines nichtmetallischen elektrischen Leiters, z. B. von Kohlenstoff, insbesondere fein verteiltem Graphit oder Ruß, dadurch gekennzeichnet, daß die in bekannter Weise auf die gleichrichtende Halbleiterschicht aufgebrachte Kontaktschicht in einem geeigneten Elektrolyten galvanisch derart behandelt wird, daß ein dünner, möglichst nicht zusammenhängender Niederschlag aus Metall, z. B. Nickel, Kobalt, Zink, entsteht, der die Kontaktschicht verfestigt.
DES136055D 1939-02-25 1939-02-26 Verfahren zur Herstellung einer Kontaktschicht auf der Halbleiterschicht von Kupferoxydultrockengleichrichtern Expired DE725287C (de)

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