DE4445346A1 - Verfahren zur Herstellung eines Heteroübergang-Bipolartransistors - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Heteroübergang-Bipolartransistors

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Description

Die Erfindung betrifft die Herstellung einer Halbleitervorrichtung, insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines Heteroübergang-Bipolartransistors, bei dem eine Basisparasitärkapazität durch Verwendung eines Metallsilizids als Basis völlig verhindert wird.
Da die Integration von Halbleitervorrichtungen immer stärker voranschreitet und eine Halbleitervorrichtung größenmäßig weiter verkleinert wird, kann die Betriebs­ geschwindigkeit einer derartigen Halbleitervorrichtung verbessert werden, jedoch ist deren Betriebscharakteristik eingeschränkt. Der Grund liegt darin, daß die in den Emitter und die Basis der Vorrichtung injizierten Dotierstoffe erhöht werden. Um die Betriebscharakteristika einer Halbleitervorrichtung zu verbessern, wurden verschiedene Arten von Heteroübergang-Bipolartransistoren entwickelt. Einer davon weist statt einer Siliziumbasis typischerweise eine SiGe-Basis auf und hat die Eigenschaft einer kleiner werdenden Energiebandlücke und einer vom Ge- Gehalt der SiGe-Basis abhängigen Abstufung.
In jüngster Zeit wird ein Heteroübergang-Bipolartransistor, bei dem statt einer Polysiliziumbasis eine Metallsilizidbasis aus beispielsweise TiSi₂ eingesetzt werden kann, stark untersucht, um eine Parasitärkapazität eines Basisbereichs oder zwischen Emitter- und Basisbereichen zu verkleinern und somit dessen Lei­ stungsfähigkeit zu verbessern.
Zum besseren Verständnis des Ausgangspunkts der Erfindung wird bereits an dieser Stelle auf die Zeichnungen Bezug genommen. Das Herstellungsverfahren des Heteroübergang-Bipolartransistors nach dem Stand der Technik wird nach­ stehend unter Bezug auf Fig. 1 beschrieben.
Zuerst wird nach der Bildung eines Kollektorbereichs 2 und eines durch eine Oxidschicht 3 elektrisch isolierten Kollektorsenkers 4 auf einem Siliziumsubstrat 1 eine SiGe-Basisschicht 5 auf dem Kollektorbereich 2 durch ein selektives epitaktisches Aufwachsen gebildet. Danach wird nach der Abscheidung einer Iso­ lierungsschicht 7 darauf die Isolierungsschicht 7 gemustert, um einen Emitterbe­ reich abzugrenzen. Dann wird ein Emitter 9 auf der Basisschicht gebildet, und eine Seitenwand 8 wird auf beiden Rändern des Emitters 9 gebildet.
Nach dem Beschichten mit einem Metalldünnfilm nur auf einen inaktiven Bereich der Basisschicht 5 wird daraufhin geglüht, um einen Basiselektroden-Dünnfilm 6 zu bilden, der aus einem Metallsilizid zusammengesetzt ist.
Schließlich wird nach dem Freilegen eines Abschnitts des Basiselektroden-Dünn­ films 6 eine Verbindungselektrode 11 auf dem freigelegten Abschnitt gebildet. Im Ergebnis ist dann die Herstellung des Heteroübergang-Bipolartransistors nach dem Stand der Technik abgeschlossen.
Da bei einem Bipolartransistor nach dem Stand der Technik die Basisschicht 5 aus einem Eigenleitungs-SiGe-Film zusammengesetzt ist, ist die Emitter-Injektions­ effizienz verbessert. Da der Basiselektroden-Dünnfilm 6 aus einem Metallsilizid­ film zusammengesetzt ist, kann ein Parasitärwiderstand des Dünnfilms 6, d. h. ein Parasitärwiderstand des Metallsilizids selbst oder ein Kontaktwiderstand zwischen dem Metallsilizid und der Verbindungselektrode, verkleinert werden.
Da jedoch ein Metallsilizid, das den Basiselektroden-Dünnfilm 6 bildet, durch Glühen der Basisschicht 5 und eines darauf abgeschiedenen Metalls gebildet wird, tritt das Problem auf, daß ein Verlust an Filmdicke der Basisschicht 5 zu verzeich­ nen ist. Somit wird das Metallsilizid 6, das verwendet wird, um einen Parasitärwi­ derstand der Basis zu verkleinern, dünner. Im Stand der Technik ist wohl bekannt, daß der Parasitärwiderstand der Basisschicht umso größer wird, je dünner die Ba­ sisschicht wird.
Da außerdem ein Bereich, der mit einem Metall reagiert, um das Metallsilizid zu bilden, die ultradünne Basisschicht 5 mit circa 50 nm bzw. 500 Å Dicke ist, ist die Dicke des Metallsilizids 6 weiter begrenzt. Aufgrund dieser Begrenzung ist der Oberflächenwiderstand des Metallsilizids 6 vergrößert, und deshalb ist die Ver­ kleinerung des Parasitärwiderstands in der Basis durch die Dicke des Metall­ silizidfilms 6 stark eingeschränkt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines Heteroübergang-Bipolartransistors zu schaffen, bei dem ein Metallsilizidfilm als Basiselektroden-Dünnfilm ohne Dickenverlust des Basiselektrodendünnfilms ge­ bildet wird, um einen Parasitärwiderstand einer Basis zu verkleinern.
Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines Heteroübergang-Bipolartransistors zu schaffen, bei dem die Dickenänderung eines Metallsilizidfilms in Abhängigkeit von den Eigenschaften eines Bipolartransistors selbst bestimmt wird, wodurch seine Betriebscharakteristika verbessert und sein Herstellungsablauf vereinfacht werden können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren zur Herstellung eines Heteroübergang-Bipolartransistors gelöst, das folgende Schritte umfaßt: Injizieren von Fremdatomen in ein Siziliziumsubstrat, um einen leitenden vergrabenen Kollektorbereich zu bilden; Aufwachsen einer epitaktischen Kollektorschicht auf den vergrabenen Kollektorbereich und Bilden einer Feldoxidschicht; elektives Injizieren von Fremdatomen in die epitaktische Kollektorschicht, um einen Kollektorsenker zu bilden; aufeinanderfolgendes Bilden einer Basisschicht und einer ersten Oxidschicht darauf; Mustern der ersten Oxidschicht, um einen Störleitungsbasisbereich abzugrenzen; Ionen-Implantieren von Fremdatomen in den Störleitungsbasisbereich unter Verwendung einer gemusterten Oxidschicht als Maske und Entfernen der gemusterten Oxidschicht; Abscheiden eines Metallsilizidfilms, um einen Basiselektroden-Dünnfilm zu bilden; Bilden einer Oxidabdeckschicht mit ca. 50 nm Dicke nur auf dem Basiselektroden-Dünnfilm; Bilden einer isolierenden Oxidschicht darauf und aufeinanderfolgendes und selektives Entfernen der isolierenden Oxidschicht, der Oxidabdeckschicht, des Basiselektroden-Dünnfilms und der Basisschicht unter Verwendung einer gemusterten Fotomaske, um ein Muster zu bilden, wobei die isolierende Oxidschicht vorgesehen ist, um Basis und Emitter elektrisch zu isolieren; Bilden einer Seitenwandoxidschicht auf beiden Rändern des Musters; Entfernen eines Abschnitts der isolierenden Oxidschicht, um einen Emitterbereich abzugrenzen; Bilden einer Passivierungsschicht darauf und selektives Entfernen der Passivierungsschicht, um Kontaktlöcher zu bilden; und Abscheiden einer mit Fremdionen dotierten Polysiliziumschicht in den Kontaktlöchern, um Elektroden zu bilden.
Eine Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß die Basisschicht aus einem Einschicht-Einkristall-SiGe-Film zusammengesetzt ist, der mit einer hohen Konzentration von 10¹⁸ cm-3 oder mehr dotiert ist.
Eine weitere Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß die Basisschicht aus einem Doppelschicht-SiGe/Si-Film oder einem Dreischicht-Si/SiGe/Si-Film zusammengesetzt ist.
Eine weitere Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß der Ge-Gehalt der Basisschicht zwischen der Unterseite und der Oberseite der Basisschicht linear geändert wird.
Eine weitere Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß der Ge-Gehalt der Basisschicht im Bereich von 3% oder weniger konstant gehalten wird.
Eine weitere Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß der Ge-Gehalt der Basisschicht zwischen der Unterseite und der Oberseite der Basisschicht im Bereich von 30% bis 0% linear geändert wird.
Eine weitere Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß der Ge-Gehalt der Basisschicht zwischen der Unterseite und einer vorbestimmten Höhe der Basisschicht in dem Bereich von 30% oder weniger konstant ist und zwischen der vorbestimmten Höhe und der Oberseite der Basis in dem Bereich von 30% bis 0% linear geändert wird.
Eine weitere Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß der Ge-Gehalt der Basisschicht zwischen der Unterseite und einer vorbestimmten Höhe der Basisschicht im Bereich von 0% bis 30% linear geändert wird und zwischen der festgelegten Höhe und der Oberseite der Basisschicht im Bereich von 30% bis 0% geändert wird.
Eine weitere Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens des leitenden, vergrabenen Kollektorbereichs bei einer Energie von 30 keV und einer Rate von 6× 10¹⁵ cm-2 oder mehr durchgeführt wird.
Eine weitere Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Abscheidens des Metallsilizidfilms unter Verwendung eines warmgepreßten Verbundtargets aus TiSi2,x durchgeführt wird.
Eine weitere Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß der Metallsilizidfilm aus TiSi2,x zusammengesetzt ist und eine Dicke von 50 bis 400 nm aufweist, wobei x eine ganze Zahl von 0 bis 9 ist.
Eine weitere Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß der Emitterbereich aus einer leitenden Polysiliziumschicht mit ca. 200 nm Dicke zusammengesetzt ist.
Eine weitere Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß der Emitterbereich eine untere Schicht, die durch selektives epitaktisches Aufwachsen gebildet ist und aus einem mit einer Fremdatomkonzentration von 10¹⁸ cm-3 oder weniger dotierten Siliziumeinkristall zusammengesetzt ist, und eine obere Schicht (29b) aufweist, die Fremdatomkonzentration von 10²⁰ cm-3 oder mehr dotierten aus einem mit einer Polysilizium zusammengesetzt ist.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen und aus der Zeichnung, auf die Bezug genommen wird. Es zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht, die einen typischen Aufbau eines Heteroüber­ gang-Bipolartransistors nach dem Stand der Technik zeigt;
Fig. 2 eine Querschnittsansicht, die den Aufbau des Heteroübergang-Bipolar­ transistors zeigt, der durch das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren hergestellt ist; und
Fig. 3A bis 3H Querschnittsansichten, die die Schritte eines erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens des Heteroübergang-Bipolartransistors zeigen.
Der durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellte Heteroübergang-Bipolar­ transistor weist gemäß Fig. 2 eine vergrabene Kollektorschicht 21 auf einem Substrat, eine auf der vergrabenen Kollektorschicht 21 gebildete epitaktische Kollektorschicht 22, einen auf der vergrabenen Kollektorschicht 21 gebildeten und von der epitaktischen Kollektorschicht 22 durch eine vorrichtungsisolierende Oxid­ schicht 23 elektrisch isolierten Kollektorsenker 24, eine über der epitaktischen Kollektorschicht 22 gebildete Basisschicht 25, eine auf der Basisschicht 25 gebil­ dete Metallsilizidschicht 26, eine um die Metallsilizidschicht 26 herum gebildete Oxidschicht 27 zu selektiven Injizieren von Fremdatomen in die Basisschicht 25 und eine Emitterschicht 29 auf, die auf der Basisschicht durch eine Öffnung in der Oxidschicht 27 gebildet ist.
Da der Metallsilizidfilm 26 ohne Durchführen eines Glühverfahren gebildet werden kann, ist es möglich, den Herstellungsablauf des Heteroübergang-Bipolartransi­ stors zu vereinfachen. Der Metallsilizidfilm 26 kann auch im Bereich von 50 bis 400 nm bzw. 500 bis 4000 Å Dicke variabel gebildet werden, wodurch es möglich ist, einen Parasitärwiderstand einer Basis zu verkleinern.
Nachstehend ist das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren eines Bipolartransi­ stors ausführlich unter Bezug auf die Fig. 3A bis 3H beschrieben. Komponen­ tenelemente mit ähnlichen Funktionen wie diejenigen der Komponentenelemente des in Fig. 2 gezeigten Heteroübergang-Bipolartransistors sind mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Wie in Fig. 3A gezeigt ist, werden Fremdatome mit hoher Konzentration in ein Siliziumsubstrat (nicht gezeigt) durch Ionenimplantation injiziert, um einen leitenden vergrabenen Kollektorbereich 21 zu bilden. Danach wird auf dem ver­ grabenen Kollektorbereich 21 eine epitaktische Kollektorschicht 22 aufgewachsen die mit Fremdatomen in situ dotiert ist, worauf nach dem Abgrenzen aktiver und inaktiver Bereiche eine Feldoxidschicht 23 gebildet wird. Außerdem werden Fremdatome mit hoher Konzentration selektiv implantiert, um einen Kollek­ torsenker 24 zu bilden. Eine SiGe-Basisschicht 25 und eine Oxidschicht 13 werden aufeinanderfolgend darauf gebildet, wie in Fig. 3A gezeigt ist. Bei diesem Bildungsverfahren wird die SiGe-Basisschicht 25 durch ein Epitaxieverfahren gebildet, wie beispielsweise MBE (Molekularstrahlepitaxie), UHV/CVD (Ultrahoch­ vakuum/chemical vapor deposition) oder dergleichen, und die Oxidschicht 13 mit einer Dicke von 50 bis 100 nm bzw. 500 bis 1000 A wird durch LPCVD (Nieder­ druck/chemical vapor deposition) oder PECVD (plasmaverbesserte chemical vapor deposition) gebildet.
In dieser Ausführungsform wird ein Einschicht-SiGe-Film als Basisschicht ver­ wendet, und ein Doppelschicht-SiGe/Si-Film oder ein Dreischicht-Si/SiGe/Si-Film kann außer dem Einschicht-SiGe-Film als leitende Basisschicht 25 verwendet werden.
In dem Fall, daß ein Einschicht-SiGe-Film als Basisschicht 25 verwendet wird, werden Fremdionen mit hoher Konzentration von 1 × 10¹⁸ cm-3 oder mehr dort hinein injiziert.
Auch in dem Fall, daß ein Doppelschicht-Si/SiGe-Film als Basisschicht 25 ver­ wendet wird, werden Fremdatome mit hoher Konzentration von 1 × 10¹⁸ cm-3 oder mehr nur in einen oberen Abschnitt injiziert, der in Kontakt mit einem Emitter steht. Die Basisschicht 25 kann auch in derartiger Weise gebildet werden, daß der Ge- Gehalt der SiGe-Basisschicht 25 in Abhängigkeit von der Höhe der Basisschicht 25 linear gesteuert wird.
Die SiGe-Basis 25 kann beispielsweise derart gebildet werden, daß der Ge-Gehalt im Bereich von 30% oder weniger konstant ist, oder daß der Ge-Gehalt zwischen der Unterseite und der Oberseite der SiGe-Basis linear von 30% bis zu 0% ge­ ändert werden kann. Die SiGe-Basis kann auch derart gebildet werden, daß deren Ge-Gehalt zwischen der Unterseite der Basis und einervorbestimmten Höhe in dem Bereich von 30% oder weniger konstant ist und zwischen der vorbestimmten Höhe und der Oberseite der Basis in dem Bereich von 30% bis 0% linear geändert wird, oder deren Ge-Gehalt wird zwischen deren Unterseite und einer vorbestimm­ ten Höhe in dem Bereich von 0% bis 30% linear zunehmend geändert und zwi­ schen der vorbestimmten Höhe und deren Oberseite in dem Bereich von 30% bis 0% abnehmend geändert. Der Ausdruck "linear" bedeutet hier, daß der Ge-Gehalt der Basis zunehmend oder abnehmend geändert wird.
Wie in Fig. 3B gezeigt ist, wird die Oxidschicht 13 gemustert, um einen störlei­ tenden Basisbereich abzugrenzen, worauf eine Ionenimplantation unter Verwen­ dung der gemusterten Oxidschicht 13 als Maske bei 30 keV und einer Rate von 6 × 1015 cm-2 durchgeführt wird, um den störleitenden Basisbereich zu bilden. Auch die gemusterte Oxidschicht 13 wird entfernt. Während der Ionenimplantation werden Fremdionen mit hoher Konzentration nur in den störleitenden Basisbereich der Basisschicht 25 injiziert.
Ein Metallsilizidfilm 26 wird gemäß Fig. 3G durch Sputtern abgeschieden, um einen Basiselektroden-Dünnfilm zu bilden. Die Bildung des Basiselektroden-Dünnfilms wird durch Verwendung einer Quelle einer Legierungszusammensetzung ausge­ führt.
Beispielsweise wird bei Verwendung eines warmgepreßten Verbundtargets aus TiSi2,x (wobei x eine ganze Zahl von 0 bis 9 ist) amorphes TiSi2,x (wobei x eine ganze Zahl von 0 bis 9 ist) 26 darauf abgeschieden. Da der Basiselektroden-Dünn­ film 26 aus einem Metallsilizidfilm mit hoher Leitfähigkeit und einer Dicke zwischen 50 und 400 nm bzw. 500 bis 4000 Å zusammengesetzt ist, ist es möglich, einen Parasitärwiderstand der Basisschicht 25 zu verkleinern. Auf dem Basiselektroden- Dünnfilm 26 wird durch das LPCVD auch eine Oxidabdeckschicht 14 mit ca. 50 nm bzw. 500 Å Dicke gebildet.
Wie in Fig. 3D gezeigt ist, wird darauf eine isolierende Oxidschicht 27 mit 200 bis 400 nm bzw. 2000 bis 4000 Å Dicke abgeschieden, worauf verschiedene Schich­ ten, d. h. die isolierende Oxidschicht 27, die Oxidabdeckschicht 14, der Basis­ elektroden-Dünnfilm 26 und die Basisschicht 25 aufeinanderfolgend unter Ver­ wendung einer gemusterten Fotomaske (nicht gezeigt) entfernt werden, um ein Muster zu bilden. Danach wird an beiden Rändern des Musters eine Seitenwand­ oxidschicht 28 gebildet. Die isolierende Oxidschicht 27 ist vorgesehen, um den Emitter und die Basis elektrisch zu isolieren.
Wie in Fig. 3E gezeigt ist, wird außerdem ein Abschnitt der isolierenden Oxid­ schicht 27 entfernt, um einen Emitterbereich abzugrenzen. Eine mit As-Ionen dotierte Polysiliziumschicht wird durch LPCVD bei einer Temperatur von ca. 650°C auf der Basisschicht 25 abgeschieden und dann gemustert, um eine Emitter-schicht 29 zu bilden, wie in Fig. 3F gezeigt ist. Die Emitterschicht 29 besitzt eine Dicke von circa 200 nm bzw. 2000 Å.
Wie in Fig. 3F-1 gezeigt ist, umfaßt die Emitterschicht 29 eine untere Schicht 29a, die durch selektives epitaktisches Aufwachsen gebildet ist und aus einem mit einer Fremdatomkonzentration von 10¹⁸ cm-3 oder weniger dotierten Siliziumeinkristall zusammengesetzt ist, und eine untere Schicht 29b, die aus mit einer Fremdatom­ konzentration von 10₂₀ cm-3 oder mehr dotiertem Polysilizium zusammengesetzt ist.
Nach der Bildung einer Passivierungsschicht 30 hierauf werden gemäß Fig. 3G und 3H Kontaktlöcher durch selektives Entfernen der Passivierungsschicht 30 ge­ bildet. Dann werden Elektroden 31 durch die Kontaktlöcher hindurch gebildet, wo­ rauf die Herstellung des Heteroübergang-Bipolartransistors abgeschlossen ist.
Da der Metallsilizidfilm als Basiselektroden-Dünnfilm ohne Durchführen eines Glühverfahrens gebildet werden kann, ist es möglich, den Herstellungsablauf bei der erfindungsgemäßen Herstellung eines Heteroübergang-Bipolartransistors zu vereinfachen und somit die Produktionsausbeute zu verbessern.
Da außerdem die Dicke des Metallsilizidfilms im Bereich von 50 bis 400 nm bzw. 500 bis 4000 Å variabel ausgebildet werden kann, ist es möglich, einen Parasitär­ widerstand einer Basis zu verkleinern.
Wenn der durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellte Heteroübergang- Bipolartransistor in einer Hochfrequenzvorrichtung eingesetzt wird, ist es außer­ dem möglich, deren Betriebscharakteristika zu verbessern.
Für den Fachmann ergeben sich natürlich verschiedenene andere Modifizierun­ gen, die im Rahmen und im Geiste der Erfindung leicht realisiert werden können.

Claims (13)

1. Verfahren zur Herstellung eines Heteroübergang-Bipolarstransistors, das folgende Schritte umfaßt:
Injizieren von Fremdatomen in ein Siziliziumsubstrat, um einen leitenden vergrabenen Kollektorbereich zu bilden;
Aufwachsen einer epitaktischen Kollektorschicht auf den vergrabenen Kollektorbereich und Bilden einer Feldoxidschicht;
selektives Injizieren von Fremdatomen in die epitaktische Kollektorschicht, um einen Kollektorsenker zu bilden;
aufeinanderfolgendes Bilden einer Basisschicht und einer ersten Oxidschicht darauf;
Mustern der ersten Oxidschicht, um einen Störleitungsbasisbereich abzugrenzen;
Ionen-Implantieren von Fremdatomen in den Störleitungsbasisbereich unter Verwendung einer gemusterten Oxidschicht als Maske und Entfernen der gemusterten Oxidschicht;
Abscheiden eines Metallsilizidfilms, um einen Basiselektroden-Dünnfilm zu bilden;
Bilden einer Oxidabdeckschicht mit ca. 50 nm Dicke nur auf dem Basiselektroden-Dünnfilm;
Bilden einer isolierenden Oxidschicht darauf und aufeinanderfolgendes und selektives Entfernen der isolierenden Oxidschicht, der Oxidabdeckschicht, des Basiselektroden-Dünnfilms und der Basisschicht unter Verwendung einer gemusterten Fotomaske, um ein Muster zu bilden, wobei die isolierende Oxidschicht vorgesehen ist, um Basis und Emitter elektrisch zu isolieren; Bilden einer Seitenwandoxidschicht auf beiden Rändern des Musters; Entfernen eines Abschnitts der isolierenden Oxidschicht, um einen Emitterbereich abzugrenzen;
Bilden einer Passivierungsschicht darauf und selektives Entfernen der Passivierungsschicht, um Kontaktlöcher zu bilden; und
Abscheiden einer mit Fremdionen dotierten Polysiliziumschicht in den Kontaktlöchern, um Elektroden zu bilden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisschicht aus einem Einschicht-Einkristall-SiGe-Film zusammengesetzt ist, der mit einer hohen Konzentration von 10¹⁸ cm-3 oder mehr dotiert ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisschicht aus einem Doppelschicht-SiGe/Si-Film oder einem Dreischicht-Si/SiGe/Si-Film zusammengesetzt ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Ge-Gehalt der Basisschicht zwischen der Unterseite und der Oberseite der Basisschicht linear geändert wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Ge-Gehalt der Basisschicht im Bereich von 3% oder weniger konstant gehalten wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Ge-Gehalt der Basisschicht zwischen der Unterseite und der Oberseite der Basisschicht im Bereich von 30% bis 0% linear geändert wird.
7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Ge-Gehalt der Basisschicht zwischen der Unterseite und einer vorbestimmten Höhe der Basisschicht in dem Bereich von 30% oder weniger konstant ist und zwischen der vorbestimmten Höhe und der Oberseite der Basis in dem Bereich von 30% bis 0% linear geändert wird.
8. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Ge-Gehalt der Basisschicht zwischen der Unterseite und einer vorbestimmten Höhe der Basisschicht im Bereich von 0% bis 30% linear geändert wird und zwischen der festgelegten Höhe und der Oberseite der Basisschicht im Bereich von 30% bis 0% geändert wird.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens des leitenden, vergrabenen Kollektorbereichs bei einer Energie von 30 keV und einer Rate von 6×10¹⁵ cm-2 oder mehr durchgeführt wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Abscheidens des Metallsilizidfilms unter Verwendung eines warmgepreßten Verbundtargets aus TiSi2,x durchgeführt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallsilizidfilm aus TiSi2,x zusammengesetzt ist und eine Dicke von 50 bis 400 nm aufweist, wobei x eine ganze Zahl von 0 bis 9 ist.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitterbereich aus einer leitenden Polysiliziumschicht mit ca. 200 nm Dicke zusammengesetzt ist.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitterbereich eine untere Schicht, die durch selektives epitaktisches Aufwachsen gebildet ist und aus einem mit einer Fremdatomkonzen­ tration von 10¹⁸ cm-3 oder weniger dotierten Siliziumeinkristall zusammengesetzt ist, und eine obere Schicht (29b) aufweist, die aus einem mit einer Fremdatomkon­ zentration von 10²⁰ cm-3 oder mehr dotierten Polysilizium zusammengesetzt ist.
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