DE4437469A1 - Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids bzw. von kolloidalem Silicium und ein Ver­ fahren zur Bildung eines dünnen Siliciumfilms aus dem Kol­ loid. Die Erfindung betrifft insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids, das zur Bildung eines dünnen Siliciumfilms geeignet ist, der seinerseits als Halb­ leiterelement in Solarzellen oder anderen Vorrichtungen ver­ wendbar ist. Die Erfindung betrifft schließlich noch ein Ver­ fahren zur Bildung eines dünnen Siliciumfilms aus dem Kol­ loid.
Bei Verwendung einer Dispersion, die dadurch erhalten worden ist, daß ultrafeine Metallteilchen mit Teilchendurchmessern von 100 nm oder weniger derart in einem Lösungsmittel disper­ giert worden sind, daß die Teilchen homogen voneinander abge­ trennt worden sind, d. h. bei Verwendung eines sogenannten Me­ tallkolloids, können dünne Metallfilme dadurch gebildet wer­ den, daß lediglich das Kolloid aufgeschichtet wird und daß hierauf das Lösungsmittel abgedampft wird, um den erhaltenen Überzug zu trocknen. Deswegen haben Metallkolloide als Vor­ läufer für dünne Metallfilme in den letzten Jahren Aufmerk­ samkeit gefunden.
Metallkolloide werden durch ein Verfahren hergestellt, bei dem ein Metall in einem inerten Gas verdampft wird, um ultra­ feine Metallteilchen zu bilden, und Lösungsmittel-Dampf in das Gefäß eingeführt wird, um die Teilchen zu sammeln, wäh­ rend jedes ultrafeine Teilchen mit Lösungsmittel-Molekülen bedeckt ist, bevor sich die ultrafeinen Teilchen aggregieren. Dieses Verfahren zur Herstellung eines Metallkolloids ist bislang in weitem Umfang angewendet worden, und es wird im Detail beispielsweise in dem Japanese Journal of Applied Phy­ sics, Bd. 15, Nr. 5, S. 755-756 (1976), beschrieben.
Bislang wurden Kolloide von Metallen, wie von Gold, Silber, Platin und Palladium, hergestellt. Aus diesen Metallkolloiden können dünne Metallfilme mit den gleichen Eigenschaften wie die entsprechenden Masse-Materialien gebildet werden. Im Falle von Silicium liefert aber das nach dem vorgenannten Verfahren hergestellte Siliciumkolloid derzeit nur dünne Filme mit schlechterem Widerstand und schlechteren anderen Eigenschaften gegenüber Masse-Silicium.
Es besteht daher in der Technik ein starker Bedarf nach der Entwicklung eines Siliciumkolloids, aus dem ein dünner Sili­ ciumfilm mit den gleichen Eigenschaften wie Masse-Silicium durch Beschichten und Trocknen gebildet werden kann.
Es ist daher die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids bereitzustellen, aus dem ein dünner Siliciumfilm gebildet werden kann, der hinsicht­ lich des Widerstands und der anderen elektrischen Eigenschaf­ ten Masse-Silicium bzw. elementarem Silicium gleichwertig ist.
Es wurde nun überraschenderweise gefunden, daß die Verdamp­ fung von Silicium in Gegenwart von Wasserstoff die Herstellung eines Siliciumkolloids ermöglicht, aus dem durch Be­ schichten und Trocknen ein dünner Siliciumfilm mit gleichen Eigenschaften gegenüber Masse-Silicium erhalten werden kann.
Gegenstand der Erfindung ist daher ein Verfahren zur Herstel­ lung eines Silicium-(Si-)Kolloids, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man Silicium in Gegenwart von Wasserstoff verdampft und die resultierenden Siliciumteilchen mit einem Lösungsmit­ tel in Kontakt bringt. Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines dünnen Siliciumfilms aus dem durch das vorgenannte Verfahren erhaltenen Silicium­ kolloid.
Die Erfindung wird anhand der beigefügten Zeichnung erläu­ tert, wobei die Figur eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines Siliciumkolloids ist.
Das erfindungsgemäß als Rohmaterial zu verwendende Silicium ist keinen besonderen Beschränkungen unterworfen, doch wird ein solches, das für Halbleiterelemente für Solarzellen oder andere Vorrichtungen eingesetzt wird, gewöhnlich bevorzugt.
Beispiele für Silicium als Halbleiterelement für Solarzellen oder andere Vorrichtungen sind Silicium, das nicht mit Verun­ reinigungen dotiert ist, Silicium vom p-Typ, das beispiels­ weise mit Bor dotiert ist, und Silicium vom n-Typ, das mit beispielsweise Arsen dotiert ist. Jedoch wird im allgemeinen Silicium vom p-Typ oder n-Typ verwendet.
Das als Rohmaterial verwendete Silicium hat gewöhnlich einen Widerstand von 10-2 bis 10 Ωcm.
Die Verfahren zur Verdampfung des Siliciums sind keinen be­ sonderen Beschränkungen unterworfen. Gewöhnlich sind alle Techniken geeignet, die herkömmlicherweise zur Herstellung von Metallkolloiden eingesetzt werden, wie zum Beispiel das Widerstands-Heizverfahren und das Zerstäubungsverfahren. Ob­ gleich herkömmlicherweise Siliciumkolloide durch Verdampfen von Silicium in Gegenwart eines Inertgases hergestellt worden sind, liefern derart hergestellte Siliciumkolloide nur dünne Filme mit schlechten Widerständen. Dagegen ist es erfindungs­ gemäß möglich geworden, ein Siliciumkolloid herzustellen, das zur Bildung eines dünnen Films mit ausgezeichnetem Widerstand geeignet ist, indem man Silicium in Gegenwart von Wasserstoff allein oder von Wasserstoff und einem Inertgas verdampft.
Die Erhitzungsbedingungen beim Verdampfen sind keinen beson­ deren Beschränkungen unterworfen, solange das als Rohmaterial verwendete Silicium verdampft wird, doch wird das Silicium gewöhnlich auf eine Temperatur von 1000 bis 1500°C, vorzugs­ weise 1200 bis 1400°C, erhitzt.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Si­ liciumkolloids wird das System zuerst auf 0,1 Torr oder weni­ ger evakuiert. Sodann wird Wasserstoff in einer derartigen Menge eingeführt, daß der resultierende Druck in einem Be­ reich von gewöhnlich 0,2 bis 100 Torr, vorzugsweise 1 bis 20 Torr, liegt. Drücke von weniger als 0,2 Torr sind deswegen nicht zweckmäßig, weil die in diesem Fall aus dem Silicium­ kolloid gebildeten dünnen Filme zu hohe Widerstände haben. Andererseits sind Drücke von mehr als 100 Torr deswegen un­ zweckmäßig, weil gröbere Siliciumteilchen mit großer Teil­ chengröße erhalten werden und das Kolloid einen dünnen Film liefert, der eine ungleichmäßige Dicke aufweist.
Die Verdampfungsstufe kann in Gegenwart eines Inertgases ne­ ben Wasserstoff durchgeführt werden. Repräsentative Beispiele für geeignete Inertgase sind Edelgase, d. h. Helium, Neon, Ar­ gon, Krypton, Xenon und Radon, wobei Helium und Argon beson­ ders bevorzugt werden. Der Partialdruck des gleichfalls vor­ handenen Inertgases ist keinen besonderen Beschränkungen un­ terworfen, doch kann das Inertgas in einer Menge von gewöhn­ lich bis zu 10 mol, vorzugsweise im Bereich von 1 bis 5 mol, pro mol Wasserstoff eingesetzt werden.
Das so durch Verdampfen von Silicium in einer Wasserstoffat­ mosphäre oder in einer Atmosphäre von Wasserstoff und einem Inertgases gebildete teilchenförmige Silicium wird mit einem in das System eingeführten Lösungsmittel in Kontakt gebracht. Als Lösungsmittel sind organische Lösungsmittel, wie Ether, Alkohole oder Ester, zweckmäßig. Insbesondere werden Alkohole mit 1 bis 15 Kohlenstoffatomen bevorzugt. Beispiele hierfür sind Methanol, Ethanol, Propanol, Isopropanol, Butanol, Pen­ tanol, Hexanol, Heptanol, Octanol, Nonanol, Decanol, α-Terpi­ neol, Undecanol, Dodecanol, Tridecanol, Tetradecanol und Pen­ tadecanol. Naturgemäß ist es auch möglich, Struktur-Isomere und Positions-Isomere dieser Alkohole, wie verzweigte Iso­ mere, cyclische Isomere und Isomere, die sich von den oben genannten Alkoholen hinsichtlich der Position der Hydroxyl­ gruppe unterscheiden, zu verwenden. Von diesen Alkoholen wer­ den Methanol, Ethanol, Isopropanol und α-Terpineol besonders bevorzugt. Der Druck des Lösungsmittels bei der Einführung in das System ist keinen Begrenzungen unterworfen, solange er höher ist als der Druck in der Verdampfungskammer, doch wird das Lösungsmittel gewöhnlich in das System mit einem Druck von 1 Atmosphäre eingeführt.
Durch den Kontakt mit dem Lösungsmittel werden die einzelnen Siliciumteilchen mit dem Lösungsmittel bedeckt. Durch Sammeln der so mit dem Lösungsmittel bedeckten Siliciumteilchen wird das gewünschte Siliciumkolloid erhalten. Die Verfahren zum Sammeln sind keinen besonderen Beschränkungen unterworfen. So kann beispielsweise ein Verfahren angewendet werden, bei dem man die mit dem Lösungsmittel bedeckten Siliciumteilchen auf beispielsweise -100 bis 10°C abkühlt, um direkt ein flüssiges Kolloid zu erhalten, oder ein Verfahren, bei dem man die mit dem Lösungsmittel bedeckten Siliciumteilchen zunächst auf beispielsweise -250 bis -50°C mit einem Kühlmittel, bei­ spielsweise flüssigem Stickstoff, abkühlt, um die mit Lö­ sungsmittel bedeckten Siliciumteilchen im festen Zustand zu sammeln, und sodann den Feststoff durch Erhitzen auf bei­ spielsweise 0 bis 50°C in einen flüssigen Zustand umwandelt, um ein Siliciumkolloid zu erhalten.
In dem erhaltenen Siliciumkolloid sind die Siliciumteilchen gleichmäßig in dem Lösungsmittel dispergiert. Die Durchmesser der Siliciumteilchen in dem Kolloid können dadurch variiert werden, daß man die Zusammensetzung oder den Druck der Atmo­ sphäre, das Verdampfungsverfahren etc. verändert. Die Teil­ chendurchmesser betragen gewöhnlich 50 nm oder weniger, vor­ zugsweise 10 nm oder weniger. Insbesondere werden für das er­ findungsgemäße Siliciumkolloid ultrafeine Teilchen mit 5 nm oder kleiner bevorzugt. Durchmesser der Siliciumteilchen, die größer als 50 nm sind, sind deswegen unzweckmäßig, weil der durch Aufschichten und Trocknen eines solchen Siliciumkollo­ ids gebildete Siliciumfilm eine verminderte Homogenität auf­ weist.
Die Konzentration der Siliciumteilchen in dem erfindungsgemä­ ßen Siliciumkolloid kann je nach dem vorgesehenen Zweck des Kolloids ausgewählt werden. Gewöhnlich wird aber eine Konzen­ tration im Bereich von 5 bis 80 Gew.-% bevorzugt. Konzentra­ tionen der Siliciumteilchen unterhalb 5 Gew.-% sind deswegen unzweckmäßig, weil die Verwendung eines solchen Kolloids zu einem sehr dünnen Film führt, so daß der Vorgang der Filmbil­ dung zweimal oder mehrmals durchgeführt werden sollte, um einen dünnen Siliciumfilm mit einer gegebenen Dicke zu bil­ den. Andererseits sind Konzentrationen der Siliciumteilchen von mehr als 80 Gew.-% deswegen unzweckmäßig, weil ein derar­ tiges Kolloid eine verschlechterte Stabilität hat.
Gewünschtenfalls und erforderlichenfalls kann ein oberflä­ chenaktives Mittel zu dem Siliciumkolloid gegeben werden, um die Stabilität des Kolloidzustands zu erhöhen. Das hierzu verwendete oberflächenaktive Mittel ist seiner Art nach kei­ nen besonderen Beschränkungen unterworfen, doch ist es zweck­ mäßig, ein solches einzusetzen, das während des nach dem Auf­ schichten erfolgenden Trocknens verdampft. Bevorzugte ober­ flächenaktive Mittel sind höhere aliphatische Carbonsäuren mit 10 bis 20 Kohlenstoffatomen, wobei Ölsäure und Stearin­ säure besonders bevorzugt werden. Diese oberflächenaktiven Mittel können gewöhnlich mit einer Konzentration von 0,001 bis 0,1 Gew.-%, bezogen auf das Siliciumkolloid, eingesetzt werden.
Das so erhaltene Siliciumkolloid wird auf ein Substrat aufge­ schichtet. Der erhaltene Überzug wird zur Entfernung des Lö­ sungsmittels getrocknet. Auf diese Weise kann ein dünner Si­ liciumfilm gebildet werden. Die Beschichtungsverfahren sind keinen besonderen Beschränkungen unterworfen. Alle Techniken, die herkömmlicherweise zur Bildung von dünnen Filmen aus Me­ tallkolloiden, zum Beispiel das Spinn- bzw. Rotationsbe­ schichten und das Walzenbeschichten, verwendet werden, sind geeignet.
Das Material des Substrats, auf das das erfindungsgemäße Si­ liciumkolloid aufgeschichtet wird, ist keinen besonderen Be­ schränkungen unterworfen. Während geeignete Materialien je nach dem vorgesehenen Anwendungszweck in üblicher Weise aus verschiedenen Arten von Kunststoffen, Metallen und Keramiken ausgewählt werden können, sind Substrate mit glatter Oberflä­ che besonders zweckmäßig.
Die Bedingungen für die Trocknungsstufe nach dem Beschichten variieren entsprechend der Art des verwendeten Lösungsmit­ tels. Üblicherweise wird das Lösungsmittel durch Erhitzen des Überzugs auf eine Temperatur von 50 bis 300°C gewöhnlich über einen Zeitraum von 1 bis 20 Minuten abgedampft.
Der erfindungsgemäß erhältliche dünne Siliciumfilm kann zu einer optimalen Dicke für den Anwendungszweck eingestellt werden, indem die Konzentration der Siliciumteilchen in dem Siliciumkolloid kontrolliert wird oder die Beschichtungsbe­ dingungen kontrolliert werden. Für Solarzellen werden gewöhn­ lich dünne Siliciumfilme mit Dicken von 0,2 bis 10 µm einge­ setzt.
Es ist zweckmäßig, die Beschichtungsstufe und die Trocknungs­ stufe in einer Inertgasatmosphäre, zum Beispiel Stickstoff oder Argon, durchzuführen.
Wie oben bereits zum Ausdruck gebracht wurde, zeigen dünne Siliciumfilme, die aus dem erfindungsgemäßen Siliciumkolloid hergestellt worden sind, fast die gleichen elektrischen Ei­ genschaften wie Masse-Silicium bzw. elementares Silicium. Da­ her ist das Siliciumkolloid besonders gut zur Bildung von dünnen Siliciumfilmen geeignet, die ihrerseits als Halblei­ terelemente in Solarzellen oder anderen Vorrichtungen einge­ setzt werden. Dies stellt ein erwähnenswertes Ergebnis dar, das mit herkömmlichen Techniken für die Metallkolloid-Her­ stellung bislang nicht erzielbar war.
Die Erfindung wird in den Beispielen näher erläutert.
Beispiel 1
Unter Verwendung der in der Figur dargestellten Vorrichtung wurde ein Siliciumkolloid hergestellt.
Zuerst wurde das Innere der Vorrichtung genügend durch ein Ablaßventil 9 evakuiert, und es wurde ein Gas-Einführungsven­ til 1 hierauf geöffnet, um in die Vorrichtung ein Mischgas aus Wasserstoff und Argon im Molverhältnis von 1 : 2 so einzu­ führen, daß der Druck im Inneren der Verdampfungskammer 2 bei 30 Torr gehalten wurde. Hierauf wurde ein Ventil 5 zur Ein­ führung von Lösungsmittel-Dampf geöffnet, um α-Terpineol als Lösungsmittel einzuführen. Nach dem Beginn des Abkühlens einer Kühlkammer 6 unter Verwendung von flüssigem Stickstoff 8 als Kühlmittel wurde mittels einer Heizeinrichtung 4 er­ hitzt, um ein Siliciumplättchen 3 aus Silicium vom p-Typ mit einem Widerstand von 2,5 Ωcm zu verdampfen. Die resultieren­ den Siliciumteilchen wurden jeweils mit dem α-Terpineol- Lösungsmittel bedeckt und kamen in diesem Zustand in die Kühlkammer 6, wo sich stetig mit Lösungsmittel bedeckte Sili­ ciumteilchen abschieden. Auf diese Weise wurde eine feste Masse 7 erhalten. Diese feste Masse wurde allmählich auf Raumtemperatur erhitzt, wodurch ein Siliciumkolloid erhalten wurde. Die Konzentration der ultrafeinen Siliciumteilchen in diesem Siliciumkolloid betrug 40 Gew.-%. Die Untersuchung mit einem Transmissions-Elektronenmikroskop ergab, daß die Teil­ chendurchmesser im Bereich von 3,4 bis 3,9 nm lagen.
Dieses Siliciumkolloid wurde auf Quarzglas durch Spinnbe­ schichten bzw. Rotationsbeschichten in einer Stickstoffatmo­ sphäre aufgeschichtet, und das beschichtete Glas wurde 10 Mi­ nuten lang in einem mit Stickstoff gefüllten und dicht ver­ schlossenen Ofen auf 250°C erhitzt, um das Lösungsmittel zu verdampfen. Als Ergebnis wurde ein dünner Siliciumfilm mit einer Dicke von 1,5 µm erhalten.
Der Widerstand dieses dünnen Films wurde gemessen, und es wurde festgestellt, daß dieser 2,4 Ωcm betrug, was fast dem Widerstand des als Verdampfungsmaterial verwendeten Silicium­ plättchens gleich ist.
Beispiel 2
Nach der gleichen Verfahrensweise wie im Beispiel 1, ausge­ nommen, daß der Partialdruck des Wasserstoffs und des Argons auf 0,4 Torr bzw. 1 Torr abgeändert wurde, wurde ein Silici­ umkolloid erhalten. Die Konzentration der Siliciumteilchen in diesem Siliciumkolloid betrug 37 Gew.-%. Die Untersuchung mit einem Transmissions-Elektronenmikroskop ergab, daß die Teil­ chendurchmesser im Bereich von 3,2 bis 3,5 nm lagen.
Aus dem so erhaltenen Siliciumkolloid wurde bei den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 ein dünner Siliciumfilm gebil­ det. Der so erhaltene dünne Siliciumfilm hatte eine Dicke von 1,4 µm.
Der Widerstand dieses dünnen Films wurde gemessen, und es wurde ein Widerstand von 3,7 Ωcm erhalten, der mit dem Wider­ stand des als Verdampfungsmaterial verwendeten Siliciumplätt­ chens vergleichbar ist.
Beispiel 3
Nach der gleichen Verfahrensweise wie im Beispiel 1, ausge­ nommen, daß der Partialdruck des Wasserstoffs und des Argons auf 80 Torr bzw. 100 Torr abgeändert wurde, wurde ein Silici­ umkolloid erhalten. Die Konzentration der Siliciumteilchen in diesem Siliciumkolloid betrug 45 Gew.-%. Die Untersuchung mit einem Transmissions-Elektronenmikroskop ergab, daß die Teil­ chendurchmesser im Bereich von 11 bis 41 nm lagen.
Aus dem erhaltenen Siliciumkolloid wurde anschließend bei den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 ein dünner Silicium­ film gebildet. Der so erhaltene dünne Siliciumfilm hatte eine Dicke von 2,1 µm.
Der Widerstand dieses dünnen Films wurde als 2,5 Ωcm gemes­ sen, was fast demjenigen des als Verdampfungsmaterial verwen­ deten Siliciumplättchens gleich ist.
Vergleichsbeispiel 1
Es wurde wie im Beispiel 1 mit der Ausnahme verfahren, daß 100% Argongas anstelle von dem im Beispiel 1 verwendeten Was­ serstoff/Argon=1/2-Mischgas eingesetzt wurden, um das Silici­ umkolloid zu sammeln. Dieses Siliciumkolloid hatte eine Sili­ ciumteilchen-Konzentration von 37 Gew. -%. Die Teilchendurch­ messer lagen im Bereich von 3,6 bis 4,1 nm.
Aus diesem Siliciumkolloid wurde wie in den Beispielen ein dünner Siliciumfilm gebildet. Dieser Siliciumfilm hatte eine Dicke von 1,7 µm.
Der Widerstand dieses dünnen Films wurde als 72.000 Ωcm ge­ messen, was erheblich höher ist als der Widerstand des Ver­ dampfungsmaterials. Der erhaltene Siliciumfilm war daher als Halbleiterelement nicht einsetzbar.
Vergleichsbeispiel 2
Nach der gleichen Verfahrensweise wie im Beispiel 1, ausge­ nommen, daß der Partialdruck des Wasserstoffs und des Argons auf 0,1 Torr bzw. 1 Torr abgeändert wurde, wurde ein Silici­ umkolloid erhalten. Die Konzentration der Siliciumteilchen in diesem Siliciumkolloid betrug 35 Gew.-%. Die Untersuchung mit einem Transmissions-Elektronenmikroskop ergab, daß die Teil­ chendurchmesser im Bereich von 3,4 bis 3,6 nm lagen.
Aus dem erhaltenen Siliciumkolloid wurde sodann bei den glei­ chen Bedingungen wie im Beispiel 1 ein dünner Siliciumfilm gebildet. Der so erhaltene dünne Film hatte eine Dicke von 1,4 µm.
Der Widerstand dieses dünnen Films wurde als 25,2 Ωcm gemes­ sen, was um eine Größenordnung höher ist als der Widerstand des Verdampfungsmaterials. Der so erhaltene dünne Silicium­ film war daher als Halbleiterelement ungeeignet.
Vergleichsbeispiel 3
Nach der gleichen Verfahrensweise wie im Beispiel, ausge­ nommen, daß der Partialdruck des Wasserstoffs und des Argons auf 150 Torr bzw. 150 Torr abgeändert wurde, wurde ein Sili­ ciumkolloid erhalten. Die Konzentration der Siliciumteilchen in diesem Siliciumkolloid betrug 43 Gew.-%. Die Untersuchung mit einem Transmissions-Elektronenmikroskop ergab, daß die Teilchendurchmesser im Bereich von 35 bis 160 nm lagen.
Aus dem erhaltenen Siliciumkolloid wurde sodann bei den glei­ chen Bedingungen wie im Beispiel ein dünner Siliciumfilm gebildet. Der so erhaltene dünne Siliciumfilm hatte eine Dicke von 2,0 µm.
Der Widerstand dieses dünnen Films wurde als 3,5 Ωcm gemes­ sen, was dem Widerstand des Siliciumplättchens, das als Ver­ dampfungsmaterial verwendet wird, fast gleich ist. Der erhal­ tene Film war aber so ungleichmäßig, daß er als Halbleiter­ element ungeeignet war.
Aus den Ergebnissen der obigen Beispiele und Vergleichsbei­ spiele wird ersichtlich, daß aus dem erfindungsgemäßen Sili­ ciumkolloid ein dünner Siliciumfilm erhältlich ist, der dem­ jenigen aus Masse-Silicium bzw. elementarem Silicium ver­ gleichbar ist.

Claims (11)

1. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids, da­ durch gekennzeichnet, daß man Silicium in Ge­ genwart von Wasserstoff verdampft und daß man die resultie­ renden Siliciumteilchen mit einem Lösungsmittel in Kontakt bringt.
2. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man den Wasserstoff in einer solchen Menge verwendet, daß sein Druck 0,1 bis 100 Torr beträgt.
3. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man den Wasserstoff in einer solchen Menge verwendet, daß sein Druck 1 bis 20 Torr beträgt.
4. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Lösungsmittel ein Ether, ein Alkohol oder ein Ester ist.
5. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Lösungsmittel ein Alkohol mit 1 bis 15 Kohlenstoffatomen ist.
6. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchendurchmesser der in dem Siliciumkolloid dispergierten Siliciumteilchen 50 nm oder weniger sind.
7. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchendurchmesser der in dem Siliciumkolloid dispergierten Siliciumteilchen 10 nm oder weniger sind.
8. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchendurchmesser der in dem Siliciumkolloid dispergierten Siliciumteilchen 5 nm oder weniger sind.
9. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkolloids nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumteilchen in dem Siliciumkolloid in einer Menge von 5 bis 80 Gew.-% dispergiert sind.
10. Verfahren zur Bildung eines dünnen Siliciumfilms, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Sili­ ciumkolloids, wobei das Siliciumkolloid dadurch erhalten worden ist, daß Silicium in Gegenwart von Wasserstoff ver­ dampft wird und daß die resultierenden Siliciumteilchen mit einem Lösungsmittel in Kontakt gebracht werden.
11. Verfahren zur Herstellung eines dünnen Siliciumfilms nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der dünne Siliciumfilm eine Dicke von 0,2 bis 10 µm hat.
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