DE1640529C3 - Verfahren zum Aufsprühen von Isolierschichten - Google Patents
Verfahren zum Aufsprühen von IsolierschichtenInfo
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Description
Halbleiterkörpers relativ niedrig gehalten werden, und
der Halbleiterkörper selber wird nicht in Mitleidenschaft gezogen. Darüber hinaus können die Isolierschichten
in Übereinstimmung mit den thermischen ihft d Sbtt ähl d
Kathode wirksame metallische Elektrode». Diese Elektrode 22 ist durch einen Keramikring 26 von der
Trägersäule 24 isoliert. Letzter© ist an der oberen
schichten in uwrcinsuuimuuB inn «cn inermiscnen Platte Π der Kammer 10 befestigt. Eine geerdete ad-Dehnungseigenschaften
des Substrats gewählt werden, 5 schirmung 30 stützt sich auf der TritgersäuJe JA ao.
wodurch dickere Isolierschichten ohne thermische Zug- Die Abschirmung 30 umgibt einen Teil der Elektrode
beanspruchungen möglich wären. Dies Verfahren hat 22 und schützt diese vor unerwünschtem Besprurten.
sich jedoch in der Praxis als nicht sehr erfolgreich er- Ein Kühlsystem 32 ist mit einer Zuführleitung;J4 una
wiesen da eine Beschädigung der Halbleiteroberfläche einer Rückführleitung 36 für den Kühlmantel innereintreten
kann, die wiederum die elektrischen Eigen- io halb der Trägersäule 24 zentrisch angeordnet und tonn
schäften der Halbleiterbauelemente im Halbleiter- zum Kühlen der Elektrodenanordnung 16 mittels waskörper
beeinträchtigen. ser oder einer anderen Flüssigkeit verwendet werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, mit einem Das Kühlsystem ist als elektrischer Later über die
Verfahren der eingangs genannten Art auf einer elek- Trägersäule 24 angeschlossen und verbindet die tieK-trischen
Schaltungseinheit und insbesondere auf einer t5 trode22 mit einer Hochfrequenzenergjequelle (nicni
trischen Schaltungseinheit und insbesondere auf einer Halbleiteroberfläche eine Passivierungsschicht ohne
Beschädigung der Halbleiteroberfläche aufzubringen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß bei einer Leistungsdichte von weniger als 0,7
gezeigt).
Die Trägerplattenlagerung 18 besteht aus einer Platte 40, die auf der Grundplatte 12 der Kammer 10
angeordnet ist. Ein Plattenträger 42 ist auf der Oberh d Pl 40 bftiund auf dem Platten
flau Dei ClIlCl Ll-lJluiigjuivuiv- ru.i Yrv.iigvi ου u, , uubvim viiiwi ...... .- v>
Watt cm2 zwischen den Elektroden eine 500 bis 1500 A ao fläche der Platte 40 befestig, und auf dem blauen
Watt cm
dicke Schicht erzeugt wird.
Dadurch lassen sich vorteilhafterweise auch Isolierschichten verschiedener 2'usammensetzung auf blanke
Halbleiterkörperoberflächen ohne Beschränkung der Zusammensetzung des Haibleiters aufbringen.
Zur Erzeugung einer /.weiten Schicht ist es zweckmäßig,
wenn die Leistungsdichte auf 3 bis 6 Watt/cm2 gesteigert wird. Die ursprüngliche Leistungsdichte von
unter 0,7 Watt/cm2 der Kathodenfläche des Sprühd ilhfi l biblt
träger 42 befinden sich HalbleHerplättchen 50. Zum Kühlen oder Erwärmen der Plättchen 50 können am
oder im Plattenträger 42 entweder Kühlwendeln oder Heizspiralen vorgesehen werden. Die Trägeras
piattenlagerung 18 wird als zweite Elektrode des Zerstäubungsgeräts
angeschlossen und ist als Anode bezeichnet. Zur Konzentration der Glimmentladung des
magnetischen Feldes dienen Elektromagneten 44.
unter 0,7 Watt/cm" der Katnoaennacne aes s.prun- Man hat festgestellt, daß ungeschützte Halbleiter-
geräts wird vorteilhafterweise so lange beibehalten, 30 oberflächen durch das Zerstäubungsverfahren ohne
bis sich ein aufgesprühter Film in einer Dicke von 500 Beeinträchtigung der elektrischen Eigenschaften der
bis 1500 A auf der Halbleiteroberfläche befindet. Die Halbleiterbauelemente in der Oberfläche beschichtet
Aufsprühgeschwindigkeit wird durch die darauffol- werden können. Das Aufsprühen einer Pa'sivierschicht
gende Steigerung der Leistungsdichte sodann trhöiit, geschieht unter Beibehaltung einer gleichmäßigen
wobei die obere Grenze der Leistungsdichte durch das 35 Leistungsdichte von etwa 0,65 W/cm2 der Kathoden-Netzgerät
und die Kathodenkühlwirkung festgelegt fläche an der Kathode des Zerstäubungsgerätes. Das
ist. Die erste Isolierschicht, die bei geringerer Lei- Aufsprühen bei niedrigen Leistungsdichtewerten führt
stungsdichte aufgetragen wurde, bildet hierbei eine nicht zu einer Beeinträchtigung der elektrischen Eigen-Schutzschicht
für die bei höherer Leistungsdichte auf- schäften der Halbleiteroberfläche, da die aus der Kagebrachte
Passivierungsschicht. Vorteile ergeben sich 40 thode gesprühten Partikeln die Halblciterplättchen 50
auch, wenn die Leistungsdichte während des Auf- mit so geringer Kraft erreichen, daß eine Beschädigung
baus des aufgesprühten Films auf der Oberfläche des der Halbleiteroberfläche ausgeschlossen ist. Bei Ver-Halbleitermaterials
allmählich gesteigert wird. wendung von höheren Leistungsdichtewerten würde je
Im folgenden ist ein Ausführungsbeispiel der Er- doch die Halbleiteroberfläche durch Strahlschäden befindung
an Hand der Zeichnungen näher erläutert. 45 schädigt, da in einem solchen Fall die ausgesprühten
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung eines Teilchen mit relativ hoher kinetischer Energie auf die
Zerstäubungsgeräts zur Durchführung des beschrie- Oberfläche auftreffen.
benen Verfahrens; Dieses langsame Zerstäuben hat an sich den Nach-
F i g. 2 zeigt einen Schnitt durch eine Halbleiter- teil, daß das Aufbringen der gewünschten Schichtanordnung
mit einer mittels des beschriebenen Ver- 50 stärke verhältnismäßig lange Zeit in Anspruch
fahrens aufgesprühten Isolierschicht; nimmt. Dieser Nachteil wird durch eine Erhöhung der
F i g. 3 ZL-igt einen weiteren Schnitt einer anderen Leistungsdichtewerte auf etwa 3 bis 6 W/cma nach der
Halbleiteranordnung mit aufgesprühter Isolierschicht, Bildung einer Beschichtung in der Dicke von 500 bis
und 1500 A auf der Halbleiteroberfläche gemindert. Diese
F i g. 4 zeigt eine Prüfvorrichtung zur Auswertung 55 erhöhte Leistung gestattet eine schnellere Bildung des
des Ergebnisses des beschriebenen Verfahrens. Isoliert!.ns auf der Halbleiteroberfläche, während die
Das Zerstäubungsgerät gemäß Fig. l, das in dünne Isolierschicht die Halbleiteroberfläche gegen
seinem grundsätzlichen Aufbau bereits vorgeschlagen eine Beeinträchtigung durch die aufgesprühten Teilist, enthält eine Kammer 10 mit einer oberen Platte 11, chen schützt. Das Netzgerät kann auch so eingerichtet
die auf einer Grundplatte 12 abnehmbar angeordnet 60 werden, daß die auf die Anoden-und Kathodenelektroist. Ein durch ein Ventil 14 zugeführtes Gas, ζ. B. den der Einrichtung abgegebene Leistung allmählich
Argon, wird in der Kammer mittels einer Vakuum- während des Aufbaus des Films erhöht wird. Es
pumpe 17 auf einem gewünschten Unterdruck ge- empfiehlt sich jedoch, erst etwa 200 Α-Einheiten bei
halten. In der Kummer 10 sind eine Elektrodenanord- der niedrigen Leistungsdichte aufzubringen, bevor die
nung 16undeineTrägerplattenlagerung 18 vorgesehen. 65 Energie über 0,65 W/cma gesteigert wird.
kathode 20, die aus dem zu zerstäubenden Material größte Teil des aufzubringenden Passivierungsfilmes
besteht. Daran angrenzend befindet sich eine als in kürzester Zeit ohne Beeinträchtigung der elektri-
sehen Eigenschaften der Siliziumoberfläche beim Aufbau
der Isolierschicht aufgebracht werden kann. Die obere Grenze für die Stärke des aufgesprühten Films
hängt von der gewünschten Stärke und von der durch die Schicht verursachten thermischen Beanspruchung
ab. Praktisch sind bereits mehr als 30 000 A Siliziumdioxyd auf Siliziumflächen aufgesprüht worden.
F i g. 2 zeigt einen Halbleitertransistor mit den PN-Übergängen 60 und 62, die durch einen Passivierungsfilm
geschützt sind, der aus den Schichten 64 und 66 besteht, die auf der Halbleiteroberfläche mit den PN-Übergängen
aufgebaut worden sind. Zum Aufbringen der ersten Schicht 64 wurde das vorstehend beschriebene
langsame Sprühverfahren mit geringer Leistungsdichte angewendet, während die Schicht 66 bei Anwendung
höherer Energie zwischen Anode und Kathode aufgebracht wird. Die Anordnung gemäß
F i g. 3 enthält ebenfalls die PN-Übergänge 60 und 62, jedoch sind diese durch einen thermisch aufgewachsenen
Siliziumdioxydfilm 70 bedeckt, da bei der Herstellung dieses Siliziumelements bekannte thermische
Oxydbeschichtungsverfahren angewandt wurden. Der aus den Schichten 72 und 74 bestehende Passivierungsfilm
kann entweder aus Glas oder einem anderen geeigneten Isoliermaterial bestehen. Außer dem Loch 76
in der thermisch gewachsenen Siliziumdioxydschicht, die zur Bildung des Emitter-Basis-Obergangs 62 im
Halbleiterkörper verwendet wurde, deckt die Passivierungsschicht 72 und 74 auch die thermisch aufgewachsene
Schicht 70 ab. Die Schicht 72 wurde, ebenso wie bei dem vorher an Hand von F i g. 2 dargestellten
Beispiel, unter Verwendung des langsamen Zer&täubungsverfahrens gebildet, während das schnelle Verfahren
für das Aufbringen der Schicht 74 angewendet wurde.
In Abhängigkeit vom Gebrauchszweck der Schichten kann die Gesamtstärke der Passivierungsschichten
64 und 66 bzw. 72 und 74 verschieden gewählt werden. Dient die Schicht als Diffusionsmaske, so beträgt die
Stärke vorzugsweise zwischen 500 und 600 A in Abhängigkeit von dem verwendeten Diffusionsmaterial,
der Diffusionszeit und dem Material der Isolierschicht. Der dichtere Siliziutinitridfilm kann z. B. dünner
als ein Siliziumdioxydnlm sein, um das gleiche Abdeckvermögen
zu erzielen. Bei Filmen, die zur Passivierung von Elementen benutzt werden sollen, gelangen
Stärken bis zu et-.»a 30 000 A zur Verwendung,
um sicherzustellen, daß mit dem betreffenden Element während seiner Lebensdauer irgendwelche Schmutzstoffe
nicht in Berührung kommen.
Nach dem Aufsprühen einer Schicht kann die Oberfläche
des beschichteten Halbleiterelements durch Vergüten verändert werden. Man hat beispielsweise festgestellt,
daß eine Kombination des vorher beschriebenen langsamen und schnellen Zerstäubungsvenahrens
auf einer SilLziumoberfläche eine nahezu neutrale Oberfläche erzeugt. Durch Vergüten der Oberfläche
bei etwa 300 bis 500° C für die Dauer von 15 Minuten bis 4 Stunden in Luft oder Stickstoff wird eine weitere
Verminderung der Oberflächenbeanspruchung erreicht.
Das beschriebene Verfahren eignet sich für Isoliermittel aller Art, wie z. B. geschmolzenes Quarz oder
Siliziumdiioxyd, Glas, Siliziumnitrid usw., da unterschiedliche
chemische Zusammensetzungen für das Zerstäubungsverfahren als solches unbeachtlich sind.
Die Zerstäubung kann in neutraler oder reaktiver Atmosphäre erfolgen. Glas und Siliziumnitrid können
τι B. am besten in einer reaktiven Atmosphäre aufgetragen
worden; Siliziumnitridschichten sind wiederum besonders geeignet bei niedriger Leistungsdichte
durch reaktives Zerstäuben auf Siliziumhalbleiteroberflächen. Die Art der jeweils zu beschichtenden
Halbleiteroberfläche ist ebenfalls ohne Bedeutung für die Anwendung des vorher beschriebenen Verfahrens,
da die Teilchenenergie, die zur Beschädigung der Halbleiteroberfläche führt, bei den einzelnen Materialien
nur geringfügige Unterschiede aufweist.
ίο Im folgenden werden einige Beispiele des beschriebenen
Verfahrens aufgeführt. Für jedes der Beispiele wurden, wie in F i g. 4 gezeigt, Standardelemente aus
Metalloxydsilizium angefertigt. In allen Fällen wurde der Träger 90 aus P-dotiertem 6-Ohm · cm-Silizium
hergestellt. In jedem Beispiel wurde eine Schicht 92 Siliziumdtoxyd auf die blanke Oberfläche des Siliziumsubstrates
90 aufgesprüht. Die Stärke der Siliziumdioxydschicht 92 beträgt 1 μ = 104 A. Eine aus Aluminium
bestehende Elektrode 94 wurde auf die SiIi-
ao ziumdioxydschicht aufgedampft, und vor dem Aufsprühen der Siliziumdioxydschicht wurde in den Beispielen
2, 5 und 7 auf der Siliziumoberfläche des Siliziumsubstrats 90 durch dessen Erhitzen in Sauerstoff
bei einer Temperatur von 1050°C ein thermisch auf-
s5 gewachsener fiiliziumdioxydfilm von 2800 A gebildet.
Das Metalloxydsiliziumelement wurde in jedem Beispiel zur weiteren Verminderung der Oberflächenleistungsdichte
60 Minuten lang bei 300°C in Stickstoff vergütet. In der nachstehenden Tabelle sind die verwendete
Oberfläche, die Zerstäubungsgeschwindigkeit und die Temperaturbedtngungeri jedes Beispiels sowie
die sich ergebende Oberflächenbelastungsdichte vor und nach dem Vergüten aufgeführt. Die Bezeichnung
»schnell« in der Spalte Sprühgeschwindigkeit weist darauf hin, daß mit einer Leistung von 5.5 Wem2
gearbeitet wurde, während die Bezeichnung »langsam« einer Leistungsdichte von 0,3 W/cm1 entspricht. In
jeder langsamen Zerstäubungsstufe wurde eine Siliziumdioxydschicht von 1500 A aufgetragen, während
in den schnellen Zerstäubungsstufen die Stärke 8500 A betrug.
Ober | Zer- | Tiräger- | Oberflächen- |
Nao
dem Ver güten |
|
fläche | stäubungs- |
tcntpe-
ratnir, CC |
belastungsdichte | -18 | |
blank |
geschwin-
digkeit |
50 | (1011 Einheits | - 5.8 | |
Bei | 2800 A | schnell | 50 | ladungen pro cm1) | ~ 1,2 |
spiel | blank | schnell | 50 | Vordem Ver güten |
|
1 | langsam | -81 | -45 | ||
2 | blank | schnell | 500 | -16 | -16 |
3 | 2800 A | schnell | 500 | + 1,2 | - 6,6 |
blank | schnell | 500 | |||
4 | langsam | -70 | - 5 | ||
5 | 2800 A | schnell | -12 | ||
6 | keine | -16 | |||
Zer | |||||
7 | stäubung | - 5 | |||
Durch Messen der Kapazität der sich ergebendei
Metalloxydsiliziumanordnung in Abhängigkeit voi der zwischen der Metallfeldplatte 94 und dem Silizium
träger 90 angelegten Spannung wurden für jedes Bei spiel die entsprechenden Belastungswerte ermittelt
Die experimentelle C-V-Kurve wurde mit der theoretischen
Kurve in Übereinstimmung mit den Herstellungsbedingungen
(Siliziumdioxydstärke, Verunreinigungsintensität) verglichen. Die horizontale Verschiebung
der beiden Kurven wurde zur Bestimmung der Jberflächenbelastungsdichte und somit des Oberflächenpotentials
verwendet.
Bei dien meisten Halbleiterelerr.cnten beträgt die zulässige
Oberflächenbelastungsdichte etwa 2 · 10n pro cm". Wie aus vorstehender Tabelle hervorgeht, weisen
die auf die Halbleiterplättchen mit thermischer Oxyd ichiieht (Beispiele 2 und 5) bzw. auf die blanken Plätt-
chen nach dem beschriebenen Verfahren (Beispiele 3 und 6) aufgetragenen Filme Oberflächenbelastungen
auf, die unter der zulässigen Oberflächenbelastungsdichte liegen. Auf blanke Plättchen bei hoher Geschwindigkeit
aufgetragene Filme (Beispiele 1 und 4), weisen selbst nach dem Vergüten hohe Belastungswerte auf.
Der Belastungswert auf der Oberfläche des thermisch aufgewachsenen Oxyds und Siliziums ist zu Vergleichszwecken als Beispiel 7 zusätzlich in der Tabelle auf-
geführt. Aus Beispiel 7 geht hervor, daß auch ohne Besprühen der Halbleiteroberfläche ein gewisser Oberflächenbelastungswert
vorliegt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Verfahren zum Aufbringen von Isolierscbich- schrift 3 212 921).
ten auf im wesentlichen planare elektrische Schal- 5 Thermisch aufgewachsene Siliziumdiojcydscbtchten
tungseinheiten, insbesondere auf Halbleiterfläcben, haben sich auf Halbleiteroberflächen als sehr geeignet
mittels Kathodenzerstäubung in einer unter Unter- erwiesen. Das angewendete Verfahren unterliegt jedroek stehenden, zwei Elektroden enthaltenden doch insofern gewissen Einschränkungen, als therlonisationskammer durch Anlegen eines hocbfre- misch aufgewachsenes Siliziumdioxyd auf Siliziumquenten Wecbselfeldes an die einander gegenüber- w halbleitermaterial beschränkt ist und die für das tberliegenden Elektroden, wobei auf der einen Elek- mische Aufwachsen erforderlichen Temperaturen ziemtrode das zu zerstäubende Material und auf der lieh hoch sind. Andere Halbleitermaterialien, wie Geranderen die zu beschichtenden Schaltungseinheiten manium und IU-V-Mischungen gewinnen in der Heraufliegen, dadurch gekennzeichnet, stellung von Halbleiterbauelementen für Spezialdaß bei einer Leistungsdichte von weniger als 15 zwecke an Bedeutung. Hieraus ergibt sich die Forde-0,7 Watt/cm* zwischen den Elektroden eine 500 rung, ein geeignetes Verfahren zum Aufbringen der
bis 1500 A dicke Schicht erzeugt wird. Isolierschichten für diese Materialien zu finden. Die
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- für das thermische Wachsen von Siliztumdioxyd auf
zeichnet, daß zur Erzeugung einer zweiten Schicht Silizium erforderlichen hohen Temperaturen führen
die Leistungsdichte auf 3 bis 6 W/cm2 gesteigert ao nämlich zu einer inneren Diffusion der Dotierungswird.
mittel im Halbleiterkörper und wirken sich nachteilig
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, da- auf die bereits in dem Körper gebildeten PN-Überdurch
gekennzeichnet, daß die aufgebrachte gänge aus. Außerdem können andere an Sich geeignete
Schicht für weniger als 4 Stunden einer Tem- Isolierschichten, wie Siliziumnitrid, nicht auf Silizium
peratur zwischen 300 und 5000C ausgesetzt wird, as thermisch aufgewachsen werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- Beim Aufbringen von Glaspassivieischichten arbeizeichnet,
daß die Leistungsdichte während der tet man ebenfalls mit hohen Temperaturen, da die
Bildung der Schicht allmählich gesteigert wird. Glaspartikeln verschmolzen werden müssen. Die
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, da- hohen Temperaturwerte können sich nachteilig auf die
durch gekennzeichnet, daß die Halbleiterfläche aus 30 Metallkontakte der Elemente der Halbleiter und, wie
Silizium und die aufzubringende Schicht aus bereits erwähnt, auf die Dotierungsmittel innerhalb
Siliziumdioxyd besteht. des Halbleiterkörpers auswirken. Die Art der zu ver-
5. Verfahren nach den Ansprachen 1 bis 4. da- wendenden Gläser beschränkt sich daher auf solche
durch gekennzeichnet, daß die aufzubringende mit einem niedrigen Schmelzpunkt auf Grund der im
Schicht aus Siliziumnitrid besteht. 35 Verfahren eingeschlossenen Fusionsstufe. Glasarten
7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, da- mit hohen Schmelzpunkten eignen sich aber am besten
durch gekennzeichnet, daß die aufzubringende zur Passivierung von Halbleiterelementen.
Schicht aus Glas besteht. Zur Bildung von Isolierschicfc'.en auf Halbleiter
Schicht aus Glas besteht. Zur Bildung von Isolierschicfc'.en auf Halbleiter
oberflächen zu Abdeck- und Passivierungszwecken ist 40 auch das Aufsprühen von Isolierschichten mittels
Kathodenzerstäubung durch Anlegen eines hochfrequenten Wechselfeldes bekannt. So werden z. B.
in Electronics, 20. September 1965, S. 145, und in
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Auf- Vakuumtechnik, September 1965, Heft 6, S. 123ff.,
bringen von Isolierschichten auf im wesentlichen pla- 45 Geräte zum Aufbringen von Passivierungsschichten
nare elektrische Schaltungseinheiten, insbesondere auf mittels Kathodenzerstäubung beschrieben, wobei zur
Halbleiterflächen, mittels Kathodenzerstäubung in Durchführung der Zerstäubung in der Apparatur drei
einer uviter Unterdruck stehenden, zwei Elektroden ent- Eleklroden vorgesehen sind. Bei Geräten mit drei
haltenden Ionisationskammer durch Anlegen eines Elektroden ist es allerdings schwierig, homogene
hochfrequenten Wechselfeldes an die einander gegen- 50 Schichtdicken über eine größere Fläche zu erzielen. Es
überliegenden Elektroden, wobei auf der einen Elek- sei erwähnt, daß es z. B. mit der in der zweiten dei getrode
das zu zerstäubende Material und auf der an- nannten Veröffentlichungen benutzten Apparatur
deren die zu beschichtenden Schaltungseinheiten auf- möglich war, eine gleichmäßige Schichtdicke auf einer
liegen. Fläche von 13 cm2 zu erreichen. Gleichmäßige Schicht-
Solche Verfahren sind bereits bekannt. Bei Halb- 55 dicken über eine große Fläche lassen sich jedoch mit
leitern finden Isolierschichten im allgemeinen als Kathodenzerstäubungsanlagen erzeugen, die nur zwei
Maske für die Halbleiteroberflächen während der Elektroden benötigen, wobei auf der einem der einDiffusion und anderer Zusatzverfahren Verwendung. ander gegenüberliegenden Elektroden das zu zer-AuBerdem werden derartige Schichten zur Passivie- stäubende Material und auf der anderen die zu berung, d. h., für das Aufbringen eines Schutzbelages 60 schichtenden Schaltungseinheiten aufliegen. Eine solgegen Korrosion und andere äußere Einflüsse von ehe Kathodenzerstäubungsanlage ist in Electronics,
Halbleiterelementen, wie Transistoren, Dioden, Fest- 26. Juli 1965, S. 30, beschrieben. Das mittels dieses
körperschaltungsanordnungen usw., benutzt. Zur Pas- mit zwei Elektroden ausgestatteten Kathodenzersivierung von Siliziumelementen besteht die Isolier- stäubungsgeräts durchgeführte Verfahren erscheint
schicht üblicherweise aus einem thermisch aufge- 65 durchaus von Vorteil, da sich mit ihm gleichmäßige
wachsenen Siliziumdioxyd; es sind aber auch bereits Isolierschichten auf jedem Halbleiterkörper — ganz
verschiedene Glasarten benutzt worden. Das Auf· gleich, wie der Halbleiter zusammengesetzt ist — aufbrineen von Isolierschichten aus Glas durch Sedimen- bringen lassen. Desgleichen kann die Temperatur des
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DE3419079C2 (de) |
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EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |