DE4223127A1 - Schaltkreis zum einschalten eines pruefbetriebszustands - Google Patents
Schaltkreis zum einschalten eines pruefbetriebszustandsInfo
- Publication number
- DE4223127A1 DE4223127A1 DE4223127A DE4223127A DE4223127A1 DE 4223127 A1 DE4223127 A1 DE 4223127A1 DE 4223127 A DE4223127 A DE 4223127A DE 4223127 A DE4223127 A DE 4223127A DE 4223127 A1 DE4223127 A1 DE 4223127A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gate
- signal
- node
- level
- schmitt trigger
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/316—Testing of analog circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/31701—Arrangements for setting the Unit Under Test [UUT] in a test mode
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/46—Test trigger logic
Description
Die Erfindung betrifft einen Schaltkreis zum Einschalten (Frei
geben) eines Prüfbetriebszustandes, der für eine vorgegebene
Zeit wirksam sein soll, und insbesondere einen derartigen
Schaltkreis zum Freigeben eines Prüfbetriebszustandes unter
Verwendung eines negativen Pulssignals unterhalb des Massepo
tentials, wodurch es möglich ist, ein normales Betriebssignal
an einen Eingangsstift während des Prüfens derart anzulegen,
daß augenblicklich Freigabe- und Sperroperationen durchgeführt
werden können.
Allgemein werden Freigabeschaltkreise für Prüfbetriebszustände
bei Speicheranordnungen verwendet und im Stand der Technik sind
unterschiedliche Typen von Prüfbetriebsfreigabeschaltungen be
kannt. Ein herkömmlicher Prüfbetriebsfreigabeschaltkreis ist im
US-Patent 47 33 168 (BLANKENSHIP et al.) beschrieben. Der her
kömmliche Prüfbetriebsfreigabeschaltkreis gemäß Fig. 1 enthält
einen Pegeldetektorkreis 2 zum Ermitteln des Pegels an einem
Eingangsanschluß 1, ein Inverter-Gate 3 zum Invertieren und
Puffern des Detektorsignals vom Pegeldetektorschaltkreis 2, und
einen Begrenzungsschaltkreis 4 zum Begrenzen von Maximal- und
Minimalwerten des an den Eingang 1 eingelegten Pegels.
Der Pegeldetektorkreis 2 ist so aufgebaut, daß die Source eines
NMOS-Transistors M1 über einen Widerstand R1 an den Eingangs
anschluß 1 angelegt ist, während die Drain und das Gate des
NMOS-Transistors M1 gemeinsam an die Source eines NMOS-Transi
stors M2 angeschlossen sind, ein Gate des NMOS-Transistors M2
geerdet ist, die Drain des NMOS-Transistors M2 gemeinsam an den
Emitter eines bipolaren Transistors Q1 und eine Source eines
NMOS-Transistors M3 angeschlossen ist, die Drain und das Gate
des NMOS-Transistors M3 an eine Spannungsquelle VDD angeschlos
sen sind, die Basis des bipolaren Transistors Q1 geerdet ist
und der Kollektor desselben an eine Spannungsquelle VDD ange
schlossen ist.
Der Begrenzungsschaltkreis 4 begrenzt die Maximal- und die
Minimalwerte des an den Eingangsanschluß 1 angelegten Span
nungspegels, so daß andere periphere Schaltkreise gegenüber
einem Spannungs- oder Stromstoß geschützt sind, der am Ein
gangsanschluß 1 auftreten kann.
Das invertierende Gate 3 invertiert den Pegel eines Eingangs
signals, welches mittels des Pegeldetektorkreises 2 ermittelt
wird, so daß das zunächst insoweit undefinierte Pegelsignal des
Pegeldetektorkreises 2 als zutreffendes Signal mit hohem Pegel
oder tiefem Pegel abgegeben werden kann.
Da das Gate des NMOS-Transistors 2 geerdet ist, wird ein Ein
gangssignal eines Pegels entsprechend einer Subtraktion der
Schwellspannungen 2VT der NMOS-Transistoren M2 und M1 gegenüber
dem Erdpotential angelegt, um die NMOS-Transistoren M1 und M2
einzuschalten. Da die Basis des bipolaren Transistors Q1 eben
falls geerdet ist, ist der Minimalwert des Potentials am Ver
bindungsknoten N1 emitterseitig des bipolaren Transistors Q1
auf einen Wert begrenzt, der erhalten wird durch Subtraktion
eines Schwellwertes des bipolaren Transistors Q1 in bezug auf
das Massepotential.
Nimmt der Pegel der Eingangsspannung VIN, die an den Eingangs
anschluß 1 angelegt wird, einen "Normalwert" an, d. h. liegt der
Pegel der Eingangsspannung VIN zwischen dem Massepotential und
der Spannung der Spannungsquelle, so sind die NMOS-Transistoren
M1 und M2 in ausgeschaltetem Zustand und eine Spannung mit dem
Pegel VDD-VTN wird am Verbindungsknoten N1 über den NMOS-Tran
sistor M3 erzeugt, der allzeit im eingeschalteten Zustand ist,
und die Spannung wird an das invertierende Gate 3 angelegt. Auf
diese Weise gelangt das Ausgangssignal des invertierenden Gates
3 auf Massepegel (Erdpegel).
In der Zwischenzeit fällt der Pegel der Eingangsspannung VIN,
die an den Eingangsanschluß 1 angelegt wird, auf Massepegel ab
und der NMOS-Transistor M1 wird eingeschaltet, so daß die
elektrischen Ladungen am Verbindungsknoten über den NMOS-Tran
sistor M1 abgeleitet werden.
Mit anderen Worten: Wenn der Eingangspegel VIN unter den Wert
GND/VTN abfällt, so wird der NMOS-Transistor M2 eingeschaltet
und der Pegel am Knoten N1 fällt ab.
Zu diesem Zeitpunkt, wenn also der Pegel am Knoten N1 auf den
Massepegel GND abfällt, wird die Spannung zwischen der Drain
und der Source des NMOS-Transistors M3 gleich der Spannung
zwischen dessen Gate und Source und somit kommt der NMOS-Tran
sistor M3 in einen Sättigungszustand.
Dementsprechend bleibt der Pegel am Knoten N1 auf dem Masse
pegel GND und das Ausgangssignal des invertierenden Gates 3
nimmt hohen Pegel an, wodurch der Prüfzustand eingeleitet wird.
Bei einer derartigen herkömmlichen Schaltung tritt beträcht
licher Leistungsverlust aufgrund von statischen Strömen während
der Prüfbetriebszustandsfreigabe auf und, da der hohe Pegel am
Knoten N1, der einem Ausgangssignal der invertierenden Gates M4
und M5 entspricht, den Wert VDD-VTN annimmt, ist der Störab
stand unzureichend. Da weiterhin invertierende Gates verwendet
werden, um den Pegel am Knoten N1 zu ermitteln, sind die
Schalteigenschaften am Verbindungsknoten N3 unzureichend.
Dementsprechend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen
Schaltkreis zum augenblicklichen Freigeben eines Tests zu
schaffen, bei dem ein übliches Betriebssignal während eines
Prüfbetriebs an einen Eingangsanschluß angelegt werden kann.
Ein weiteres Ziel der Erfindung liegt darin, einen Schaltkreis
zum augenblicklichen Einschalten eines Prüfbetriebszustandes
bereitzustellen, der in der Lage ist, einen zeitweisen Prüfbe
trieb freizugeben unter Verwendung eines negativen Pulses, um
Leistungsverluste zu reduzieren und augenblickliche (und eine
möglichst kurze Zeitverzögerung aufweisende) Freigabe- und
Sperrbetätigungen zu erreichen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung liegt darin, einen Schaltkreis
zum augenblicklichen Freigeben eines Prüfzustandes zu schaffen,
der in der Lage ist, in stabiler Weise einen zeitweisen Test
zustand einzuleiten, wobei der Rauschabstand (die Störgrenze)
verbessert sein sollen.
Kurz gesagt, betrifft die Erfindung einen Schaltkreis zum zeit
weisen Einschalten eines Prüfbetriebs, wobei der Schaltkreis
eine Pegeldetektoreinheit aufweist zum Ermitteln eines Pegels
eines Eingangssignals, welches an einen Eingangsanschluß an
gelegt wird, einen Schmitt-Trigger zum Stabilisieren des mit
tels des Pegeldetektorkreises ermittelten Pegels und zum Aus
geben eines stabilisierten Signals als Taktsignal, und eine
Kipp- und Verriegelungseinheit, die über die Taktsignale der
Schmitt-Triggereinheit gesteuert wird, um ein Test-Freigabe
signal abzugeben.
Die Pegeldetektoreinheit ist so aufgebaut, daß ein Detektorsig
nal entsprechend einem Massespannungspegel abgegeben wird, wenn
der Pegel des Eingangssignals, welches an den Eingangsanschluß
angelegt wird, unterhalb des Massespannungspegels liegt, wäh
rend ein Detektorsignal entsprechend einem Spannungsquellenpe
gel abgegeben wird, wenn der Pegel des über den Eingangsan
schluß angelegten Eingangssignals größer ist als der Masse
spannungspegel.
Die Schmitt-Triggereinheit enthält ein erstes invertierendes
Gate zum Invertieren eines Ausgangssignals des Pegeldetektor
kreises, ein zweites invertierendes Gate zum Invertieren eines
Ausgangssignals des ersten invertierenden Gates und zum Aus
geben eines nicht-invertierten Taktsignals eines zweiten
NMOS-Transistors zum Laden eines Verbindungsknotens zwischen
dem ersten invertierenden Gate und dem zweiten invertierenden
Gate entsprechend der Versorgungsspannung unter Steuerung durch
das nicht-invertierende Taktsignal des zweiten invertierenden
Gates, einen NMOS-Transistor zum Entladen des Verbindungskno
tens zwischen dem ersten invertierenden Gate und dem zweiten
invertierenden Gate auf Massepotential (Erdpotential) unter
Steuerung durch die nicht-invertierenden Taktsignale des zwei
ten invertierenden Gates, und ein drittes invertierendes Gate
zum Invertieren der nicht-invertierenden Taktsignale des zwei
ten invertierenden Gates in ein invertierendes Taktsignal.
Die Kipp- und Verriegelungseinheit enthält einen Kipp-Abschnitt
zum Erzeugen und zum Verriegeln eines Steuersignals, mit dem
ein Prüfzustandsfreigabesignal erzeugt wird entsprechend den
Taktsignalen aus der Schmitt-Triggereinheit, zum Übertragen des
Steuersignals sowie zum Kippen des Steuersignals entsprechend
einer Rückkoppelung 1 und einen Verriegelungsabschnitt zum Ab
geben eines Testfreigabesignals in Ansprache auf das Steuer
signal, das von dem Kippabschnitt übertragen wurde, unter
Steuerung durch die Taktsignale der Schmitt-Triggereinheit, wo
durch das Prüffreigabesignal verriegelt wird und das Kippsignal
zum Kippabschnitt rückgeführt wird.
Der Kippabschnitt enthält einen PMOS-Transistor zum Aufladen
eines Steuersignalserzeugungsknotens unter Steuerung durch ein
Rücksetzsignal, einen NMOS-Transistor zum Bilden einer Entlade
schleife bezüglich des Steuersignalserzeugungsknotens unter
Steuerung durch das Rücksetzsignal, ein viertes invertierendes
Gate zum Invertieren des Steuersignals vom Steuersignalerzeu
gungsknoten, ein erstes Übertragungsgate zum Übertragen eines
Ausgangssignals des vierten invertierenden Gates als Lade
steuersignal oder als Entladesteuersignal bezüglich des Steuer
signalerzeugungsknotens unter Steuerung durch die Taktsignale
aus der Schmitt-Triggereinheit, einen PMOS-Transistor zum Auf
laden des Steuersignalerzeugungsknotens zwischen dem Steuer
signalerzeugungsknoten und dem NMOS-Transistor, basierend auf
dem Ausgangssignal des vierten invertierenden Gates, welches
das erste Übertragungsgate passiert hat, und dem Kippsignal, wel
ches zum Verriegelungsabschnitt rückgeführt wurde; und mit ei
nem zweiten Übertragungsgate zum Übertragen des Steuersignals
vom Steuersignalerzeugungsknoten zum Verriegelungsabschnitt
unter Steuerung durch die Taktsignale der Schmitt-Triggerein
heit.
Der Verriegelungsabschnitt enthält ein fünftes invertierendes
Gate zum Invertieren des Steuersignals, um das Prüfzustand
freigabesignal zu erzeugen, das vom Kippabschnitt übertragen
wurde, und um ein Prüffreigabesignal abzugeben, ein sechstes
invertierendes Gate zum Invertieren des Prüffreigabesignals,
ein drittes Übertragungsgate zum Rückführen eines Ausgangs
signals des sechsten invertierenden Gates zum Kippabschnitt als
Kippsignal unter Steuerung durch die Taktsignale der Schmitt-
Triggereinheit, und ein viertes Übertragungsgate zum Rückführen
eines Ausgangssignals des sechsten invertierenden Gates zum
fünften invertierenden Gate als ein Eingangssignal unter Steue
rung durch die Taktsignale der Schmitt-Triggereinheit.
Andere Eigenschaften und Merkmale der Erfindung ergeben sich
aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen.
In den Figuren zeigt
Fig. 1 einen herkömmlichen Schaltkreis zum Einschalten eines
Prüfbetriebszustandes;
Fig. 2 ein Blockdiagramm eines erfindungsgemäßen Schaltkrei
ses zum Einschalten eines Prüfbetriebszustandes mit
relativ kurzer Einschaltzeit;
Fig. 3 einen detaillierten erfindungsgemäßen Schaltkreis;
Fig. 4A-4D die Zeitverläufe der Signale der einzelnen
Funktionsblöcke des Schaltkreises gemäß Fig. 3, im
einzelnen:
Fig. 4A eine Wellenform des Eingangssignals;
Fig. 4B eine Wellenform, die an einem Eingangspegel-Detektor
knoten auftritt;
Fig. 4C eine Wellenform eines invertierenden Taktsignals; und
Fig. 4D eine Wellenform des Prüf-Freigabesignals.
Der in den Fig. 2 und 3 gezeigte Schaltkreis zum augenblickli
chen Freigeben eines Prüfbetriebszustandes weist eine Pegelde
tektoreinheit 10 zum Nachweis des Pegels eines Eingangssignals
VIN auf, welches an einem Eingangsanschluß 1 anliegt, eine
Schmitt-Triggereinheit 20 zum Stabilisieren des Pegels des
Signals, welches mittels der Pegeldetektoreinheit 10 ermittelt
worden ist, und zum Ausgeben des stabilisierten Signals als
Taktsignale CK und , und einen Kipp- und Verriegelungsschalt
kreis 30 zum Ausgeben eines Prüffreigabesignals TESTEN unter
Steuerung durch die Taktsignale CK und der Schmitt-Trigger
einheit 20.
Die Pegeldetektoreinheit 10 weist einen ersten NMOS-Transistor
M11 auf, dessen Drain über einen Widerstand R10 mit dem Ein
gangsanschluß 1 verbunden ist und dessen Gate mit der Masse
verbunden ist, sowie einen zweiten NMOS-Transistor M12, dessen
Drain mit der Source des ersten NMOS-Transistors verbunden ist
und dessen Gate und Source gemeinsam an Masse anliegen, einen
dritten NMOS-Transistor M13, dessen Drain mit einem Verbin
dungsknoten n11 zwischen der Drain des zweiten NMOS-Transistors
M12 und der Source des ersten NMOS-Transistors M11 verbunden
ist, während ein Gate und eine Source gemeinsam mit einem
Pegeldetektorknoten n12 verbunden sind, und einen PMOS-Transi
stor M14, dessen Drain mit dem Pegeldetektorknoten n12 verbun
den ist und dessen Source an eine Spannungsversorgung VDD an
geschlossen ist, während das Gate an Masse liegt, so daß der
Pegeldetektorkreis 10 ein Detektorsignal mit Masse-Spannungs
pegel GND abgibt, wenn der Pegel des Eingangssignals VIN, wel
ches am Eingangs-Anschlußstift 1 anliegt, unterhalb des Masse-
Spannungspegels GND liegt, während dann, wenn der Pegel des
Eingangssignals VIN größer ist als der Masse-Spannungspegel
GND, ein Detektorsignal mit dem Spannungspegel VDD der Span
nungsversorgung abgegeben wird.
Die Schmitt-Triggereinheit 20 weist ein erstes Invertergate IN1
auf mit einem PMOS-Transistor M15 und einen NMOS-Transistor
M16, wobei die Gates gemeinsam an einen Pegeldetektorknoten n12
der Pegeldetektoreinheit 10 angeschlossen sind, und die Drain
jeweils gemeinsam an einen Verbindungsknoten n13 angeschlossen
sind, um das Ausgangssignal des Pegeldetektorkreises 10 zu
invertieren, und ein zweites Invertergate IN2 mit einem PMOS-
Transistor M19 und einem NMOS-Transistor M20, wobei jeweils die
Gates gemeinsam an den Verbindungsknoten n13 und die Drains ge
meinsam an einen nicht-invertierenden Taktsignalausgangsknoten
n14 angeschlossen sind, um das Ausgangssignal des ersten Inver
tergates IN1 zu invertieren und ein nicht-invertierendes Takt
signal CK abzugeben, einen PMOS-Transistor M17 mit einem Gate,
das an den Ausgangsknoten n14 des zweiten Invertergates IN2
angeschlossen ist, eine Source, die an einen Spannungsversor
gungsanschluß VDD, angeschlossen ist und eine Source, die mit
dem Verbindungsknoten n13 zwischen dem ersten Invertergate In1
und dem zweiten Invertergate IN2 verbunden ist, um den Verbin
dungsknoten n13 mittels des nicht-invertierenden Taktsignals CK
mit der Versorgungsspannung VDD zu laden, und einen NMOS-Tran
sistor M18 mit einem Gate, das an den Ausgangsknoten n14 des
zweiten Invertergates IN2 angeschlossen ist, während die Source
an Masse anliegt und die Drain mit dem Verbindungsknoten n13
zwischen dem ersten Invertergate IN1 und dem zweiten Inverter
gate IN2 verbunden ist, um den Verbindungsknoten n13 auf Grund
potential GND zu entladen mittels des nicht-invertierenden
Taktsignals CK, ein drittes Invertergate IN3 einschließlich
einem PMOS-Transistor M21 und einem NMOS-Transistor M22, die
jeweils ein Gate aufweisen, welche gemeinsam an den Ausgangs
knoten n14 des zweiten Invertergates IN2 angeschlossen sind und
die Drains jeweils gemeinsam an den invertierenden Taktsignal
ausgangsknoten n15 angeschlossen sind, um das nicht-invertie
rende Taktsignal in ein invertierendes Taktsignal CK zu
wandeln.
Die Kipp- und Verriegelungseinheit 30 weist einen Kippabschnitt
31 auf zum Erzeugen und zum Verriegeln eines Steuersignals zum
Erzeugen eines Prüfzustandsfreigabesignals in Ansprache auf die
Taktsignale CK und von der Schmitt-Triggereinheit 20, sowie
zum Übertragen des Steuersignals und zum Kippen des Steuersig
nals mittels einer Rückkoppelung desselben und einen Verriege
lungsabschnitt 32 zum Ausgeben eines Prüffreigabesignals TESTEN
in Ansprache auf das Steuersignal, welches vom Kippabschnitt 31
übertragen wurde, und unter Steuerung durch die Taktsignale
und CK von der Schmitt-Triggereinheit 20, sowie zum Verriegeln
des Prüffreigabesignals TESTEN und zum Rückführen eines Kipp
signals zum Kippabschnitt 31.
Der Kippabschnitt 31 enthält einen PMOS-Transistor M23 mit
einem Gate, welches an einen Rücksetzanschluß RST angeschlossen
ist, einer Source, die an eine Spannungsversorgung VDD ange
schlossen ist, und einer Drain, die an einen Steuersignaler
zeugungsknoten n16 angeschlossen ist, um den Steuersignalerzeu
gungsknoten n16 mittels des Rücksetzsignals RST aufzuladen,
einen NMOS-Transistor M26 zum Bilden einer Entladeschleife be
züglich des Steuersignalerzeugungsknotens n16 unter Steuerung
durch das Rücksetzsignal RST, ein viertes Invertergate ein
schließlich einem PMOS-Transistor M29 und einem NMOS-Transistor
M30, deren Gates gemeinsam an den Steuersignalerzeugungsknoten
n16 angeschlossen sind und deren Drains zusammengeschlossen
sind, um das Steuersignal des Verbindungsknotens n16 zu inver
tieren, ein erstes Übertragungsgate T1 mit einem Übertragungs
knoten n17, der an den Ausgangsanschluß des vierten Inverter
gates IN4 angeschlossen ist, um das Ausgangssignal des vierten
Invertergates IN4 als Lade- bzw. Entladesteuersignal des
Steuersignalerzeugungsknotens n16 unter Steuerung durch die
Taktsignale CK und der Schmitt-Triggereinheit 20 zu über
tragen, einen PMOS-Transistor M24 mit einem Gate, das an einen
Übertragungsknoten n18 des ersten Übertragungsgates T1 und
einen Kippsignalanschluß angeschlossen ist und vom Verriege
lungsabschnitt 32 rückgekoppelt wird, wobei eine Quelle (dieses
Transistors) an eine Spannungsversorgung VDD angeschlossen ist,
eine Drain mit dem Steuersignalerzeugungsknoten n16 verbunden
ist, um den Steuersignalerzeugungsknoten n16 entsprechend dem
Ausgangssignal des vierten Invertergates IN4 aufzuladen, und
wobei das Ausgangssignal das erste Invertergate T1 passiert und
das Kippsignal vom Verriegelungsabschnitt 32 rückgekoppelt
wird, einen NMOS-Transistor M25 mit einem Gate, das an einen
Übertragungsknoten n18 des ersten Übertragungsgates T1 und den
Kippsignaleingangsanschluß angeschlossen ist, der vom Verrie
gelungsabschnitt 32 rückgeführt wird, und wobei eine Drain mit
dem Steuersignalerzeugungsknoten n16 verbunden ist, um die
Entladung des Steuersignalerzeugungsknotens n16 zwischen dem
Steuersignalerzeugungsknoten n16 und dem PMOS-Transistor M26 in
Ansprache auf das Ausgangssignal des vierten Invertergates IN4
zu steuern, welches das erste Invertergate IN1 passiert hat,
sowie in Ansprache auf das Kippsignal, welches rückgeführt ist
vom Verriegelungsabschnitt 32, und mit einem zweiten Übertra
gungsgate T2 mit einem Übertragungsknoten, der mit dem Steuer
signalerzeugungsknoten n16 verbunden ist sowie dem anderen
Übertragungsknoten n19, der an den Steuersignaleingangsanschluß
des Verriegelungsabschnittes 32 angeschlossen ist, um das
Steuersignal vom Steuersignalerzeugungsknoten n16 zum Verrie
gelungsabschnitt 32 unter Steuerung durch die Taktsignale CK
und der Schmitt-Triggereinheit 20 zu übertragen.
Das erste Übertragungsgate T1 enthält einen NMOS-Transistor M28
mit einem Gate zum Empfang des nicht-invertierenden Taktsignals
CK vom Schmitt-Trigger 20, einen PMOS-Transistor M27 mit einem
Gate zum Empfang des invertierenden Taktsignals des Schmitt-
Triggers 20, einen Übertragungsknoten n17 auf einer Seite, der
an einen Ausgangsanschluß des vierten Invertergates IN4 ange
schlossen ist, und einen Übertragungsknoten n18 auf der anderen
Seite, der an das Gate des PMOS-Transistors M24 und das Gate
des NMOS-Transistors M25 angeschlossen ist.
Das zweite Übertragungsgate T2 enthält einen NMOS-Transistor
M32 mit einem Gate zum Empfang des nicht-invertierenden Takt
signals CK vom Schmitt-Trigger 20, einen PMOS-Transistor M32
mit einem Gate zum Empfang des invertierenden Taktsignals
des Schmitt-Triggers 20, einen Übertragungsknoten auf einer
Seite, der mit dem Steuersignalerzeugungsknoten n16 verbunden
ist und mit einem Übertragungsknoten auf der anderen Seite, der
mit einem Eingangsknoten des Verriegelungsabschnittes 32 ver
bunden ist.
Der Verriegelungsabschnitt 32 enthält ein fünftes Invertergate
IN5 mit einem PMOS-Transistor M33 und einem NMOS-Transistor
M34, von denen jeweils die Gates gemeinsam an den Übertragungs
knoten n19 des zweiten Übertragungsgates T2 des Kippabschnittes
31 angeschlossen sind, während die Drains gemeinsam an den
Prüffreigabeausgangssignalknoten n21 angeschlossen sind, um das
Steuersignal zu invertieren und um ein Testfreigabesignal
TESTEN abzugeben, ein sechstes Invertergate IN6 mit einem
PMOS-Transistor M35 und einem NMOS-Transistor M36, deren Gates
gemeinsam an einen Testfreigabesignalausgangsknoten n21 ange
schlossen sind, während die Drains gemeinsam an einen Rückkop
pelknoten n20 angeschlossen sind, um das Testfreigabesignal
TESTEN zu invertieren und rückzuführen, ein drittes Übertra
gungsgate T3 zum Rückführen des Ausgangssignals vom sechsten
Invertergate IN6 zum Kippabschnitt 31 als Kippsignal unter
Steuerung durch die Taktsignale und CK von der Schmitt-Trig
gereinheit 20, und ein viertes Übertragungsgate T4 zum Rück
führen des Ausgangssignals vom sechsten Invertergate IN6 zum
fünften Invertergate IN5 als Eingangssignal unter Steuerung
durch die Taktsignale und CK von der Schmitt-Triggereinheit
20.
Das dritte Übertragungsgate T3 enthält einen NMOS-Transistor
M40 mit einem Gate zum Empfang des invertierenden Taktsignals
von der Schmitt-Triggereinheit 20, einen PMOS-Transistor M39
mit einem Gate zum Empfangen des nicht-invertierenden Takt
signals CK von der Schmitt-Triggereinheit, einen Übertragungs
knoten auf einer Seite, der mit dem Ausgangsanschluß des
sechsten Invertergates IN6 verbunden ist, und einen Übertra
gungsknoten auf der anderen Seite, der mit dem Kippsignalrück
führknoten des Kippabschnittes 31 verbunden ist.
Das vierte Übertragungsgate T4 enthält einen NMOS-Transistor
M38 mit einem Gate zum Empfang des invertierenden Taktsignals
von der Schmitt-Triggereinheit 20, einen PMOS-Transistor
M37 mit einem Gate zum Empfang des nicht-invertierenden Takt
signals CK von der Schmitt-Triggereinheit 20, einen Knoten auf
einer Seite, der mit dem Ausgangsanschluß des sechsten Inver
tergates IN6 verbunden ist, und einen Knoten auf der anderen
Seite, der mit dem Eingangsanschluß des fünften Invertergates
IN5 verbunden ist.
Der Betrieb des Schaltkreises zum Freigeben eines Prüfbetriebs
zustandes soll nun anhand der Fig. 4A bis 4D näher beschrieben
werden.
Wird das Eingangssignal VIN am Eingangsanschluß 1 angelegt und
liegt dessen Pegel zwischen der Bezugsspannung GND (Massespan
nung) und der Spannung VDD der Spannungsversorgung, so werden
die MOS-Transistoren M11 und M13 abgeschaltet und entsprechend
wird der Pegeldetektorknoten n11 auf den Pegel der Spannungs
versorgung aufgeladen, und zwar mit Hilfe des PMOS-Transistors
M14. Das hochpegelige Signal am Pegeldetektorknoten n11 pas
siert die ersten und zweiten Invertergates IN1 und IN2 der
Schmitt-Triggereinheit 20, so daß ein hochpegeliges nicht- in
vertierendes Taktsignal CK vom nicht-invertierenden Taktsig
nalausgangsknoten n14 abgegeben wird. Das hochpegelige nicht
invertierende Taktsignal CK wird in ein tiefpegeliges inver
tierendes Taktsignal mittels des dritten Invertergates IN3
invertiert. Zu diesem Zeitpunkt wird der NMOS-Transistor M16,
dessen Gate mit dem Ausgangsknoten n14 verbunden ist, durchge
schaltet, so daß der Pegel am Verbindungsknoten n13 zwischen
dem ersten Invertergate IN1 und dem zweiten Invertergate IN2
einen tiefen Pegel annimmt.
Weil das nicht-invertierende Taktsignal CK, das von der
Schmitt-Triggereinheit 20 abgegeben wird, einen hohen Pegel
hat, werden zwischenzeitlich der NMOS-Transistor M28 des ersten
Übertragungsgates T1 und der NMOS-Transistor M32 des zweiten
Übertragungsgates T2 eingeschaltet und da das invertierende
Taktsignal tiefpegelig ist, werden der PMOS-Transistor M27
des ersten Übertragungsgates T1 und der PMOS-Transistor M31 des
zweiten Übertragungsgate T2 eingeschaltet. Mit anderen Worten:
die ersten und zweiten Übertragungsgates T1 und T2 der Kipp-
und Verriegelungseinheit 30 werden eingeschaltet (durchgeschal
tet) und die dritten und vierten Übertragungsgates T3 und T4
werden ausgeschaltet (in Sperrstellung) durch das hochpegelige
nicht-invertierende Taktsignal CK bzw. das tiefpegelige inver
tierende Taktsignal .
Unter diesen Umständen wird, falls ein Rücksetzsignal RST als
tiefpegeliges Signal angelegt wird, der PMOS-Transistor M23
eingeschaltet und der NMOS-Transistor M26 wird abgeschaltet, so
daß der Steuersignalerzeugungsknoten n16 mittels des PMOS-Tran
sistors M23 auf den Spannungspegel VDD der Versorgungspannung
aufgeladen wird. Das hochpegelige Signal am Steuersignalerzeu
gungsknoten n16 wird über das zweite Übertragungsgate T2 zum
fünften Invertergate IN5 des Verriegelungsabschnittes 32 über
tragen und in ein tiefpegeliges Testfreigabesignal TESTEN in
vertiert, und zwar mittels des fünften Invertergates IN5, so
daß ein Zustand eingenommen wird, in dem ein Prüfbetriebszu
stand gesperrt ist.
Weil das erste Übertragungsgate T1 sich in einem eingeschalte
ten Zustand befindet und der NMOS-Transistor M30 des vierten
Invertergates IN4 mittels des hochpegeligen Signals am Steuer
signalerzeugungsknoten n16 eingeschaltet ist, wird zu diesem
Zeitpunkt der PMOS-Transistor M24 eingeschaltet, um den Steuer
signalerzeugungsknoten n16 auf den Pegel VDD der Spannungsver
sorgung aufzuladen. Dementsprechend schwankt der Pegel am
Steuersignalerzeugungsknoten n16 nicht, es sei denn, die Takt
signale CK und schwanken, auch wenn das Rücksetzsignal RST
schwankt und somit ein hochpegeliges Signal angelegt wird. Im
Ergebnis wird das Testfreigabesignal TESTEN, das vom Verrie
gelungsabschnitt 32 abgegeben wird, im tiefpegeligen Zustand
gehalten, wodurch ein Betriebszustand aufrechterhalten wird,
indem keine Prüfung erfolgt.
Wenn der Pegel des Eingangssignals VIN, welches am Eingangsan
schluß 1 angelegt wird, Werte unterhalb GND-2VTN annimmt (wobei
VTN eine Schwellenspannung des MOS-Transistors ist), wie in
Fig. 4A dargestellt ist, werden die NMOS-Transistoren M11 und
M13 der Pegeldetektoreinheit 10 eingeschaltet und somit wird
die elektrische Ladung am Pegeldetektorknoten n12 entladen.
Dies bedeutet: wenn der Pegel des Eingangssignals VIN unterhalb
GND-2VTN liegt, wird der NMOS-Transistor M11 eingeschaltet, um
zu bewirken, daß der Pegel am Verbindungsknoten n11 unter
GND-VTN absinkt und infolge dessen der NMOS-Transistor M13 ein
geschaltet wird, um die elektrische Ladung am Pegeldetektor
knoten n12 zu entladen, so daß die elektrische Ladung am Pegel
detektorknoten n12 Werte unterhalb des Bezugspotentials GND
annimmt, und zwar während der Zeitspanne, in der das Eingangs
signal VIN einen negativen Pegel annimmt, wie in Fig. 4B darge
stellt ist.
Dementsprechend wird das Signal des Pegeldetektorknotens n12 am
ersten Invertergate IN1 invertiert und sodann wiederum am
zweiten Invertergate IN2 invertiert, so daß ein tiefpegeliges
nicht-invertierendes Taktsignal CK abgegeben wird. Sodann wird
das tiefpegelige nicht-invertierende Taktsignal CK wiederum
invertiert, und zwar an dem dritten Invertergate IN3, so daß
ein invertierendes Taktsignal als hochpegeliges Signal in
einer Zeitspanne abgegeben wird, in der das Eingangssignal VIN
negativen Pegel annimmt, wie in Fig. 4C dargestellt ist.
Da das invertierende Taktsignal , welches von der Schmitt-
Triggereinheit 20 abgegeben wird, einen hohen Pegel hat, werden
der PMOS-Transistor M39 des dritten Übertragungsgates T3 und
der PMOS-Transistor M37 des vierten Übertragungsgates T4,
welche das invertierende Taktsignal über ihre Gates empfan
gen, eingeschaltet und, weil das nicht-invertierende Taktsignal
CK tiefen Pegel hat, werden der NMOS-Transistor M40 des dritten
Übertragungsgates T3 und der NMOS-Transistor M38 des vierten
Übertragungsgates T4, welche das nicht-invertierende Taktsignal
CK empfangen, eingeschaltet, das heißt, das erste und das
zweite Übertragungsgate T1 und T2 des Kipp- und Verriegelungs
schaltkreises 30 werden abgeschaltet und das dritte und das
vierte Übertragungsgate T3 und T4 werden eingeschaltet in An
sprache auf das tiefpegelige nicht-invertierende Taktsignal CK
bzw. das hochpegelige invertierende Taktsignal .
Da das erste Übertragungsgate T1 abgeschaltet ist, wird ent
sprechend die Entladeschleife des Knotens n18, an welche die
Gates des PMOS-Transistors M24 und des NMOS-Transistors M25 an
geschlossen sind, blockiert. Da das dritte Übertragungsgate T3
des Verriegelungsabschnittes 32 eingeschaltet ist, wird statt
dessen ein hochpegeliges Signal als Ausgangssignal des sechsten
Invertergates IN6 des Verriegelungsabschnittes 32 an die Gates
des PMOS-Transistors M24 und des NMOS-Transistors M25 über das
dritte Übertragungsgate T3 angelegt. Im Ergebnis wird der
PMOS-Transistor M24 abgeschaltet und der NMOS-Transistor M25
wird eingeschaltet. Dementsprechend wird die elektrische Ladung
am Steuersignalerzeugungsknoten n16 über den NMOS-Transistor
M26 entfernt, welcher mittels des NMOS-Transistors M25 und des
Rücksetzsignals RST eingeschaltet wurde. Das heißt, daß der
Pegel des Steuersignalerzeugungsknotens n16 sich auf den tiefen
Pegelwert ändert, aber nicht zum Verriegelungsabschnitt 32
übertragen wird, weil das zweite Übertragungsgate T2 sich im
abgeschalteten Zustand befindet.
Weil das vierte Übertragungsgate T4 des Verriegelungsabschnit
tes 32 im eingeschalteten Zustand ist, wird das vom sechsten
Invertergate IN6 abgegebene hochpegelige Signal zum Eingangs
knoten n19 des fünften Invertergates IN5 über das vierte Über
tragungsgate T4 rückgeführt. Im Ergebnis wird somit das Test
freigabesignal TESTEN auf tiefem Pegelwert konstant gehalten,
so daß der Prüfbetriebszustand gesperrt ist.
Danach, wenn das Eingangssignal VIN sich auf einen Pegel
zwischen GND und VDD ändert, wird das Ausgangssignal des
Pegeldetektorkreises 10 ein hochpegeliges Signal, so daß die
Taktsignale CK und der Schmitt-Triggereinheit hochpegelig
bzw. tiefpegelig werden. Dementsprechend werden die ersten und
zweiten Übertragungsgates T1 und T2 der Kipp- und Verriege
lungseinheit 30 eingeschaltet und die dritten und vierten Über
tragungsgates T3 und T4 werden abgeschaltet.
Dementsprechend wird das tiefpegelige Signal am Steuersignal
erzeugungsknoten n16 an das fünfte Invertergate IN5 angelegt,
und zwar über das zweite Übertragungsgate T2. Zur gleichen Zeit
wird das hochpegelige Ausgangssignal vom vierten Invertergate
IN4 an das Gate des NMOS-Transistors M15 über das erste Über
tragungsgate T1 angelegt, so daß der NMOS-Transistor M25 kon
tinuierlich im eingeschalteten Zustand gehalten wird und der
Steuersignalerzeugungsknoten n16 kontinuierlich im tiefpege
ligen Zustand gehalten wird.
Das tiefpegelige Signal, welches durch das zweite Übertra
gungsgate T2 übertragen wird, wird am fünften Invertergate IN5
invertiert, so daß ein hochpegeliges Testfreigabesignal TESTEN
abgegeben wird, welches den Prüfbetriebszustand freigibt (ein
leitet). Zu diesem Zeitpunkt wird das Testfreigabesignal TESTEN
am sechsten Invertergate IN6 invertiert und in den Rückführ
knoten n20 als tiefpegeliges Signal geladen, während das Test
freigabesignal TESTEN auf hohem Pegel gehalten wird, da das
dritte und das vierte Übertragungsgate T4 im ausgeschalteten
Zustand sind.
Wenn der Pegel des Eingangssignals VIN unterhalb GND-VTN liegt,
nimmt danach das Ausgangssignal des Pegeldetektorkreises 10
einen tiefen Pegel an, so daß ein tiefpegeliges Taktsignal CK
und ein hochpegeliges Taktsignal von der Schmitt-Triggerein
heit 20 abgegeben werden. Entsprechend werden das erste und das
zweite Übertragungsgate T1 und T2 der Kipp- und Verriegelungs
einheit 30 abgeschaltet und das dritte und das vierte Übertra
gungsgate T3 und T4 werden eingeschaltet.
Als Ergebnis der Einschaltung des vierten Übertragungsgates T4
wird das tiefpegelige Ausgangssignal des sechsten Invertergates
IN6 zum fünften Invertergate IN5 als Eingangssignal rückge
führt, so daß das Testfreigabesignal TESTEN auf hohem Pegel ge
halten wird. Als Ergebnis der Einschaltung des dritten Über
tragungsgates T3 wird die elektrische Ladung am Knoten n18 über
den NMOS-Transistor M36 des sechsten Invertergates IN6 entla
den. Dementsprechend wird der NMOS-Transistor M25 abgeschaltet
und der PMOS-Transistor M24 wird eingeschaltet, so daß der
Steuersignalerzeugungsknoten n16 auf den Pegel VDD der Span
nungsversorgung aufgeladen wird. Weil die ersten und zweiten
Übertragungsgates T1 und T2 im ausgeschalteten Zustand sind,
wird zu diesem Zeitpunkt das Testfreigabesignal TESTEN auf
hohem Pegel gehalten, und zwar ohne Schwankungen auch wenn der
Pegel am Steuersignalerzeugungsknoten n16 hoch ist.
Nimmt der Pegel des Eingangssignals VIN Werte zwischen GND und
VDD an, so wird der Ausgangspegel der Pegeldetektoreinheit 10
hoch, um zu bewirken, daß die Taktsignale CK und , die von
der Schmitt-Triggereinheit 20 abgegeben werden, hohe bzw. tiefe
Pegel annehmen. Dementsprechend werden die ersten und zweiten
Übertragungsgates T1 und T2 der Kipp- und Verriegelungseinheit
30 eingeschaltet und die dritten und vierten Übertragungsgates
T3 und T4 werden abgeschaltet.
Infolgedessen wird das hochpegelige Signal am Steuersignaler
zeugungsknoten n16 an das fünfte Invertergate IN5 als Eingangs
signal über das inzwischen eingeschaltete zweite Übertragungs
gate T2 angelegt. Zur gleichen Zeit wird das tiefpegelige Aus
gangssignal des vierten Invertergates IN4 an die Gates des
PMOS-Transistors M24 und des NMOS-Transistors M25 über das
erste Übertragungsgate T1 angelegt und im Ergebnis wird der
PMOS-Transistor M24 eingeschaltet, während der NMOS-Transistor
M25 abgeschaltet wird. Somit wird der Pegel am Steuersignaler
zeugungsknoten n16 kontinuierlich hochgehalten.
Das hochpegelige Signal, welches über das zweite Übertra
gungsgate T2 übertragen wurde, wird am fünften Invertergate IN5
invertiert, so daß ein tiefpegeliges Testfreigabesignal TESTEN
abgegeben wird. Dies bedeutet, daß ein Signal zum Sperren des
Prüfbetriebszustandes ausgegeben wird. Zu diesem Zeitpunkt wird
das Testfreigabesignal TESTEN am sechsten Invertergate IN6 in
vertiert und in den Rückführknoten n20 als tiefpegeliges Signal
geladen. Da aber die dritten und vierten Übertragungsgates T3
und T4 im abgeschalteten Zustand sind, wird das Testfreigabe
signal TESTEN auf hohem Pegel gehalten.
Somit wird bei dem Schaltkreis zum augenblicklichen zeitweisen
Einschalten eines Prüfbetriebszustandes gemäß der Erfindung
dann, wenn das Eingangssignal VIN, das an den Eingangsanschluß
1 angelegt wird, Werte unterhalb GND-2VTN annimmt, gemäß Fig. 4A
ein Taktsignal (wie es in Fig. 4C gezeigt ist) von dem
Schmitt-Trigger 20 abgegeben. Der Kippabschnitt 31 der Kipp-
und Verriegelungseinheit 30 wird in Ansprache auf das Taktsig
nal CK der Schmitt-Triggereinheit 20 gekippt, so daß ein Zu
stand eingenommen wird, in dem das Testfreigabesignal erzeugt
wird und sodann ein Steuersignal in den Verriegelungsabschnitt
32 eingegeben wird. Hat danach das Eingangssignal VIN einen
Pegel zwischen GND und VDD, d. h. handelt es sich um einen nor
malen Eingabezustand, so wird ein Testfreigabesignal TESTEN,
welches den Prüfbetrieb ermöglicht, abgegeben, und zwar als
hochpegeliges Signal, wie in Fig. 4D gezeigt ist. Das Signal
wird abgegeben vom Verriegelungsabschnitt 32 unter Steuerung
durch das Steuersignal vom Kippabschnitt 31. Dementsprechend
ist es auch in einem Zustand, in dem der Prüfbetrieb freige
geben ist, weil das Testfreigabesignal TESTEN seinen Zustand
beibehält, um den Prüfzustand freizugeben, auch wenn ein
normales Betriebseingangssignal zwischen GND und VDD am Eingang
1 angelegt ist, möglich, den Eingangsanschluß 1 als einen Ein
gang für einen normalen Betrieb zu benutzen, obwohl gerade ein
Prüfbetriebszustand gegeben ist.
Weist das Eingangssignal VIN einen Pegel unterhalb GND-2VTN
auf, so wird der Kippabschnitt 31 gekippt und ein Steuersignal
zum Sperren des Prüfbetriebs wird erzeugt, wobei ein Testfrei
gabesignal TESTEN zum Freigeben des Prüfbetriebs kontinuierlich
vom Verriegelungsabschnitt 32 abgegeben wird. Liegt danach
wieder ein normaler Betriebszustand mit Signaleingabe vor, in
dem das Eingangssignal VIN einen Pegel zwischen GND und VDD
aufweist, so wird ein Testfreigabesignal TESTEN zum Sperren des
Prüfbetriebs von dem Verriegelungsabschnitt 31 in Ansprache auf
das Steuersignal vom Kippabschnitt 31 gegeben. Nimmt danach das
Eingangssignal VIN negative Werte an, so wird ein Prüffreigabe
signal TESTEN abgegeben, wobei die oben beschriebenen Kipp- und
Verriegelungsoperationen durchgeführt werden.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung bewirkt die Schaltung, daß
es möglich ist, normale Betriebssignale an den Eingangsanschluß
auch dann anzulegen, wenn der Prüfbetriebszustand freigegeben
ist, so daß der Eingangsanschluß auch für andere Zwecke ver
wendet werden kann. Da der Prüfbetrieb durch Kippen eines nega
tiven Eingangssignals freigegeben wird, können die Prüffrei
gabe- und Prüfsperroperationen in einfacher Weise durch eine
augenblickliche Variation des Eingangssignals durchgeführt
werden. Da weiterhin das Eingangspegeldetektorsignal durch
einen Schmitt-Triggerkreis stabilisiert wird, kann der Rausch
abstand extrem günstig gestaltet werden.
Claims (11)
1. Schaltkreis zum Einschalten eines Prüfbetriebszustandes
mit:
- - einer Pegeldetektoreinheit (10) zum Ermitteln des Pegels eines Eingangssignals (VIN), das an einen Eingangsanschluß (1) angelegt ist;
- - einer Schmitt-Triggereinheit (20) zum Stabilisieren des Pegels des mittels der Pegeldetektoreinheit (10) ermittelten Signals und zum Ausgeben von stabilisierten Signalen als Takt signale (CK, ); und
- - einer Kipp- und Verriegelungseinheit (30) zum Ausgeben eines Testfreigabesignals (TESTEN) unter Steuerung durch die Takt signale von der Schmitt-Triggereinheit (20).
2. Schaltkreis gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Pegeldetek
toreinheit (10) ein Detektorsignal mit Bezugspotential (GND)
abgibt, wenn der Pegel des über den Eingangsanschluß (1) ein
gegebenen Eingangssignals (VIN) unterhalb dem Bezugspotential
(GND) liegt, und ein Detektorsignal mit dem Pegel der Versor
gungsspannung, wenn der Pegel des über den Eingangsanschluß (1)
eingegebenen Eingangssignals größer ist als das Bezugspotential
(GND).
3. Schaltkreis nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Pegeldetek
toreinheit (10) folgende Elemente aufweist:
- - einen ersten NMOS-Transistor (M11) mit einer Drain, die mit dem Eingangsanschluß (1) über einen Widerstand (R10) verbunden ist, und ein Gate, das mit dem Bezugspotential (Masse) verbun den ist;
- - einen zweiten NMOS-Transistor (M12) mit einer Drain, die an eine Source des ersten NMOS-Transistors (M11) angeschlossen ist, und einem Gate sowie einer Source, die gemeinsam an das Bezugspotential (Masse) angeschlossen sind;
- - einen dritten NMOS-Transistor (M13) mit einer Drain, die an einen Verbindungsknoten (n11) der Drain des zweiten NMOS-Tran sistors (M12) und der Source des ersten NMOS-Transistors (M11) angeschlossen ist, und mit einem Gate und einer Source, die ge meinsam an den Pegeldetektorknoten (n12) angeschlossen sind, und
- - einen PMOS-Transistor (M14) mit einer Drain, die an den Pegeldetektorknoten (n12) angeschlossen ist, sowie mit einer Source, die an die Spannungsversorgung (VDD) angeschlossen ist und einem Gate, das an das Bezugspotential (Masse) angeschlos sen ist.
4. Schaltkreis gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Schmitt-Trig
gereinheit (20) folgende Elemente aufweist:
- - ein erstes Invertergate (IN1) zum Invertieren eines Ausgangs signals der Pegeldetektoreinheit (10);
- - ein zweites Invertergate (IN2) zum Invertieren eines Aus gangssignals des ersten Invertergates (IN1) und zum Ausgeben eines nicht-invertierenden Taktsignals (CK);
- - einen zweiten PMOS-Transistor zum Laden des Verbindungskno tens zwischen dem ersten Invertergate (IN1) und dem zweiten Invertergate (IN2) auf den Pegel der Spannungsversorgung unter Steuerung durch die nicht-invertierenden Taktsignale (CK) des zweiten Invertergates (IN2);
- - einen NMOS-Transistor zum Entladen des Verbindungsknotens (n13) zwischen dem ersten Invertergate (IN1) und dem zweiten Invertergate (IN2) auf das Bezugspotential (Masse) unter Steuerung durch die nicht-invertierenden Taktsignale (CK) vom zweiten Invertergate (IN2); und
- - ein drittes Invertergate (IN3) zum Invertieren der nicht- invertierenden Taktsignale (CK) vom zweiten Invertergate (IN2) in invertierende Taktsignale ().
5. Schaltkreis gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kipp- und
Verriegelungseinheit (30) folgende Elemente aufweist:
- - einen Kippabschnitt (31) zum Erzeugen und Verriegeln eines Steuersignals zum Erzeugen eines Prüfbetriebsfreigabesignals in Ansprache auf die Taktsignale der Schmitt-Triggereinheit (20), und zum Übertragen des Steuersignals und Kippen desselben über eine Kippsignalrückführung; und
- - einen Verriegelungsabschnitt (32) zum Abgeben eines Testfrei gabesignals in Ansprache auf das Überführen des Steuersignals vom Kippabschnitt unter Steuerung durch die Taktsignale von der Schmitt-Triggereinheit (20), und zum Verriegeln des Testfrei gabesignals sowie zum Rückführen eines Kippsignals in den Kipp abschnitt (31).
6. Schaltkreis nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß der Kippabschnitt
(31) folgende Elemente aufweist:
- - einen PMOS-Transistor (M23) zum Aufladen eines Steuersignal erzeugungsknotens (n16) unter Steuerung durch ein Rücksetz signal (RST);
- - einen NMOS-Transistor (M26) zum Bilden einer Entladeschleife bezüglich des Steuersignalerzeugungsknotens (n16) unter Steuerung durch das Rücksetzsignal (RST);
- - ein viertes Invertergate (IN4) zum Invertieren der Steuersig nale vom Steuersignalerzeugungsknoten;
- - ein erstes Übertragungsgate (T1) zum Übertragen eines Aus gangssignals vom vierten Invertergate (IN4) als Ladesteuersig nal oder als Entladesteuersignal bezüglich des Steuersignaler zeugungsknotens (n16) entsprechend einer Steuerung durch die Taktsignale von der Schmitt-Triggereinheit (20);
- - einen PMOS-Transistor zum Laden des Steuersignalerzeugungs knotens (n16) entsprechend dem Ausgangssignal des vierten In vertergates (IN4), welches das erste Übertragungsgate (T1) pas siert hat, und dem Kippsignal, welches von dem Verriegelungsab schnitt (32) rückgeführt wurde; und
- - ein zweites Übertragungsgate (T2) zum Übertragen der Steuer signale vom Steuersignalerzeugungsknoten (n16) zum Verriege lungsabschnitt (32) unter Steuerung durch die Taktsignale von der Schmitt-Triggereinheit (20).
7. Schaltkreis nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß das erste Über
tragungsgate (T1) folgende Bauteile aufweist:
- - einen NMOS-Transistor (M28) mit einem Gate zum Empfangen der nicht-invertierenden Taktsignale (CK) von der Schmitt-Trigger einheit (20);
- - einen PMOS-Transistor (M27) mit einem Gate zum Empfangen der invertierenden Taktsignale () von der Schmitt-Triggereinheit (20);
- - einen Übertragungsknoten auf einer Seite, der mit dem Aus gangsanschluß des vierten Invertergates (IN4) verbunden ist; und
- - einen weiteren Übertragungsknoten (n18) auf der anderen Seite, der an das Gate des PMOS-Transistors (M24) und das Gate des NMOS-Transistors (M25) angeschlossen ist.
8. Schaltkreis nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Über
tragungsgate (T2) folgende Bauteile aufweist:
- - einen NMOS-Transistor (M32) mit einem Gate zum Empfangen der nicht-invertierenden Taktsignale (CK) von der Schmitt-Trigger einheit (20);
- - einen PMOS-Transistor (M32) mit einem Gate zum Empfangen der invertierenden Taktsignale () von der Schmitt-Triggereinheit (20);
- - einen Übertragungsknoten auf der einen Seite, der mit dem Steuersignalerzeugungsknoten (n16) verbunden ist; und
- - einen Übertragungsknoten auf der anderen Seite, der mit dem Eingangsknoten des Verriegelungsabschnittes (32) verbunden ist.
9. Schaltkreis nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß der Verriege
lungsabschnitt (32) folgende Bauteile aufweist:
- - ein fünftes Invertergate (IN5) zum Invertieren eines Steuer signals für die Erzeugung eines Prüfbetriebsfreigabesignals, welches (Steuersignal) vom Kippabschnitt (31) übertragen wurde, und zum Ausgeben eines Testfreigabesignals (TESTEN);
- - ein sechstes Invertergate (IN6) zum Invertieren des Testfrei gabesignals;
- - ein drittes Übertragungsgate (T3) zum Rückführen eines Aus gangssignals vom sechsten Invertergate (IN6) zum Kippabschnitt (31) als Kippsignal unter Steuerung durch die Taktsignale von der Schmitt-Triggereinheit (20); und
- - ein viertes Übertragungsgate (T4) zum Rückführen eines Aus gangssignals vom sechsten Invertergate (IN6) zum fünften Inver tergate (IN5) als Eingangssignal unter Steuerung durch die Taktsignale von der Schmitt-Triggereinheit (20).
10. Schaltkreis gemäß Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß das dritte Über
tragungsgate (T3) folgende Bauteile aufweist:
- - einen NMOS-Transistor (M40) mit einem Gate zum Empfangen der invertierenden Taktsignale () von der Schmitt-Triggereinheit (20);
- - einen PMOS-Transistor (M39) mit einem Gate zum Empfangen der nicht-invertierenden Taktsignale (CK) von der Schmitt-Trigger einheit (20);
- - einen Übertragungsknoten auf der einen Seite, der mit dem Ausgangsanschluß des sechsten Invertergates (IN6) verbunden ist; und
- - einen Übertragungsknoten auf der anderen Seite, der mit einem Kippsignalrückführknoten des Kippabschnittes (31) verbunden ist.
11. Schaltkreis gemäß Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß das vierte Über
tragungsgate (T4) folgende Bauteile aufweist:
- - einen NMOS-Transistor (M38) mit einem Gate zum Empfangen der invertierenden Taktsignale () von der Schmitt-Triggereinheit (20);
- - einen PMOS-Transistor (M37) mit einem Gate zum Empfangen der nicht-invertierenden Taktsignale (CK) von der Schmitt-Trigger einheit (20);
- - einen Übertragungsknoten auf der einen Seite, der mit einem Ausgangsanschluß des sechsten Invertergates (IN6) verbunden ist; und
- - einen Übertragungsknoten auf der anderen Seite, der mit dem Eingangsanschluß des fünften Invertergates (IN5) verbunden ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910012043A KR930009490B1 (ko) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 순간 테스트 모드 지정회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4223127A1 true DE4223127A1 (de) | 1993-01-21 |
DE4223127C2 DE4223127C2 (de) | 2001-01-04 |
Family
ID=19317293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4223127A Expired - Fee Related DE4223127C2 (de) | 1991-07-15 | 1992-07-14 | Schaltkreis zum Herbeiführen eines Prüfbetriebszustands für Halbleiterschaltungen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5402063A (de) |
JP (1) | JP3006961B2 (de) |
KR (1) | KR930009490B1 (de) |
DE (1) | DE4223127C2 (de) |
TW (1) | TW201371B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1217630A2 (de) * | 2000-12-22 | 2002-06-26 | ATMEL Germany GmbH | Verfahren zur Prüfung von einer integrierten Schaltung |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5982188A (en) * | 1994-07-29 | 1999-11-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Test mode control circuit of an integrated circuit device |
KR0138233B1 (ko) * | 1994-12-16 | 1998-06-15 | 김광호 | 마이크로 컨트롤러의 테스트회로 |
KR100239692B1 (ko) * | 1996-07-27 | 2000-01-15 | 김영환 | 반도체 장치의 출력회로 |
US6037792A (en) * | 1996-12-21 | 2000-03-14 | Stmicroelectronics, Inc. | Burn-in stress test mode |
US5804996A (en) * | 1997-02-13 | 1998-09-08 | Ramtron International Corporation | Low-power non-resetable test mode circuit |
US6046617A (en) * | 1998-06-25 | 2000-04-04 | National Semiconductor Corporation | CMOS level detection circuit with hysteresis having disable/enable function and method |
KR100459227B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2004-12-03 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 다이나믹 로직 회로 |
JP4887928B2 (ja) * | 2006-06-21 | 2012-02-29 | 株式会社デンソー | 車両用通信システムの受信装置 |
JP4299856B2 (ja) * | 2006-12-14 | 2009-07-22 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置 |
KR101171561B1 (ko) * | 2010-09-29 | 2012-08-06 | 삼성전기주식회사 | 펄스 폭에 따라 동작하는 슈미트 트리거 회로 |
CN106063071B (zh) * | 2013-12-20 | 2019-03-19 | 英特尔公司 | 用于低功率模式期间的电荷恢复的装置 |
CN110632285B (zh) * | 2019-09-23 | 2022-09-06 | 三诺生物传感股份有限公司 | 血糖仪设备 |
US11144104B2 (en) * | 2020-02-14 | 2021-10-12 | Silicon Laboratories Inc. | Mode selection circuit for low-cost integrated circuits such as microcontrollers |
CN114545021A (zh) * | 2022-02-25 | 2022-05-27 | 南京理工大学 | 高精度瞬态爆速测量装置 |
CN116256622B (zh) * | 2023-05-15 | 2023-08-08 | 苏州贝克微电子股份有限公司 | 一种芯片的测试模式控制电路及控制方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3639169A1 (de) * | 1986-01-21 | 1987-07-23 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterspeichervorrichtung |
DE3710865A1 (de) * | 1986-04-01 | 1987-10-22 | Toshiba Kawasaki Kk | Halbleitervorrichtung |
US4733168A (en) * | 1986-03-21 | 1988-03-22 | Harris Corporation | Test enabling circuit for enabling overhead test circuitry in programmable devices |
US4816757A (en) * | 1985-03-07 | 1989-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Reconfigurable integrated circuit for enhanced testing in a manufacturing environment |
DE3903714A1 (de) * | 1988-03-14 | 1989-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterspeichereinrichtung mit einer testmode-setzschaltung |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2905294A1 (de) * | 1979-02-12 | 1980-08-21 | Philips Patentverwaltung | Integrierte schaltungsanordnung in mos-technik mit feldeffekttransistoren |
US4295062A (en) * | 1979-04-02 | 1981-10-13 | National Semiconductor Corporation | CMOS Schmitt trigger and oscillator |
US4301379A (en) * | 1979-10-17 | 1981-11-17 | Ncr Corporation | Latching Schmitt trigger circuit |
US4471235A (en) * | 1982-05-03 | 1984-09-11 | Data General Corporation | Short pulse width noise immunity discriminator circuit |
JPS58207711A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Nec Corp | フリツプフロツプ回路 |
JPS58215134A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | インバ−タ回路 |
US4727270A (en) * | 1986-05-08 | 1988-02-23 | North American Philips Corporation | Noise immune circuit for use with frequency sensor |
JPS6339200A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-19 | Sony Corp | 集積回路装置 |
JPH01248073A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-03 | Nec Corp | テスト信号発生回路 |
JPH02310483A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-26 | Sharp Corp | Lsiのテストモード設定方式 |
-
1991
- 1991-07-15 KR KR1019910012043A patent/KR930009490B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1992
- 1992-07-14 JP JP4186773A patent/JP3006961B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-14 DE DE4223127A patent/DE4223127C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-15 TW TW081105604A patent/TW201371B/zh active
- 1992-07-15 US US07/913,323 patent/US5402063A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4816757A (en) * | 1985-03-07 | 1989-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Reconfigurable integrated circuit for enhanced testing in a manufacturing environment |
DE3639169A1 (de) * | 1986-01-21 | 1987-07-23 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterspeichervorrichtung |
US4733168A (en) * | 1986-03-21 | 1988-03-22 | Harris Corporation | Test enabling circuit for enabling overhead test circuitry in programmable devices |
DE3710865A1 (de) * | 1986-04-01 | 1987-10-22 | Toshiba Kawasaki Kk | Halbleitervorrichtung |
DE3903714A1 (de) * | 1988-03-14 | 1989-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterspeichereinrichtung mit einer testmode-setzschaltung |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1217630A2 (de) * | 2000-12-22 | 2002-06-26 | ATMEL Germany GmbH | Verfahren zur Prüfung von einer integrierten Schaltung |
EP1217630A3 (de) * | 2000-12-22 | 2005-06-08 | ATMEL Germany GmbH | Verfahren zur Prüfung von einer integrierten Schaltung |
US6937048B2 (en) | 2000-12-22 | 2005-08-30 | Atmel Germany Gmbh | Method for testing an integrated circuit with an external potential applied to a signal output pin |
US6937051B2 (en) | 2000-12-22 | 2005-08-30 | Atmel Germany Gmbh | Integrated circuit that can be externally tested through a normal signal output pin |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05217399A (ja) | 1993-08-27 |
US5402063A (en) | 1995-03-28 |
TW201371B (de) | 1993-03-01 |
DE4223127C2 (de) | 2001-01-04 |
KR930003551A (ko) | 1993-02-24 |
JP3006961B2 (ja) | 2000-02-07 |
KR930009490B1 (ko) | 1993-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4223127A1 (de) | Schaltkreis zum einschalten eines pruefbetriebszustands | |
DE3740571C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Einschalt-Rücksetzen von integrierten logischen Schaltungen in MOS-Technik | |
DE102018123509B4 (de) | Spannungspegelumsetzerschaltung | |
DE102005056278B4 (de) | Flip-Flop-Vorrichtung und Verfahren zum Speichern und Ausgeben eines Datenwerts | |
DE4321315C1 (de) | Takterzeugungsschaltung für taktgesteuerte Logikschaltungen | |
DE3024936C2 (de) | Wechselspannungsverstärker in Form einer integrierten Schaltung | |
EP0058752A1 (de) | Verfahren und Anordnung zur fehlerfreien Synchronisation asynchroner Impulse | |
DE4201516C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Bewirken eines Streßtests bei einer Halbleiterspeichervorrichtung | |
DE102016118534A1 (de) | Schaltung und Verfahren zum Prüfen der Integrität eines Steuersignals | |
DE102016102696A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur internen Resetsignalerzeugung | |
DE10134019A1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung | |
DE10053366A1 (de) | Eingangspufferschaltungen mit einer Signalverstärkungsfähigkeit und dazugehörige Arbeitsverfahren | |
DE10000758C2 (de) | Impulserzeuger | |
DE2822835A1 (de) | Schaltungsanordnung zur eliminierung koinzidenter impulse | |
DE69934551T2 (de) | Sende-Empfangstreiber mit programmierbarer Flankensteilheit unabhängig vom Herstellungsverfahren , der Speisespannung und der Temperatur | |
DE1249337B (de) | ||
DE2315201A1 (de) | Flip-flop-schaltung | |
DE1762385A1 (de) | Phasendiskriminator | |
DE69533604T2 (de) | Verriegelungsschaltung | |
DE19959982A1 (de) | Verfahren und Anordnung zur Überwachung der Datenübertragung mittels differentiellen Übertragungsverfahren mit Gleichspannungsanteil | |
DE10297753T5 (de) | Unterspannungs-Detektionsschaltung | |
EP0545493A2 (de) | Abtastschaltung | |
EP0392056B1 (de) | Taktsignalschaltung | |
DE19942688C2 (de) | Verfahren zum Betrieb einer elektronischen Schaltung und elektronische Schaltung | |
DE3837080C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: HYNIX SEMICONDUCTOR INC., ICHON, KYONGGI, KR |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD., CHEONGJU, KR |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |