DE4212666C2 - Steuerbarer Verstärker zur linearen Verstärkung eines breitbandigen Signals unter Verwendung einer externen Steuerspannung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen steuerbaren Verstärker zur linearen Verstärkung eines breitbandigen HF-Signals unter Verwendung einer externen Steuerspannung.

In Bildverarbeitungssystemen wie zum Beispiel Videobandgerä­ ten und Fernsehern werden normalerweise Differenzverstärker verwendet, wie in den Fig. 3A und 3B gezeigt, um hochfre­ quente Bildsignale zu verstärken. In diesen Verstärkern sind zwei identische Transistoren Q1 und Q2 zwischen positiven und negativen Speisespannungen V_cc und -V_EE symmetrisch angeordnet, und der gemeinsame Emitterstrom IEE ist eine Kon­ stantstromquelle. Kollektorwiderstände R_c der Transistoren Q1 und Q2 sind einander gleich, und Emitterwiderstände R_e sind ebenfalls einander gleich. Dann wird ein an die Basis des Transistors Q1 angelegtes Eingangssignal V_in verstärkt und über die Kollektorwiderstände R_c als Ausgangsspannung V_o abgegeben.

Andererseits wird die Verstärkung des in Fig. 3A gezeigten Verstärkers folgendermaßen bestimmt. Wendet man Kirchhoffs Spannungsgesetz an auf eine Schleife, die die Basis- Emitter-Übergänge der Transistoren Q1 und Q2 enthält, wird die folgende Gleichung befriedigt:

V_in = V_BE1 - V_BE2, (1)

worin V_BE1 und V_BE2 die Basis-Emitter-Spannungsabfälle der jeweiligen Transistoren Q1 und Q2 sind.

Unter Verwendung der Beziehung

kann Gleichung (1) folgendermaßen umgeschrieben werden

V_in = V_T ln (I_c1/I_s1) - V_T ln (I_c2/I_s2). (2)

Darin ist V_T (= kT/q) die thermische Spannung und hat einen Wert von etwa 26 mV bei 300° K, I_s ist der Sperrsättigungs­ strom und hat einen Wert von etwa 2 × 10 nA/cm² bei 300° K, und I_c1 und I_c2 sind die Kollektorströme der Transistoren Q1 und Q2.

Unter der Annahme, daß die Transistoren Q1 und Q2 einander gleich sind, das heißt, I_s1 = I_s2, können die Gleichungen (1) oder (2) folgendermaßen umgeschrieben werden

Ferner wird die folgende Beziehung erfüllt

I_c1 + I_c2 = αF · I_EE, (4)

worin αF das Stromverstärkungsverhältnis in der Basisschal­ tung ist und einen Wert von fast 1 hat.

Die Kollektorströme I_c1 und I_c2 ergeben sich also aus den Gleichungen (3) und (4) zu

Andererseits sind die Ausgangsspannung V_c1 von dem Transistor Q1 und die Ausgangsspannung V_c2 von dem Transistor Q2 gegeben durch

V_c1 = V_cc - I_c1 · R_c, (7)

V_c2 = V_cc - I_c2 · R_c. (8)

Dann wird die endgültige Differenzausgangsspannung V_o

Wenn die Eingangsspannung V_in größer ist als V_T, wird, wie in Gleichung (10) ausgedrückt, eine große Verzerrung erzeugt aufgrund der Hyperbeltangens-Charakteristik, und dadurch wird die in Fig. 1A gezeigte Schaltung nicht mehr als Verstärker verwendet.

Um die Verzerrung zu kompensieren, werden Widerstände R_e an beide Emitter der Transistoren Q1 und Q2 angehängt. Dann ist die Linearität verbessert, aber es besteht das andere Pro­ blem, daß die Spannungsverstärkung vermindert ist.

Die Verstärkungssteuerschaltung nach der DE 31 08 617 A1 weist Verstärkereinrichtungen auf, die in jedem Log-Anti-Log-Übertragungspfad der Verstärkungssteuer­ schaltung angeordnet sind und in jedem Pfad eine Signal­ verstärkung als Funktion des Eingangssignals an die Ver­ stärkungssteuerschaltung ergeben. Die Schaltung wird als Klasse-AB-Verstärker mit einem gesteuerten Ruhe-Vorspann­ strom betrieben und es sind Kompensationseinrichtungen vorgesehen, die eine Kompensation als Funktion eines Ver­ gleichs zwischen dem Eingangssignalstrom und dem Aus­ gangssignalstrom der Schaltung ergeben, um die Intermodu­ lationsverzerrungen und die harmonischen Verzerrungen in dem Ausgangssignal der Schaltung einzustellen.

Es ist Aufgabe der Erfindung, einen Verstärker zur Beeinflussung der linearen Verstärkung eines breiten HF-Frequenzbandes zu schaffen, der ein hochfrequentes, breitbandiges Signal hoher Ein­ gangsspannung ohne Verzerrung verstärkt unter Verwendung einer externen Steuerspannung.

Ferner soll der Verstärker in der Lage sein, die Verstärkung des hochfrequenten Eingangs­ signals durch externe Steuerspannungseinstellung zu verändern, sowie eine stabile Verstärkungscharakteristik sogar im Hochfrequenzbereich durch externe Steuerspannungseinstellung beizubehalten.

Erfindungsgemäß werden diese Aufgaben durch die im Anspruch 1 angegebenen Mermale gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

Im folgenden wird die Erfindung anhand eines in der Zeichnung gezeigten Ausführungsbeispiels näher beschrieben. In der Zeichnung zeigt

Fig. 1 ein Blockdiagramm eines Verstärkers gemäß der Erfin­ dung;

Fig. 2 ein Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform des Verstärkers in Fig. 1 gemäß der Erfindung; und

Fig. 3A und 3B herkömmliche Verstärkerschaltungen.

Fig. 1 zeigt das Blockschaltbild eines Verstärkers gemäß der Erfindung, der einen ersten Spannungsgenerator 10 umfaßt zum Erzeugen einer ersten Kleinspannung δV₁ mit der Areatan­ gens-(hyperbolicus)-Funktion (tanh^-1) einer externen Steuerspan­ nung V_B zur Verstärkungskompensation, einen ersten Span­ nungs-Strom-Wandler (V/I) 20, der mit dem ersten Spannungsge­ nerator 10 verbunden ist, zum Erzeugen eines ersten Stromes I1 mit der Hyperbeltangensfunktion (tanh) der ersten Klein­ spannung, wodurch er zu der externen Steuerspannung V_B linear proportional ist, einen zweiten Spannungsgenerator 30 zum Er­ zeugen einer zweiten Kleinspannung δV₂ mit der Areatangens­ funktion einer Eingangsspannung V_in, einen zweiten Spannungs- Strom-Wandler 40, der mit dem zweiten Spannungsgenerator 30 verbunden ist, zum Erzeugen eines zweiten Stromes I2 mit der Hyperbeltangensfunktion der zweiten Kleinspannung δV₂, wodurch er zu der Eingangsspannung V_in linear proportional ist, und einen Strom-Spannungs-Wandler (I/V) 50, der mit dem ersten Spannungs-Strom-Wandler 20 verbunden ist, um den ersten Strom I1 in eine ihm proportionale Ausgangsspannung V_o umzuwandeln.

Der erste Spannungsgenerator 10 empfängt die externe Steuerspan­ nung V_B zum Steuern der Verstärkung und erzeugt die erste Kleinspannung δV₁ mit der Areatangensfunktion von V_B. Da die externe Steuerspannung V_B eine Gleichspannung mit einem vor­ bestimmten variablen Bereich ist, übersteigt die erste Klein­ spannung δV₁ nicht die Größe von 1 V.

Der erste Spannungs-Strom-Wandler 20 wandelt mit der Hyper­ beltangensfunktion von δV₁ die erste Kleinspannung δV₁ in den ersten Strom I₁ um. Also ist der erste Strom I₁ der exter­ nen Steuerspannung V_B linear proportional.

Andererseits erhält der zweite Spannungsgenerator 30 das HF- Eingangssignal V_in und erzeugt mit der Areatangensfunktion von V_in die zweite Kleinspannung δV₂. Die zweite Kleinspannung δV₂ ist zu der Eingangsspannung V_in proportional, aber über­ steigt nicht 1 V, ähnlich wie die erste Kleinspannung δV₁.

Der zweite Spannungs-Strom-Wandler 40 wandelt mit der Hyper­ beltangensfunktion von δV₂ die zweite Kleinspannung δV₂ in den zweiten Strom I₂ um. Der zweite Strom ist also zu der Ein­ gangsspannung V_in linear proportional. Wenn der zweite Strom I₂ variiert wird, dann wird auch die externe Steuerspannung V_B variiert, und dadurch wird auch der erste Strom I₁ variiert. Der erste und der zweite Strom I₁ und I₂ sind also linear voneinander abhängig.

Wie oben beschrieben, wird der erste Strom I₁ durch die ex­ terne Steuerspannung V_B und linear proportional zu dem zweiten Strom I₂ eingestellt und durch den Strom-Spannungs-Wandler 50 in die Ausgangsspannung V_o umgewandelt. Die Ausgangsspannung V_o ist ebenfalls linear proportional dem ersten Strom I₁. Dementsprechend wird durch Einstellen der externen Steuerspan­ nung V_B eine gewünschte Verstärkung erzielt, und die Lineari­ tät des Verstärkers wird stabil gehalten ohne Rücksicht auf die Größe des HF-Eingangssignals V_in.

Fig. 2 ist das Schaltbild, das die Ausführungsform von Fig. 1 gemäß der Erfindung im einzelnen zeigt, welche einen ersten und einen zweiten Spannungsgenerator 10 und 30, einen ersten und einen zweiten Spannungs-Strom-Wandler 20 und 40 und einen Strom-Spannungs-Wandler 50 umfaßt, identisch mit der Konfigu­ ration in Fig. 1.

Der erste Spannungsgenerator 10 umfaßt Transistoren 11 und 12, deren Emitter symmetrisch mit je einer Konstantstromquelle I_o1′ verbunden sind, und deren Basen angeschlossen sind an eine externe Steuerspannung V_B, die einer ersten Bezugsspannung V_ref1 hinzuaddiert ist, bzw. an eine zweite Bezugsspannung V_ref2, ferner einen an die Emitter der Transistoren 11 und 12 angeschlossenen Widerstand 13 und Dioden 10 und 15, deren Ka­ thoden mit den Kollektoren der jeweiligen Transistoren 11 und 12 verbunden sind, und deren Anoden gemeinsam an eine Speise­ spannung V_cc des Verstärkers angeschlossen sind.

Der erste Spannungs-Strom-Wandler 20 umfaßt Transistoren 21 und 22, die an die Speisespannung V_cc und an je eine Konstant­ stromquelle I_o2 angeschlossen sind, um die von den Kollekto­ ren der Transistoren 11 und 12 an jede Basis angelegten Ein­ gangssignale zu puffern, und an ihren Emittern miteinander verbundene Transistoren 23 und 24, denen die Ausgangsspannungen von den Emit­ teranschlüssen der Transistoren 21 und 22 als Differenzein­ gangsspannung zugeführt ist.

Der zweite Spannungsgenerator 30 umfaßt Transistoren 31 und 32, deren Emitter symmetrisch an je eine Konstantstromquelle I_o1 angeschlossen sind, und deren Basen angeschlossen sind an eine Eingangsspannung V_in, die einer dritten Bezugsspannung V_ref3 hinzuaddiert ist, bzw. an eine vierte Bezugsspannung V_ref4, einen Widerstand 33, der die Emitter der Transistoren 31 und 32 verbindet, und Dioden 34 und 35, deren Kathoden mit den Kollektoren der jeweiligen Transistoren 31 und 32 verbun­ den sind, und deren Anoden miteinander verbunden sind, sowie einen Transistor 36, dessen Basis an eine fünfte Bezugsspan­ nung V_ref5 angeschlossen ist zum Liefern einer gewünschten Spannung an den gemeinsamen Anodenknotenpunkt der Dioden 34 und 35 durch eine gegenüber der Speisespannung V_cc verminderte Spannung.

Der zweite Spannungs-Strom-Wandler 40 umfaßt Transistoren 41 und 42, die an die Speisespannung V_cc und je eine Konstantstrom­ quelle I_o2 angeschlossen sind zur Pufferung der Eingangssi­ gnale, die von den Kollektoren der Transistoren 31 und 32 an jede Basis angelegt sind, sowie Transistoren 43 und 44, deren Basen mit den Emittern der jeweiligen Transistoren 41 und 42 verbunden sind und deren Emitter gemeinsam an eine Konstant­ stromquelle I_EE angeschlossen sind. Die Basis des Transistors 43 ist mit dem gemeinsamen Emitterknotenpunkt der Transisto­ ren 23 und 24 verbunden, während die Basis des Transistors 44 an die Speisespannung V_cc angeschlossen ist.

Der Strom-Spannungs-Wandler 50 besteht lediglich aus einem Widerstand, der mit der Speisespannung V_cc und dem Kollektor des Transi­ stors 24 verbunden ist. Sämtliche Transistoren in Fig. 2 sind npn-Typen. Ferner sind alle Dioden in Fig. 2 unter Ver­ wendung von npn-Transistoren gebildet, das heißt, die Basis eines npn-Transistors wird als Anode verwendet und der Kollek­ tor und Emitter sind zur Verwendung als Kathode miteinander verbunden.

Die Betriebsweise der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform gemäß der Erfindung wird nun im einzelnen beschrieben.

Die Eingangs-Ausgangs-Spannungsverstärkung V_o/V_in wird durch die folgende Sequenz bestimmt.

Werden zuerst die Basisströme der Transistoren 31 und 32 ver­ nachlässigt, werden ihre jeweiligen Kollektorströme

i_c1 = I_o1 + i_x1, (11)

i_c2 = I_o1 - i_x1, (12)

worin i_c1, i_c2, I_o1 und i_x1 der Kollektorstrom des Transi­ stors 31, der Kollektorstrom des Transistors 32, der Strom der Kon­ stantstromquelle bzw. der Strom sind, der durch den die Emit­ ter der Transistoren 31 und 32 verbindenden Widerstand 33 fließt.

Wendet man das zweite Kirchhoff'sche Gesetz (Spannungsgesetz) auf eine Schleife an, die die Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren 31 und 32 enthält, wird die Eingangsspannung V_in ausgedrückt als

V_in = V_BE1 - V_BE2 + i_x1 · R_x, (13)

worin V_BE1 und V_BE2 die Basis-Emitter-Spannungen der Transi­ storen 31 bzw. 32 sind und R_x der Wert des Widerstandes 33 ist, der mit den Emittern der Transistoren 31 und 32 verbun­ den ist.

Die Gleichung (13) kann wie folgt umgeschrieben werden

worin V_T die thermische Spannung ist und I_s1 und I_s2 die Sperrsättigungsströme der Transistoren 31 bzw. 32 sind, wie in Gleichung (2) erläutert.

Wenn die Transistoren 31 und 32 einander gleich sind, das heißt, die Basisdotierungsdichte und die geometrische Größe jeweils gleich sind, dann ist I_s1 gleich I_s2, und folglich kann die Gleichung (14) reduziert werden auf

Teilt man beide Seiten der Gleichung (15) durch R_x und sub­ stituiert die Gleichungen (11) und (12), so erhält man

Wenn der erste Term auf der rechten Seite von Gleichung (16) Null wird, hängt V_in linear von i_x1 ab.

Differenziert man den ersten Term von Gleichung (16) nach i_x1, um dies im wesentlichen zu identifizieren, wird die fol­ gende Gleichung erfüllt

worin r_e der dynamische Kleinsignal-Widerstand am Emitteranschluß des Transistors ist.

Wenn R_x » r_e1 + r_e2, dann erfüllt Gleichung (16) die li­ neare Beziehung, das heißt, V_in hängt linear von i_x1 ab. Also können die Gleichungen (11) und (12) vereinfacht werden zu

Da i_c1 und i_c2 voneinander verschieden sind, wie in den Glei­ chungen (18) und (19) gezeigt, sind auch die Spannungsabfälle an den Dioden 34 und 35 voneinander verschieden. Diese Diffe­ renz zwischen den Diodenspannungsabfällen wird an die Basen der Transistoren 43 und 44 angelegt. Bei Anwendung des zwei­ ten Kirchhoff'schen Gesetzes wird die folgende Gleichung er­ füllt

δV₂ = V_BE3 - V_BE4, (20)

worin V_BE1 und V_BE2 die Spannungsabfälle an den jeweiligen Dioden 34 und 35 sind und V₂ die zweite Kleinspannung ist. Daher kann Gleichung (20) umgeschrieben werden als

worin I_s3 und I_s4 die Sperrsättigungsströme der Dioden 34 bzw. 35 sind, wie in Gleichung (2) beschrieben.

Nimmt man an, daß die Dioden 34 und 35 einander gleich sind, das heißt, I_s3 = I_s4, dann wird Gleichung (21) reduziert auf

Unter Verwendung der Beziehung

kann Gleichung (22) geschrieben werden als

Die Spannungsabfalldifferenz zwischen den Dioden 34 und 35 ist also die Areafunktion (die umgekehrte hyperbolische Funk­ tion) der Eingangsspannung. Die Spannungsabfalldifferenz, das heißt die zweite Kleinspannung δV₂ wird durch die Transistoren 41 und 42 gepuffert und dann an die Transistoren 43 und 44 angelegt, wodurch deren Kollektorströme i_c4 und i_c3 bestimmt werden.

Die zweite Kleinspannung δV₂ kann also umgeschrieben werden als

worin V_BE5 und V_BE6 die Basis-Emitter-Spannungen der Transi­ storen 44 und 43 sind.

Wird angenommen, daß die Transistoren 43 und 44 identisch sind, wird Gleichung (25) zu

folglich

und es wird auch die folgende Beziehung erfüllt

i_c3 + i_c4 = αF · I_EE, (28)

worin I_EE der konstante Strom und αF fast 1 ist.

Also reduziert sich Gleichung (28) auf

i_c3 + i_c4 = I_EE. (29)

Aus den Gleichungen (27) und (29) ergeben sich die Kollek­ torströme der Transistoren 44 und 43 zu

bzw.

Dann ist die Kollektorstromdifferenz δI_c gegeben durch

Das heißt, die Kollektorstromdifferenz I_c ist die hyperboli­ sche Tangensfunktion der zweiten Kleinspannung δV₂.

Setzt man Gleichung (22) in Gleichung (31) ein, ergibt sich

Ähnlich wird der Kollektorstrom i_c5 des Transistors 24 die Funktion der externen Steuerspannung V_B durch

worin I_o1′ die Emitter-Konstantstromquelle ist und R_x′ der Wert des Widerstandes 13 ist, der die Emitter der Transisto­ ren 11 und 12 verbindet.

Werden die Gleichungen (33) und (34) kombiniert, wird der Kollektorstrom i_c5 des Transistors 24 als Funktion von V_B und V_in gegeben durch

Also ist die Gesamtverstärkung A_v des Verstärkers in Fig. 3 gege­ ben durch

worin V_o die Ausgangsspannung des Verstärkers ist und R_L die Größe des Ausgangswiderstandes 50 ist.

Der Kollektorstrom i_c4 des Transistors 43, ausgedrückt in Gleichung (33), entspricht dem zweiten Strom I₂ in Fig. 2, und der Kollektorstrom i_c5 des Transistors 24 entspricht dem ersten Strom I₁ in Fig. 2. Also wird die Spannungsverstär­ kung des nach Fig. 3 aufgebauten Verstärkers bestimmt durch den Strom und den Widerstand an der Ausgangsklemme, wie in Gleichung (36) ausgedrückt.

Wie hier beschrieben, kann der Verstärker zum Beeinflussen der linearen Verstärkung eines breiten Frequenzbandes gemäß der Erfindung die gewünschte Verstärkung für das hochfrequente Signal mit großer Eingangsspannung ohne Verzerrung erzielen.

Claims (9)

1. Steuerbarer Verstärker zur linearen Verstärkung eines breit­ bandigen HF-Signals unter Verwendung einer externen Steuerspannung, mit
einem ersten Spannungsgenerator (10) zum Erzeugen einer ersten Kleinspannung (δV₁) mit einer Areatangensfunktion der externen Steuerspannung (V_B),
einem ersten Spannungs-Strom-Wandler (20) zum Er­ zeugen eines ersten Stromes (I₁) mit einer hyperbolischen Tangensfunktion der ersten Kleinspannung (δV₁) in der Weise, daß er der externen Steuerspannung (V_B) linear proportional ist,
einem zweiten Spannungsgenerator (30) zum Erzeu­ gen einer zweiten Kleinspannung (δV₂) mit einer Areatangens­ funktion des zu verstärkenden HF-Signals (V_in),
einem zweiten Spannungs-Strom-Wandler (40) zum Beeinflussen des ersten Stromes (I₁) durch Erzeugen eines zweiten Stromes (I₂) mit einer hyperbolischen Tangensfunktion der zweiten Kleinspannung (δV₂) derart, daß er dem HF-Signal (V_in) linear proportional ist,
und einem Strom-Spannungs-Wandler (50) zum Um­ wandeln des ersten Stromes (I₁) in eine ihm proportionale Ausgangsspan­ nung (V_o).

2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Spannungsgenerator (10) zwei Transisto­ ren (11, 12) umfaßt, deren Emitter jeweils mit einer Kon­ stantstromquelle (I_o1′) verbunden sind und deren Basen ange­ schlossen sind an die externe Steuerspannung (V_B), die einer ersten Bezugsspannung (V_ref1) hinzuaddiert wird, bzw. an eine zweite Bezugsspannung (V_ref2), ferner einen Widerstand (13), der die Emitter der Transistoren (11, 12) verbindet, und zwei Dioden (14, 15), deren Kathoden mit den Kollektoren der jewei­ ligen Transistoren (11, 12) verbunden sind, und deren Anoden gemeinsam an eine Speisespannung (V_cc) des Verstärkers angeschlossen sind.

3. Verstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Spannungs-Strom-Wandler (20) zwei Transistoren (21, 22) umfaßt, die an die Speise­ spannung (V_cc) und jeweils eine Konstantstromquelle (I_o2) angeschlos­ sen sind und denen an ihren Ba­ sen von den Kollektoren der Transistoren (11, 12) des er­ sten Spannungsgenerators (10) eine Differenzspan­ nung (δV₁) zugeführt ist.

4. Verstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwei an die Speisespannung (V_cc) und jeweils eine Konstantstromquelle (I_o2) angeschlos­ senen Transistoren (21, 22) dazu dienen, die Differenz­ spannung (δV₁) zu puffern und sie an die Basen von an ihren Emittern verbundenen Transistoren (23, 24) zu liefern.

5. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Spannungsgenerator (30) zwei Transisto­ ren (31, 32) umfaßt, deren Emitter jeweils mit einer Kon­ stantstromquelle (I_o1) verbunden sind, und deren Basen ange­ schlossen sind an die zu verstärkende HF-Spannung (V_in), die einer dritten Bezugsspannung (V_ref3) hinzuaddiert ist, bzw. an eine vierte Bezugsspannung (V_ref4), ferner einen die Emitter der Transistoren (31, 32) verbindenden Widerstand (33) und Dioden (34, 35), der Kathoden mit den Kollektoren der jeweili­ gen Transistoren (31, 32) verbunden sind, und deren Anoden mit­ einander verbunden sind.

6. Verstärker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Spannungsgenerator (30) einen Transi­ stor (36) umfaßt, dessen Basis mit einer fünften Bezugsspan­ nung (V_ref5) verbunden ist, um eine gewünschte Spannung an den gemeinsamen Anodenknotenpunkt der Dioden (34, 35) zu liefern mit einem konstanten Spannungsabfall gegenüber der Speisespannung (V_cc).

7. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Spannungs-Strom-Wandler (40) an ihren Emittern gekoppelte Transistoren (43, 44) umfaßt, die an die Speisespan­ nung (V_cc) und eine Konstantstromquelle (I_EE) angeschlossen sind zum Empfangen von Eingangssignalen, die von den Kollek­ toren der Transistoren (31, 32) des zweiten Spannungsgene­ rators (30) an jede Basis angelegt werden, wobei der Kollektor eines Transistors (44) mit der Speisespannung (V_cc) direkt verbunden ist und der Kollektor des anderen Transistors (43) mit dem gemeinsamen Emitterknotenpunkt der Transistoren (23, 24) des ersten Spannungs-Strom-Wandlers (40) verbunden ist.

8. Verstärker nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Spannungs-Strom-Wandler (40) zwei weitere Tran­ sistoren (41, 42) umfaßt, die an die Speisespannung (V_cc) und jeweils eine Konstantstromquelle (I_o2) angeschlossen sind, um die Ausgangsspannungen von den Kollektoren der Transistoren (31, 32) in dem zweiten Spannungsgenerator (30) zu puffern und sie an die Basen der an ihren Emittern miteinander verbundenen Transistoren (43, 44) zu liefern.

9. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Strom-Spannungs-Wandler (50) nur einen Wider­ stand (50) umfaßt, der an die Speisespannung (V_cc) und den Kollektor des Transistors (24) in dem ersten Spannungs-Strom- Wandler (20) angeschlossen ist.