DE4140559A1

DE4140559A1 - Differentialverstaerker

Info

Publication number: DE4140559A1
Application number: DE4140559A
Authority: DE
Inventors: Haruyuki Inohana; Shintaro Gomi
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 1991-06-17
Filing date: 1991-12-09
Publication date: 1992-12-24
Also published as: FR2677822A1; US5184086A; JPH04369107A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Differentialverstärker gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1.

Aus JP 2 24 411-A (1990) ist ein Differentialverstärker mit verbesserter nichtlinearer Steuerkennlinie bekannt; ein solcher Differentialverstärker ist in Fig. 4 gezeigt. Hierbei sind die Emitter von NPN-Transistoren 1 und 2 über einen Widerstand 7 miteinander und mit Stromquellen 13 bzw. 14, die so angepaßt sind, daß sie an die Transistoren Vorspan nungsströme liefern, verbunden. Der Kollektorstrom I₂ des Transistors 1 wird an den Emitter eines Transistors 3 geliefert, während der Kol lektorstrom I₁ des Transistors 2 an den Emitter eines Transistors 4 ge liefert wird. Die Basis des Transistors 1 ist mit dem Emitter des Tran sistors 4 verbunden, während die Basis des Transistors 2 mit dem Emitter des Transistors 3 verbunden ist. Eine Signalquelle 11 erzeugt zwischen den Basen der Transistoren 3 und 4 ein Eingangssignal V_i. Eine Spannungsquelle 9 legt an die Basen der Transistoren 3 und 4 eine Vorspannung V_r an.

Eine weitere Spannungsquelle 10 liefert eine Versorgungsspannung V_cc direkt an den Kollektor des Transistors 3 und über einen Lastwi derstand 8 an den Kollektor des Transistors 4. Der so aufgebaute Dif ferentialverstärker erzeugt am Verbindungspunkt des Lastwiderstandes 8 mit dem Kollektor des Transistors 4 ein Ausgangssignal V_aus. Das Ausgangssignal wird an einen Ausgangsanschluß 12 geliefert.

In diesem Differentialverstärker ändern sich die Kollektorströme I₁ und I₂ aufgrund des Eingangssignals V_i. Wenn das Eingangssignal V_i in positiver Richtung mit der Basis des Transistors 3 als positiver Seite ansteigt, nimmt der Kollektorstrom I₁, zu, während der Kollektorstrom I₂ abnimmt. Unter der Annahme, daß die Basisströme der Transistoren 1 und 2 vernachläßigt werden können, weil sie viel kleiner als die Kol lektorströme I₁ und I₂ sind, gilt in dem Fall, in dem das Eingangssignal V_i den Wert 0 V besitzt: I₁=I₂=I₀, wobei I₀ den Ausgangsstrom einer jeden der Stromquellen 13 und 14 darstellt.

Das Eingangssignal V_i kann durch die folgende Gleichung (1) dargestellt werden:

V_i = V_be3 + V_be2 + (I₁ - I₀) · R₇ - (V_be1 + V_be4) (1)

wobei R₇ der Widerstandswert des Widerstandes 7 ist und wobei V_be1, V_be2, V_be3 und V_be4 die Basis-Emitter-Spannungen der Transistoren 1, 2, 3 bzw. 4 sind.

Die Beziehung zwischen der Basis-Emitter-Spannung V_be1 und dem Strom I₂ kann durch die folgende Gleichung (2) dargestellt werden:

I₂ = I_s · {exp(V_be1/V_t) - 1} (2)

wobei I_s der Sättigungsstrom des Transistors ist und wobei V_t gleich k · T/q ist, mit k als Boltzmannkonstante, T als absoluter Temperatur und q als Elektronenladung.

Durch die Auflösung von Gleichung (2) nach V_be1 wird die folgende Gleichung (3) erhalten:

V_be1 = V_t · ln (I₂/I_s + 1) (3)

In dem Fall, in dem die Transistoren 1 und 2 gleiche Kennlinien besitzen, kann die Basis-Emitter-Spannung V_be2 durch die folgende Gleichung (4) dargestellt werden:

V_be2 = V_t · ln (I₁/I_s + 1) (4)

In dem Fall, in dem die Transistoren 3 und 4 die gleiche Kennlinie wie die Transistoren 1 und 2 besitzen und die Basisströme der Transistoren 3 und 4 vernachläßigt werden, sind die Basis-Emitter-Spannungen V_be3 und V_be4 der Transistoren 3 und 4 folgendermaßen gegeben:

V_be3 = V_t · ln (I₂/I_s + 1) (5)

V_be4 = V_t · ln (I₁/I_s + 1) (6)

Einsetzen der Gleichungen (3), (4), (5) und (6) in die Gleichung (1) er gibt die folgende Gleichung (7):

V_i = V_t · ln (I₂/I_s + 1) + V_t · ln (I₁/I_s + 1) + (I₁ - I₀) · R₇ - {V_t · ln (I₂/I_s + 1) + V_t · ln (I₁/I_s + 1)}
= (I₁ - I₀) · R₇ (7)

Durch die Auflösung von Gleichung (7) nach I₁ wird die folgende Gleichung (8) erhalten:

I₁ = I₀ + V_i/R₇ (8)

Wegen I₁ + I₂ = 2 · I₀ ergibt sich daher die folgende Gleichung (9):

I₂ = I₀ - V_i/R₇ (9)

Wenn der Widerstandswert des Widerstandes 8 durch R_L gegeben ist, kann das Ausgangssignal V_aus folgendermaßen dargestellt werden:

V_aus = V_cc - I₁ · R_L = V_cc - (I₀ + V_i/R₇) · R_L = V_cc - I₀ · R_L - (R_L/R₇) -· V_i (10)

Wie aus Gleichung (10) ersichtlich, wird die Spannung V_aus durch die Verstärkung von V_i mit dem Verstärkungsfaktor R_L·R₇ erhalten.

Wie aus der obigen Beschreibung ersichtlich, wird in der in Fig. 4 ge zeigten Schaltung die Verzerrungskomponente (die die zur Beziehung zwischen dem Kollektorstrom und der Basis-Emitter-Spannung eines Transistors beitragende Nichtlinearität darstellt) auf der Grundlage der Beziehung zwischen V_i und V_aus beseitigt. Das bedeutet, daß der Dif ferentialverstärker eine ausgezeichnete Linearität besitzt. Andererseits kann bei dem obenbeschriebenen Differentialverstärker die Kollektor- Basis-Spannung V_cb1 des Transistors 1 folgendermaßen dargestellt werden:

V_cb1 = V_r + V_i - V_be3 - (V_r - V_be4) = V_i - V_be3 + V_be4) (11)

Entsprechend kann die Kollektor-Basis-Spannung V_cb2 des Transistors 2 durch die folgende Gleichung (12) dargestellt werden:

V_cb2 = V_be3 - V_be4 - V_i (12)

In dem Fall, in dem das Eingangssignal eine große Amplitude besitzt, können die Basis-Emitter-Spannungen V_be3 und V_be4 im wesentlichen als gleich betrachtet werden, so daß die Gleichungen (11) und (12) fol gendermaßen approximiert werden können:

V_cb1 ≈ V_i (13)

V_cb2 ≈ -V_i (14)

Aus den Gleichungen (13) und (14) ist ersichtlich, daß die Kollektor Basis-Spannungen der Transistoren 1 und 2 entsprechend dem Ein gangssignal V_i negativ werden, so daß die Transistoren im Sättigungs bereich arbeiten. Wenn ein Transistor im aktiven Bereich arbeitet, wird der Stromverstärkungsfaktor stark abgesenkt, so daß der Basisstrom erhöht wird. Das bedeutet, daß in diesem Fall im Gegensatz zum oben beschriebenen Fall der Basisstrom nicht vernachläßigt werden kann. In Gleichung (7) sind die den nichtlinearen Komponenten entsprechenden Basis-Emitter-Spannungen V_be nicht enthalten, weil die Beziehungen V_be1 = V_be3 und V_be2= V_be4 erfüllt sind. Diese Beziehungen sind jedoch in dem Fall, in dem die Transistoren 3 und 4 im aktiven Bereich arbeiten, während die Transistoren 1 und 2 im Sättigungsbereich ar beiten, nicht erfüllt. Wenn daher das Eingangssignal eine große Am plitude besitzt, gilt Gleichung (7) nicht mehr. Folglich besitzt der her kömmliche Differentialverstärker den Nachteil, daß er einen geringen dynamischen Eingangsbereich besitzt.

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Differen tialverstärker zu schaffen, der eine lineare Steuerkennlinie und einen großen dynamischen Eingangsbereich besitzt.

Diese Aufgabe wird bei einem Differentialverstärker der gattungsge mäßen Art erfindungsgemäß gelöst durch die Merkmale im kennzeich nenden Teil des Anspruches 1.

In dem erfindungsgemäßen Differentialverstärker werden die Kollek tor-Basis-Spannungen des ersten und des zweiten Transistors gegenüber den vorgegebenen Werten mittels einer Pegelverschiebungs einrichtung erhöht. Daher gelangen die Arbeitspunkte des ersten und des zweiten Transistors selbst bei Eingangssignalen mit großer Amplitude nicht in den Sättigungsbereich, so daß eine Erhöhung der Verzerrung vermieden werden kann.

Weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung sind in den Unteransprüchen, die sich auf besondere Ausführungsformen der vor liegenden Erfindung beziehen, angegeben.

Die Erfindung wird im folgenden anhand bevorzugter Ausführungs formen mit Bezug auf die Zeichnungen näher erläutert; es zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 ein Schaltbild einer zweiten Ausführungsform der vorliegen den Erfindung;

Fig. 3 ein Schaltbild einer dritten Ausführungsform der vorliegen den Erfindung; und

Fig. 4 ein Schaltbild eines herkömmlichen Differentialverstärkers.

In Fig. 1 ist eine erste Ausführungsform der Erfindung gezeigt. In die ser Ausführungsform sind Transistoren 1, 2, 3 und 4, Widerstände 7 und 8, Stromquellen 13 und 14, eine Signalquelle 11, Spannungsquellen 9 und 10 und ein Ausgangsanschluß 12 im wesentlichen auf die gleiche Weise wie in Fig. 4 miteinander verbunden. Zusätzlich ist der Emitter des Transistors 3 mit der Basis eines Transistors 5 verbunden, während der Emitter des Transistors 4 mit der Basis eines Transistors 6 verbunden ist. Die Kollektoren der Transistoren 5 und 6 sind mit einer positive Leistung führenden Leitung (oder dem positiven Anschluß der Leistungsquelle 10) verbunden. Der Emitter des Transistors 5 ist mit der Basis des Transistors 2 und mit einem Anschluß einer Stromquelle 16 verbunden, während der anderer Anschluß mit Masse (oder dem negativen Anschluß der Leistungsquelle 10) verbunden ist. Der Emitter des Transistors 6 ist mit der Basis des Transistors 1 und mit einem An schluß einer Stromquelle 15 verbunden, deren anderer Anschluß mit Masse verbunden ist.

In dem Differentialverstarker mit diesem Aufbau kann das Eingangs signal durch die folgende Gleichung (15) dargestellt werden:

V_i = V_be3 + V_be5 + V_be2 + (I₁ - I₀) · R₇ - (V_be1 + V_be6 + V_be4) (15)

In dem Fall, in dem die Transistoren 5 und 6 gleiche Kennlinien besit zen, besitzen die Stromquellen 15 und 16 den gleichen Stromwert, so daß die folgende Gleichung (16) gilt:

V_be5 = V_be6 (16)

Wenn die Basisströme der Transistoren 3, 4, 5 und 6 vernachläßigt werden, sind die Kollektorströme der Transistoren 1 und 3 gleich, au ßerdem sind die Kollektorströme der Transistoren 2 und 4 gleich. Da her gelten die folgenden Gleichungen (17) und (18):

V_be1 = V_be3 (17)

V_be2 = V_be4 (18)

Durch Einsetzen der Gleichungen (16), (17) und (18) in die Gleichung (15) ergibt sich die folgende Gleichung (19):

V_i = (I₁ - I₀) · R₇ (19)

Diese Gleichung (19) ist der Gleichung (7) gleich. Daher wird am Aus gangsanschluß ein Ausgangssignal V_aus erzeugt, aus dem die Verzer rung aufgrund der Nichtlinearität der Basis-Emitter-Spannungen V_be der Transistoren beseitigt worden ist.

Die Kollektor-Basis-Spannungen V_cb1 und V_cb2 der Transistoren 1 bzw. 2 können durch die folgenden Gleichungen (20) und (21) darge stellt werden:

V_cb1 = V_r + V_i - V_be3 - (V_r - V_be4 - V_be6) = V_i - V_be3 + V_be4 + V_be6 (20)

V_cb2 = V_r - V_be4 - (V_r + V_i - V_be3 - V_be5) = -V_i - V_be4 + V_be3 + V_be5 (21)

Wenn das Eingangssignal V_i eine große Amplitude besitzt, können die Spannungen V_be3 und V_be4 als im wesentlichen gleich angesehen wer den. Folglich gelten die beiden folgenden Gleichungen (22) und (23):

V_cb1 ≈ V_i + V_be6 (22)

V_cb2 ≈ -V_i + V_be5 (23)

Aus den Gleichungen (22) und (23) ist ersichtlich, daß die Kollektor- Basis-Spannungen V_cb1 und V_cb2 selbst bei einer großen Amplitude des Eingangssignals V_i solange nicht negativ werden, bis der Spitzen wert des Eingangssignals größer als die Basis-Emitter-Spannungen V_be5 und V_be6 wird. Daher sind die Transistoren 1 und 2 nicht gesät tigt, so daß die Verzerrung selbst bei einem Eingangssignal mit großer Amplitude minimiert wird.

Die Transistoren 5 und 6 und die Stromquellen 15 und 16 bilden eine Pegelverschiebungseinrichtung. Der Stromwert I₃ einer jeden Strom quelle 15, 16 kann kleiner als der Wert I₀ der Stromquelle 13 und 14 sein. In diesem Fall kann die Abweichung vom theoretischen Wert, die entsteht, wenn die Basisströme der Transistoren nicht vernachläßigt werden, verringert werden.

In Fig. 2 ist eine zweite Ausführungsform der Erfindung gezeigt. Diese zweite Ausführungsform unterscheidet sich gegenüber der obenbe schriebenen ersten Ausführungsform in den folgenden Punkten: Es sind Transistoren 17 und 18 so hinzugefügt, daß deren Basen und Emitter jeweils mit den Basen und Emittern der Transistoren 1 bzw. 2 verbun den sind. Der Kollektor des Transistors 1 ist über den Widerstand 8 mit der Leistung führenden Leitung (oder dem positiven Anschluß der Leistungsquelle 10) verbunden, während der Kollektor des Transistors 4 direkt mit der Leistung führenden Leitung verbunden ist. Der Kol lektor des Transistors 17 ist mit dem Verbindungspunkt des Emitters des Transistors 3 und der Basis des Transistors 5 verbunden. Der Transistor 17 bildet zusammen mit dem Transistor 1 eine Stromspiegelungsschaltung, wobei der Kollektorstrom des Transistors 17 gleich demjenigen des Transistors 1 ist. Der Kollektor des Transi stors 18 ist mit dem Verbindungspunkt des Emitters des Transistors 4 und der Basis des Transistors 6 verbunden. Der Transistor 18 bildet zusammen mit dem Transistor 2 eine Stromspiegelungsschaltung, wo bei der Kollektorstrom des Transistors 18 gleich demjenigen des Tran sistors 2 ist. Das am Verbindungspunkt des Transistors 1 mit dem Wi derstand 8 erzeugte Signal wird an den Ausgangsanschluß V_aus ange legt.

Wenn in dem Differentialverstärker mit diesem Aufbau die Basisströme der Transistoren vernachläßigt werden, sind die Kollektorströme der Transistoren 1 und 3 gleich, genauso sind in diesem Fall die Kollek torströme der Transistoren 2 und 4 gleich. Daher können die Bezie hungen zwischen den Basis-Emitter-Spannungen V_be1 und V_be3 und zwischen den Basis-Emitter-Spannungen V_be2 und V_be4 durch die fol genden Gleichungen (24) bzw. (25) dargestellt werden:

V_be1 = V_be3 (24)

V_be2 = V_be4 (25)

Die Gleichungen (24) und (25) sind den Gleichungen in (17) bzw. (18) gleich. Daher wird ähnlich wie in der in Fig. 1 gezeigten ersten Aus führungsform die Basis-Emitter-Spannung, die der nichtlinearen Kom ponente entspricht, beseitigt.

In Fig. 3 ist Schaltbild einer dritten Ausführungsform der Erfindung gezeigt. Die dritte Ausführungsform besitzt den gleichen Aufbau wie die in Fig. 1 gezeigte erste Ausführungsform, mit der Ausnahme, daß anstatt der NPN-Transistoren PNP-Transistoren verwendet werden. Der Differentialverstärker mit diesem Aufbau arbeitet auf die gleiche Weise wie der in Fig. 1 gezeigte Differentialverstärker, so daß diesel ben Wirkungen erzielt werden.

Der in Fig. 2 gezeigte Differentialverstärker kann durch die Verwen dung von PNP-Transistoren anstelle von NPN-Transistoren abgewan delt werden. Der auf diese Weise abgewandelte Differentialverstärker arbeitet auf die gleiche Weise, so daß auch in diesem Fall die gleichen Wirkungen erzielt werden.

Wie oben beschrieben, wird in dem erfindungsgemäßen Differentialverstärker die Nichtlinearität der Basis-Emitter-Spannungen V_be der Transistoren, die den Verzerrungskomponenten entspricht, be seitigt, um den Verzerrungsfaktor zu verringern. Mit der Pegelverschiebungseinrichtung wird verhindert, daß die das differen tielle Paar bildenden Transistoren in den Sättigungsbereich gelangen, wodurch der dynamische Eingangsbereich erhöht wird. Wenn für die Pegelverschiebungseinrichtung Emitterfolger verwendet werden, kön nen durch die Beseitigung der Nichtlinearität der Spannungen V_be die Fehlerkomponenten bildenden Basisströme verringert werden; das be deutet, daß die Fehlerkomponenten stark verkleinert werden können, was zu einer weiteren Verringerung des Verzerrungsfaktors beiträgt.

Claims

1. Differentialverstärker, mit
einem Widerstandselement (7);
einem ersten und einem zweiten Transistor (1, 2), deren Emitter über das Widerstandselement (7) miteinander verbunden sind;
einem dritten Transistor (3), an dessen Emitter ein Strom ge liefert wird, der gleich dem Kollektorstrom des ersten Transistors (1) ist; und
einem vierten Transistor (4), an dessen Emitter ein Strom ge liefert wird, der gleich dem Kollektorstrom des zweiten Transistors (2) ist;
dadurch gekennzeichnet, daß
eine erste Pegelverschiebungseinrichtung (5, 16) zum Ver schieben eines am Emitter des dritten Transistors (3) anliegenden Si gnals um einen vorgegebenen Wert und zum Anlegen dieses pegelver schobenen Signals an die Basis des zweiten Transistors (2); und
eine zweite Pegelverschiebungseinrichtung (6, 15) zum Ver schieben des Pegels eines am Emitter des vierten Transistors (4) anlie genden Signals um einen vorgegebenen Wert und zum Anlegen dieses pegelverschobenen Signals an die Basis des ersten Transistors (1) vor gesehen sind,
die Basen des dritten und des vierten Transistors (3, 4) als Eingangsanschlüsse verwendet werden; und
wenigstens einer der Kollektoren des dritten und des vierten Transistors (3, 4) als Ausgangsanschluß verwendet wird.

2. Differentialverstärker, mit
einem ersten Transistor (1), dessen Emitter mit einer ersten Stromquelle (13) verbunden ist;
einem zweiten Transistor (2), dessen Emitter mit der zweiten Stromquelle (14) verbunden ist;
einem ersten Widerstandselement (7), das zwischen die Emitter des ersten und des zweiten Transistors (1, 2) geschaltet ist;
einem dritten Transistor (3), dessen Emitter mit dem Kollek tor des ersten Transistors (1) und dessen Kollektor mit einer Span nungsquelle (10) verbunden ist; und
einem vierten Transistor (4), dessen Emitter mit dem Kol lektor des zweiten Transistors (2) und dessen Kollektor mit der Span nungsquelle (10) verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
ein fünfter Transistor (5), dessen Kollektor mit der Span nungsquelle (10), dessen Emitter mit einer dritten Stromquelle (16) und der Basis des zweiten Transistors (2) und dessen Basis mit dem Emitter des dritten Transistors (3) verbunden ist; und
ein sechster Transistor (6), dessen Kollektor mit der Span nungsquelle (10), dessen Emitter mit einer vierten Stromquelle (15) und mit der Basis des ersten Transistors (1) und dessen Basis mit dem Emitter des vierten Transistors (4) verbunden ist, vorgesehen sind,
die Basen des dritten und des vierten Transistors (3, 4) als Eingangsanschlüsse verwendet werden; und
einer der Kollektoren des dritten und des vierten Transistors (3, 4) über ein Lastwiderstandselement (8) mit der Spannungsquelle (10) verbunden ist, uni als Ausgangsanschluß verwendet zu werden.

3. Differentialverstärker, mit
einem Widerstandselement (7);
einem ersten und einem zweiten Transistor (1, 2), deren Emitter über das Widerstandselement (7) miteinander verbunden sind;
einem dritten Transistor (3), an dessen Emitter ein Strom ge liefert wird, der gleich dem Kollektorstrom des ersten Transistors (1) ist;
einem vierten Transistor (4), an dessen Emitter ein Strom ge liefert wird, der gleich dem Kollektorstrom des zweiten Transistors (2) ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
eine erste Pegelverschiebungseinrichtung (5, 15) zum Ver schieben des Pegels eines am Emitter des dritten Transistors (3) anlie genden Signals um einen vorgegebenen Wert und zum Anlegen dieses pegelverschobenen Signals an die Basis des zweiten Transistors (2);
eine zweite Pegelverschiebungseinrichtung (6, 16) zum Ver schieben des Pegels eines am Emitter des vierten Transistors (4) anlie genden Signals um einen vorgegebenen Wert und zum Anlegen dieses pegelverschobenen Signals an die Basis des ersten Transistors (1);
ein fünfter Transistor (18), dessen Emitter und dessen Basis mit dem Emitter bzw. mit der Basis des zweiten Transistors (2) ver bunden sind, um eine Stromspiegelungsschaltung zu bilden; und
ein sechster Transistor (17), dessen Emitter und dessen Basis mit dem Emitter bzw. mit der Basis des ersten Transistors (1) verbun den sind, um eine Stromspiegelungsschaltung zu bilden, vorgesehen sind,
die Basen des dritten und des vierten Transistors (3, 4) als Eingangsanschlüsse verwendet werden; und
wenigstens einer der Kollektoren des ersten und des zweiten Transistors (1, 2) als Ausgangsanschlüsse verwendet werden.

4. Differentialverstärker, mit
einem ersten Transistor (1), dessen Emitter mit einer ersten Stromquelle (13) und dessen Kollektor mit einer Spannungsquelle (10) verbunden ist; und
einem zweiten Transistor (2), dessen Emitter mit einer zwei ten Stromquelle (14) und dessen Kollektor mit der Spannungsquelle (10) verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
ein erster Stromspiegelungstransistor (17), dessen Emitter und dessen Basis mit dem Emitter bzw. mit der Basis des ersten Tran sistors (1) verbunden sind, um eine Stromspiegelungsschaltung zu bil den;
ein zweiter Stromspiegelungstransistor (18), dessen Emitter und dessen Basis mit dem Emitter bzw. mit der Basis des zweiten Transistors (2) verbunden sind, um eine Stromspiegelungsschaltung zu bilden;
ein erstes Widerstandselement (7), das zwischen die Emitter des ersten und des zweiten Transistors (1, 2) geschaltet ist;
ein dritter Transistor (3), dessen Kollektor mit der Span nungsquelle (10) und dessen Emitter mit dem Kollektor des ersten Stromspiegelungstransistors (17) verbunden ist;
ein vierter Transistor (4), dessen Kollektor mit der Span nungsquelle (10) und dessen Emitter mit dem Kollektor des zweiten Stromspiegelungstransistors (18) verbunden ist;
ein fünfter Transistor (5), dessen Kollektor mit der Span nungsquelle (10), dessen Emitter mit einer dritten Stromquelle (15) und mit den Basen des zweiten Transistors (2) und des zweiten Stromspie gelungstransistors (18) und dessen Basis mit dem Emitter des dritten Transistors (3) verbunden ist; und
ein sechster Transistor (6), dessen Kollektor mit der Span nungsquelle (10), dessen Emitter mit einer vierten Stromquelle (16) und mit den Basen des ersten Transistors (1) und des ersten Stromspiege lungstransistors (17) und dessen Basis mit dem Emitter des vierten Transistors (4) verbunden ist, vorgesehen sind,
die Basen des dritten und des vierten Transistors (3, 4) als Eingangsanschlüsse verwendet werden; und
einer der Kollektoren des ersten und des zweiten Transistors (1, 2) über ein Lastwiderstandselement (8) mit der Spannungsquelle (10) verbunden ist, um als Ausgangsanschluß verwendet zu werden.