FI106413B - Lineaarisen tehovahvistimen tehonsäätöpiiri - Google Patents
Lineaarisen tehovahvistimen tehonsäätöpiiri Download PDFInfo
- Publication number
- FI106413B FI106413B FI962814A FI962814A FI106413B FI 106413 B FI106413 B FI 106413B FI 962814 A FI962814 A FI 962814A FI 962814 A FI962814 A FI 962814A FI 106413 B FI106413 B FI 106413B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- differential pair
- amplifier
- gain
- amplifier system
- current
- Prior art date
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 2
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
, 106413
LINEAARISEN TEHO VAHVISTIMEN TEHONSÄÄTÖPIIRI - KRETS FÖR
REGLERING AV EFFEKT HOS EN LINEAR EFFEKTFÖRSTÄRKARE
. 5 Keksintö liittyy radiolaitteiden vahvistimien vahvistuksen säätöön.
Vahvistukseltaan säädettävät vahvistimet ovat tärkeitä etenkin matkapuhelimissa, joissa suurin osa laitteen tehonkulutuksesta menee lähettimen lähtötehon muodostamiseen. Lähtötehon on oltava säädettävissä, jotta tehonkulutusta voitaisiin vähenit) tää silloin, kun tukiasemayhteyteen riittää täyttä lähtötehoa pienempi teho. Esimerkiksi GSM-järjestelmässä tukiasema ohjaa keskitetysti kaikkien alueellaan olevien puhelinten lähtötehoa puhelinten tehonkulutuksen minimoimiseksi. Lähettimen lähtötehoa säädetään tyypillisesti lähettimen tehovahvistimen vahvistusta säätämällä.
15 Suurtaajuustekniikassa tunnetaan useita eri tapoja vahvistimen vahvistuksen sää töön, kuten transkonduktanssin säätö, takaisinkytkennän säätö, virran jakaminen ja säädettävän vaimennusasteen käyttö. Näitä säätötapoja kuvataan tarkemmin seuraa-vissa kappaleissa.
. 20 Vahvistinasteen vahvistusta voidaan säätää esimerkiksi muuttamalla vahvistintran- ] . sistorin transkonduktanssia. Transistoreiden eräs yleinen ominaisuus on transkon- * · ‘ ' duktanssin gm riippuvuus transistorin lepovirrasta, joten sopivalla säädettävällä :. *: vahvistintransistorin biaskytkennällä voidaan muodostaa säädettävä vahvistin. Esi- :: merkkinä tällaisesta vahvistinasteesta kuvassa 1 esitetään differentiaalinen emitteri-
: 25 kytketty pari 2, jonka transkonduktanssi gm riippuu virran IE suuruudesta. Virtaa IE
säädetään vakiovirtaelimen 1 avulla. Tämän tyyppisten täysin differentiaalisten piirien ongelmana on lineaarisen toiminta-alueen rajallisuus. Differentiaaliseen pariin pohjautuvat rakenteet sopivat kuitenkin hyvin integroitaviksi, minkä vuoksi niitä . . ·. käytetään yleisesti integroiduilla piireillä toteutetuissa laitteissa.
30 • · - \ . Toinen vahvistuksen säätötapa on vahvistusasteen takaisinkytkentäresistanssin sää- • · j ’· tö. Kuvassa 2 esitetään yksinkertaisen vahvistusasteen periaatekytkentä, jonka vah- - : ’ *': vistusasteen vahvistusta voidaan säätää resistanssin Rf avulla. Säädettävä resistanssi .,', | toteutetaan usein PIN-diodilla tai FET-transistorilla. Mikroaaltotekniikassa tällainen , 35 rakenne joudutaan usein toteuttamaan erilliskomponentein hybridipiirissä. Tällaisen rakenteen haittoja ovat kaistanleveyden ja vahvistuksen säätöalueen rajoittuneisuus.
2 106413
Virran jakamista käyttävässä vahvistuksensäätöpiirissä säädetään kuormavastuksen ohi vietävää virtaa. Kuvan 1 esimerkkipiirissä differentiaaliparin 2 ohjaama virta kulkee kokonaan kuormavastuksien RL kautta. Kun tällaiseen piiriin lisätään ns. Gilbertin kytkentä kuvassa 3 esitetyllä tavalla, voidaan osa differentiaaliparin otta-5 masta virrasta ohjata vastuksien RL ohi, jolloin piirin vahvistus pienenee vastuksien Rl kautta ja niiden ohi kulkevien virtojen suhteessa. Tällaisen säätöpiirin haittapuolena on huono hyötysuhde, koska kuormavastuksen ohi vietävää virtaa ei käytetä hyväksi.
10 Säädettävä vahvistus voidaan toteuttaa myös varsinaisen vahvistinasteen esiasteeksi kytkettävän vaimentunen avulla. Tällaisessa ratkaisussa varsinaisen pääteasteen vahvistus on vakio, ja koko vahvistinkytkennän vahvistusta säädetään lisäämällä tai vähentämällä vaimentimen vaimennusta. Tällainen vaimennin voidaan toteuttaa esimerkiksi PIN-diodeilla.
15
Yhteenvetona tunnetuista ratkaisuista voidaan sanoa, että useimmilla ratkaisuilla on puutteita hyötysuhteen, lineaarisuuden tai dynaamisen alueen suhteen. Monet tunnetuista ratkaisuista ovat lisäksi vaikeita toteuttaa nykyisillä mikropiiritekniikoilla, ja .;. siten soveltuvat huonosti esimerkiksi kannettaviin radiolaitteisiin, joissa on tavoit- ''' ’. 20 teenä käyttää kompakteja, mahdollisimman vähän tilaa vieviä komponentteja.
» • · • « · '; ’ ·' Keksinnön tavoitteena on toteuttaa lineaarinen vahvistin, jonka vahvistus on säädet- * · ‘: tävissä laajalla lähtötehoalueella. Keksinnön tavoitteena on myös toteuttaa tällainen vahvistin, jonka pääteasteessa voidaan käyttää yksinkertaista ja epälineaarista, esi-''/· ' 25 merkiksi differentiaaliseen pariin pohjautuvaa rakennetta.
Tavoitteet saavutetaan kytkemällä pääteasteen etuasteeksi esisäröistin, jonka toimin-takäyrä on käänteinen pääteasteen toimintakäyrän suhteen. Keksinnön eräs edullinen . , toteutusmuoto on käyttää differentiaalista paria transkonduktanssin kautta säädettä- • · #·|* 30 vänä vahvistimena, jonka parin sisäänmenoon on kytketty tanh^-esisäröistinpiiri mainitun differentiaalisen parin ohjaamiseksi. Esisäröistystä säädetään siten, että • · : *· differentiaalinen pari toimii koko ajan lineaarisella alueella, kun virtaa IE ja parin : : transkonduktanssia muutetaan.
< ( « 35 Keksinnön mukaiselle järjestelmälle on tunnusomaista, että järjestelmä käsittää vah vistinasteen, jolla on tietty toimintakäyrä, sekä esisäröistimen, jolla on mainitun vahvistinasteen toimintakäyrän suhteen käänteinen toimintakäyrä vahvistinjärjestel-män toimintakäyrän linearisoimiseksi.
106413 3
Keksinnön mukaisessa järjestelmässä esisäröistys ja vahvistuksen säätö toteutetaan samalla piirielimellä. Eräässä keksinnön edullisessa suoritusmuodossa, jossa käytetään tanh^-esisäröistinpiiriä differentiaalisen parin ohjaamiseen, tanh_1-esisärÖistin- j piirin toimintapisteen valinnalla voidaan samalla säätää sekä vahvistusta että esi-5 säröistystä. Tämän lisäksi vahvistusta voidaan säätää tavanomaiseen tapaan säätämällä differentiaalisen parin toimintapisteen määräävän virran IE suuruutta. Keksinnön mukaisessa järjestelmässä saavutetaan tunnettuun tekniikkaan nähden laajempi vahvistuksen säätöalue.
10 Seuraavassa selostetaan keksintöä yksityiskohtaisemmin viitaten esimerkkinä esitettyihin edullisiin suoritusmuotoihin ja oheisiin kuviin, joissa kuva 1 esittää tunnetun tekniikan mukaista differentiaalista paria, kuva 2 esittää tunnettua ratkaisua vahvistuksen säätöön, 15 kuva 3 esittää toista tunnettua ratkaisua vahvistuksen säätöön, kuva 4 esittää keksinnön mukaista ratkaisua, kuva 5 esittää kaavamaisesti vakiovirtaelimen 3 ominaiskäyrää eli virran I0 riippuvuutta säätöjännitteestä Vgc, . kuva 6 esittää kaavamaisesti vakiovirtaelimen 1 ominaiskäyrää eli virran IE riip- 20 puvuutta säätöjännitteestä Vgc, * 4 kuva 7 esittää keksinnön mukaisen vahvistinpiirin ominaisuuksia ja *·'· kuva 8 esittää erästä toista keksinnön mukaista ratkaisua.
Kuvissa käytetään toisiaan vastaavista osista samoja viitenumerolta ja -merkintöjä.
:Y. 25
Keksinnön mukainen vahvistuksensäätöpiiri perustuu differentiaalisen parin 2 käyttöön säädettävänä transkonduktanssiasteena ja tanh^-esisäröistinpiirin käyttöön transkonduktanssiasteen esiasteena. Keksinnön mukaisen vahvistinpiirin periaate- . .·, kaavio esitetään kuvassa 4. Differentiaalisen parin lähtövirta, kahden kollektorivir- • · 30 ran erotus ΔΙ = I^, riippuu differentiaalisen parin syöttöjännitteestä (V kuvassa 1) . \ . seuraavasti: • · * · % · • o ΔΙ = I, - h = IE(Vgc) tanh( V/2VT) (1) 35 missä VT on transistorin terminen jännite. Ulostulon OUT dynaaminen alue määräy tyy differentiaalisen parin mitoituksen mukaan. Keksinnön mukaisessa järjestelmässä differentiaalista paria ohjaa tanh^-esisäröistinpiiri 4. Tällaisen esisäröistinpiirin ulostulojännite Vout riippuu esisäröistinpiirin syöttöjännitteestä Vin seuraavasti: 106413 4
Vout = 2 VT tanh-l((Vin - Vout )/ 2 R, I0(Vgc)), (2) jossa | Vjn - Vout | < 2 Rj I0(Vgc). Esisäröistimen toimintakäyrän jyrkkyyttä voidaan säätää virran I0 voimakkuutta muuttamalla. Vakiovirtaelin 3 pitää virran I0 voimak-5 kuuden vakiona, ohjausjännitteen Vgc määräämässä arvossa. Esisäröistinpiirin 4 lineaarisuutta ja dynaamista aluetta voidaan virran I0 lisäksi säätää vastuksilla Rj ja Rb sekä kapasitanssilla Cb. Vastukset Rh sekä kapasitanssi Cb eivät kuitenkaan ole välttämättömiä piirin toiminnan kannalta, eli piiri toimii myös silloin kun vastuksien Rh arvo on 0Ω ja kapasitanssin Cb arvo on 0 pF.
10
Kun esisäröistinpiiri 4 ja differentiaalinen pari 2 yhdistetään kuvassa 4 esitetyllä tavalla, lopputuloksena saadaan ΔΙ = (IE(Vgc) / 2 Rj I0(Vgc)) (Vin - Vout) 15 » (IE(Vgc) / 2 Ri I0(Vgc)) Vin, (3) jolloin vahvistinkytkennän ulostulovirta ΔΙ riippuu lineaarisesti syöttöjännitteestä Vin, virtojen IE ja I0 määräämässä suhteessa. Esisäröistimen 4 tehtävänä on muoka-t: ta differentiaaliasteelle menevää signaalia siten, että differentiaaliaste ei mene epä- ' ’ ” 20 lineaariselle toiminta-alueelle. Tällöin differentiaaliaste voi olla kuvassa 4 esitetyn * . kaltainen yksinkertainen, epälineaarinen differentiaalinen pari. Esisäröistin 4 muut taa myös signaalin tasoa, mitä ominaisuutta keksinnön mukaisessa järjestelmässä :’ hyödynnetään vahvistuksen säätöön.
* * « t · '. I 25 Esisäröistinpiirin vahvistusta säädetään virran I0 avulla siten, että differentiaalinen pari 2 pysyy koko ajan lineaarisella alueella. Tämän saavuttamiseksi virtaa I0 muutetaan päinvastaiseen suuntaan kuin virtaa IE, kun differentiaalisen parin transkon-duktanssia muutetaan virtaa IE muuttamalla. Vakiovirtaelimet 1 ja 3 on siis järjestetty säätämään virtaa säätöjännitteen Vgc mukaan toisiinsa nähden päinvastaisella !!! 30 tavalla. Kuvassa 5 esitetään kaavamaisesti virran I0 riippuvuus säätöjännitteestä • * ’· · Vgc, ja kuvassa 6 virran IE riippuvuus säätöjännitteestä Vgc.
♦ » • ♦ ♦ : [ ] * Keksinnön mukaisessa järjestelmässä virtojen I0 ja IE säätösuureena eli vakiovirta- ,, I,* elimien 1 ja 3 säätösuureena voi olla myös muun tyyppinen signaali kuin säätöjän- 35 nite Vgc. Vakiovirtaelimiä 1 ja 3 voidaan ohjata esimerkiksi virtasignaalilla.
106413 5
Mitoittamalla differentiaaliaste ja esisäröistin sopivasti, saadaan vahvistuksen säätö toimimaan samalla toiminta-alueella kuin millä esisäröistin pitää differentiaaliasteen lineaarisena.
5 Kuvassa 7 esitetään erään piirisimulaation tulokset keksinnön mukaisen vahvistimen ominaisuuksista. Käyrä f\ esittää vahvistimen ulostulotehoa dBm-yksiköissä, ja muut käyrät esittävät kerrannaistaajuuksien ja keskinäismodulaatiotulosten tehoa pe-rustaajuuteen ^ verrattuna dBc-yksiköissä. Kuvaajasta voidaan todeta, että perustaa-juuden kerrannaisten 2fj, 3fj taso on vähintään 25 dBc perustaajuuden ίγ tason ala-10 puolella, ja keskinäismodulaatiotulosten 2frf2, 3fr2f2, 4fi-3f2 taso vähintään 35 dBc perustaajuuden tason alapuolella.
Kuvassa 8 esitetään eräs toinen mahdollinen keksinnön toteutusmuoto. Tässä ratkaisussa differentiaalisen parin transistorien biasvirtoja Ibias ei tuoda esisäröistimeltä 15 kuten kuvassa 4, vaan erilliseltä biasointielimeltä (ei piirretty kuvaan). Tässä tapauksessa esisäröistimen transistorien emittereillä olevat tasajännitteet on erotettava differentiaalisen parin kannoilla olevista jännitteistä esimerkiksi kondensaattoreilla 20. Suurtaajuushäviöiden minimoimiseksi biasointielin on erotettava differentiaali-sen parin transistoreista esimerkiksi sopivilla induktansseilla 21. Suurtaajuisen sig-' ’' ‘ 20 naalin kannalta kuvan 8 toteutusmuoto on olennaisesti kuvan 4 toteutusmuodon kai- . i · · , , täinen.
t « • · * :. ’ Edellä esitettyjen esimerkkikytkentöjen komponentit, kuten vakiovirtaelimet 1 ja 3, •,;. ovat sinänsä alan ammattimiehen tuntemaa tekniikkaa.
:V 25
Esimerkeissä esitetty emitterikytketty differentiaalinen pari ei ole ainoa mahdollinen differentiaalisen asteen 2 toteutusmuoto. Keksinnön mukaisessa järjestelmässä voidaan käyttää myös muita tunnettuja differentiaalisia vahvistinasteita, esimerkiksi , .♦ US-patentissa 5 289 136 (DeVeirman et ai.) esitettyjä ratkaisuja. Patenttivaatimuk- 30 sissa termi "differentiaalinen pari" tarkoittaa mitä tahansa perusrakenteeltaan diffe- * · ^ . rentiaaliseen pariin pohjautuvaa rakennetta, kuten esimerkiksi US-patentissa • i i 1· 5 289 136 (DeVeirman et ai.) esitettyjä rakenteita.
·«1 • < t
Alan ammattimiehelle on myös ilmeistä, että tanlty-esisäröistinpiiri voidaan toteut- ( 35 taa keksinnön mukaisessa järjestelmässä myös muilla tunnetun tekniikan mukaisilla ratkaisuilla.
106413 6
Alan ammattimiehelle on lisäksi ilmeistä, että keksinnön mukaista vahvistinkytken-tää voidaan käyttää erillisenä piirinä tai osana suurempaa vahvistinketjua.
Keksintö soveltuu erityisesti sovelluksiin, joissa vahvistuksen säädön lineaarisuus 5 on tärkeää. Tällaisia ominaisuuksia tarvitaan esimerkiksi JDC- ja DAMPS/CDMA-pohjaisten tietoliikennejärjestelmien vahvistimissa.
Keksinnön mukainen vahvistin toimii lineaarisesti hyvin laajalla lähtötehoalueella, jolloin harmonisten kerrannaisten ja keskinäismodulaatiotulosten taso pysyy mata-10 lana. Lisäksi keksinnön mukainen vahvistinpiiriä voidaan käyttää hyvin suurella syöttösignaalin voimakkuusalueella.
Keksinnön mukaisessa vahvistinkytkennässä voidaan käyttää täysin differentiaalista rakennetta. Lisäksi keksinnön mukainen rakenne sallii vahvistimen käytön differen-15 tiaalisen syötön ja lähdön lisäksi myös yksipäisellä syötöllä ja lähdöllä.
Keksinnön mukainen rakenne sopii yhteen nykyisten integrointitekniikoiden kanssa, ja soveltuu siten erityisen hyvin käytettäväksi kannettavissa radiolaitteissa.
* « « ♦ · · ♦ ♦ ♦ • 4 » 1 « «
Claims (6)
1. Vahvistinjärjestelmä, tunnettu siitä, että järjestelmä käsittää vahvistinasteen, jolla on tietty toimintakäyrä, sekä esisäröisti-men, jolla on mainitun vahvistinasteen toimintakäyrän suhteen käänteinen toiminta-5 käyrä vahvistinjärjestelmän toimintakäyrän linearisoimiseksi; ja siitä, että mainittu esisäröistin on lisäksi järjestetty säätämään vahvistinjärjestelmän vahvistusta.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen vahvistinjärjestelmä, tunnettu siitä, että mai-10 nittu vahvistinaste on differentiaalinen pari.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen vahvistinjärjestelmä, tunnettu siitä, että mainittu esisäröistin on tanh^-esisäröistin.
4. Patenttivaatimuksen 2 mukainen vahvistinjärjestelmä, tunnettu siitä, että mai nittu vahvistinaste käsittää säädettävän vakiovirtaelimen (1) mainitun differentiaalisen parin biasvirran ja toimintapisteen säätämiseksi.
5. Patenttivaatimuksen 3 mukainen vahvistinjärjestelmä, tunnettu siitä, että mai-20 nittu esisäröistin käsittää säädettävän vakiovirtaelimen (3) mainitun esisäröistimen biasvirran ja toimintapisteen säätämiseksi.
..!:' 6. Patenttivaatimuksen 4 ja 5 mukainen vahvistinjärjestelmä, tunnettu siitä, että '; ‘' vahvistinjärjestelmän vahvistuksen säätämiseksi ja vahvistinjärjestelmän linearisoi- : V: 25 miseksi mainittu esisäröistimen vakiovirtaelin (3) on järjestetty pienentämään esi- :‘: säröistimen biasvirtaa niillä vakiovirtaelimen säätösuureen (Vgc) arvoilla, joilla mai- ; nittu differentiaalisen parin vakiovirtaelin (1) on järjestetty suurentamaan differen- *·1 tiaalisen parin biasvirtaa, ja suurentamaan esisäröistimen biasvirtaa niillä arvoilla, joilla mainittu differentiaalisen parin vakiovirtaelin (1) on jäljestetty pienentämään 30 differentiaalisen parin biasvirtaa. « · 1 106413
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI962814A FI106413B (fi) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | Lineaarisen tehovahvistimen tehonsäätöpiiri |
US08/886,379 US5912588A (en) | 1996-07-11 | 1997-07-01 | Gain control circuit for a linear power amplifier |
JP9179266A JPH1079633A (ja) | 1996-07-11 | 1997-07-04 | 線形電力増幅器のための利得制御回路 |
DE69733296T DE69733296T2 (de) | 1996-07-11 | 1997-07-08 | Verstärkungsregelungsvorrichtung für einen linearen Leistungsverstärker |
EP97660078A EP0818880B1 (en) | 1996-07-11 | 1997-07-08 | Gain control circuit for a linear power amplifier |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI962814A FI106413B (fi) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | Lineaarisen tehovahvistimen tehonsäätöpiiri |
FI962814 | 1996-07-11 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI962814A0 FI962814A0 (fi) | 1996-07-11 |
FI962814A FI962814A (fi) | 1998-01-12 |
FI106413B true FI106413B (fi) | 2001-01-31 |
Family
ID=8546371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI962814A FI106413B (fi) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | Lineaarisen tehovahvistimen tehonsäätöpiiri |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5912588A (fi) |
EP (1) | EP0818880B1 (fi) |
JP (1) | JPH1079633A (fi) |
DE (1) | DE69733296T2 (fi) |
FI (1) | FI106413B (fi) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3180711B2 (ja) * | 1997-04-21 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | ゲイン制御装置 |
US6259901B1 (en) | 1998-07-03 | 2001-07-10 | Mobile Communications Tokyo Inc. | Radio-frequency power amplifier of mobile communication equipment |
KR100318919B1 (ko) | 1998-07-07 | 2002-07-12 | 윤종용 | 자동이득조절회로를구비한전치보상기및이를이용한전치보상방법 |
US6339361B1 (en) | 1999-06-09 | 2002-01-15 | Conexant Systems, Inc. | Power amplifier driver system for wireless handset |
DE10012863C2 (de) * | 2000-03-16 | 2003-01-30 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zur Regelung nichtlinearer Strecken |
JP3463656B2 (ja) * | 2000-07-12 | 2003-11-05 | 日本電気株式会社 | 送信電力増幅装置及びその方法 |
US6392487B1 (en) | 2000-08-02 | 2002-05-21 | Rf Micro Devices, Inc | Variable gain amplifier |
US6480067B1 (en) * | 2000-11-27 | 2002-11-12 | Sirenza Microdevices, Inc. | Peaking control for wideband laser driver applications |
US6940919B2 (en) * | 2001-04-16 | 2005-09-06 | Northrop Grumman Corporation | Bandpass predistortion method and apparatus for radio transmission |
US7088958B2 (en) * | 2001-06-19 | 2006-08-08 | Intersil Americas Inc. | Remote power amplifier linearization |
US6919765B2 (en) * | 2003-08-22 | 2005-07-19 | Andrew Corporation | Amplifier linearization by pre-distorting a decomposed input signal |
JP4997730B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2012-08-08 | パナソニック株式会社 | 可変利得増幅器およびそれを用いた交流電源装置 |
US7768353B2 (en) * | 2008-06-13 | 2010-08-03 | Samsung Electro-Mechanics Company, Ltd. | Systems and methods for switching mode power amplifier control |
RU2475947C1 (ru) * | 2012-02-08 | 2013-02-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Избирательный усилитель |
RU2475948C1 (ru) * | 2012-02-10 | 2013-02-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Избирательный усилитель |
GB2605527B (en) * | 2020-02-10 | 2023-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Variable gain amplifier |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1084963A1 (ru) * | 1982-07-05 | 1984-04-07 | Шахтинский Технологический Институт Бытового Обслуживания | Дифференциальный усилитель |
NL8800510A (nl) * | 1988-02-29 | 1989-09-18 | Philips Nv | Schakeling voor het lineair versterken en demoduleren van een am-gemoduleerd signaal en geintegreerd halfgeleiderelement daarvoor. |
US5091919A (en) * | 1989-02-08 | 1992-02-25 | Nokia-Mobira Oy | Transmitter arrangement for digitally modulated signals |
US5123031A (en) * | 1989-02-08 | 1992-06-16 | Nokia-Mobira Oy | Control voltage generator in a transmitter arrangement for digitally modulated signals |
US5130567A (en) * | 1989-05-12 | 1992-07-14 | U.S. Philips Corporation | Bipolar transistor arrangement with distortion compensation |
IT1236905B (it) * | 1989-12-21 | 1993-04-26 | Sistema per la messa a punto dei trasmettitori nei ponti radio digitali a grande capacita' | |
KR930009702B1 (ko) * | 1991-04-17 | 1993-10-08 | 삼성전자 주식회사 | 외부 바이어스를 이용한 광대역 선형 이득 조절증폭기 |
DE4113498C1 (fi) * | 1991-04-25 | 1992-04-30 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh, 7730 Villingen-Schwenningen, De | |
GB2256550B (en) * | 1991-06-04 | 1995-08-02 | Silicon Systems Inc | Differential pair based transconductance element with improved linearity and signal to noise ratio |
US5258722A (en) * | 1991-12-13 | 1993-11-02 | General Instrument Corporation, Jerrold Comminications | Amplifier circuit with distortion cancellation |
JPH0793544B2 (ja) * | 1992-11-09 | 1995-10-09 | 日本電気株式会社 | 差動回路及び差動増幅回路 |
IT1256225B (it) * | 1992-12-23 | 1995-11-29 | Sits Soc It Telecom Siemens | Procedimento e circuito per la compensazione adattativa delle distorsioni di guadagno di un amplificatore alle microonde con linearizzatore |
GB2280073B (en) * | 1993-06-30 | 1996-11-27 | Northern Telecom Ltd | Amplifier circuit |
IT1265271B1 (it) * | 1993-12-14 | 1996-10-31 | Alcatel Italia | Sistema di predistorsione in banda base per la linearizzazione adattativa di amplificatori di potenza |
EP0720112B1 (en) * | 1994-12-27 | 2001-02-28 | STMicroelectronics S.r.l. | Low consumption analog multiplier |
FI98014C (fi) * | 1995-06-30 | 1997-03-25 | Nokia Mobile Phones Ltd | Kuutiointipiiri signaalin esisäröyttämiseksi |
-
1996
- 1996-07-11 FI FI962814A patent/FI106413B/fi active
-
1997
- 1997-07-01 US US08/886,379 patent/US5912588A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-04 JP JP9179266A patent/JPH1079633A/ja active Pending
- 1997-07-08 EP EP97660078A patent/EP0818880B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-08 DE DE69733296T patent/DE69733296T2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69733296D1 (de) | 2005-06-23 |
EP0818880A2 (en) | 1998-01-14 |
EP0818880A3 (en) | 2001-01-31 |
DE69733296T2 (de) | 2005-11-17 |
US5912588A (en) | 1999-06-15 |
EP0818880B1 (en) | 2005-05-18 |
FI962814A (fi) | 1998-01-12 |
JPH1079633A (ja) | 1998-03-24 |
FI962814A0 (fi) | 1996-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI106413B (fi) | Lineaarisen tehovahvistimen tehonsäätöpiiri | |
US6492874B1 (en) | Active bias circuit | |
US7038539B2 (en) | RF amplifier employing active load linearization | |
US6636112B1 (en) | High-efficiency modulating RF amplifier | |
US5311143A (en) | RF amplifier bias control method and apparatus | |
US6313705B1 (en) | Bias network for high efficiency RF linear power amplifier | |
US6753734B2 (en) | Multi-mode amplifier bias circuit | |
US7109796B2 (en) | Amplifying circuit with adjustable amplification and transmitter system comprising such an amplifying circuit | |
EP1800395B1 (en) | Dual bias control circuit | |
US7250820B2 (en) | Power distribution and biasing in RF switch-mode power amplifiers | |
US7274257B2 (en) | Variable gain wideband amplifier | |
KR100427878B1 (ko) | 증폭회로 | |
US7288992B2 (en) | Bias circuit for a bipolar transistor | |
KR100843065B1 (ko) | 전력 증폭기 회로 | |
US20040095192A1 (en) | Radio frequency power amplifier adaptive bias control circuit | |
US6967533B2 (en) | Arrangement for saving energy in transmitter | |
KR100313429B1 (ko) | 삽입손실을갖지않는에프이티사전왜곡기 | |
CN112448682A (zh) | 放大装置 |