DE4128736A1 - Ttl-eingangspuffer - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Transistor- Transistor-Logik (TTL)-Eingangspuffer für eine hoch integrierte Halbleiterspeichervorrichtung und betrifft insbesondere einen Eingangspufferschaltkreis zur Stabilisierung der Abtastoperation bei Daten mit TTL-Pegel.

Ein bisher bekannter TTL-Eingangspufferschaltkreis weist im allgemeinen einen Datenabtastschaltkreis zum Abtasten eines Zustands von TTL-Eingangsdaten und einen Treiberschaltkreis zum Treiben des Ausgangs von dem Datenabtastschaltkreis, dessen Bauweise in Fig. 4 wiedergegeben ist, auf. In Fig. 4 bezeichnen die Referenzsymbole M1-M2, M6, M8 und M10 jeweils P-Kanal-MOS-Transistoren, während M3, M4, M5, M7, M9 und M11 jeweils N-Kanal-MOS-Transistoren bezeichnen. Der Abtastschaltkreis 100 in Fig. 4 weist MOS-Transistoren M1 bis M5 auf, und der Treiberschaltkreis 110 weist MOS-Transistoren M6 bis M11 auf. Weiterhin sind die MOS-Transistoren M1 und M2 seriell zwischen einem Leistungsquelleneingang 4 und einem ersten Ausgangsknoten 2 verschaltet, die MOS-Transistoren M3 und M5 sind seriell zwischen dem ersten Ausgang 2 und einem Erdanschluß 5 verbunden, und die Gate-Anschlüsse der MOS-Transistoren M1 bis M4 sind miteinander am Eingangsanschluß 1 verbunden. Die MOS-Transistoren M6 bis M11 bilden einen herkömmlichen Invertierschaltkreis, bei dem ein logisches Ausgangssignal einen zweiten Ausgangsknoten 3 in Abhängigkeit eines mittleren Spannungspegels, der von dem ersten Ausgangsknoten 2 empfangen wird, zugeführt wird.

Bei dem Schaltkreis der Fig. 4 ist weiterhin ein Spannungspegel am ersten Ausgangsknoten 2, abhängig von dem Widerstandsverhältnis der MOS-Transistoren M1 bis M4 in Bezug auf eine am Versorgungsknoten 4 angelegte Versorgungsspannung V_cc. Geht man davon aus, daß ein voller V_cc-Spannungspegel (über 6 V) und nicht ein TTL-Pegel dem Eingangsanschluß 1 zugeführt wird, so befinden sich die P-Kanal-MOS-Transistoren M1 und M2 im ausgeschalteten Zustand, während die N-Kanal-MOS-Transistoren M3 und M4 angeschaltet sind, so daß der Spannungspegel des ersten Ausgangsknotens 2 auf Erde geschaltet ist. Dadurch wird der MOS-Transistor M6 angeschaltet, während der MOS-Transistor M7 ausgeschaltet wird, wobei ein erster Verbindungsknoten N1 einen "High"-Pegel annimmt. Im folgenden schaltet der "High"-Pegel" am Knoten N1 den MOS-Transistor M8 aus und den MOS-Transistor M9 ein, wodurch ein zweiter Verbindungsknoten einen "low"-Pegel einnimmt. In entsprechender Weise nimmt der Ausgangsknoten einen "high"-Pegel ein. Gerade wenn der MOS-Transistor Mg durch den "high"-Spannungspegel am Knoten N1 angeschaltet wird, wird ein Strompfad zwischen dem zweiten Verbinddungsknoten N2 und dem Erdanschluß 5 geschaffen. Dabei wird durch den Signalübergang von "high" nach "low" Erdungsrauschen erzeugt. Daher wird, da die Gate-Source-Spannungen (V_GS) der MOS-Transistoren M3 und M4 durch ein derartiges Erdungsrauschen erhöht werden, der Spannungspegel am ersten Ausgangsknoten 2 ebenfalls erhöht. Da jedoch die MOS-Transistoren M1 und M2 sich im Aus-Zustand befinden, wird der erste Ausgangsknoten 2 trotz des Auftretens des Erdungsrauschens auf einem "low"-Pegel gehalten.

Im Falle, daß der Spannungspegel, welcher an den Eingangsanschluß 1 angelegt wird, ein TTL-High-Pegel (mehr als 2,4 V) ist, hängt der Spannungspegel am ersten Ausgangsknoten 2 von dem Widerstandsverhältnis der MOS-Transistorpaare M1 und M2 und M3 und M4 ab. Bei einem herkömmlichen MOS-Transistor, der drei Elektroden aufweist, welche sind Drain, Source und Gate, wird ein Kanal zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich geschaffen, wenn die Spannung, die dem Gate zugeführt wird, größer als eine Schwellspannung (Vt) ist. Der Kanal kann daher als Widerstand, der durch die Eingangsspannung, welche an die Gate-Anschlüsse der MOS-Transistoren M1 bis M4 gelegt wird, aufgefaßt werden. Daher ist der Spannungspegel am ersten Ausgangsknoten 2 von dem Widerstand abhängig. Zum Beispiel werden, wenn der Eingangsanschluß 1 einen TTL-High-Spannungspegel empfängt, die MOS-Transistoren M3 und M4 angeschaltet. Dies führt in der Folge zu einem Strompfad zwischen dem ersten Ausgangsknoten 2 und dem Erdanschluß 5 und erniedrigt das elektrische Potential am ersten Ausgangsknoten 2 auf einen logischen "low"-Pegel, d. h. auf den Erdpegel. In entsprechender Weise wird am zweiten Ausgangsknoten 3 ein logischer "high"-Spannungspegel vorliegen, wenn der NOS-Transistor M10 angeschaltet ist, während der MOS-Transistor M11 aufgrund eines "low"-Spannungspegels am zweiten Verbindungsknoten N2 ausgeschaltet ist. Wenn der Pegel des ersten Verbindungsknotens N1 von "low" nach "high" wechselt, da der MOS-Transistor M9 zu leiten beginnt, wird ein Strompfad zwischen dem zweiten Verbindungsknoten N2 und dem Erdanschluß 5 geschaffen, so daß der "high"-Spannungspegel am Knoten N2 zum Erdanschluß 5 abgeführt wird, wie dies aus der gestrichelten Kurve (2d) der Fig. 2 ersichtlich ist. Die Fig. 5 zeigt mehrere Signalformen zum Beschreiben des Betriebs des Schaltkreises der Fig. 4. Da das Erdungsrauschen, welches am Erdanschluß 5 erzeugt wurde, dem Source-Gebiet des MOS-Transistor M4 zugeführt wird, wird die Gate-Source-Spannung V_GS des MOS-Transistor M4 erhöht. Dieses bewirkt, daß die Schwellspannung Vt des MOS-Transistor M4 erhöht wird, was wiederum dazu führt, daß die Gate-Source-Spannung V_GSc des MOS-Transistor M3 erhöht wird, und außerdem bewirkt, daß ein Spannungspegel am ersten Ausgangsknoten 2 erhöht wird, wie dies anhand der gestrichelten Kurve (2a) der Fig. 5 ersichtlich ist. Das bedeutet, daß, sobald ein TTL-High-Spannungspegel an den Eingangsanschluß angelegt, wie dies anhand der durchgezogenen Linie (2c) der Fig. 5 zu erkennen ist, das Erdungsrauschen, wie es von der gestrichelten Kurve (2d) dargestellt wird, und von dem Treiberschaltkreis 110 erzeugt wurde, in den Abtastschaltkreis 100 fließt, was zur Erhöhung des Spannungspegels am ersten Ausgangsknoten 2 führt, wie dies anhand der gestrichelten Kurve (2a) zu sehen ist. Dabei bewirkt, falls der Spannungspegel am ersten Ausgangsknoten einen bestimmten Auslöse-Pegel (2b) des MOS-Transistor M6 und M7 übersteigt, daß der logische Ausgangspegel unerwarteterweise wechselt. Dieser unerwünschte Effekt des Wechsel des logischen Pegels kann häufig durch den Übergang eines logischen Eingangssignals vom TTL-Low-Pegel zum TTL-High-Pegel erzeugt werden und wird umso häufiger erzeugt, je höher der V_cc/Spannungspegel ist. Dementsprechend, sind bisher bekannte TTL-Eingangspuffer, die nicht auf derartiges Erdungsrauschen vorbereitet sind, kaum in der Lage, einen logischen Zustand des TTL-Eingangssignals während dem Auftreten eines Erdungsrauschens zu erfassen, was unvermeidbarerweise zu einer Fehlfunktion des gesamten Schaltkreises während der gesamten langen Abtastzeit führt.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen TTL-Eingangspuffer anzugeben, der in der Lage ist, den TTL-Pegel von Eingangssignalen in einem hoch integrierten Halbleiterbaustein stabil abzutasten.

Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen TTL-Eingangspuffer anzugeben, der in der Lage ist, das Eindringen von Erdungsrauschen, wie es von einem Treiberschaltkreis erzeugt wird, in einen Halbleiterbaustein zu verhindern.

Um die vorstehend genannten Aufgaben zu lösen, weist eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen Transistor-Transistor-Logik (TTL)-Ein­ gangspuffer auf, der einen ersten Ausgangsknoten, einen zweiten Ausgangsknoten, einen Eingangsanschluß zum Empfangen von Eingangssignalen mit TTL-Pegeln, einen Datenabtastschaltkreis, der zwischen dem Eingangsanschluß und dem ersten Ausgangsknoten zum Abtasten der Eingangs-TTL-Pegel verschaltet ist, einen Treiberschaltkreis, der zwischen dem ersten und zweiten Ausgangsknoten verschaltet ist zum Treiben eines logischen Ausgangspegels des Abtastschaltkreises und einen Leistungsversorgungsanschluß für den Abtastschaltkreis und den Treiberschaltkreis auf und ist dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangspuffer aufweist:
mindestens einen Erdungsanschluß;
eine erste Erdleitungseinrichtung, die zwischen den Datenabtastschaltkreis und den Erdanschluß verschaltbar ist, zum Bereitstellen eines Erdpotentials an den Datenabtastschaltkreis; und
eine zweite Erdleitungseinrichtung, die zwischen dem Treiberschaltkreis und dem Erdanschluß verschaltbar ist, zum Bereitstellen des Erdpotentials an den Treiberschaltkreis.

Entsprechend der vorliegenden Erfindung wird Erdungsrauschen, das durch den Treiberschaltkreis erzeugt wurde, daran gehindert, in den Datenabtastschaltkreis einzudringen, indem mindestens zwei Erdungsleitungen, die voneinander uanbhängig sind, angelegt werden.

Eine ausführlichere Beschreibung der Erfindung, aus der viele der Vorteile der vorliegenden Erfindung erkannt werden können, wird im folgenden in Zusammenhang mit den beiliegenden Zeichnungen gegeben. Die Zeichnungen zeigen im einzelnen:

Fig. 1 ein Blockschaltbild einer bevorzugten Ausführungsform des TTL-Eingangspuffers gemäß der vorliegenden Erfindung,

Fig. 2 die Signalformen zum Beschreiben der Betriebsweise des Schaltkreises der Fig. 3;

Fig. 3 ein Blockschaltbild einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen TTL-Eingangspuffers.

Fig. 4 ein Blockschaltbild eines herkömmlichen TTL-Eingangspuffers,

Fig. 5 die Signalform zum Beschreiben der Betriebsweise des Schaltkreises der Fig. 1.

Fig. 1 zeigt ein Blockschaltbild einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen TTL-Eingangspuffers. Dieser enthält einen ersten Eingangsknoten 22, einen zweiten Ausgangsknoten 23, einen Eingangsanschluß 21 zum Empfangen von Eingangssignalen mit TTL-Pegel, einen Datenabtastschaltkreis 200, der zwischen dem Eingangsanschluß und dem ersten und zweiten Ausgangsknoten zum Abtasten des TTL-Eingangspegels verschaltet ist, einen Treiberschaltkreis 210, der zwischen dem ersten und zweiten Ausgangsknoten verbunden ist zum Treiben des logischen Ausgangspegels des Datenabtastschaltkreises 200, und einen Leistungsversorgungsanschluß 24 zum Bereitstellen einer bestimmten Quellspannung an den Datenabtastschaltkreis und den Treiberschaltkreis. Weiterhin ist ein Erdanschluß 25, eine erste Erdleitung 26, die zwischen dem Datenabtastschaltkreis und dem Erdanschluß 25 verbunden ist, um das Erdpotential an den Datenabtastschaltkreis weiterzuleiten, und eine zweite Erdungsleitung 27, die zwischen dem Treiberschaltkreis 210 und dem Erdanschluß 25 verbunden ist, zum Bereitstellen des Erdpotentials an den Treiberschaltkreis 25, vorgesehen.

Der Abtastschaltkreis 200 weist vier MOS-Transistoren M21, M22, N23, M24, die über den ersten Ausgangsknoten 22 zwischen dem Versorgungsanschluß 24 und der ersten Erdleitung 26 seriell verschaltet sind, auf. Ihre Gate-Anschlüsse sind gemeinsam mit dem Eingangsanschluß 21 verbunden. Der MOS-Transistor M25, dessen Gate-Anschluß mit dem ersten Ausgangsknoten 22 verbunden ist, gehört ebenfalls zu dem Abtastschaltkreis 24, wie dies aus Fig. 1 ersichtlich ist. Der Treiberschaltkreis 210 umfaßt MOS-Transistoren M26 bis M31, welche einen Dreistufeninvertierer bilden und einen mittleren logischen Pegel von dem ersten Ausgangsknoten 22 zu dem zweiten Ausgangsknoten 23 treiben. Die MOS-Transistoren M21, M22, M26, M28 und M30 sind P-Kanal-Typ-Transistoren, während die MOS-Transistoren M23, M24, M25, M27, M29 und M31 N-Kanal-Typ-Transistoren sind.

Fig. 2 zeigt mehrere Ausgangsspannungssignalformen zum Beschreiben des Betriebs des Schaltkreises der Fig. 1. Dabei repräsentiert die Kurve 4a eine Signalform am ersten Ausgangsknoten 22, die Kurve 4b einen Auslösepegel der MOS-Transistoren M26 und M27, die Kurve 4c eine Signalform eines TTL-High-Eingangssignalpegels am Eingangsanschluß 21, die Kurve 4d eine Signalform des Erdrauschens, wie es von der ersten Erdleitung 26 erzeugt wird und Kurve 4e eine Ausgangssignalform an der zweiten Ausgangsleitung 23.

Das Widerstandsverhältnis der MOS-Transistoren M21 bis M24 in dem Abtastschaltkreis 200 hängt von einem TTL-Eingangspegel ab. Durch das Widerstandsverhältnis wird der Pegel am ersten Ausgangsknoten 22 bestimmt. Der Potentialpegel an dem ersten Eingangsknoten 22 wird durch den Treiberschaltkreis 210 invertiert, um an den zweiten Ausgangsknoten 23 abgegeben zu werden. Dabei ist ein Erdungspfad vorgesehen, der unabhängig von dem Treiberschaltkreis 210 und weiteren Peripherieeinrichtungen ist. Das heißt, der Source-Anschluß des MOS-Transistors M24 ist mit dem Erdanschluß 25 über eine erste Erdungsleitung 26 verbunden, während alle Source-Anschlüsse der MOS-Transistoren M27, M29 und M31 zusammen mit dem Erdanschluß über die zweite Erdungsleitung 27 verbunden sind.

Nimmt man an, daß der Eingangsspannungspegel ein voller V_cc und nicht ein TTL-Pegel ist, so sind die MOS-Transistoren M21 und M22 ausgeschaltet, während die MOS-Transistoren M23 und M24 angeschaltet sind. Dadurch wird der Spannungspegel am ersten Ausgangsknoten 22 auf Erdniveau gehalten. Gleichzeitig wird das Einfließen von Erdrauschen, das vom Treiberschaltkreis 210 erzeugt wird, in den Abtastschaltkreis 200 blockiert.

Weiter werden bei dem Schaltkreis der Fig. 1 die MOS-Transistoren M21 und M22 angeschaltet und die MOS-Transistoren M23 und M24 ausgeschaltet, wenn der TTL-Eingangspegel am Eingangsanschluß 21 "low" ist. Dadurch wird ein V_cc-Spannungspegel dem Versorgungsanschluß 24 zugeführt, wie dies aus der Signalform der Kurve 4a in der Fig. 2 ersichtlich ist. Weiter wird, da der MOS-Transistor M26 ausgeschaltet ist, und der MOS-Transistor M27 angeschaltet ist, der erste Verbindungsknoten M21 einen "low"-Spannungspegel einnehmen. Dieser "low"-Spannungspegel schaltet den MOS-Transistor M28 an und den MOS-Transistor M30 ab. Dadurch entsteht ein logischer "high"-Pegel am zweiten Verbindungsknoten M22. Im weiteren wird der MOS-Transistor M30 ausgeschaltet, während der MOS-Transistor M31 angeschaltet wird, so daß ein logischer "low"-Pegel anhand der Signalform der Kurve 4e ersichtlich ist an dem zweiten Ausgangsknoten 23 zur Verfügung gestellt wird.

Im Falle, daß der TTL-Potentialpegel, welche an den Eingangsanschluß 21 angelegt wird, vom "low"-Zustand in den "high"-Zustand (to-<t₁ in Fig. 2) übergeht, wird, obwohl der Spannungspegel, der den Gateanschlüssen der Transistoren M21 bis M24 zugeführt wird, geändert wird, weiterhin ein TTL-Low-Pegel aufrechterhalten. Daher ergeben sich keine Änderungen im logischen Zustand der Transistoren M21 bis M24 und somit auch keine Änderungen im Potentialpegel am ersten Ausgangsknoten 22, wie dies anhand der Signalkurve 4a ersichtlich ist. Jedoch beginnen die MOS-Transistoren M21 und M22 in den ausgeschalteten Zustand überzugehen, während die MOS-Transistoren M23 und M24 beginnen, in den angeschalteten Zustand überzugehen, wenn der TTL-Spannungspegel, welcher dem Eingangsanschluß 21 zugeführt wird, im Zeitpunkt t₁ über einen TTL-High-Pegel ansteigt. Daher beginnt, da der erste Ausgangsknoten 22 mit dem Erdanschluß 25 über die zweite Erdleitung 26 zum Herstellen eines Strompfades verbunden ist, sein Spannungspegel abzunehmen, wie dies anhand der Signalform 4a gezeigt ist. Falls jedoch der Spannungspegel nicht bis zu dem Auslösepegel 4b der MOS-Transistoren M26 und M27 abnimmt, ändern die MOS-Transistoren M26 und M27 nicht ihre ursprünglichen logischen Zustände. Daher wird der Ausgangspegel am zweiten Ausgangsknoten 23 weiterhin im "low"-Zustand gehalten, wie dies anhand der Signalform 4e zu sehen ist.

Sobald der Eingangs-TTL-Pegel, auf einen logischen "high"-Pegel wechselt, wird die Spannung am ersten Ausgangsknoten 22 zum Erdanschluß 25 über die erste Erdleitung 26 abfließen. Daher beginnt die Spannung am ersten Ausgangsknoten 22 in einen logischen "low"-Pegel überzugehen, wie dies anhand der Kurve 4a zu sehen ist und hält den momentanen logischen Pegel unverändert, bis der Auslösepegel in 4b erreicht ist.

Währenddessen wird, sobald der Spannungspegel des ersten Ausgangsknotens 22 tiefer geht als der Auslösepegel, der MOS-Transistor M26 beginnen, in den angeschalteten Zustand überzugehen und der MOS-Transistor M27 wird beginnen, in den ausgeschalteten Zustand überzugehen. Daher beginnt die Spannung am ersten Verbindungsknoten N21 anzusteigen, wenn die Spannung am ersten Verbindungsknoten N21 bis zum Auslösepunkt der MOS-Transistoren M28 und M29 abnimmt. In diesem Fall beginnt der MOS-Transistor M28 auszuschalten und der MOS-Transistor M29 beginnt anzuschalten. Daher nimmt der Spannungspegel des zweiten Verbindungsknotens N22 ab, wenn das Potential am zweiten Verbindungsknoten N22 bis zum Auslösepegel der MOS-Transistoren M30 und M31 ansteigt. Dabei beginnt der Spannungspegel am zweiten Ausgangsknoten ebenfalls sich zu verändern, wie dies anhand der Signalform 4e gezeigt ist. Sobald der MOS-Transistor M29 beginnt sich anzuschalten aufgrund des am ersten Verbindungsknoten M21 steigenden Spannungspegels, wird Erdungsrauschen auf der zweiten Erdleitung 27 erzeugt. Da jedoch die MOS-Transistor M27, M29 und M31 getrennt voneinander mit dem Erdanschluß 25 über die zweite Erdleitung 27 verbunden sind, wird ein derartiges Erdrauschen auf der Erdleitung nicht die Spannung am ersten Ausgangsknoten 22 beeinflussen. Der Grund, daß keine Beeinflussung auftritt, liegt darin, daß der erste Ausgangsknoten und der zweite Ausgangsknoten voneinander getrennt sind. Da das von dem Treiberschaltkreis 210 erzeugte Erdungsrauschen nicht dem Datenabtastschaltkreis 200 zugeführt wird, kann ein Eingangs-TTL-Signalpegel in richtiger und präziser Weise von dem Datenabtastschaltkreis abgetastet werden und damit ein stabiler TTL-Ausgangssignalpegel am letzten Ausgangsknoten erzeugt werden.

Fig. 3 zeigt einen Schaltplan einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen TTL-Eingangspuffers, bei dem der Erdungspfad 25 von einem ersten Erdungsanschluß 31, der mit der ersten Erdungsleitung verbunden ist und einem zweiten Erdungsanschluß 32, der mit der zweiten Erdungsleitung verbunden ist, ersetzt ist. Die weitere Schaltung und Ausführung der Ausführungsform der Fig. 3 ist gleich der der Fig. 1. Daher kann die Funktionsweise der Schaltung der Fig. 3 leicht anhand der Fig. 2 verstanden werden.

Von der obigen Beschreibung ist ersichtlich, daß der TTL-Eingangspuffer gemäß der vorliegenden Erfindung eine Vielzahl bzw. zumindest zwei Erdungspfade vorsieht, die jeweils mit einem Datenabtastschaltkreis, einem Treiberschaltkreis oder anderen möglichen Peripherieschaltkrisen unabhängig voneinander verbunden sind. Dies bewirkt, daß die Erfindung es ermöglicht, das Einfließen von jeglichen Erdungsrauschen zum Erdungspfad des Datenabtastschaltkreises zu unterbinden, wodurch es ermöglicht wird, jegliche unerwünschten Schwankungen des TTL-Eingangs- und -Ausgangspegels in einem TTL-Eingangspuffer für hochintegrierte Halbleiterbausteine zu verhindern. Weiter weist die vorliegende Erfindung den Vorteil auf, daß die Eingangs-TTL-Daten stabil und ohne Fehler zur Ausgangsstufe getrieben werden.

Claims (2)

1. Transistor-Transistor-Logik(TTL)-Eingangspuffer mit:
einem ersten Ausgangsknoten, einem zweiten Ausgangsknoten, einem Eingangsanschluß zum Empfangen eines TTL-Eingangspegelsignals,
einem Datenabtastschaltkreis, der zwischen dem Eingangsanschluß und dem ersten Ausgangsknoten verbunden ist zum Abtasten des TTL-Eingangspegels,
einem Treiberschaltkreis, der zwischen dem ersten und zweiten Ausgangsknoten verbunden ist, zum Treiben eines logischen Ausgangspegels des Datenabtastschaltkreises, und
einem Versorgungsanschluß für den Datenabtastschaltkreis und den Treiberschaltkreis, wobei der Eingangspuffer aufweist:
eine Erdanschlußeinrichtung;
eine erste Erdleitungseinrichtung, die zwischen dem Datenabtastschaltkreis und der Erdanschlußeinrichtung verbindbar ist, zum Bereitstellen eines Erdpotentials für den Datenabtastschaltkreis; und
einer zweiten Erdleitungseinrichtung, die zwischen dem Treiberschaltkreis und der Erdanschlußeinrichtung verbindbar ist, zum Bereitstellen eines Erdpotentials für den Treiberschaltkreis;
wobei ein Erdungsrauschen, welches von dem Treiberschaltkreis erzeugt wird, daran gehindert wird, in den Datenabtastschaltkreis einzufließen, indem mindestens zwei Erdleitungen vorgesehen sind, die unabhängig voneinander verbunden sind.

2. Transistor-Transistor-Logik(TTL)-Eingangspuffer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Erdanschlußeinrichtung weiterhin aufweist: einen ersten Erdanschluß, der mit der ersten Erdleitung verbunden ist und einen zweiten Erdanschluß, der mit der zweiten Erdleitung entsprechend verbunden ist.