DE4124757A1

DE4124757A1 - Halbleitervorrichtung

Info

Publication number: DE4124757A1
Application number: DE4124757A
Authority: DE
Inventors: Masanori Fukunaga
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1991-01-21
Filing date: 1991-07-25
Publication date: 1992-07-30
Anticipated expiration: 2011-07-26
Also published as: US5296735A; DE4124757C2

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung, und bezieht sich insbesondere auf die Verhinderung aufgrund von Rauschen oder dergleichen verursachter Fehlfunktionen bei einer Brückenleistungsschaltvorrichtung, sowie deren Steuerschaltung, welche in Modulbauweise auf einem Einzelme tallsubstrat angeordnet ist.

Fig. 12 zeigt ein Schaltungsdiagramm einer Drei-Phasen-Brüc keninverterschaltung für den Antrieb eines Motors oder dergleichen. Die Inverterschaltung weist sechs Leistungs- NPN-Transistoren 1 bis 6 auf. Die Transistoren 1 und 2, 3 und 4, und 5 und 6 sind jeweils totempolartig verbunden, und sind parallel zwischen Leistungsquellenanschlüssen P und N verbunden. Zwischen den Leistungsquellenanschlüssen P und N wird eine Hochspannung angelegt, welche auf der Seite des Anschlusses P positiv ist. Ein Übergang des Emitters des Transistors 1 und des Kollektors des Transistors 2 ist mit einem U-Phasenausgangsanschluß U verbunden, ein Übergang des Emitters des Transistors 3 und des Kollektors des Transi stors 4 ist mit einem V-Phasenausgangsanschluß V verbunden, und ein Übergang des Emitters des Transistors 5 und des Kollektors des Transistors 6 ist mit einem W-Phasenausgangs anschluß W verbunden. Zwischen den Emittern und Kollektoren der Transistoren 1 bis 6 sind jeweils Rücklaufdioden 7 bis 12 verbunden.

Steuerschaltungen 13 bis 18 zum Steuern des EIN/AUS-Schal tens der Transistoren 1 bis 6 sind jeweils mit den Basen der Transistoren 1 bis 6 verbunden. Die Steuerschaltungen 13 bis 18 weisen Treiber 25 bis 30 auf, die an Eingangsanschlüssen 19 bis 24 angelegte Steuersignale zum Erzeugen von Basis treibersignalen der Transistoren 1 bis 6 empfangen. Die Transistoren 1 bis 6 schalten als Reaktion auf die an die Eingangsanschlüsse 19 bis 24 eingegebenen Steuersignale EIN/AUS. Nach Bedarf weisen die Steuerschaltungen 13 bis 18 ferner Schutzschaltungen zum Erfassen von Überströmen, Über spannungen, Überheizung und dergleichen zur Gewährleistung eines geeigneten Schutzes auf. Des weiteren weisen die Steu erschaltungen 13, 15 und 17 auf der oberen Seite Schnitt stellenschaltungen auf, beispielsweise Fotokoppler und der gleichen, zum Verschieben der bei einem niedrigen Spannungs pegel an die Eingangsanschlüsse 19, 21 und 23 angelegten Steuersignale auf einen hohen Spannungspegel. Jede der Steu erschaltungn 13 bis 18 ist aus einem IC, diskreten Transis toren, Widerständen, Kondensatoren und dergleichen zusammen gesetzt. Die Steuerschaltungen 13, 15 und 17 auf der oberen Seite weisen jeweils Leistungsquellen V_UP, V_VP und V_WP auf, während die Steuerschaltungen 14, 16 und 18 auf der unteren Seite eine gemeinsame Leistungsquelle V_N aufweisen.

Die Schaltung gemäß Fig. 12 ist in Modulbauweise auf einem Einzelmetallsubstrat außer für V_UP, V_VP, V_WP und V_N angeord net. Mit einer Boost-Spannung der Leistungsquelle V_N auf der unteren Seite mit einer auf dem Metallsubstrat ausgebildeten Ladungspumpenschaltung können die Leistungsquellen V_UP, V_VP und V_WP auf der oberen Seite in dem Modul hergestellt sein.

Fig. 13 zeigt in Schnittansicht eine Anordnung des U-Phasen teiles, wenn die Schaltung gemäß Fig. 12 auf einem Einzelme tallsubstrat gebildet ist. Eine Isolierschicht 32 ist auf einem Aluminiumsubstrat 31 gebildet, und darauf ist eine Kupferstrukturierung 33 ähnlich einer Verdrahungsstrukturie rung einer gedruckten Verdrahtungskarte gebildet. Die Lei stungstransistoren 1, 2 und die Steuerschaltungen 13, 14 sind auf der Kupferstrukturierung 33 durch Löten oder der gleichen befestigt. Aluminiumdrähte 34, 35 stellen Basis drähte dar, während Aluminiumdrähte 36, 37 Emitterdrähte darstellen. Die Kupferstrukturierungen 33 sind auf geeignete Weise (nicht dargestellt) verbunden, wobei ein Teil der Verbindungen äquivalent mit Verbindungsleitungen 38, 39 dargestellt ist. Auf diese Weise ist der U-Phasenschaltkreis gemäß Fig. 12 auf dem Einzelaluminiumsubstrat 31 gebildet, und über externe Anschlüsse U, N, P, 19 und 20, die auf dem Aluminiumsubstrat 31 gebildet sind, verbunden.

Fig. 14 zeigt in schematischer Schnittansicht einen ver größerten Abschnitt der oberen Seite aus Fig. 13. Da sich die Kupferstrukturierung 33 und das Aluminiumsubstrat 31 ge genüberstehen, wobei die Isolierschicht 32 dazwischen an geordnet ist, werden hierbei Kapazitäten gebildet. Mit ande ren Worten, die Kupferstrukturierung 33 befindet sich in ka pazitiver Kopplung mit dem Aluminiumsubstrat 31. In Fig. 14 wird jeweils eine Kapazität zwischen einer Kupferstrukturie rung 33a, an welcher der Ausgangsanschluß U (d. h. der Emit ter des Leistungstransistors 1, der Kollektor des Leistungs transistors 2 und die Minusseite der Leistungsquelle V_UP) verbunden ist, und dem Aluminiumsubstrat 31, bzw. eine Kapa zität zwischen einer Kupferstrukturierung 33b, mit der der Eingangsanschluß 19 verbunden ist, und dem Aluminiumsubstrat 31 jeweils als C1 bzw. C2 bezeichnet. Eine Kapazität zwi schen den Kupferstrukturierungen 33a und 33b ist mit C3 be zeichnet. Ein mit dem Aluminiumsubstrat 31 verbundener An schluß S ist lediglich für Zwecke der Erläuterung gezeigt.

Als nächstes wird das Augenmerk allein auf die Kapazitäten C1, C2 und C3 gerichtet, um zu erläutern, welchen Einfluß das zwischen den Anschlüssen U und S vorhandene Rauschen auf den Anschluß 19 ausübt, wobei die weiteren Kapazitäten ver nachlässigt werden.

Fig. 15 zeigt ein äquivalentes Schaltungsdiagramm mit den Kapazitäten C1, C2 und C3. Da die Kupferstrukturierung 33a flächenmäßig größer ist als die Kupferstrukturierung 33b, ist die Kapazität C1 größer als die Kapazität C2. Die Kapa zität C3 ist sehr klein im Verhältnis zu den Kapazitäten C1 und C2, da diese eine Kapazität zwischen den Strukturierun gen darstellt. Damit werden die folgenden Beziehungen erhal ten.

C1<C2»C3

Es wird nun angenommen, daß dV/dt (U) an den Anschluß U be züglich dem Anschluß S als Rauschen angelegt wird. Dabei kann das bezüglich dem Anschluß U an den Anschluß 19 ange legte Rauschen dV/dt (19) wie folgt durch eine Gleichung ausgedrückt werden:

Aus der Beziehung gemäß Gleichung (1) erhält man die fol gende Formel:

Somit ergibt sich in dem Anschluß 19 bezüglich dem Anschluß U ein Rauschen mit derselben Größenordnung wie in dem An schluß U bezüglich dem Anschluß S. Wie es aus Fig. 12 er sichtlich ist, stellt der Anschluß U einen mit der Ausgangs elektrode (Emitter) des Leistungstransistors 1 verbundenen Ausgangsanschluß dar und legt ein Referenzpotential der Steuerschaltung 13 des Leistungstransistors 1 an. Auf der anderen Seite stellt der Anschluß 19 einen Eingangsanschluß der Steuerschaltung 13 dar. Hierbei ergibt sich das Problem, daß Fehlfunktionen in der Steuerschaltung 13 verursacht wer den, da Rauschen in dem Anschluß 19 aufgrund des Anlegens eines Steuereingangs für die Steuerschaltung 13 bezüglich des Anschlusses U, bei dem das Referenzpotential der Steuer schaltung 13 angelegt wird, auftritt. Ein derartiges Rau schen tritt nicht nur bei dem Eingangsanschluß 19 auf, son dern in verschiedenen Signalpfaden in der Steuerschaltung 13 und verursacht Fehlfunktionen, beispielsweise fehlerhaftes Durchführen von Schutzfunktionen (Schutz vor Überströmen, Überspannung oder dergleichen). Derartige Nachteile ergeben sich auch, wenn Rauschen an die Anschlüsse V, W, P und N (d. h. Strompfade in den Leistungstransistoren 1 bis 6) bezüglich dem Aluminiumsubstrat 31 angelegt ist.

Die Lösung dieses technischen Problems erfolgt durch die in den Ansprüchen 1 und 5 angegebenen Halbleitervorrichtungen.

Eine erste Halbleitervorrichtung entsprechend der vorliegen den Erfindung weist auf: ein Metallsubstrat; eine auf dem Metallsubstrat gebildete erste Isolierschicht; eine aus auf der ersten Isolierschicht gebildeten Leitern zusammenge setzte erste Schutzstrukturierung; einen Anschluß zum Anle gen eines gewissen Referenzpotentiales; eine erste Verbin dungseinrichtung zum Verbinden der ersten Schutzstrukturie rung mit dem Versorgungsanschluß; eine auf der ersten Schutzstrukturierung gebildete zweite Isolierschicht; aus auf der zweiten Isolierschicht gebildeten Leitern zusammen gesetzte zweite und dritte Schutzstrukturierungen; eine auf der zweiten Schutzstrukturierung gebildete dritte Iso lierschicht; eine auf der dritten Schutzstrukturierung ge bildete vierte Isolierschicht; auf der ersten Isolierschicht gebildete erste und zweite Leistungsschaltelemente, welche miteinander totempolartig verbinden sind; eine auf der drit ten Isolierschicht gebildete erste Steuerschaltung zum Ein- und Ausschalten des ersten Leistungsschaltelementes; eine auf der vierten Isolierschicht gebildete zweite Steuerschal tung zum Ein- und Ausschalten des zweiten Leistungsschalt elementes; eine zweite Verbindungseinrichtung zum Verbinden der zweiten Schutzstrukturierung mit einem ersten Knoten ei nes Potentiales, welches reagiert auf ein Potential einer Ausgangselektrode des ersten Leitungsschaltelementes; und eine dritte Verbindungseinrichtung zum Verbinden der dritten Schutzstrukturierung mit einem zweiten Knoten eines Poten tiales, welches reagiert auf ein Potential einer Ausgangs elektrode des zweiten Leistungsschaltelementes.

Bei einer zweiten Halbleitervorrichtung entsprechend der vorliegenden Erfindung sind die ersten und zweiten Lei stungsschaltelemente auf der zweiten Isolierschicht anstelle der ersten Isolierschicht gebildet. Ansonsten ist die zweite Halbleitervorrichtung im Aufbau ähnlich zur ersten Halblei tervorrichtung.

Entsprechend der ersten und zweiten Halbleitervorrichtung ist die erste Steuerschaltung auf dem Metallsubstrat durch die erste Isolierschicht, die erste Schutzstrukturierung, die zweite Isolierschicht, die zweite Schutzstrukturierung und die dritte Isolierschicht gebildet. Auf ähnliche Weise ist die zweite Steuerschaltung auf dem Metallsubstrat durch die erste Isolierschicht, die erste Schutzstrukturierung, die zweite Isolierschicht, die dritte Schutzstrukturierung und die vierte Isolierschicht gebildet. Dementsprechend tritt keine direkte kapazitive Kopplung zwischen der ersten und der zweiten Steuerschaltung auf. Auf der anderen Seite sind die Kapazitäten zwischen der ersten und der zweiten Steuerschaltung und der zweiten und der dritten Schutzstruk turierung jeweils groß. Die zweite und die dritte Schutz strukturierung wird jeweils auf entsprechenden Potentialen der Ausgangsanschlüsse der ersten und zweiten Leistungs schaltelemente gehalten. Falls somit Rauschen an die Strompfade der ersten und zweiten Leistungsschaltelemente bezüglich dem Metallsubstrat angelegt ist, würde das Rau schen ebenfalls in den Steuerschaltungen bezüglich dem Me tallsubstrat auftreten. Im Ergebnis bedeutet dies für die Ausgangsanschlüsse der ersten und zweiten Leistungsschaltelemente, daß kein Rauschen in den Steuerschaltungen auftritt. Somit wird die Fehlfunktion der Steuerschaltung aufgrund von Rauschen verhindert. Gleichsam bedeutend ist, daß eine erhebliche Reduzierung des Leckstromes in das Metallsubstrat, welcher beim Ein- und Ausschalten der Leistungsschaltelemente erzeugt wird, möglich ist. Der Grund hierfür liegt darin, daß kein direktes kapazitives Koppeln zwischen den zweiten und den dritten Schutzstrukturierungen und dem Metallsubstrat aufgrund der ersten Schutzstrukturierung, welche auf einem gewissen Referenzpotential gehalten wird, vorhanden ist.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung. Es zeigt:

Fig. 1 ein Schaltungsdiagramm einer Drei-Phasen- Brückeninverterschaltung eines ersten Ausführungsbeispieles einer Halbleitervorrichtung entsprechend der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 eine Schnittansicht einer Struktur eines U-Pha senschaltkreises in dem Fall, bei dem die Halb leitervorrichtung gemäß Fig. 1 auf einem Metall substrat gebildet ist,;

Fig. 3 eine die obere Seite aus Fig. 2 vergrößernde Schnittansicht;

Fig. 4 ein Äquivalenzschaltungsdiagramm von Kopplungs kapazitäten;

Fig. 5 ein Schaltungsdiagramm einer Modifikation des ersten Ausführungsbeispieles;

Fig. 6 ein Schaltungsdiagramm einer weiteren Modifika tion des ersten Ausführungsbeispieles,

Fig. 7 eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung entsprechend einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 8 ein Schaltungsdiagramm einer Halbleitervorrich tung entsprechend einem dritten Ausführungsbei spiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 9 eine Schnittansicht einer Struktur eines U-Pha senschaltkreises in dem Fall, bei dem die Halb leitervorrichtung gemäß Fig. 8 auf einem Metall substrat gebildet ist;

Fig. 10 ein Schaltungsdiagramm einer Halbleitervorrich tung entsprechend einem vierten Ausführungsbei spiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 11 eine Schnittansicht einer Struktur eines U-Pha senschaltkreises in dem Fall, bei dem die Halb leitervorrichtung gemäß Fig. 10 auf einem Me tallsubstrat gebildet ist;

Fig. 12 ein Schaltungsdiagramm einer Drei-Phasen- Brückeninverterschaltung;

Fig. 13 eine Schnittansicht einer Struktur eines U-Pha senschaltkreises in dem Fall, bei dem die Schal tung gemäß Fig. 12 auf einem Metallsubstrat ge bildet ist;

Fig. 14 eine die in Fig. 13 gezeigte obere Seite ver größernde Schnittansicht; und

Fig. 15 ein Äquivalenzschaltungsdiagramm von Kopplungs kapazitäten.

Fig. 1 zeigt in einem Schaltungsdiagramm eine Drei-Phasen- Brückeninverterschaltung eines Ausführungsbeispieles einer Halbleitervorrichtung entsprechend der vorliegenden Erfindung. Dessen Schaltungsstruktur ist dieselbe wie bei der oben erwähnten Inverterschaltung (Fig. 12), und deshalb wird deren Erläuterung weggelassen.

Bei diesem Ausführungsbeispiel sind Steuerschaltungen 13, 15 und 17 auf einer oberen Seite jeweils auf individuellen Schutzstrukturierungen 101, 102 und 103 gebildet. Steuer schaltungen 14, 16 und 18 auf der unteren Seite sind auf ei ner gemeinsamen Schutzstrukturierung 104 gebildet. Die Schutzstrukturierungen 101, 102 und 103 sind jeweils auf den Potentialen der Ausgangsanschlüsse U, V und W festgelegt (d. h. den Potentialen der Ausgangselektroden (Emitter) der Leistungstransistoren 1, 3 und 5), während die Schutzstruk turierung 104 auf ein Potential eines Leistungsquellenan schlusses N festgelegt ist (ein Potential der Ausgangselek troden (Emitter) der Leistungstransistoren 2, 4 und 6). Die Steuerschaltungen 13, 15 und 17 arbeiten jeweils mit den als Referenz angelegten Emitterpotentialen der Leistungstransi storen 1, 3 und 5, während die Steuerschaltungen 14, 16 und 18 mit dem als Referenz angelegten gemeinsamen Emitterpoten tial der Leistungstransistoren 2, 4 und 6 arbeiten; somit werden die Potentiale der Schutzstrukturierungen 101, 102 und 103 jeweils bei denselben Potentialen wie die Referenz potentiale der Steuerschaltungen 13, 15 und 17 gehalten, während das Potential der Schutzstrukturierung 104 bei dem selben Potential wie das gemeinsame Referenzpotential der Steuerschaltungen 14, 16 und 18 gehalten wird.

Fig. 2 zeigt in einer Schnittansicht eine Struktur eines U- Phasenteiles, wenn die Schaltung gemäß Fig. 1 auf einem Ein zelmetallsubstrat gebildet ist. Eine Isolierschicht 32 ist auf einem Aluminiumsubstrat 31 gebildet, und eine Kupfer strukturierung 33 und die Schutzstrukturierungen 101 und 104, die ähnlich sind wie eine Verdrahtungsstrukturierung einer gedruckten Verdrahtungskarte ("printed wiring board"), sind darauf gebildet. Die Schutzstrukturierungen 101 und 104 sind ebenfalls Kupferstrukturierungen ähnlich wie die Kupferstrukturierung 33. Die Kupferstrukturierung 33 kann dieselbe Dicke aufweisen wie die Schutzstrukturierungen 101 und 104, oder kann dicker sein. Wenn sie sämtlich dieselbe Dicke aufweisen, können sie gleichzeitig gebildet werden.

Isolierschichten 105 und 106 werden jeweils auf den Schutz strukturierungen 101 und 104 gebildet, und eine Kupferstruk turierung 41 ähnlich zur Kupferstrukturierung 33 wird hier auf gebildet. Die Leistungstransistoren 1 und 2 werden auf der Kupferstrukturierung 33 durch Löten oder dergleichen wie beim bisher verwendeten Verfahren befestigt, während die Steuerschaltungen 13 und 14 auf der Kupferstrukturierung 41 durch Löten oder dergleichen befestigt werden. Die Isolier schicht 105 ist mit einer Durchgangsöffnung 107 versehen, über das eine mit einer Minusseite einer Leistungsquelle V_UP (d. h. eine Ausgangselektroden(emitter)seite des Leistungs transistors 1) verbundene Kupferstrukturierung 41a und die Schutzstrukturierung 101 verbunden sind. Die Isolierschicht 106 ist mit einer Durchgangsöffnung 108 versehen, durch wel che eine mit einer Minusseite einer Leistungsquelle V_N (d. h. eine Ausgangselelektroden(emitter)seite des Leistungstransi stors 2) verbundene Kupferstrukturierung 41b und die Schutz strukturierung 104 verbunden sind.

Aluminiumdrähte 34 und 35 stellen Basisdrähte dar, während Aluminiumdrähte 36 und 37 Emitterdrähte darstellen. Die Kup ferstrukturierungen 33 bzw. die Kupferstrukturierungen 41 werden auf geeignete Weise (nicht näher gezeigt) verbunden bzw. die Kupferstrukturierungen 33 und 41 können auf ge eignete Weise durch Aluminiumdraht oder dergleichen verbun den werden. Ein Teil dieser Verbindungen ist auf äquivalente Weise als Verbindungsleitungen 42 und 43 dargestellt. Auf diese Weise wird der in Fig. 1 gezeigte U-Phasenschaltkreis auf dem Einzelaluminiumsubstrat 31 gebildet und über auf dem Aluminiumsubstrat 31 gebildete externe Anschlüsse U, N, P, 19 und 20 mit externen Elementen verbunden. Die externen An schlüsse U, N, P sind auf der Isolierschicht 32 gebildet, während die externen Anschlüsse 19 und 20 jeweils auf den Isolierschichten 105 und 106 gebildet sind.

Fig. 3 zeigt als Schnittansicht einen vergrößerten Abschnitt einer oberen Seite aus Fig. 2. Da die Kupferstrukturierung 33 und das Aluminiumsubstrat 31 einander gegenüberliegen, wobei die Isolierschicht dazwischen angeordnet ist, wird hierdurch eine Kapazität ausgebildet. Da ferner die Kupfer strukturierung 41 und die Schutzstrukturierung 101 gegen überliegen, wobei die Isolierschicht 105 hierzwischen ange ordnet ist, wird dazwischen eine Kapazität gebildet. In Fig. 3 wird die Kapazität zwischen einer Kupferstrukturierung 33a, mit der der Ausgangsanschluß U (d. h. der Emitter des Leistungstransistors 1, der Kollektor des Leistungstransi stors 2 und eine Minusseite der Leistungsquelle V_UP) verbun den ist, und das Aluminiumsubstrat 31 als C1 bezeichnet. Die Kapazität C1 enthält eine Kapazität zwischen der Schutz strukturierung 101 und dem Aluminiumsubstrat 31, da das Po tential der Schutzstrukturierung 101 dasselbe ist wie dasje nige des Ausgangsanschlusses U. Eine Kapazität zwischen einer Kupferstrukturierung 41c, mit welcher der Eingangsanschluß 19 verbunden ist, und der Schutzstrukturierung 101 wird als C4 bezeichnet. Des weiteren wird eine Kapazität, durch welche sich die Kupferstrukturierungen 41c und das Aluminiumsubstrat 31 direkt in kapazitiver Kopplung miteinander befinden, als C5 bezeichnet. Ein mit dem Aluminiumsubstrat 31 verbundener Anschluß S dient lediglich der leichteren Erläuterung. Als nächstes wird lediglich den Kapazitäten C1, C4 und C5 für die Erläuterung Beachtung beigemessen, welcher Einfluß das zwischen den Anschlüssen U und S angelegte Rauschen auf den Anschluß 19 ausübt, wobei die weiteren Kapazitäten vernachlässigt werden.

Fig. 4 zeigt als Äquivalenzschaltungsdiagramm die Kapazitä ten C1, C4 und C5. Die Gesamtfläche der Kupferstrukturierung 33a und der Schutzstrukturierung 101 ist größer als dieje nige der Kupferstrukturierung 41c, und somit ist die Kapazi tät C1 größer als die Kapazität C4. Die Kapazität C5 stellt eine Kapazität einer direkten kapazitiven Kopplung der Kupferstrukturierung 41c mit dem Aluminiumsubstrat 31 dar; da aber die Kupferstrukturierungen 101 zwischen der Kupferstrukturierung 41c und dem Aluminiumsubstrat 31 angeordnet ist zum Verhindern einer direkten kapazitiven Kopplung, ist die Kapazität C5 im wesentlichen gleich null. Somit gilt das folgende:

C1<C4»C5≒0. (4)

In Folge wird angenommen, daß dV/dt (U) an den Anschluß U bezüglich dem Anschluß S als Rauschen angelegt wird. Dabei kann das Rauschen dV /dt (19), welches an den Anschluß 19 bezüglich dem Anschluß U angelegt ist, wie folgt ausgedrückt werden:

und dann,

Sogar falls Rauschen an den Anschluß U bezüglich des An schlusses S angelegt wird, entsteht somit niemals Rauschen in dem Anschluß 19 bezüglich dem Anschluß U. Mit anderen Worten, da ein Potential der Schutzstrukturierung 101 bei demselben Wert wie derjenige des Anschlusses U gehalten wird, wird das Potential der Schutzstrukturierung 101 vari iert, wenn Rauschen in dem Anschluß U bezüglich dem Anschluß S, (d. h. dem Aluminiumsubstrat 31) entsteht, und dementspre chend wird als Reaktion darauf ein Potential der Kupfer strukturierung 41c (d. h. des Anschlusses 19), welche sich in kapazitiver Kopplung mit der Schutzstrukturierung 101 befin det, ebenfalls variiert. Somit hat der Anschluß 19, aus der Sicht von dem Anschluß U, ein Rauschäquivalent ohne Bezugs größe bzw. einen solchen von Null.

Der Anschluß U stellt einen mit der Ausgangselektrode (Emit ter) des Leistungstransistors 1 verbundenen Ausgangsanschluß dar und legt ein Referenzpotential der Steuerschaltung 13 des Leistungstransitors 1 an. Auf der anderen Seite stellt der Anschluß 19 einen Eingangsanschluß der Steuerschaltung 13 dar. Sogar falls Rauschen an den Anschluß U bezüglich dem Aluminiumsubstrat 31 angelegt wird, wird in der Steuerschal tung 13 keine Fehlfunktion verursacht, da in dem Anschluß 19 niemals Rauschen entsteht, welcher einen Steuereingang der Steuerschaltung 13 bezüglich des Anschlusses U anlegt, der das Referenzpotential der Steuerschaltung 13 anlegt.

Darüber hinaus wird das Entstehen von Rauschen nicht nur in dem Eingangsanschluß 19 verhindert, sondern auch in verschiedenen Signalpfaden der auf der Schutzstrukturierung 101 gebildeten Steuerschaltung 13, und somit können Fehlfunktionen, beispielsweise fehlerhaft ausgeführte Schutzfunktionen (Schutz vor übermäßigem Strom, übermäßiger Spannung oder dergleichen) verhindert werden. Das gleiche gilt für die anderen Steuerschaltungen 14 bis 18.

Wenn des weiteren Rauschen an die Anschlüsse V, W, P und N (d. h. die Strompfade der Leistungstransistoren 1 bis 6) be züglich dem Aluminiumsubstrat 31 angelegt ist, können die Fehlfunktionen auf ähnliche Weise vermieden werden. Da ein Kondensator mit großer Kapazität im allgemeinen zwischen den Anschlüssen P und N verbunden ist, mit denen eine Hochspan nungsleistungsquelle verbunden ist, entsteht Rauschen in den Anschlüssen P und N auf genau dieselbe Weise.

Obwohl die Schutzstrukturierungen 101 bis 104 direkt mit den Potentialen der Ausgangselektroden (Emitter) der entspre chenden Leistungstransistoren 1 bis 6 bei dem obigen Ausfüh rungsbeispiel verbunden sind, muß dies nicht unbedingt so sein. Wenn beispielsweise, wie es in Fig. 5 gezeigt ist, ein Kondensator 44 mit relativ großer Kapazität zwischen den Plus- und Minusanschlüssen der Leistungsquelle V_N verbunden ist, wird ein Potential auf der Plusseite der Leistungs quelle V_N entsprechend dem in dem Emitter (d. h. im Anschluß N) des Leistungstransistors 2 entstehenden Rauschens vari iert. Wie es in Fig. 6 bei dem Fall gezeigt ist, bei dem eine rückwärts vorgespannte Schaltung bestehend aus einem Widerstand 45 und Dioden 46 und 47 mit dem Emitter des Lei stungstransistors 2 verbunden ist zum entgegengesetzten Vor spannen der Basis des Leistungstransistors 2, während sich dieser in einem AUS-Zustand befindet und somit das Emitter potential des Leistungstransistors 2 nach oben im Pegel ver schoben wird, entsteht Rauschen bei der Minusseite der Lei stungsquelle V_N, wenn Rauschen in dem Emitter des Leistungs transistors 2 entsteht. Die Dioden 46 und 47 können Zener- Dioden sein. Die Schutzstrukturierung 104 kann den oben er wähnten Effekt ausüben, wenn sie auf einem Potential ent sprechend dem Potential der Ausgangselektrode (Emitter) des Leistungstransistors 2 festgehalten ist, und somit nicht di rekt mit dem Emitter des Leistungstransistors 2 verbunden ist, sondern beispielsweise mit der Plusseite der Leistungs quelle V_N in dem Falle der Fig. 5 oder der Minusseite der Leistungsquelle V_N im Falle der Fig. 6 verbunden sein kann. Dies gilt auch für die anderen Schutzstrukturierungen 101 bis 103.

Bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Schutzstrukturierungen 101 und 104 auf dem Aluminiumsubstrat 31 vorzugsweise auf eine der folgenden Weisen angeordnet. Bei der ersten Möglichkeit wird die Kupferstrukturierung 33 zuerst auf der Isolierschicht 32 gebildet. Daran an schließend wird eine geschichtete Struktur, bei der die Kup ferstrukturierung 41 und die Schutzstrukturierung 101 auf den oberen und unteren Oberflächen der Isolierschicht 105 gebildet sind, und eine geschichtete Struktur, bei der die Kupferstrukturierung 41 und die Schutzstrukturierung 104 auf den oberen und unteren Oberflächen der Isolierschicht 106 gebildet sind, aus doppelseitigen gedruckten Karten oder dergleichen hergestellt, und in vorbestimmte Positionen auf der Isolierschicht 32 angeordnet. Bei der zweiten Möglich keit werden die Kupferstrukturierung 33 und die Schutzstruk turierungen 101 und 104 gleichzeitig auf der Isolierschicht 32 gebildet. Daran anschließend werden die geschichteten Strukturen mit der Kupferstrukturierung 41 auf den Oberflä chen der Isolierschichten 105 und 106 aus einzelseitigen ge druckten Karten oder dergleichen gebildet und jeweils auf den Schutzstrukturierungen 101 und 104 angeordnet.

Fig. 7 zeigt in einer Schnittansicht ein zweites Ausfüh rungsbeispiel der Halbleitervorrichtung entsprechend der vorliegenden Erfindung. Im Gegensatz zum ersten Ausführungs beispiel (Fig. 2) sind die Schutzstrukturierungen 101 und 104 jeweils auf relativ dicken, auf der Isolierschicht 32 gebildeten Isolierschichten 109 und 110 angeordnet. Die Kup ferstrukturierungen 33 für die Leistungstransistoren 1 und 2 sind relativ dick ausgebildet. Da ein großer Strom in den Leistungstransistoren 1 und 2 fließt, ist es wünschenswert, daß die Kupferstrukturierungen 33 dick ausgebildet sind. Die geschichtete Struktur bestehend aus der Isolierschicht 109, der Schutzstrukturierung 101, der Isolierschicht 105 und der Kupferstrukturierung 41 können aus einer doppellagigen ge druckten Karte oder dergleichen hergestellt sein und in ei ner vorbestimmten Position auf der Isolierschicht 32 ange ordnet sein. Entsprechend dem zweiten Ausführungsbeispiel besteht der Vorteil, daß die geschichtete Struktur über die Kupferstrukturierung 33 gelegt wird, so daß die Fläche ver ringert werden kann.

Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel sind die elektrischen Verbindungen unter Verwendung der Durchgangsöffnungen 107 und 108 als Mittel zum Festhalten der Potentiale der Schutz strukturierungen 101 und 104 dargestellt. Jedoch können für die Verbindungen auch Aluminiumdraht, Lötungen, kurzschließende Teile bestehend aus einem Metallstück und dergleichen verwendet werden. Bei derartigen Modifikationen können die Verbindungen leicht durch teilweises Entfernen der Isolierschichten 105 und 106 zum dadurch teilweisen Freilegen der oberen Oberflächen der Schutzstrukturierungen 101 und 104 durchgeführt werden.

Neben dem Vorteil der Vermeidung von Fehlfunktionen der Steuerschaltungen 13 bis 18 aufgrund von Rauschen sollte an dieser Stelle festgehalten werden, daß die bis hierher be schriebenen Halbleitervorrichtungen entsprechend dem ersten und dem zweiten Ausführungsbeispiel (Fig. 2 und 7) nicht im mer frei von Problemen sind. Der Grund hierzu liegt darin, daß die Schutzstrukturierungen 101 und 104 und das Alumini umsubstrat 31 kapazitiv miteinander gekoppelt sind, während sie in einer gegenüberstehenden Beziehung angeordnet sind, mit der dazwischen gehaltenen Isolierschicht 32. Bei derartigen Halbleitervorrichtungen würden die Potentiale der Ausgangselektroden (Emitter) der Leistungstransistoren 1, 3 und 5 in der oberen Seite weithin variieren entsprechend der Tatsache, welcher von dem oberen Leistungstransistor und dem unteren Leistungstransistor eingeschaltet ist und welcher ausgeschaltet ist für jeden Phasenteil. Im folgenden wird beispielsweise der U-Phasenteil angenommen. Wenn der Leistungstransistor 1 eingeschaltet wird und der Leistungstransistor 2 ausgeschaltet wird, ist das Potential der Schutzstrukturierung 101 gleich dem Potential des Anschlusses P. Wenn der Leistungstransistor 1 ausgeschaltet wird, und der Leistungstransistor 2 eingeschaltet wird im Gegensatz hierzu, ist das Potential der Schutzstrukturierung 101 gleich dem Potential des Anschlusses N. Falls somit die Leistungstransistoren 1 und 2 PWM-gesteuert sind, würde beispielsweise das Potential der Schutzstrukturierung 101 rapide variieren mit einem Ansteigen in der Trägerimpulsfrequenz, welche an die Basis gegeben wird. Das Ergebnis hiervon würde ein in das Aluminiumsubstrat 31 erzeugter Leckstrom sein wegen einer zwischen der Schutzstrukturierung 101 und dem Aluminiumsubstrat 31 ausgebildeten Kapazität. Die Schutzstrukturierung 101 ist flächenmäßig relativ groß. Daher ist die Kapazität zwischen der Schutzstrukturierung 101 und dem Aluminiumsubstrat 31 entsprechend groß. Als Ergebnis übersteigt oftmals der aufgrund der großen Kapazität erhöhte Leckstrom den Normwert für die Halbleitervorrichtung. Jedoch kann ein derartiger Leckstrom in das Aluminiumsubstrat 31 bei einer Halbleitervorrichtung entsprechend einem dritten Ausfüh rungsbeispiel, welches in den Fig. 8 und 9 dargestellt ist, verringert werden.

Eine Drei-Phasen-Brückeninverterschaltung gemäß Fig. 8 weist ähnlich wie die entsprechende Inverterschaltung gemäß Fig. 1 dieselbe Struktur auf wie die Inverterschaltung gemäß Fig. 12 und wird daher bezüglich der Struktur nicht erläutert. Ähnlich zu der in Fig. 1 gezeigten Halbleitervorrichtung weist die Halbleitervorrichtung gemäß Fig. 8 Schutzstruktu rierungen 101, 102, 103 und 104 auf, wobei die Schutzstruk turierungen 101, 102 und 103 jeweils bei gleichen Poten tialen zu den Referenzpotentialen der Steuerschaltungen 13, 15 und 17 gehalten werden, und die Schutzstrukturierung 104 bei einem gleichen Potential des gemeinsamen Referenzpoten tiales der Steuerschaltungen 14, 16 und 18 gehalten wird. Die Schutzstrukturierungen 101 bis 104, welche über densel ben Herstellungsweg wie im Falle der in Fig. 1 gezeigten Halbleitervorrichtung ausgebildet sind, werden nicht in den Einzelheiten beschrieben.

Entsprechend dem dritten Ausführungsbeispiel sind eine Schutzstrukturierung 111 und eine Isolierschicht 112 zwi schen einer auf einem Aluminiumsubstrat 31 gebildeten Iso lierschicht 32 und den Schutzstrukturierungen 101 bis 104 vorgesehen. Die Schutzstrukturierung 111 ist auf der Iso lierschicht 32 gebildet, und auf der Schutzstrukturierung 111 ist die Isolierschicht 112 gebildet. Die Schutzstruktu rierung 111 wird bei einem Referenzpotential der totempolartig verbundenen Leistungstransistoren 1 und 2 (bzw. Leistungs transistoren 3 und 4, bzw. Leistungstransistoren 5 und 6), d. h. dem Potential eines Leistungsquellenanschlusses N ge halten.

Die Schutzstrukturierung 111 wird bei dem Potential des Lei stungsquellenanschlusses N gehalten, wie es beispielsweise in Fig. 9 dargestellt ist, welche eine schematische Schnittansicht einer U-Phasenteilstruktur darstellt, wie wenn die Schaltung gemäß Fig. 8 auf einem Einzelmetallsub strat gebildet sein würde. Die Isolierschicht 32, welche ähnlich ist zu der Isolierschicht 32 gemäß Fig. 2, ist auf dem Aluminiumsubstrat 31 gebildet. Die Schutzstrukturierung 111 aus Kupfer ist auf der Isolierschicht 32 vollständig oberhalb der Fläche der Isolierschicht 32 überdeckt. Auf ähnliche Weise ist die Isolierschicht 112 auf der Schutz strukturierung 111 vollständig oberhalb der Fläche der Schutzstrukturierung 111 gebildet. Auf der Isolierschicht 112 ist eine Kupferstrukturierung 33 und die Schutzstruktu rierungen 101 und 104 auf exakt dieselbe Weise wie bei dem zweiten Ausführungsbeispiel gebildet. Da sie exakt dieselbe darstellt wie bei dem zweiten Ausführungsbeispiel, kann eine genaue Erläuterung der Struktur oberhalb der Kupferstruktu rierung 33 und der Schutzstrukturierungen 101 und 104 im folgenden weggelassen werden.

Die Isolierschicht 112 ist in einer Position entsprechend einer Kupferstrukturierung 33c vorgesehen, welche ein Teil der Kupferstrukturierung 33 ist, mit einer Durchgangsöffnung 113, durch welche die Schutzstrukturierung 111 mit der Kup ferstrukturierung 33c verbunden ist. Die Kupferstrukturie rung 33c stellt einen Anschluß zum Verbinden der Ausgangs elektrode (Emitter) des Leistungstransistors 2 und dem Lei stungsquellenanschluß N dar. Genauer gesagt ist über die Kupferstrukturierung 33c die Schutzstrukturierung 111 mit dem Leistungsquellenanschluß N verbunden und somit bei einem bestimmten Referenzpotential gehalten.

Bei der Halbleitervorrichtung entsprechend dem dritten Aus führungsbeispiel haben aufgrund des Vorliegens der Schutz strukturierung 111, welche bei einem bestimmten Referenzpo tential gehalten ist, und der Isolierschicht 112 zwischen den Schutzstrukturierungen 101 und 104 und der Isolier schicht 32 weisen die Schutzstrukturierung 101 und das Aluminiumsubstrat 31 mit dem dazwischenliegenden, durch die Schutzstrukturierung 111 abgeschirmten Raum keine direkte kapazitive Kopplung dazwischen auf. Auch falls das Potential bei der Schutzstrukturierung 101 sich rapide ändert, wie es zuvor erwähnt wurde, ist somit die resultierende Verringerung des Leckstromes in das Aluminiumsubstrat 31 beträchtlich kleiner als es sein würde bei der Halbleitervorrichtung entsprechend dem zweiten Ausführungsbeispiel.

Gemäß einer in Fig. 10 gezeigten Halbleitervorrichtung (viertes Ausführungsbeispiel) sind eine Schutzstrukturierung 111A, die bei einem bestimmten Referenzpotential gehalten ist, und eine Isolierschicht 112A zwischen einer Isolier schicht 32 und Schutzstrukturierungen 101 bis 104 vorgese hen, deren Struktur ähnlich ist mit derjenigen der Halblei tervorrichtung gemäß Fig. 8. Die Schutzstrukturierung 111A und die Isolierschicht 112A sind jedoch nicht in Flächen ausgebildet, die den Leistungstransistoren 1 bis 6 entspre chen. Mit anderen Worten, die Schutzstrukturierung 111A schirmt nicht die Flächen entsprechend den Leistungstransi storen 1 bis 6 ab. Die Halbleitervorrichtung gemäß Fig. 10 ist darüber hinaus ähnlich in der Struktur wie die Halblei tervorrichtung nach Fig. 8.

Fig. 11 zeigt in einer Schnittansicht eine U-Phasenteil struktur der Halbleitervorrichtung gemäß Fig. 10. Die Schutzstrukturierung 111A ist auf der Isolierschicht 32 ge bildet, außer den Flächen, welche den Leistungstransistoren 1 und 2 entsprechen. Die Schutzstrukturierung 111A ist über einen externen Draht 114 und einer Kupferstrukturierung 33c mit dem Leistungsquellenanschluß N verbunden, wobei der ex terne Draht 114 durch einen Aluminiumdraht, Lötungen, Kurz schlußteilen und dergleichen ausgebildet ist. Die Isolier schicht 112A ist auf der Schutzstrukturierung 111A vorgese hen, und auf der Isolierschicht 112A sind die Schutzstruktu rierungen 101 und 104 vorgesehen. Die Struktur oberhalb der Schutzstrukturierungen 101 und 104 sind dieselben wie bei den vorhergehenden Ausführungsbeispielen beschrieben und wird daher nicht mehr erläutert.

Eine Kupferstrukturierung wird auf der Isolierschicht 32 in den Flächen, welche den Leistungstransistoren 1 und 2 ent sprechen, gebildet. Die Kupferstrukturierung 33 kann gleich zeitig mit oder getrennt von dem Vorsehen der Schutzstruktu rierung 111A ausgebildet sein. Mit der Kupferstrukturierung 33 sind die Leistungstransistoren 1 und 2 durch Löten und dergleichen verbunden.

Die Schutzstrukturierung 111A kann durch Vergrößern einer Kupferstrukturierung 33c, welche den bestimmten Abschnitt der Kupferstrukturierung 33, der den Ausgangsanschluß des Leistungstransistors 4 bildet, ausgebildet sein. In einem derartigen Fall kann der externe Draht zum Verbinden der Schutzstrukturierung 111A und dem Leistungsquellenanschluß N vereinfacht sein.

Somit kann der Leckstrom in das Aluminiumsubstrat 31 bei der Halbleitervorrichtung gemäß den Fig. 10 und 11 verringert werden, wobei der Grund dafür derselbe ist wie im Falle der in den Fig. 8 und 9 gezeigten Halbleitervorrichtung. Als weitergehender Vorteil ist gemäß dem vierten Ausführungsbei spiel der thermische Widerstand bei den Leistungstransisto ren 1 bis 6 geringer als bei der Halbleitervorrichtung gemäß den Fig. 8 und 9. Der Grund dafür liegt darin, daß eine Iso lierschicht geradewegs unterhalb der Leistungstransistoren 1 bis 6 die Isolierschicht 32 allein in der Halbleitervorrich tung entsprechend dem vierten Ausführungsbeispiel ist, wäh rend bei der Halbleitervorrichtung gemäß den Fig. 8 und 9 die geradewegs unterhalb der Leistungstransistoren 1 bis 6 vorgesehene zweifache Isolierung aufgrund der Isolierschicht 32 und der Isolierschicht 112 ist.

Obwohl die Verringerung des Leckstromes durch Verbinden der Schutzstrukturierung 111 bzw. 111A, von denen jede auf der Isolierschicht 32 gebildet ist, mit dem Leistungsquellenan schluß N entsprechend dem dritten und dem vierten Ausfüh rungsbeispiel (Fig. 8 und 10) erzielt wird, wird betont, daß dies nicht als beschränkt ausgelegt werden darf. Derselbe Effekt ist erreichbar durch eine Verbindung zwischen der Schutzstrukturierung 111 bzw. 111A und dem Leistungsquellen anschluß P. Somit wird eine Reduktion des Leckstromes erzielt, solange die Schutzstrukturierung 111 bzw. 111A bei einem bestimmten Referenzpotential gehalten wird.

Obwohl sämtliche beschriebenen Ausführungsbeispiele bei An wendungen vorgesehen sind, bei denen Bipolartransistoren als Leistungsschaltvorrichtungen verwendet sind, können jedoch auch Leistungs-MOSFETs bzw. Bipolartransistoren mit isolier tem Gate (IGBTs) alternativ verwendet werden. Die verwende ten Transistoren sind nicht auf NPN-Transistoren begrenzt, sondern können ebenso auch PNP-Transistoren sein.

Claims

1. Halbleitervorrichtung, welche aufweist:
ein Metallsubstrat;
eine auf dem Metallsubstrat gebildete erste Isolier schicht;
eine aus auf der ersten Isolierschicht gebildeten Lei tern zusammengesetzte erste Schutzstrukturierung;
einen Anschluß zum Anlegen eines gewissen Referenzpo tentiales;
eine erste Verbindungseinrichtung zum Verbinden der ersten Schutzstrukturierung mit dem Versor gungsanschluß;
eine auf der ersten Schutzstrukturierung gebildete zweite Isolierschicht;
aus auf der zweiten Isolierschicht gebildeten Leitern zusammengesetzte zweite und dritte Schutzstrukturierun gen;
eine auf der zweiten Schutzstrukturierung gebildete dritte Isolierschicht;
eine auf der dritten Schutzstrukturierung gebildete vierte Isolierschicht;
auf der ersten Isolierschicht gebildete erste und zweite Leistungsschaltelemente, welche miteinander totempolartig verbunden sind;
eine auf der dritten Isolierschicht gebildete erste Steuerschaltung zum Ein- und Ausschalten des ersten Leistungsschaltelementes;
eine auf der vierten Isolierschicht gebildete zweite Steuerschaltung zum Ein- und Ausschalten des zweiten Leistungsschaltelementes;
eine zweite Verbindungseinrichtung zum Verbinden der zweiten Schutzstrukturierung mit einem ersten Knoten eines Potentiales, welches reagiert auf ein Potential einer Ausgangselektrode des ersten Leitungsschaltele mentes;
und eine dritte Verbindungseinrichtung zum Verbinden der dritten Schutzstrukturierung mit einem zweiten Kno ten eines Potentiales, welches reagiert auf ein Poten tial einer Ausgangselektrode des zweiten Leistungs schaltelementes.

2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß die erste Verbindungseinrichtung aufweist:
eine auf der ersten Isolierschicht gebildete und mit dem Versorgungsanschluß verbundene Metallverdrahtungs strukturierung; und
einen externen Draht zum Verbinden der Metallverdrah tungsstrukturierung und der ersten Schutzstrukturie rung.

3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß der Anschluß einer der Leistungsquellenanschlüsse ist, die mit beiden Enden der ersten und zweiten Leistungs schaltelemente totempolartig verbunden sind.

4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekenn zeichnet, daß die ersten und zweiten Knoten Ausgangselektroden je weils der ersten und zweiten Leistungsschaltelemente sind.

5. Halbleitervorrichtung, welche aufweist:
ein Metallsubstrat;
eine auf dem Metallsubstrat gebildete erste Isolier schicht;
eine aus auf der ersten Isolierschicht gebildeten Leitern zusammengesetzte erste Schutzstrukturierung;
einen Anschluß zum Anlegen eines gewissen Referenzpo tentiales;
eine erste Verbindungseinrichtung zum Ver binden der ersten Schutzstrukturierung mit dem Versor gungsanschluß;
eine auf der ersten Schutzstrukturierung gebildete zweite Isolierschicht;
aus auf der zweiten Isolierschicht gebildeten Leitern zusammengesetzten zweiten und dritten Schutzstrukturie rungen;
eine auf der zweiten Schutzstrukturierung gebildete dritte Isolierschicht;
eine auf der dritten Schutzstrukturierung gebildete vierte Isolierschicht;
auf der ersten Isolierschicht gebildete erste und zweite Leistungsschaltelemente, welche miteinander totempolartig verbunden sind;
eine auf der dritten Isolierschicht gebildete erste Steuerschaltung zum Ein- und Ausschalten des ersten Leistungsschaltelementes;
eine auf der vierten Isolierschicht gebildete zweite Steuerschaltung zum Ein- und Ausschalten des zweiten Leistungsschaltelementes,
eine zweite Verbindungseinrichtung zum Verbinden der zweiten Schutzstrukturierung mit einem ersten Knoten eines Potentiales, welches reagiert auf ein Potential einer Ausgangselektrode des ersten Leitungsschaltele mentes;
und eine dritte Verbindungseinrichtung zum Verbinden der dritten Schutzstrukturierung mit einem zweiten Kno ten eines Potentiales, welches reagiert auf ein Poten tial einer Ausgangselektrode des zweiten Leistungs schaltelementes.

6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekenn zeichnet, daß die zweite Isolierschicht mit einer Durchgangsöffnung versehen ist, und die erste Verbindungseinrichtung die erste Schutzstrukturierung mit dem Versorgungsanschluß über die Durchgangsöffnung verbindet.

7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekenn zeichnet, daß die erste Verbindungseinrichtung eine in der Durch gangsöffnung gebildete Metallverdrahtungsstrukturierung aufweist.

8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekenn zeichnet, daß der Anschluß einer der Leistungsquellenanschlüsse ist, die mit beiden Enden der ersten und zweiten Leistungs schaltelemente totempolartig verbunden sind.

9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekenn zeichnet, daß die ersten und zweiten Knoten Ausgangsanschlüsse je weils der ersten und zweiten Leistungsschaltelemente sind.