DE4105635C2 - Zusammensetzung, die einen dünnen Platinfilm bildet und Verfahren zur Herstellung eines Platinfilmes - Google Patents
Zusammensetzung, die einen dünnen Platinfilm bildet und Verfahren zur Herstellung eines PlatinfilmesInfo
- Publication number
- DE4105635C2 DE4105635C2 DE4105635A DE4105635A DE4105635C2 DE 4105635 C2 DE4105635 C2 DE 4105635C2 DE 4105635 A DE4105635 A DE 4105635A DE 4105635 A DE4105635 A DE 4105635A DE 4105635 C2 DE4105635 C2 DE 4105635C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- platinum
- composition
- substrate
- thin
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 116
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 52
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 title claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 26
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- WUOACPNHFRMFPN-VIFPVBQESA-N (R)-(+)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-VIFPVBQESA-N 0.000 claims description 8
- LPJDJRBJIOFUOK-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethynylbenzene;platinum Chemical compound [Pt].C1=CC=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1 LPJDJRBJIOFUOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- -1 pinene Chemical compound 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid dibutyl ester Chemical compound CCCCOC(=O)C(=O)OCCCC JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SESFRYSPDFLNCH-UHFFFAOYSA-N benzyl benzoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 SESFRYSPDFLNCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 claims description 2
- RBHIUNHSNSQJNG-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3-(2-methyloxiran-2-yl)-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1CC2(C)OC2CC1C1(C)CO1 RBHIUNHSNSQJNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 claims description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 claims description 2
- 229960002903 benzyl benzoate Drugs 0.000 claims description 2
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 claims description 2
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- OGVXYCDTRMDYOG-UHFFFAOYSA-N dibutyl 2-methylidenebutanedioate Chemical compound CCCCOC(=O)CC(=C)C(=O)OCCCC OGVXYCDTRMDYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052571 earthenware Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229940093499 ethyl acetate Drugs 0.000 claims description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000000171 lavandula angustifolia l. flower oil Substances 0.000 claims description 2
- 235000021388 linseed oil Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000944 linseed oil Substances 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- VLZLOWPYUQHHCG-UHFFFAOYSA-N nitromethylbenzene Chemical compound [O-][N+](=O)CC1=CC=CC=C1 VLZLOWPYUQHHCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 239000010668 rosemary oil Substances 0.000 claims description 2
- 229940058206 rosemary oil Drugs 0.000 claims description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 2
- JBNFNFYLZNEOMZ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-4-[2-(4-methoxyphenyl)ethynyl]benzene platinum Chemical compound [Pt].C1=CC(OC)=CC=C1C#CC1=CC=C(OC)C=C1.C1=CC(OC)=CC=C1C#CC1=CC=C(OC)C=C1 JBNFNFYLZNEOMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- GZOYVTSTDWWHPD-KZUMESAESA-N (1z,5z)-cycloocta-1,5-diene;platinum Chemical compound [Pt].C\1C\C=C/CC\C=C/1.C\1C\C=C/CC\C=C/1 GZOYVTSTDWWHPD-KZUMESAESA-N 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 150000003058 platinum compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 3
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical class S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052815 sulfur oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000007173 Abies balsamea Nutrition 0.000 description 2
- 239000004857 Balsam Substances 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000018716 Impatiens biflora Species 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000000341 volatile oil Substances 0.000 description 2
- VYXHVRARDIDEHS-QGTKBVGQSA-N (1z,5z)-cycloocta-1,5-diene Chemical compound C\1C\C=C/CC\C=C/1 VYXHVRARDIDEHS-QGTKBVGQSA-N 0.000 description 1
- OHIDGXYXABTWHD-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-4-(2-phenylethynyl)benzene platinum Chemical compound [Pt].C1=CC(OC)=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1.C1=CC(OC)=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1 OHIDGXYXABTWHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229940045985 antineoplastic platinum compound Drugs 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/08—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
- C07F15/0086—Platinum compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine neue
Zusammensetzung zur Bildung eines dünnen Platinfilmes,
genauer betrifft sie die Verbesserung einer einen dünnen
Platinfilm bildenden Zusammensetzung, die eine organische
Platinkomplexverbindung zur Bildung metallischen Platins
durch Pyrolyse und Befeuerung enthält.
Die Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung kann zur
Bildung verschiedener Dekorationen dünner Filme
metallischen Platins auf einem hitzebeständigen Substrat
oder zur Bildung verschiedener elektrischer oder
elektronischer Schaltkreise dünner Filme metallischen
Platins auf einem solchen hitzebeständigen Substrat oder
zur Bildung verschiedener Elektroden dünner Filme
metallischen Platins auf denselben verwendet werden.
Zur Bildung eines dünnen Filmes aus Platinmetall ist
bisher ein Verfahren bekannt gewesen, bei dem man eine
Platinpaste eines sogenannten flüssigen Platins, das im
wesentlichen aus einem Reaktionsprodukt eines
Balsamsulfids und eines Platinhalogenids besteht, auf ein
Substrat aufbringt, worauf erhitzt wird, um einen dünnen
Platinfilm auf dem Substrat zu bilden.
Als Beispiele anderer Platinpasten wird in JP-A-64-177 ein
Platinalkylmercaptid erwähnt. In JP-A-64-178 werden ein
Platinpinenmercaptid und in JP-A-64-179 eine
Zusammensetzung genannt, die eine Platinverbindung eines
essentiellen Ölmercaptids enthält. (Die hier verwendete
Bezeichnung "JP-A" bedeutet eine "ungeprüfte
veröffentlichte japanische Patentanmeldung").
In JP-A-51-86451 wird ein Verfahren genannt, bei dem man
eine Bis(cis,cis-cycloocta-1,5-dien)platin-Lösung auf
einen Träger aufbringt, worauf der Träger erhitzt wird, um
Bis(cis,cis-cycloocta-1,5-dien)platin auf dem Träger zu
zersetzen, um dadurch metallisches Platin auf demselben
abzuscheiden.
Ferner wird ein Verfahren genannt, bei dem man eine
organische Platinkomplexverbindung einer allgemeinen
Formel (II)
Pt(Q)3 (II)
worin Q eine Verbindung mit mindestens einer olefinischen
Doppel- oder acetylenischen Dreifachbindung darstellt, wie
ein Olefin, ein Allen, ein Acetylen oder ein
substituiertes Olefin, auf einen Träger aufbringt, worauf
der Träger erhitzt wird, um die Verbindung der oben
genannten Formel (II) zu zersetzen, um dadurch
metallisches Platin auf demselben abzuscheiden.
Das obige Verfahren der Verwendung einer Paste, die im
wesentlichen aus einem Reaktionsprodukt eines
Balsamsulfids und eines Platinhalogenids besteht, weist
verschiedene Nachteile auf. Genauer gesagt, wird, da die
Paste eine grosse Anzahl an Schwefel- und Halogenatomen
enthält, eine grosse Menge korrosiver Gase von
Schwefeloxiden, Halogenen oder Hydrohalogeniden während
des Erhitzens des Trägers zur Bildung des Platinüberzuges
erzeugt. Im Ergebnis würden die so erzeugten korrosiven
Gase den Feuerungsofen korrodieren. Zudem würde dort, wo
ein dünner Film eines Metalls, das durch solche Gase
leicht korrodiert wird, wie Silber oder dergleichen, auf
dem Substrat bereits gebildet worden ist, der dünne Film
korrodiert werden.
Was die in den obigen Veröffentlichungen JP-A-64-177,
64-178 und 64-179 beschriebenen Verfahren betrifft,
enthalten alle Verbindungen, die als Platinquelle
verwendet werden, ein Schwefelatom, und diese Verfahren
weisen deshalb ebenfalls denselben Nachteil auf, dass eine
grosse Menge korrosiver Schwefeloxide während des
Erhitzens des aufgebrachten Filmes erzeugt werden.
Bezüglich des in obiger JP-A-51-86451 beschriebenen
Verfahrens, bei dem eine
Bis(cis,cis-cycloocta-1,5-dien)platin-Lösung auf einen
Träger aufgebracht und danach der so überzogene Träger
erhitzt wird, um ein Platinmetall auf dem Träger
abzuscheiden, kann eine Paste mit einer hohen
Konzentration nicht erhalten werden, da die Löslichkeit
von Bis(cis,cis-cycloocta-1,5-dien)platin im Lösungsmittel
niedrig ist. Deshalb besteht eine Beschränkung
hinsichtlich der Anhebung des Gehaltes an Platin in der
aufzubringenden Lösung, und im Ergebnis wird die Dicke des
aufzubringenden Platinfilmes selbstverständlich
eingeschränkt. Zudem sind sowohl die Auswahl an Additiven,
die der Überzugslösung zum Zwecke der Verbesserung der
Aufbringung der Lösung sowie der Verbesserung des
Haftvermögens zwischen dem gebildeten Platinfilm und dem
Träger zugefügt werden, als auch die Auswahl dieser
zuzugebenden Additive bei der Ausführung des Verfahrens
äusserst eingeschränkt. Ein hinreichend dünner Film eines
Platinmetalles aus einer Lösung von
Bis(cis,cis-cycloocta-1,5-dien)platin konnte nicht
erhalten werden. Was das weitere, in derselben
JP-A-51-86451 beschriebene Verfahren betrifft, in welchem
eine Verbindung der obigen allgemeinen Formel (II) auf ein
Substrat aufgebracht und danach das so überzogene Substrat
erhitzt werden, um die Verbindung der Formel (II) zu
zersetzen und dadurch Platin auf dem Substrat
abzuscheiden, kann eine Paste mit einer konstanten
Qualität nicht erhalten werden, da die Lösung der
Verbindung der obigen Formel (II) instabil ist und die
Lösung während der Lagerung sogar bei Raumtemperatur
leicht zersetzt wird. Die veröffentlichte Beschreibung der
JP-A-51-86451 sagt nichts über die Löslichkeit von
Bis(cis,cis-cycloocta-1,5-dien)platin und diejenige der
Platinverbindungen der obigen allgemeinen Formel (II) aus,
und sie sagt auch nichts über eine Paste aus, die die oben
genannte Platinverbindung zur Bildung eines dünnen Filmes
metallischen Platins durch Pyrolyse enthält. Zudem bezieht
sie sich nicht auf Platinkomplexe eines Typs, der zwei Q's
als Liganden enthält.
Insbesondere wird auf dem technischen Gebiet der Bildung
elektrisch leitender Schaltkreise auf einem Substrat ein
Verfahren angestrebt, bei dem eine Lösung einer
organischen Platinverbindung auf ein Substrat aufgebracht
und danach der aufgebrachte Film erhitzt und einer
Befeuerung unterworfen werden, um einen elektrisch
leitenden dünnen Film mit einer Dicke von etwa 0,1 bis
1 µm zu bilden.
Demzufolge besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung
darin, eine Zusammensetzung zur Bildung eines dünnen
Platinfilmes bereitzustellen, die einen einheitlichen und
kontinuierlichen dünnen Platinfilm auf einem Substrat
durch ein im industriellen Massstab vorteilhaftes
Verfahren ergibt und schädliche Atome, die die Erzeugung
korrosiver Gase hervorrufen, wie Halogenatome und
Schwefel, nicht enthält, ferner soll ein Verfahren zur
Bildung eines dünnen Platinfilmes durch die Verwendung der
Zusammensetzung zur Verfügung gestellt werden.
Insbesondere wird durch die vorliegende Erfindung eine
einen dünnen Platinfilm bildende Zusammensetzung
hergestellt, umfassend eine Lösung auf Basis eines
organischen Lösungsmittels, welche von 1 bis 91 Gew.-%
einer organischen Platinkomplexverbindung einer
allgemeinen Formel (I) enthält:
[Pt(R1-C∼C-R2)2] (I)
worin R1 und R2 jeweils eine Phenyl-,
4-Methylphenyl- oder 4-Methoxyphenylgruppe darstellen.
Durch die vorliegende Erfindung wird ferner ein Verfahren
zur Bildung eines Platinfilmes auf einem Substrat zur
Verfügung gestellt, wobei die oben genannte, einen dünnen
Platinfilm bildende Zusammensetzung auf die Oberfläche
eines hitzebeständigen Substrates aufgebracht, dann unter
Entweichen von Stössen aus der aufgebrachten
Zusammensetzung erhitzt und bei 400 bis 900°C einer
Befeuerung unterworfen wird.
Verbindungen der obigen allgemeinen Formel (I), die in der
vorliegenden Erfindung eingesetzt werden, können
beispielsweise gemäss dem in J. C. S. Dalton, 1980, 2170 bis
2181, beschriebenen Verfahren hergestellt werden, wobei
Bis(cis,cis-cycloocta-1,5-dien)platin mit 2 Mol oder mehr,
bezogen auf die Platinkomplexverbindung, einer
Acetylenverbindung, die der Gruppe R1-C∼C-R2 (worin
R1 und R2 die obigen Bedeutungen haben) in obiger
Formel (I) entspricht, in einem inerten Lösungsmittel, wie
Petrolether, zur Reaktion gebracht wird.
Als Beispiele von Verbindungen der obigen Formel (I), die
in der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden, seien die
folgenden aufgeführt:
Bis(diphenylacetylen)platin
Bis[di(4-methylphenyl)acetylen]platin
Bis[di(4-methoxyphenyl)acetylen]platin
Bis(4-methylphenylphenylacetylen)platin
Bis(4-methoxyphenylphenylacetylen)platin.
Bis(diphenylacetylen)platin
Bis[di(4-methylphenyl)acetylen]platin
Bis[di(4-methoxyphenyl)acetylen]platin
Bis(4-methylphenylphenylacetylen)platin
Bis(4-methoxyphenylphenylacetylen)platin.
Als Beispiele organischer Lösungsmittel, die in der
Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung verwendet
werden können, seien Ketone, wie Methylethylketon und
Cyclohexanon, Ester, wie Ethylacetat, Amylacetat,
Benzylacetat, Dibutyloxalat, Dibutylitaconat,
Benzylbenzoat, Dibutylphthalat, Dioctylphthalat und
Butylcarbitolacetat, Ether, wie Dioxan, Ethylcellosolve
und Dipentenoxid, Alkohole, wie Butanol und Cyclohexanol,
aromatische Kohlenwasserstoffe, wie Toluol und Xylol,
nitrosubstituierte aromatische Kohlenwasserstoffe, wie
Nitrobenzol und Nitrotoluol, Terpene, wie Pinen und
Terpenol, essentielle Öle, wie Lavendelöl, Leinöl und
Rosmarinöl, sowie Mischungen der vorgenannten Substanzen
genannt.
Die Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung wird auf
einfache Weise in Form einer Lösung hergestellt, indem man
die obige Verbindung der Formel (I) und das obige
organische Lösungsmittel und gewünschtenfalls weitere
Additive mischt.
Das zu mischende Verhältnis der obigen Verbindung der
Formel (I) zum obigen organischen Lösungsmittel wird
vorzugsweise so gewählt, dass das Lösungsmittel 0,1 bis
100 Gew.-Teile, besonders bevorzugt 0,5 bis 70 Gew.-Teile,
zu 1 Gew.-Teil der Verbindung der Formel (I) beträgt.
Zur Herstellung einer bevorzugten Zusammensetzung der
vorliegenden Erfindung ist es erwünscht, organische
Lösungsmittel zu verwenden, die die Verbindungen der
Formel (I) bei Raumtemperatur einheitlich aufzulösen
vermögen, und ein solches Mischungsverhältnis zwischen dem
ausgewählten Lösungsmittel und der Verbindung der Formel
(I) anzuwenden, um eine einheitliche Auflösung der
Verbindung im Lösungsmittel bei Raumtemperatur zu
bewirken. Jedes herkömmliche Überzugsverfahren kann auf
die Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung angewandt
werden. Es können beispielsweise bekannte
Überzugsverfahren, wie Auftrag mittels Pinsel, ein
Siebdruck-, Reliefdruck-, Intagliodruck-,
Lithografiedruck-, Offsetdruck-Verfahren und ein
Tauchverfahren herangezogen werden. Die Art der Verbindung
der Formel (I) wie auch die Art und Menge des obigen
Lösungsmittels werden sorgfältig ausgewählt, um eine
Zusammensetzung zu erhalten, die auf ein jedes der obigen
Überzugsverfahren anwendbar und für die in dem
ausgewählten Überzugsverfahren anzuwendenden
Hitzebedingungen geeignet ist. Die Zusammensetzung weist
eine angemessene Viskosität und Konzentration auf.
Die Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung kann auf
allgemeine Substrate aufgebracht werden, z. B. verschiedene
keramische Substrate, wie Glas, Aluminiumoxid und
Ton- und/oder Steingutsubstrate, wie auch auf verschiedene
Metallsubstrate mit einem Schmelzpunkt von 400°C oder mehr.
Nach Aufbringung der Zusammensetzung der vorliegenden
Erfindung auf solch ein Substrat wird der Film der
Zusammensetzung, wie es auf das Substrat aufgebracht ist,
bei der Zersetzungstemperatur der Verbindung der Formel
(I) unter Entweichen von Stössen aus der Zusammensetzung
des aufgebrachten Filmes erhitzt, die Befeuerung wird
vorzugsweise bei 400 bis 900°C während eines Zeitraumes
von etwa 5 bis 60 Minuten durchgeführt, wobei ein dünner
Film eines Platinmetalles auf dem Substrat gebildet wird.
Der dünne Film kann spiegelartig sein, wenn das Substrat
eine ebene Oberfläche aufweist.
Die organischen Platinkomplexverbindungen der obigen
Formel (I), die in der Zusammensetzung der vorliegenden
Erfindung vorliegen können, sind bei einer relativ hohen
Temperatur stabil und weisen eine hohe Löslichkeit in
obigen Lösungsmitteln auf.
Deshalb kann davon ausgegangen werden, dass die
aufgebrachte Zusammensetzung, wenn die Zusammensetzung der
vorliegenden Erfindung aufgebracht ist und auf einem
Substrat erhitzt wird, noch immer in einem flüssigen
Zustand mit einer hohen Viskosität vorliegen kann, sogar
nachdem das gesamte Lösungsmittel daraus entfernt worden
ist, und dieser Zustand kann bis zur Beendigung der
Zersetzung der Verbindung von Formel (I) in der
Zusammensetzung aufrechterhalten werden, um einen
einheitlichen und kontinuierlichen dünnen Platinfilm auf
dem Substrat zu ergeben.
Zudem sublimieren die organischen
Platinkomplexverbindungen der obigen Formel (I), die in
der Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung vorliegen,
sogar unter Hitzeeinwirkung nicht. Deshalb kann ein dünner
Platinfilm von demselben Gewicht wie demjenigen des
Platins, wie es in der aufgebrachten Zusammensetzung
enthalten ist, auf dem überzogenen Substrat gebildet
werden.
Wenn der Gehalt des obigen Lösungsmittels in der
Zusammensetzung der Erfindung weniger als 0,1 Gew.-Teile
auf 1 Gew.-Teil der organischen Platinkomplexverbindung
der obigen Formel (I) beträgt, würde die Zusammensetzung
zu viskos sein, um eine hinreichende Auftragbarkeit zu
ergeben.
Wenn der Gehalt des Lösungsmittels in der Zusammensetzung
mehr als 100 Gew.-Teile auf 1 Gew.-Teil der organischen
Platinkomplexverbindung von Formel (I) beträgt, würde
bezüglich der Zusammensetzung an sich kein ernsthaftes
Problem auftreten, da sie nach Auftrag auf ein Substrat
konzentriert werden könnte, vorausgesetzt, dass das mit
dem Überzug versehene Substrat vorsichtig erhitzt wird.
Die Zusammensetzung, enthaltend das Lösungsmittel in einer
solch grossen Menge, ist jedoch ungünstig, da sich
Handhabbarkeit und Verarbeitbarkeit der Zusammensetzung
verschlechtern. Da sie zudem dann nur einen kleinen
Platinmetallgehalt aufweist, würde der zu bildende dünne
Film zu dünn ausfallen und deshalb leicht brechen.
Als nächstes wird die vorliegende Erfindung anhand der
folgenden Beispiele und Vergleichsbeispiele, welche jedoch
den Rahmen der vorliegenden Erfindung nicht einschränken
sollen, im einzelnen erläutert.
0,5 g Terpenol wurden zu 1 g Bis(diphenylacetylen)platin
bei Raumtemperatur gegeben, um eine einheitliche Lösung zu
erhalten. Die Lösung wurde auf ein Glassubstrat mit einem
Pinsel aufgebracht, dann wurde das Substrat von
Raumtemperatur auf 400°C über einen Zeitraum von ca.
15 Minuten erhitzt und danach bei 400°C 15 Minuten lang
einer Befeuerung unterworfen. Im Ergebnis wurde ein
glatter spiegelartiger, dünner Platinmetallfilm überall
einheitlich auf dem mit der Zusammensetzung überzogenen
Glassubstrat gebildet, wobei die Haftung des Filmes auf
dem Substrat stark war.
80 g Terpenol wurden zu 1 g Bis(diphenylacetylen)platin
bei Raumtemperatur gegeben, um eine einheitliche Lösung zu
erhalten. Die Lösung wurde auf ein Glassubstrat mit einem
Pinsel aufgebracht, dann wurde das Substrat von
Raumtemperatur auf 400°C für eine Dauer von ca. 30 Minuten
erhitzt und danach bei 400°C 15 Minuten lang einer
Befeuerung unterworfen. Im Ergebnis wurde ein glatter
spiegelartiger, dünner Platinmetallfilm überall auf dem
mit der Zusammensetzung überzogenen Glassubstrat gebildet,
wobei die Haftung des Filmes auf dem Substrat stark war.
0,5 g Terpenol wurden zu 1 g Bis(diphenylacetylen)platin
bei Raumtemperatur gegeben, um eine einheitliche Lösung zu
erhalten. Die Lösung wurde auf ein Aluminiumoxidsubstrat
mit einem Pinsel aufgebracht, dann wurde das Substrat von
Raumtemperatur auf 800°C für eine Dauer von ca. 30 Minuten
erhitzt und danach bei 800°C 10 Minuten lang einer
Befeuerung unterworfen. Im Ergebnis wurde ein glatter
dünner Platinmetallfilm einheitlich überall auf dem mit
der Zusammensetzung überzogenen Aluminiumoxidsubstrat
gebildet, wobei die Haftung des Filmes auf dem Substrat
stark war.
0,5 g Toluol wurden zu 1 g Bis(diphenylacetylen)platin bei
Raumtemperatur gegeben, um eine einheitliche Lösung zu
erhalten. Die Lösung wurde auf ein Aluminiumoxidsubstrat
mit einem Pinsel aufgebracht. Dann wurde das Substrat von
Raumtemperatur auf 800°C für eine Dauer von ca. 30 Minuten
erhitzt und danach bei 800°C 10 Minuten lang einer
Befeuerung unterworfen. Im Ergebnis wurde ein glatter
dünner Platinmetallfilm überall auf dem mit der
Zusammensetzung überzogenen Aluminiumoxidsubstrat
gebildet, wobei die Haftung des Filmes mit dem Substrat
stark war.
2,0 g Terpenol wurden zu 1 g Bis(diphenylacetylen)platin
bei Raumtemperatur gegeben, um eine einheitliche Lösung zu
erhalten. Die Lösung wurde auf ein Aluminiumoxidsubstrat
mit einem Pinsel aufgebracht, dann wurde das Substrat von
Raumtemperatur auf 800°C für eine Dauer von ca. 30 Minuten
erhitzt und danach bei 800°C 10 Minuten lang einer
Befeuerung unterworfen. Im Ergebnis wurde ein glatter
dünner Platinmetallfilm einheitlich überall auf dem mit
der Zusammensetzung überzogenen Aluminiumoxidsubstrat
gebildet, wobei die Haftung des Filmes auf dem Substrat
stark war.
Dasselbe Verfahren wie in Beispiel 5 wurde wiederholt, mit
der Ausnahme, dass verschiedene Kombinationen, wie in der
nachfolgenden Tabelle aufgeführt, verwendet wurden. Im
Ergebnis wurde ein glatter dünner Platinmetallfilm
einheitlich überall auf dem mit der Zusammensetzung in
jeder Kombination überzogenen Substrat gebildet, wobei die
Haftung des Filmes auf dem Substrat stark war.
Das gleiche Verfahren, wie in Beispiel 1, wurde
wiederholt, mit der Ausnahme, dass 0,5 g Terpenol zu 1 g
Bis(cis,cis-cycloocta-1,5-dien)platin anstatt zu
Bis(diphenylacetylen)platin bei Raumtemperatur gegeben
wurden. Der Komplex löste sich jedoch nicht ganz im
Lösungsmittel auf. Dann wurden 75,5 g Terpenol des
weiteren zugefügt, um eine einheiltiche Lösung zu bilden.
Die sich ergebende Lösung wurde auf ein Glassubstrat mit
einem Pinsel aufgebracht und das überzogene Substrat von
Raumtemperatur auf 400°C über eine Dauer von ca. 30
Minuten erhitzt. Während des Verfahrens bildeten sich
jedoch braune feine Körner, und zwar an dem Punkt, als das
Substrat ca. 100°C erreichte, so dass der aufgebrachte
Film uneben wurde. Nach weiterer Befeuerung bei 400°C über
15 Minuten wurde lediglich feines pulverförmiges
Platinmetall auf dem Glassubstrat gebildet, ein dünner
Platinmetallfilm wurde jedoch überhaupt nicht gebildet.
Das gleiche Verfahren wie in Beispiel 4 wurde wiederholt,
mit der Ausnahme, dass 0,5 g Toluol zu 1 g
Bis(cis,cis,cycloocta-1,5-dien)platin anstatt zu
Bis(diphenylacetylen)platin bei Raumtemperatur gegeben
wurden. Der Komplex löste sich jedoch in dem Lösungsmittel
nicht ganz auf. Dann wurden des weiteren 75,5 g Toluol
zugefügt, um eine einheitliche Lösung zu bilden. Die sich
ergebende Lösung wurde auf ein Glassubstrat mit einem
Pinsel aufgebracht und das überzogene Substrat von
Raumtemperatur auf 400°C über eine Dauer von ca. 30
Minuten erhitzt. Während des Verfahrens bildeten sich
jedoch braune feine Körner, und zwar an dem Punkt, als das
Substrat ca. 80°C erreichte, so dass der aufgebrachte Film
uneben wurde. Nach weiterer Befeuerung bei 400°C über 15
Minuten wurde lediglich feines pulverartiges Platinmetall
auf dem Glassubstrat gebildet, ein dünner Platinmetallfilm
wurde jedoch überhaupt nicht gebildet.
Die Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung kann auf
ein Substrat, wie ein keramisches oder Metallsubstrat,
durch jedes herkömmliche Verfahren aufgebracht und ebenso
mittels eines jeden herkömmlichen Verfahrens erhitzt
werden, wobei ein einheitlicher kontinuierlicher und
dünner Film eines Platinmetalls auf dem Substrat mit hoher
Haftung zwischen dem Film und dem Substrat gebildet wird.
Da die Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung
insbesondere weder ein Schwefelatom noch Halogenatome
enthält und deshalb kein korrosives Gas aus
Schwefeloxiden, Halogenen oder Halogenwasserstoffen
während der Pyrolyse freigesetzt wird, kann sie genauso
gut auf ein Substrat als Decküberzug aufgebracht werden,
das zuvor mit einem dünnen Film eines Metalles, wie
Silber, überzogen wurde, das durch ein korrosives Gas
leicht korrodiert würde, so dass ein einheitlicher
kontinuierlicher und dünner Film eines Platinmetalles
darauf gebildet wird. Zudem weist die Zusammensetzung den
weiteren Vorteil auf, dass sie den Befeuerungsofen, der
zur Herstellung des mit der Zusammensetzung überzogenen
Substrates eingesetzt wird, nicht korrodiert und keine
Umweltverschmutzungen bei Anwendung in industriellem
Massstab auftreten.
Da die Zusammensetzung ferner keinen Platinmetallgehalt
durch Sublimation, sogar unter Hitze, verliert, ist sie
wirtschaftlich vorteilhaft. Weiterhin kann bei Verwendung
der Zusammensetzung ein dünner Platinfilm mit einer
konstanten Grösse und einer konstanten Dicke leicht
gebildet werden.
Die Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung, wie auch
eine Pastenzusammensetzung, enthaltend dieselbe, werden
insbesondere vorteilhaft zur Bildung verschiedener dünner
Filmdekorationen eines Platinmetalls auf einem Substrat
oder zur Bildung verschiedener elektrischer oder
elektronischer Schaltkreise dünner Filme eines
Platinmetalls auf einem Substrat oder zur Bildung
verschiedener Elektroden dünner Filme eines Platinmetalls
auf einem Substrat eingesetzt.
Indem die Erfindung im Detail und mit Bezug auf
spezifische Ausgestaltungen davon beschrieben worden ist,
ist es für einen Fachmann ersichtlich, dass verschiedene
Änderungen und Modifikationen durchgeführt werden können,
ohne von Inhalt und Umfang der Erfindung abzuweichen.
Claims (5)
1. Eine einen dünnen Platinfilm bildende Zusammensetzung
umfassend eine Lösung auf Basis eines organischen
Lösungsmittels, enthaltend 1 bis 91 Gew.-% einer
organischen Platinkomplexverbindung einer allgemeinen
Formel (I)
[Pt(R1-C∼C-R2)2] (I)
worin R1 und R2 jeweils eine Phenyl-, 4-Methylphenyl- oder 4-Methoxyphenylgruppe darstellen.
[Pt(R1-C∼C-R2)2] (I)
worin R1 und R2 jeweils eine Phenyl-, 4-Methylphenyl- oder 4-Methoxyphenylgruppe darstellen.
2. Eine einen dünnen Platinfilm bildende Zusammensetzung
gemäss Anspruch 1, worin das organische Lösungsmittel
Methylethylketon, Cyclohexanon, Ethylacetat,
Amylacetat, Benzylacetat, Dibutyloxalat,
Dibutylitaconat, Benzylbenzoat, Dibutylphthalat,
Dioctylphthalat, Butylcarbitolacetat, Dioxan,
Ethylcellosolve, Dipentenoxid, Butanol, Cyclohexanol,
Toluol, Xylol, Nitrobenzol, Nitrotoluol, Pinen,
Terpenol, Lavendelöl, Leinöl oder Rosmarinöl ist.
3. Eine einen dünnen Platinfilm bildende Zusammensetzung
gemäss Anspruch 1, worin die organische
Platinkomplexverbindung Bis(diphenylacetylen)platin
oder Bis[di(4-methoxyphenyl)acetylen]platin ist.
4. Verfahren zur Herstellung eines Platinfilmes auf
einem Substrat, wobei eine einen dünnen Platinfilm
bildende Zusammensetzung gemäss Anspruch 1 auf die
Oberfläche eines hitzebeständigen Substrates
aufgebracht, dann unter stossartigem Entweichen von
Gasen aus der aufgebrachten Zusammensetzung bei der
Zersetzungstemperatur der Verbindung der Formel (I)
erhitzt und bei 400 bis 900°C einer Befeuerung
unterworfen wird.
5. Verfahren gemäss Anspruch 4, wobei als Substrat ein
Metall mit einem Schmelzpunkt von 400°C oder mehr
oder Glas, Aluminiumoxid oder Ton- und/oder Steingut
verwendet wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042243A JP2841636B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 白金薄膜形成用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4105635A1 DE4105635A1 (de) | 1991-08-29 |
| DE4105635C2 true DE4105635C2 (de) | 1999-12-02 |
Family
ID=12630590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE4105635A Expired - Fee Related DE4105635C2 (de) | 1990-02-22 | 1991-02-22 | Zusammensetzung, die einen dünnen Platinfilm bildet und Verfahren zur Herstellung eines Platinfilmes |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5100702A (de) |
| JP (1) | JP2841636B2 (de) |
| DE (1) | DE4105635C2 (de) |
| FR (1) | FR2658535B1 (de) |
| GB (1) | GB2248634B (de) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526431B2 (ja) * | 1991-03-07 | 1996-08-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 抵抗体およびその製造方法 |
| JP3491021B2 (ja) * | 1997-11-26 | 2004-01-26 | 大研化学工業株式会社 | 金属アセチリド化合物を含有した金属組成物、これを用いて金属膜を形成した素材及びその金属膜形成方法 |
| JP3769711B2 (ja) | 1997-11-28 | 2006-04-26 | ローム株式会社 | キャパシタの製法 |
| US6120586A (en) * | 1998-11-13 | 2000-09-19 | Daiken Chemical Co., Ltd. | Metal composition containing metal acetylide, blank having metallic coating formed therewith, and method for forming the metallic coating |
| DE10124426A1 (de) * | 2001-05-18 | 2002-11-28 | Omg Ag & Co Kg | Oberflächenbeschichtung aus schwarzem Platin |
| US7666410B2 (en) * | 2002-12-20 | 2010-02-23 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Delivery system for functional compounds |
| US7582308B2 (en) * | 2002-12-23 | 2009-09-01 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Odor control composition |
| US7794737B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-09-14 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Odor absorbing extrudates |
| US7754197B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-07-13 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Method for reducing odor using coordinated polydentate compounds |
| US7837663B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-11-23 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Odor controlling article including a visual indicating device for monitoring odor absorption |
| US7879350B2 (en) * | 2003-10-16 | 2011-02-01 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Method for reducing odor using colloidal nanoparticles |
| US7678367B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Method for reducing odor using metal-modified particles |
| US7488520B2 (en) | 2003-10-16 | 2009-02-10 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | High surface area material blends for odor reduction, articles utilizing such blends and methods of using same |
| US7438875B2 (en) * | 2003-10-16 | 2008-10-21 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Method for reducing odor using metal-modified silica particles |
| US7141518B2 (en) | 2003-10-16 | 2006-11-28 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Durable charged particle coatings and materials |
| US7582485B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-09-01 | Kimberly-Clark Worldride, Inc. | Method and device for detecting ammonia odors and helicobacter pylori urease infection |
| US7413550B2 (en) * | 2003-10-16 | 2008-08-19 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Visual indicating device for bad breath |
| US8062623B2 (en) * | 2004-10-15 | 2011-11-22 | Velocys | Stable, catalyzed, high temperature combustion in microchannel, integrated combustion reactors |
| US7720639B2 (en) * | 2005-10-27 | 2010-05-18 | General Electric Company | Automatic remote monitoring and diagnostics system and communication method for communicating between a programmable logic controller and a central unit |
| US20070160759A1 (en) * | 2006-01-10 | 2007-07-12 | General Electric Company | Method for coating surfaces exposed to hydrocarbon fluids |
| JP2010539332A (ja) * | 2007-09-13 | 2010-12-16 | ヴェロシス インコーポレイテッド | 多孔質無電解めっき |
| JP5396757B2 (ja) * | 2008-07-08 | 2014-01-22 | 東洋製罐株式会社 | 電子還元層形成用コーティング組成物及び電子還元層を形成する方法 |
| DE102019219615A1 (de) | 2019-12-13 | 2021-06-17 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Herstellungsverfahren für Edelmetall-Elektroden |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2555374A1 (de) * | 1974-12-09 | 1976-06-10 | Air Prod & Chem | Neue platin- und palladiumverbindungen, verfahren zu deren herstellung und verfahren zu deren verwendung |
| GB1535717A (en) * | 1974-12-09 | 1978-12-13 | Air Prod & Chem | Platinum and palladium complexes |
| US4631310A (en) * | 1984-08-20 | 1986-12-23 | Dow Corning Corporation | Platinum (O) alkyne complexes and a method for their preparation |
| JP3772407B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2006-05-10 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像処理装置 |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP2042243A patent/JP2841636B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-19 US US07/656,880 patent/US5100702A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-20 GB GB9103491A patent/GB2248634B/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-21 FR FR919102097A patent/FR2658535B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-22 DE DE4105635A patent/DE4105635C2/de not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| NICHTS ERMITTELT * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2658535B1 (fr) | 1992-12-11 |
| GB2248634A (en) | 1992-04-15 |
| GB2248634B (en) | 1993-08-25 |
| GB9103491D0 (en) | 1991-04-10 |
| US5100702A (en) | 1992-03-31 |
| JPH03247772A (ja) | 1991-11-05 |
| JP2841636B2 (ja) | 1998-12-24 |
| DE4105635A1 (de) | 1991-08-29 |
| FR2658535A1 (fr) | 1991-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE4105635C2 (de) | Zusammensetzung, die einen dünnen Platinfilm bildet und Verfahren zur Herstellung eines Platinfilmes | |
| DE3205421C2 (de) | Zusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung transparenter elektrisch leitender Filme | |
| DE19882125B4 (de) | Direkte Abscheidung von Palladium | |
| DE2655085C2 (de) | ||
| DE2722900A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer eine fluessigkristallschicht homoeotrop orientierenden schicht | |
| DE1621227B2 (de) | Verfahren zur abscheidung einer metallischen aluminiumschicht | |
| DE2722871A1 (de) | Fluessigkristallzelle mit einer isolationsschicht auf siliciumoxidbasis | |
| DE60015710T2 (de) | Lösung zur Herstellung einer aus Nickel bestehenden Metall-Dünnschicht und Verfahren zur Herstellung | |
| DE2441207A1 (de) | Edelmetallhaltige pulver | |
| DE3436024C2 (de) | ||
| DE102004017335B4 (de) | Edelmetallpräparate und Lüsterpräparate für den direkten und indirekten Siebdruck, ihre Verwendung und keramisches Abziehbild | |
| DE2624068C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Feststoffelektrolytkondensators | |
| DE1956408A1 (de) | Maskenverfahren fuer metallische Diffusionsueberzuege | |
| DE4405424C2 (de) | Schwefelorganische Goldverbindungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung derselben | |
| DE1771986A1 (de) | Aluminiumplattierverfahren | |
| DE1957979A1 (de) | Verfahren zum Metallisieren der Oberflaeche eines Keramikkoerpers | |
| DE1665372A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstands | |
| DE2059896A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Emailschicht | |
| DE69924737T2 (de) | Goldpaste und goldene ornamente | |
| DE2161517A1 (de) | Herstellung von Silberpulver | |
| DE3104107C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von lötfähigen Überzügen | |
| DE3814653A1 (de) | Verbessertes nichrom-widerstandselement und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE102007015874A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer porösen Schicht | |
| DE2829917A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen | |
| DE2750805A1 (de) | Verfahren zur herstellung metallhaltiger schichten auf oberflaechen von halbleiterbauelementen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |