DE2722900A1 - Verfahren zur herstellung einer eine fluessigkristallschicht homoeotrop orientierenden schicht - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer eine fluessigkristallschicht homoeotrop orientierenden schichtInfo
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Description
AKTIENGESELISCHAFT " Unser Zeichen
Berlin und München VPA 77 F I 0 5 9 BRD
Verfahren zur Herstellung einer eine Flüssigkristallschicht homöotrop orientierenden Schicht
Die Erfindung "betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer
eine Plus si gier is tall schicht homöotrop orientierenden Schicht
(Orientierungsschicht) auf einem vorzugsweise mit einem leitfähigen
Belag versehenen Substrat.
Die Moleküle einer Flüssigkristallschicht müssen für eine Vielzahl von Anwendungsfällen, "beispielsweise "bei Flüssigkristallanzeigen
mit dynamischer Streuung oder auf der Basis bestimmter Feldeffekte ("DAP-Effekt", "phase-change"-Effekt),
im Ruhezustand senkrecht zur Substratebene ("homöotrop") ausgerichtet sein. Für eine homöotrope Orientierung sind bislang
die verschiedensten Techniken entwickelt worden, die jedoch, wenn sie brauchbare und vor allem auch reproduzierbare Resultate
liefern, relativ kompliziert sind und sich insbesondere für eine Fertigung in größerem*Maßstab nur bedingt
eignen (eine Übersicht über die derzeit praktizierten Orientierungsmethoden ist in der Arbeit v. L.A. Goodman in "RCA
Rev." 25. (1974) 447 enthalten). Daß man trotz intensiver
Bemühungen noch keine wirklich befriedigende Ausrichttechnik gefunden hat, mag damit zusammenhängen, daß die eigentlichen
Orientierungsmechanismen noch nicht richtig verstanden werden und man nach wie vor auf mehr oder weniger plausible Vermutungen
angewiesen ist.
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Les-1 Ode/20.5.77
+
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Wird eine Flüssigkristallschicht elektrisch geschaltet, so muß man außerdem darauf achten, daß die Schicht vor jeglicher
Gleichspannung, die bekanntlich einen Flüssigkristall zersetzt, geschützt ist. Zu diesem Zweck überzieht man die Elektroden
einer Flüssigkristallanzeige in der Regel mit einer Isolationsschicht, da bei praktisch allen Ansteuerungstechniken
gewisse Gleichspannungskomponenten unvermeidlich sind. Ein solcher Überzug hat eine Reihe von Forderungen zu erfüllen:
Er muß über einen sehr hohen elektrischen Widerstand verfügen und einen möglichst gut haftenden, porenfreien Film
bilden; er sollte dabei mechanisch, thermisch und chemisch stabil sein, möglichst viel Licht durchlassen und nicht zuletzt
auch ohne großen Fertigungsaufwand hergestellt werden können. Ideal wäre eine Schicht, die zugleich homöotrop orientiert
und elektrisch isoliert.
Isolationsschichten aus SiOp haben sich bisher am besten bewährt. SiO2 orientiert jedoch, wenn überhaupt, dann nur
plattenparallel ("homogen")· Benötigt man eine homöotrope Molekülausrichtung und wollte man auf das ansonsten so günstige
SiO2 nicht verzichten, so müßte man die SiOp-Oberfläche
silanisieren und/oder die Flüssigkristallschicht mit Orientierungsmitteln versetzen. Ein solches Vorgehen ist recht umständlich
und der Qualität des Flüssigkristalls sicherlich nicht zuträglich. Hinzu kommt eine weitere Schwierigkeit:
Störende Reflexionen an der aus SiO2 und Silanolgruppen bestehenden
Doppelschicht lassen sich nur durch sorgfältige Dickenabstimmung vermeiden.
In der DT-AS 23 13 730 wird eine SiO2- oder TiOg-Schicht
beschrieben, die zwischen der Elektrode und der Trägerplatte liegt und durch eine spezifische Oberflächenbehandlung (Wegätzen
der darüberliegenden Leitschicht) eine homöotrope Orientierung
erhält. Abgesehen davon, daß ein Ä'tzprozeß einen zusätzlichen Arbeitsschritt darstellt, lassen sich die damit
hervorgerufenen Orientierungseffekte auch nicht ohne weiteres
reproduzieren.
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77 P 1 0 5 9 BRD Zweck der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung eines
Verfahrens, mit dem sich auf besonders einfache Weise eine langzeitstabile homöotrop orientierende Schicht herstellen
läßt, die zudem im Bedarfsfall hochisolierend wirkt und ansonsten vergleichbar gute Eigenschaften wie eine SiOp-Schicht
hat. Zur Lösung dieser Aufgabe ist bei einem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäß vorgesehen,
daß zur Erzeugung einer Orientierungsschicht, die im wesentlichen aus (Me2C)3)i_x(SiOy^x mit M© = Al oder Cr
und 0$x si und 1.9*7*2 besteht, zunächst eine organische
Lösung, die die Elemente He und Si in geeignetem Verhältnis zueinander enthält, auf das Substrat gebracht wird und daß
anschließend diese Lösung durch thermische Zersetzung in die Orientierungsschicht überführt wird. Gute Resultate liefern
Mi s ch-Sch ich ten, bei denen also gilt 0<x<1. Dabei empfiehlt
es sich in vielen Fällen, den Mischbereich zu begrenzen, und zwar auf 0 <
χ * 0,8, insbesondere 0 < χ i 0.5, oder auf 0.9* x<
1. Das Siliciumoxid wird im allgemeinen als SiOp vorliegen, es
sind aber auch y-Werte etwas unter 2 und in einzelnen Fällen sogar auch etwas größer als 2 denkbar. Neben den Oxiden ΜβρΟ,
und SiO wird die Schicht häufig noch einen gewissen Anteil an Hydraten haben und zwar vor allem dann, wenn aus dem Siliciumoxid
das ursprünglich enthaltene Wasser nicht vollständig abgespalten worden ist.
Die Lösung läßt sich besonders rationell durch Eintauchen des Substrats oder durch Aufsprühen aufbringen, Der Umstand, daß
beim Tauchverfahren der Träger beidseitig beschichtet wird, wirkt sich insofern günstig aus als das Substrat bei der
anschließenden Wärmebehandlung formstabil bleibt.
In der bereits zitierten Auslegeschrift wird die dortige Zwischenschicht
ebenfalls durch Eintauchen des Substrats in eine Lösung, in der eine Metallverbindung in einem organischen
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Lösungsmittel gelöst ist, und durch anschließendes Tempern erzeugt. Dabei handelt es sich allerdings ausschließlich
um eine Si- bzw. Ti-Verbindung; außerdem führt die Aufbringtechnik
dort noch nicht zu dem gewünschten Orientierungseffekt.
Die auf die vorgeschlagene Weise erzeugten Orientierungsschichten sind sehr stabil und orientieren, wie durch Langzeittests
bestätigt werden konnte, ohne zusätzliche Yorkehrungen dauerhaft horaöotrop. Dies gilt überraschenderweise
auch für MepO,-SiO -Schichten mit einem nur geringen
i G# AIO bi d
Me2P,-Anteil, beispielsweise wenigen Gew# AIgO,, bei denen
man allenfalls eine schichtenparallele Molekülausrichtung erwartet hätte. Diese Pestkörperschichten sind außerdem
praktisch frei von störenden pin-holes und schützen somit die Flüssigkristallschicht besonders wirkungsvoll vor einer
chemischen oder elektrolytischen Zersetzung. Hinzu kommt ein weiterer, nicht zu unterschätzender Vorteil: Die Schichten
lassen sich auch auf großflächige Unterlagen bequem und einwandfrei aufbringen und können - anders als etwa reine SiOp-Überzüge
- durch geeignete Zusammensetzung der Lösung in relativ weiten Grenzen an ihre Partner thermisch und optisch
angepaßt werden.
Besonders geeignete Ausgangslösungen für das vorgeschlagene Verfahren sind in den Patentansprüchen 4-8 angegeben.
Die Erfindung soll nun an Hand eines besonders bevorzugten Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher
erläutert werden.
Die einzige Figur der Zeichnung zeigt in einem schematisierten Seitenschnitt eine Ziffernanzeige vom dynamisch streuenden Typ.
Das Display besteht im. Einzelnen aus zwei Trägerplatten 1,2,
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die durch einen umlaufenden Rahmen 3 in einem vorgegebenen Abstand voneinander gehalten werden. Die vom Rahmen und den
beiden Trägerplatten begrenzte Kammer ist mit einer Flüssigkristallsubstanz 4 gefüllt. Beide Trägerplatten sind auf
ihren einander zugewandten Flächen mit leitfähigen Belägen versehen (durchgehende Rückelektrode 6, segmentierte Vorderelektrode
7) und zusätzlich mit einer Isolationsschicht 8,9 überzogen. Im vorliegenden Fall bestehen die beiden Trägerplatten
aus Weichglas, der Rahmen aus einem niederschmelzenden Glaslot, die leitfähigen Beläge aus antimondotiertem
Zinnoxid und die Isolationsschichten aus Siliciumdioxid mit ca. 7 Gew# Aluminiumoxidzusatz. Die Schichten können allgemein
zwischen 300 Si und 3000 i dick sein. Besonders günstig ist ein
Dickenbereich zwischen 1500 1 und 2000 Ä.
Die Isolationsschichten sind folgendermaßen hergestellt worden: Die bereits mit den fertigen Elektroden versehenen Trägerplatten
wurden in eine Lösung mit einem Ester aus einer organischen Säure mit einem Alkohol als Lösungsmittel und
einer darin gelösten Si/Al-organischen Verbindung eingetaucht
und mit einer konstanten Geschwindigkeit wieder herausgezogen (die Ziehgeschwindigkeit und die Konzentration im Ester bestimmen
die Dicke der fertigen Schicht). Die so beschichteten Trägerplatten wurden dann bei Temperaturen von 1800C 10 Minuten
getrocknet und hiernach 30 Minuten lang einer Temperatur von etwa 5000C ausgesetzt. Während des Einbrennens wurden zugleich
die beiden Trägerplatten durch Endverglasung des Rahmens miteinander verfestigt.
Die erforderliche Pyrolyse läßt sich in einem relativ breiten Temperaturbereich (zwischen ca. 1000C und 55O0C) herbeiführen.
Die günstigsten Brenntemperaturen liegen allerdings bei 4000C
bis 5000C, da mit wachsenden Prozesstemperaturen das Schichtengefüge
noch fester wird und auch auf rauhen, mit Fehlern versehenen Unterlagen einen einwandfreien Überzug bildet.
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Die Erfindung beschränkt sich nicht auf das dargestellte Ausführungsbeispiel.
So bleibt es dem Fachmann im Rahmen der vorliegenden Erfindung überlassen, aus den vorgeschlagenen
Schichtenbestandteilen diejenige Zusammensetzung zu ermitteln, die bei den jeweiligen Bedingungen des Einzelfalles
am geeignetsten ist. Dabei ist es bei einer Flüssigkristallanzeige nicht immer erforderlich, die Innenflächen beider
Trägerplatten mit einer Orientierungsschicht zu bedecken, da die Flüssigkristallsubstanz auch schon dann vor einem Gleichstromdurchfluß
geschützt ist, wenn nur die eine Elektrode mit der Isolationsschicht überzogen ist. In diesem Fall müßte dann
auf andere Weise für die Molekülorientierung an der orientierungsschichtfreien Grenzfläche gesorgt werden. Schließlich
ist es auch denkbar, die Orientierungsschicht auf ein elektrodenfreies
Substrat aufzubringen, beispielsweise bei Flüssigkristalldisplays, bei denen der Darstellungskontrast durch
thermische Ansteuerung erzeugt wird.
10 Patentansprüche
1 Figur
1 Figur
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Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung einer eine Flüssigkristallschicht
homöotrop orientierenden Schicht (Orientierungsschicht) auf einem vorzugsweise mit einem leitfähigen Belag versehenen
Substrat, dadurch gekennzeichnet , daß zur Erzeugung einer Orientierungsschicht, die im wesentlichen
aus (Me9O,)., _(SiO ) mit Me = Al oder Cr und Oi x<
1 und 1.9^7*2 besteht, zunächst eine organische Lösung, die die
Elemente Me und Si in geeignetem Verhältnis zueinander enthält, auf das Substrat gebracht wird und daß anschließend
diese Lösung durch thermische Zersetzung in die Orientierungsschicht überführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet , daß das Aufbringen der organischen Lösung
durch Eintauchen des Substrats in diese Lösung erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet
, daß das Aufbringen der organischen Lösung durch Aufsprühen erfolgt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Lösung als Lösungsmittel
Ester niederer Alkohole mit niederen Carbonsäuren und/oder niedere Alkohole enthält.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Lösung die Elemente Me
und Si als reine Verbindungen mit einer niederen Mono- und/oder Dicarbonsäure enthält.
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ORIGINAL INSPECTED
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet , daß die Lösung die Elemente Me und Si als Metallhalogenide enthält, deren Anionen teilweise
durch die Säurereste von niederen Mono- und/oder Dicarbonsäuren substituiert sind.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Lösung die Elemente Me
und Si als Metallhalogenide enthält, deren Anionen wenigstens teilweise durch die Säurereste von niederen Mono- und/oder
Dicarbonsäuren und durch Hydroxyl- und/oder Alkoholatreste
niederer Alkohole substituiert sind.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet , daß die Moleküle der niederen
Carbonsäuren bzw. niederen Alkohole höchstens viergliedrige Kohlenstoffketten enthalten.
9. Nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 hergestellte Orientierungsschicht, gekennzeichnet
durch ihre Verwendung in einer Flüssigkristallanzeige.
10.Flüssigkristallanzeige mit einer Flüssigkristallschicht
zwischen zwei Trägerplatten, die auf ihren einander zugewandten Flächen (Innenflächen) jeweils einen leitfähigen Belag tragen,
wobei der leitende Belag beider Trägerplatten segmentiert ist, dadurch gekennzeichnet , daß beide
Trägerplatten (1,2) auf ihren Innenflächen zusätzlich mit einer nach einem der Ansprüche 1 bis 8 hergestellten Orientierungsschicht
(8,9) versehen sind.
8098A 7/0521
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