JPH03247772A - 白金薄膜形成用組成物 - Google Patents
白金薄膜形成用組成物Info
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- JPH03247772A JPH03247772A JP2042243A JP4224390A JPH03247772A JP H03247772 A JPH03247772 A JP H03247772A JP 2042243 A JP2042243 A JP 2042243A JP 4224390 A JP4224390 A JP 4224390A JP H03247772 A JPH03247772 A JP H03247772A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/08—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
- C07F15/0086—Platinum compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は新規な白金薄膜形成用組成物、詳しくは、熱分
解により金属白金が生成する如き有機白金錯化合物を含
有する白金薄膜形成用組成物の改良に関するものである
。
解により金属白金が生成する如き有機白金錯化合物を含
有する白金薄膜形成用組成物の改良に関するものである
。
本発明の組F3y、?Iは基板上に金属白金の薄膜から
なる装飾を施したり、或いは基板上に金属白金の薄膜か
らなる各椎電気、電子回路を形成させる為に、或いは基
板上に金属白金の薄膜からなる各種電極を形成させる為
に用いることができる。
なる装飾を施したり、或いは基板上に金属白金の薄膜か
らなる各椎電気、電子回路を形成させる為に、或いは基
板上に金属白金の薄膜からなる各種電極を形成させる為
に用いることができる。
「従来の技術」
基板上に金属白金の薄膜を形成させる方法として主成分
が硫化バルサムとハロゲン化白金の反応物から成る水白
金と呼ばれる白金ペーストを基板に塗布し加熱する方法
が従来から知られている。
が硫化バルサムとハロゲン化白金の反応物から成る水白
金と呼ばれる白金ペーストを基板に塗布し加熱する方法
が従来から知られている。
また、別の白金ペーストとして、特開昭64−177号
公報には白金アルキルメルカプチドを、特開昭64−1
78号公報には白金ピネンメルカプチドを、更に特開昭
64−179号公報には、白金精油メルカプチドを含有
する組成物が記載されている。
公報には白金アルキルメルカプチドを、特開昭64−1
78号公報には白金ピネンメルカプチドを、更に特開昭
64−179号公報には、白金精油メルカプチドを含有
する組成物が記載されている。
1だ、特開昭51−86451号公報には、溶液状のビ
ス(シス、シス−シクロオクタ−1,5−ジエン)白金
を担体く塗布し、ついで、該担体を加熱してビス(シス
、シスーシクロオクター1.5−ジエン)白金を分解し
担体上に金属白金を沈着させる方法が記載されている。
ス(シス、シス−シクロオクタ−1,5−ジエン)白金
を担体く塗布し、ついで、該担体を加熱してビス(シス
、シスーシクロオクター1.5−ジエン)白金を分解し
担体上に金属白金を沈着させる方法が記載されている。
また、同公報には下記一般式[11]
%式%)
[]
は置換オレフィンのようなオレフィン系又はアセチレン
系2型結合又は3束結合を少なくとも1個有する化合物
を表す。) で示される有機白金錯化合Wを担体に塗布し、ついでこ
の担体を加熱して上記一般式[11]で表される化合物
を分解することにより、担体上に金属白金を沈着させる
方法が記載されている。
系2型結合又は3束結合を少なくとも1個有する化合物
を表す。) で示される有機白金錯化合Wを担体に塗布し、ついでこ
の担体を加熱して上記一般式[11]で表される化合物
を分解することにより、担体上に金属白金を沈着させる
方法が記載されている。
「発明が解決しようとする課題」
基板上に金属白金の薄膜を形成させる方法として、前記
の主成分が硫化バルサムとノ・ロゲン化白金の反応物か
ら成るペーストを用いる方法では、該ペースト中に硫黄
原子やノ・ロゲン原子が多量に會ま扛ている為、塗膜を
加熱する際に硫黄酸化物やノ・ロゲンやハロゲン化水素
等の腐食性ガスを多量に発生し、焼成炉や既に基盤上に
銀等の腐食さ扛やすい金属の薄膜が形成さ扛ている場合
には、その薄膜をも腐食する欠点を有している。
の主成分が硫化バルサムとノ・ロゲン化白金の反応物か
ら成るペーストを用いる方法では、該ペースト中に硫黄
原子やノ・ロゲン原子が多量に會ま扛ている為、塗膜を
加熱する際に硫黄酸化物やノ・ロゲンやハロゲン化水素
等の腐食性ガスを多量に発生し、焼成炉や既に基盤上に
銀等の腐食さ扛やすい金属の薄膜が形成さ扛ている場合
には、その薄膜をも腐食する欠点を有している。
前記、特開昭64−177号公報記載の方法、特開昭6
4−178号公報記載の方法及び特開昭64−179号
公報記載の方法は全て白金源とする化合物中に硫黄原子
を含み、やはり塗膜を加熱する際に腐食性の硫黄酸化物
を多量に発生する欠点を有している。
4−178号公報記載の方法及び特開昭64−179号
公報記載の方法は全て白金源とする化合物中に硫黄原子
を含み、やはり塗膜を加熱する際に腐食性の硫黄酸化物
を多量に発生する欠点を有している。
前記、特開昭5j−86451号公報記載の、溶液状の
ビス(シス、シス−シクロオクタ−1,5−ジエン)白
金を担体に塗布し、ついで、該担体を加熱してビス(シ
ス、シス−シクロオクタ1.5−ジエン)白金を分解し
担体上に白金を沈着させる方法ではビス(シス1 シス
−シクロオクタ−1,5−ジエン)白金の溶媒に対する
醇解度が低い為、高濃度のペーストが得られない。
ビス(シス、シス−シクロオクタ−1,5−ジエン)白
金を担体に塗布し、ついで、該担体を加熱してビス(シ
ス、シス−シクロオクタ1.5−ジエン)白金を分解し
担体上に白金を沈着させる方法ではビス(シス1 シス
−シクロオクタ−1,5−ジエン)白金の溶媒に対する
醇解度が低い為、高濃度のペーストが得られない。
その為、白金の含量を高めるのに限界があり、白金膜の
厚さが制限され、また、塗布性や白金膜と基板との密着
性等を向上させる為の添加物の選択や添加量が著しく制
限される。また、同公報記載の前記一般式[■]で示さ
しる化合物を担体に塗布し、ついでとの担体を加熱して
前記一般式[11]で示さ汎る化合物を分解することに
より、担体上に白金を沈着させる方法では、前記一般式
[11]で示される化合物が不安定であるので一定品質
のペーストが得ら扛ない。まだ、1m 公fet 中に
は、ビス(シス、シス−シクロオクタ−1,5−ジエン
)白金及び前記一般式[■]で示される白金化合物の溶
解性に関する記載がなく、更に、熱分解させることに依
って金属白金の薄膜を形成させる前記白金化合物を官有
するペーストに関しては全く記載さnていない。
厚さが制限され、また、塗布性や白金膜と基板との密着
性等を向上させる為の添加物の選択や添加量が著しく制
限される。また、同公報記載の前記一般式[■]で示さ
しる化合物を担体に塗布し、ついでとの担体を加熱して
前記一般式[11]で示さ汎る化合物を分解することに
より、担体上に白金を沈着させる方法では、前記一般式
[11]で示される化合物が不安定であるので一定品質
のペーストが得ら扛ない。まだ、1m 公fet 中に
は、ビス(シス、シス−シクロオクタ−1,5−ジエン
)白金及び前記一般式[■]で示される白金化合物の溶
解性に関する記載がなく、更に、熱分解させることに依
って金属白金の薄膜を形成させる前記白金化合物を官有
するペーストに関しては全く記載さnていない。
本発明は上記従来技術の問題点を改良したものであって
、塗膜の加熱に依って均一で連続した白金薄膜が得られ
、且つ、ハロゲン原子や硫黄原子等の腐食性ガスを発生
する原因となる不都合な原子を含まない白金薄膜形成用
組成物を提供しようとするものである。
、塗膜の加熱に依って均一で連続した白金薄膜が得られ
、且つ、ハロゲン原子や硫黄原子等の腐食性ガスを発生
する原因となる不都合な原子を含まない白金薄膜形成用
組成物を提供しようとするものである。
「課題を解決する為の手段」
本発明の白金薄膜形成用組成物は下記一般式[1]
%式%[]
基又は4・−メトキシフェニル基を表1〜、R’と几2
は互いに同一であるか又は異なっている。)で示される
有機白金錯化合物と有機溶媒からなることを特徴とする
。
は互いに同一であるか又は異なっている。)で示される
有機白金錯化合物と有機溶媒からなることを特徴とする
。
本発明に用いら扛る上記一般式EIiEで示される化合
物は例えば、J、 C,S、 Dal ton、 19
802170〜2181に記載の方法で、即ち、石油エ
テル等の不活性溶媒中でビス(シス、シス−シクロオク
タ−1,5−ジエン)白金と該化合物に対して2倍モル
以上の前記一般式[1]中の基:R1−C:=C−R’
(几1及びWは前記に同じ)で示されるアセチレン化
合物を反応させることに依って得らnる。
物は例えば、J、 C,S、 Dal ton、 19
802170〜2181に記載の方法で、即ち、石油エ
テル等の不活性溶媒中でビス(シス、シス−シクロオク
タ−1,5−ジエン)白金と該化合物に対して2倍モル
以上の前記一般式[1]中の基:R1−C:=C−R’
(几1及びWは前記に同じ)で示されるアセチレン化
合物を反応させることに依って得らnる。
本発明の組成物に用いられる前記一般式口1」で表さ扛
る化合物の例としては1、 ビスロジフェニルアセチレン]白金 ビス[ジ(4−71チルフエニル)アセチレン」白金 ビス[ジ(4−メトキシフェニル)アセチレンロ白金 ビス[4−メチルフ℃ニルフェニルアセチレン]白金 ビス[4−メトキシフェニルフェニルアセチレン]白金 等が掲げられる。
る化合物の例としては1、 ビスロジフェニルアセチレン]白金 ビス[ジ(4−71チルフエニル)アセチレン」白金 ビス[ジ(4−メトキシフェニル)アセチレンロ白金 ビス[4−メチルフ℃ニルフェニルアセチレン]白金 ビス[4−メトキシフェニルフェニルアセチレン]白金 等が掲げられる。
本発明の組成物VCは、こnら化合物の2種又はそれ以
上を混合して用いることも可能である。
上を混合して用いることも可能である。
本発明の組成物に用いられる有機溶媒の例としては、メ
チルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢
酸エチル、酢酸ベンジル等のエステル類、ジオキサン、
セロソルブ等のエテル類、ブタノール、シクロヘキサノ
ール等のアルコール類、トルエン、キシレン等の炭化水
累類、ニトロベンゼン等のニトロ置換炭化水素類、ピネ
ン、テルピネオール等のテルペン類、ラベンダー油、ア
マニ油、ローズマリー油等の精油類及びこれらの混合物
が掲けられる。
チルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢
酸エチル、酢酸ベンジル等のエステル類、ジオキサン、
セロソルブ等のエテル類、ブタノール、シクロヘキサノ
ール等のアルコール類、トルエン、キシレン等の炭化水
累類、ニトロベンゼン等のニトロ置換炭化水素類、ピネ
ン、テルピネオール等のテルペン類、ラベンダー油、ア
マニ油、ローズマリー油等の精油類及びこれらの混合物
が掲けられる。
本発明の組成物は、上記化合物と上記有機溶媒とを混合
することに依って溶液として容易に得られる。
することに依って溶液として容易に得られる。
前記一般式[1]で表さnる化合物と上記有機溶媒の混
合比率は、前記一般式[I]で表さ扛る化合物1重量部
に対し上記溶媒CL1〜100重量部の範囲が好ましい
。
合比率は、前記一般式[I]で表さ扛る化合物1重量部
に対し上記溶媒CL1〜100重量部の範囲が好ましい
。
本発明の好ましい組成物としては室温において前記一般
式[I]で表される化合物を均一に溶解する有機溶媒及
び混合比率を採用するのが良く、本発明の組成物は通常
の塗布方法例えば、刷毛法、スクリーン印刷法、凸版印
刷法、凹版印刷法、平版印刷法、オフセット印刷法、浸
漬法等に適用することができる。これら塗布方法に適合
するような、また、用いられる加熱条件に適合するよう
な組成物を得る為に、前記一般式[1]の化合物の種類
及び前記溶媒の種類と量が選はれ、そして組成物に適度
の粘度と濃度が与えられる。
式[I]で表される化合物を均一に溶解する有機溶媒及
び混合比率を採用するのが良く、本発明の組成物は通常
の塗布方法例えば、刷毛法、スクリーン印刷法、凸版印
刷法、凹版印刷法、平版印刷法、オフセット印刷法、浸
漬法等に適用することができる。これら塗布方法に適合
するような、また、用いられる加熱条件に適合するよう
な組成物を得る為に、前記一般式[1]の化合物の種類
及び前記溶媒の種類と量が選はれ、そして組成物に適度
の粘度と濃度が与えられる。
本発明の組成物は通常の基板、例えば、各種ガラス、ア
ルミナ、陶磁器等のセラミックス基板及び、各種金属基
板等に適用することができる。
ルミナ、陶磁器等のセラミックス基板及び、各種金属基
板等に適用することができる。
本発明の組成物の塗膜を、加熱時の最高温度として前記
一般式Ell T’& M ” S化合物の分解温度以
上となるように、そして該温度での加熱時間が1分〜6
0分であるように、好ましくは、最高温度が400℃〜
900℃で5分〜60分加熱することに依って基板上に
金属白金の薄膜を形成させることができる。
一般式Ell T’& M ” S化合物の分解温度以
上となるように、そして該温度での加熱時間が1分〜6
0分であるように、好ましくは、最高温度が400℃〜
900℃で5分〜60分加熱することに依って基板上に
金属白金の薄膜を形成させることができる。
「作用」
本発明の組成物中の前記一般式[I]で表される有機白
金錯化合物は、比較的高温においても安定であり、前記
溶媒に対し高い溶解性を示す。
金錯化合物は、比較的高温においても安定であり、前記
溶媒に対し高い溶解性を示す。
従って、本発明の組成物を基板上に塗布し加熱すると、
溶媒が殆ど無くなった状態においてもなおかつ高粘度液
状の薄膜状態を保ち、該状態が前記一般式「!」の化合
物の分解終了近くまで維持されることに依って均一で連
続した白金薄膜が形成されると考えられる。
溶媒が殆ど無くなった状態においてもなおかつ高粘度液
状の薄膜状態を保ち、該状態が前記一般式「!」の化合
物の分解終了近くまで維持されることに依って均一で連
続した白金薄膜が形成されると考えられる。
また、本発明の組成物中の前記一般式[1]で表される
有機白金錯化合物は、加熱しても昇華しない。従って、
塗布さ扛た組成物に含まnる白金と同重量の白金薄膜を
形成させることができる。
有機白金錯化合物は、加熱しても昇華しない。従って、
塗布さ扛た組成物に含まnる白金と同重量の白金薄膜を
形成させることができる。
前記一般式[1]で表される有機白金錯化合物1重量部
に対する前記溶媒の含量が0.1重量部未満の組成物で
は、高粘度となり充分な塗布性が得ら扛ない。
に対する前記溶媒の含量が0.1重量部未満の組成物で
は、高粘度となり充分な塗布性が得ら扛ない。
前記一般式[I]で表される有機白金錯化合物1重量部
に対する前記溶媒の含量が100重普重金越えた組成物
は、基板に塗布後注意深く加熱すれば濃縮されるので基
本的には問題は無いが、作業性が悪くなるので好ましく
ない。又、金属白金含量が低い為、形成される薄膜が薄
くなりすぎ、亀裂が入りやすくなる。
に対する前記溶媒の含量が100重普重金越えた組成物
は、基板に塗布後注意深く加熱すれば濃縮されるので基
本的には問題は無いが、作業性が悪くなるので好ましく
ない。又、金属白金含量が低い為、形成される薄膜が薄
くなりすぎ、亀裂が入りやすくなる。
「実施例及び比較例」
(実施例−1)
ビス[シフ1ニルアセチレンコ白金11にテルピネオー
ルα52を室温において添加したところ均一溶液が得ら
nた。該溶液を刷毛でガラス基板上に塗布し、次いで該
基板を室温〜400℃まで約15分かけて昇温し、その
後400℃で15分焼成した。その結果、ガラス基板の
うち塗布された部分全体に均一に密着性の高い滑らかな
鏡面状の金属白金薄膜が形成された。
ルα52を室温において添加したところ均一溶液が得ら
nた。該溶液を刷毛でガラス基板上に塗布し、次いで該
基板を室温〜400℃まで約15分かけて昇温し、その
後400℃で15分焼成した。その結果、ガラス基板の
うち塗布された部分全体に均一に密着性の高い滑らかな
鏡面状の金属白金薄膜が形成された。
(実施例−2)
ビス[ジフェニルアセチレン]白金12にテルピネオー
ル802を室温において添加したところ均一溶液が得ら
れた。該溶液を刷毛でガラス基板上に塗布し、次いで該
基板を室温〜400℃まで約30分かけて昇温し、その
後400℃で15分焼成した。その結果、ガラス基板の
うち塗布さ扛た部分全体に均一に密着性の高い滑らかな
鏡面状の金属白金薄膜が形成された。
ル802を室温において添加したところ均一溶液が得ら
れた。該溶液を刷毛でガラス基板上に塗布し、次いで該
基板を室温〜400℃まで約30分かけて昇温し、その
後400℃で15分焼成した。その結果、ガラス基板の
うち塗布さ扛た部分全体に均一に密着性の高い滑らかな
鏡面状の金属白金薄膜が形成された。
(実施例−3)
ビス[ジフェニルアセチレン]白金1PKテルピネオー
ルα52を室温において添加したところ均一溶液が得ら
れた。該溶液を刷毛でアルミナ基板上に塗布し、次いで
該基板を室温〜800℃まで約60分かけて昇温し、そ
の後800℃で10分焼成した。その結果、ガラス基板
のうち塗布された部分全体に均一に密着性の高い滑らか
な金属白金薄膜が形成された。
ルα52を室温において添加したところ均一溶液が得ら
れた。該溶液を刷毛でアルミナ基板上に塗布し、次いで
該基板を室温〜800℃まで約60分かけて昇温し、そ
の後800℃で10分焼成した。その結果、ガラス基板
のうち塗布された部分全体に均一に密着性の高い滑らか
な金属白金薄膜が形成された。
(実施例−4)
ビス[ジフェニルアセチレン]白金12にトルエン0.
57を室温において添加したところ均一溶液が得ら扛た
。該溶液全刷毛でアルミナ基板上に塗布し、次いで該基
板を室温〜800℃まで約30分かけて昇温し、その後
800℃で10分焼成した。その結果、ガラス基板のう
ち塗布さ扛た部分全体に均一に密着性の高い滑らかな金
属白金薄膜が形成さnだ。
57を室温において添加したところ均一溶液が得ら扛た
。該溶液全刷毛でアルミナ基板上に塗布し、次いで該基
板を室温〜800℃まで約30分かけて昇温し、その後
800℃で10分焼成した。その結果、ガラス基板のう
ち塗布さ扛た部分全体に均一に密着性の高い滑らかな金
属白金薄膜が形成さnだ。
(比較例−1)
実施例−1と同様にビス[ジフェニルアセチレン」白金
のかわりに、ビス[シス、シス−シクロオクタ−1,5
−ジエン]白金1yにテルピネオール0.52を室温に
おいて添加したが殆ど溶解しなかった。そこで、テルピ
ネオール75.52を追加し均一溶液とした。けnども
、該溶液を刷毛でガラス基板上に塗布し、該基板を室温
〜400℃まで約30分かけて昇温したところ、約10
0℃まで昇温した時点で褐色の粉状物が析出して不均一
な状態となった。更に、400℃で15分焼成したがガ
ラス基板上に細かな粉状の金属白金が生成さnたのみで
あジ、金属白金の薄膜は形成されなかった。
のかわりに、ビス[シス、シス−シクロオクタ−1,5
−ジエン]白金1yにテルピネオール0.52を室温に
おいて添加したが殆ど溶解しなかった。そこで、テルピ
ネオール75.52を追加し均一溶液とした。けnども
、該溶液を刷毛でガラス基板上に塗布し、該基板を室温
〜400℃まで約30分かけて昇温したところ、約10
0℃まで昇温した時点で褐色の粉状物が析出して不均一
な状態となった。更に、400℃で15分焼成したがガ
ラス基板上に細かな粉状の金属白金が生成さnたのみで
あジ、金属白金の薄膜は形成されなかった。
(比較例−2)
実施例−4と同様にビス[シフ1ニルアセチレン]白金
のかわシに、ビス[シス、シス−シクロオクタ−1,5
−ジエン]白金12にトルエン0.5fを室温において
添加したが殆ど溶解しなかった。そこで、トルエン75
.5rを追加し均一溶液とした。けれども、該溶液を刷
毛でガラス基板上に塗布し、該基板を室温〜400℃ま
で約30分かけて昇温したところ、約80℃まで昇温し
た時点で褐色の粉状物が析出して不均一な状態となった
。更に、400℃で15分焼成したがガラス基板上に細
かな粉状の金属白金が生成されだのみであり、金属白金
の薄膜は形成されなかった。
のかわシに、ビス[シス、シス−シクロオクタ−1,5
−ジエン]白金12にトルエン0.5fを室温において
添加したが殆ど溶解しなかった。そこで、トルエン75
.5rを追加し均一溶液とした。けれども、該溶液を刷
毛でガラス基板上に塗布し、該基板を室温〜400℃ま
で約30分かけて昇温したところ、約80℃まで昇温し
た時点で褐色の粉状物が析出して不均一な状態となった
。更に、400℃で15分焼成したがガラス基板上に細
かな粉状の金属白金が生成されだのみであり、金属白金
の薄膜は形成されなかった。
「発明の効果」
本発明の組成物によnば、こ7″l−をセラミックスや
金属の基板に通常の方法で塗布し、通常の方法で加熱す
ることに依って、密着性の高い均一で連続した金属白金
から成る薄膜が基板上に形成される。
金属の基板に通常の方法で塗布し、通常の方法で加熱す
ることに依って、密着性の高い均一で連続した金属白金
から成る薄膜が基板上に形成される。
特に本発明の組成物中には硫黄原子やノ・ロゲン原子が
含まnておらず、熱分解時硫黄酸化物やハロゲンやハロ
ゲン化水素等の腐食性ガスが発生しないので、銀等の腐
食さ扛やすい金属の薄膜が形成さ扛た基板上にも更に金
属白金の均一で連続した薄膜全形成させることができる
。
含まnておらず、熱分解時硫黄酸化物やハロゲンやハロ
ゲン化水素等の腐食性ガスが発生しないので、銀等の腐
食さ扛やすい金属の薄膜が形成さ扛た基板上にも更に金
属白金の均一で連続した薄膜全形成させることができる
。
また、焼成炉を腐食したり、周囲の環境を汚染すること
もない。
もない。
更に、本発明の組成物は加熱しても昇華により白金金属
が失わ牡ることかないので、経隣的に有利であり、また
、一定寸法、一定厚の白金薄膜が容易に得られる。
が失わ牡ることかないので、経隣的に有利であり、また
、一定寸法、一定厚の白金薄膜が容易に得られる。
本発明の組成物及び本発明の組成物を含むペースト組成
物は、基板上に金属白金の薄膜からなる装飾を施したシ
、或いは基板上に金属白金の薄膜からなる各種電気、電
子回路を形成させる為に、或いは基板上に金属白金の薄
膜からなる各種電極を形成させるのに特に有用である。
物は、基板上に金属白金の薄膜からなる装飾を施したシ
、或いは基板上に金属白金の薄膜からなる各種電気、電
子回路を形成させる為に、或いは基板上に金属白金の薄
膜からなる各種電極を形成させるのに特に有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式[ I ] Pt(R^1−C≡C−R^2)_2………………[
I ](R^1及びR^2はフェニル基、4−メチルフェ
ニル基又は4−メトキシフェニル基を表し、R^1とR
^2は互いに同一であるか、又は異なっている。)で示
される有機白金錯化合物と有機溶媒からなる白金薄膜形
成用組成物。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2042243A JP2841636B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 白金薄膜形成用組成物 |
US07/656,880 US5100702A (en) | 1990-02-22 | 1991-02-19 | Thin platinum film-forming composition |
GB9103491A GB2248634B (en) | 1990-02-22 | 1991-02-20 | A method of forming a platinum film on a heat-resistant substrate |
FR919102097A FR2658535B1 (fr) | 1990-02-22 | 1991-02-21 | Composition et procede pour la formation d'une couche mince de platine. |
DE4105635A DE4105635C2 (de) | 1990-02-22 | 1991-02-22 | Zusammensetzung, die einen dünnen Platinfilm bildet und Verfahren zur Herstellung eines Platinfilmes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2042243A JP2841636B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 白金薄膜形成用組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03247772A true JPH03247772A (ja) | 1991-11-05 |
JP2841636B2 JP2841636B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=12630590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2042243A Expired - Fee Related JP2841636B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 白金薄膜形成用組成物 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5100702A (ja) |
JP (1) | JP2841636B2 (ja) |
DE (1) | DE4105635C2 (ja) |
FR (1) | FR2658535B1 (ja) |
GB (1) | GB2248634B (ja) |
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DE10124426A1 (de) * | 2001-05-18 | 2002-11-28 | Omg Ag & Co Kg | Oberflächenbeschichtung aus schwarzem Platin |
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1990
- 1990-02-22 JP JP2042243A patent/JP2841636B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-19 US US07/656,880 patent/US5100702A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-20 GB GB9103491A patent/GB2248634B/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-21 FR FR919102097A patent/FR2658535B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-22 DE DE4105635A patent/DE4105635C2/de not_active Expired - Fee Related
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