JPH04254487A - 金膜形成方法 - Google Patents
金膜形成方法Info
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- JPH04254487A JPH04254487A JP3799891A JP3799891A JPH04254487A JP H04254487 A JPH04254487 A JP H04254487A JP 3799891 A JP3799891 A JP 3799891A JP 3799891 A JP3799891 A JP 3799891A JP H04254487 A JPH04254487 A JP H04254487A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は導電性を有する金属金の
膜を基材上に形成させる方法に関する。電子計算機やフ
ァクシミリ等から出力して印字させる騒音の小さな感熱
式印字機において、感熱部には高温下でも耐え得る安定
な電気回路が必要である。この部分には安定な金属金が
導電体として用いられている。本発明による金属金の膜
はこの電気回路用に用いられる。
膜を基材上に形成させる方法に関する。電子計算機やフ
ァクシミリ等から出力して印字させる騒音の小さな感熱
式印字機において、感熱部には高温下でも耐え得る安定
な電気回路が必要である。この部分には安定な金属金が
導電体として用いられている。本発明による金属金の膜
はこの電気回路用に用いられる。
【0002】
【従来の技術】高温で長時間使用しても安定に保つこと
ができる電気回路用の金インクとしては、従来から無機
の硫化金化合物等を分散させたものが使われている。そ
の金インクで回路を印刷し、焼成することにより、比較
的簡便に電気回路が作製できる。ところでこの金インク
による方法では無機の金属金の微粒子がつながって回路
上に金膜が形成した形態となり、金属金の微粒子間の接
触によって導電性を与えるため、電気回路に必要な導電
性を得るのに膜厚は8〜25μが必要である。そのため
厚膜法と呼ばれる。
ができる電気回路用の金インクとしては、従来から無機
の硫化金化合物等を分散させたものが使われている。そ
の金インクで回路を印刷し、焼成することにより、比較
的簡便に電気回路が作製できる。ところでこの金インク
による方法では無機の金属金の微粒子がつながって回路
上に金膜が形成した形態となり、金属金の微粒子間の接
触によって導電性を与えるため、電気回路に必要な導電
性を得るのに膜厚は8〜25μが必要である。そのため
厚膜法と呼ばれる。
【0003】一般的に有機金化合物は有機溶媒への溶解
性が極端に悪く、また工業的に電気回路形成用のペース
トに使われる溶媒であるテルペン系のオイルに溶けるも
のは、知られていない。米国特許第3163665号に
は金メルカプチド化合物が記載されているが、その溶解
性は充分に高いものではない。
性が極端に悪く、また工業的に電気回路形成用のペース
トに使われる溶媒であるテルペン系のオイルに溶けるも
のは、知られていない。米国特許第3163665号に
は金メルカプチド化合物が記載されているが、その溶解
性は充分に高いものではない。
【0004】ジャーナル オブ ザ エレクトロ
ケミカル ソサイエティ(J.Electroche
m.Soc.) 137,252(1990)にはジメ
チル(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンディオネ
イト)金化合物を加熱してその分解点を測定したことが
記載されているが、その分解物の導電性については言及
されていない。また、この化合物のテトラヒドロフラン
(THF)またはメチルエチルケトン(MEK)溶液に
UV照射してこの溶液から金の微粒子を生成させる方法
が記載されているが、膜状の導電体については言及され
ていない。
ケミカル ソサイエティ(J.Electroche
m.Soc.) 137,252(1990)にはジメ
チル(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンディオネ
イト)金化合物を加熱してその分解点を測定したことが
記載されているが、その分解物の導電性については言及
されていない。また、この化合物のテトラヒドロフラン
(THF)またはメチルエチルケトン(MEK)溶液に
UV照射してこの溶液から金の微粒子を生成させる方法
が記載されているが、膜状の導電体については言及され
ていない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】金メルカプチド化合物
の金インクを利用すれば貴重な資源である金の使用量を
減らすことはできるが、しかし、金硫黄化合物の原料で
ある硫黄化合物やメルカプタン類は一般に非常な悪臭を
もち、製造や焼成の作業に支障をきたす。また金硫黄化
合物を焼いて膜を形成させると、このとき強酸性の二酸
化硫黄が副生して高温の電気炉を損傷し、また有毒な二
酸化硫黄は大気中へ放出されて環境を汚染している。
の金インクを利用すれば貴重な資源である金の使用量を
減らすことはできるが、しかし、金硫黄化合物の原料で
ある硫黄化合物やメルカプタン類は一般に非常な悪臭を
もち、製造や焼成の作業に支障をきたす。また金硫黄化
合物を焼いて膜を形成させると、このとき強酸性の二酸
化硫黄が副生して高温の電気炉を損傷し、また有毒な二
酸化硫黄は大気中へ放出されて環境を汚染している。
【0006】上記ジメチル(1,3−ジフェニル−1,
3−プロパンディオネイト)金化合物の熱分解点生成物
は黒色の非導電性物質であり、そしてこの化合物のTH
FまたMEK溶液にUV照射して生成させた微粒子の集
合体も導電性を有する金膜を形成しない。
3−プロパンディオネイト)金化合物の熱分解点生成物
は黒色の非導電性物質であり、そしてこの化合物のTH
FまたMEK溶液にUV照射して生成させた微粒子の集
合体も導電性を有する金膜を形成しない。
【0007】現在、通常の電気回路を形成するために使
われる化合物の大部分は銀化合物であるが、しかし銀化
合物だけでは耐高温度特性は保証されないので、金属金
でつくった回路が必要となる。だがその金回路を形成さ
せる化合物は硫黄とハロゲンを含有するため、これを焼
成すると、銀にとって禍いとなる硫黄化合物とハロゲン
化合物が装置に付着し、また硫黄ガスとハロゲンガスを
放出して、これらが銀回路を腐蝕させ、破壊せしめるた
めに、同じ工場内で扱うことを事実上不可能にしている
。
われる化合物の大部分は銀化合物であるが、しかし銀化
合物だけでは耐高温度特性は保証されないので、金属金
でつくった回路が必要となる。だがその金回路を形成さ
せる化合物は硫黄とハロゲンを含有するため、これを焼
成すると、銀にとって禍いとなる硫黄化合物とハロゲン
化合物が装置に付着し、また硫黄ガスとハロゲンガスを
放出して、これらが銀回路を腐蝕させ、破壊せしめるた
めに、同じ工場内で扱うことを事実上不可能にしている
。
【0008】そのため根元的に硫黄とハロゲンを含まな
い金化合物であり、かつ好ましくは有機溶媒に溶解する
金化合物が産業的に強く望まれている。
い金化合物であり、かつ好ましくは有機溶媒に溶解する
金化合物が産業的に強く望まれている。
【課題を解決するための手段】本発明の金膜形成方法は
、 一般式(1) (R1)2Au(R2COCHCOR3)
(1)〔式中、R1 は炭素原子数1ないし8のアルキ
ル基を表し;R2 およびR3 は同一または互いに異
なっていて、各々炭素原子数1ないし12のアルキル基
又は式(2)(式中、R4 とR5 は同一または互い
に異なっていて、各々水素原子、炭素原子数1ないし8
のアルキル基又は炭素原子数6ないし10のアリール基
を表す。)で表されるアリール基を表し; 但しR2
とR3 が共にメチルであることはない。〕により表
される硫黄または塩素原子を含有しない有機金化合物を
;基材表面上で一般式(1)の化合物の分解が起こり始
める温度ないし300℃より低い温度で加熱した後;更
に300℃〜900℃の温度範囲で焼成することを特徴
とする方法である。
、 一般式(1) (R1)2Au(R2COCHCOR3)
(1)〔式中、R1 は炭素原子数1ないし8のアルキ
ル基を表し;R2 およびR3 は同一または互いに異
なっていて、各々炭素原子数1ないし12のアルキル基
又は式(2)(式中、R4 とR5 は同一または互い
に異なっていて、各々水素原子、炭素原子数1ないし8
のアルキル基又は炭素原子数6ないし10のアリール基
を表す。)で表されるアリール基を表し; 但しR2
とR3 が共にメチルであることはない。〕により表
される硫黄または塩素原子を含有しない有機金化合物を
;基材表面上で一般式(1)の化合物の分解が起こり始
める温度ないし300℃より低い温度で加熱した後;更
に300℃〜900℃の温度範囲で焼成することを特徴
とする方法である。
【0009】一般式(1)中のR1 好ましい例として
は、メチル基およびエチル基が挙げられる。R2 とR
3 の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基
、イソペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、ヘプ
チル基、イソヘプチル基、2−エチルヘキシル基、オク
チル基またはイソオクチル基が挙げられ、好ましくはメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基またはフェニ
ル基である。但しR2 とR3 が共にメチル基である
ことはない。
は、メチル基およびエチル基が挙げられる。R2 とR
3 の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基
、イソペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、ヘプ
チル基、イソヘプチル基、2−エチルヘキシル基、オク
チル基またはイソオクチル基が挙げられ、好ましくはメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基またはフェニ
ル基である。但しR2 とR3 が共にメチル基である
ことはない。
【0010】このような基を有する好ましい化合物の例
を下記する。ジメチル(1−メチル−3−フェニル−1
,3−プロパンディオネイト)金、ジメチル(1,3−
ジフェニル−1,3−プロパンディオネイト)金、ジエ
チル(1−メチル−3−フェニル−1,3−プロパンデ
ィオネイト)金、ジエチル(1,3−ジフェニル−1,
3−プロパンディオネイト)金、ジメチル(1−エチル
−3−フェニル−1,3−プロパンディオネイト)金、
ジメチル(1−プロピル−3−フェニル−1,3−プロ
パンディオネイト)金、ジメチル(1−ブチル−3−フ
ェニル−1,3−プロパンディオネイト)金、ジメチル
(1,3−ジブチル−1,3−プロパンディオネイト)
金、ジプロピル(1−メチル−3−フェニル−1,3−
プロパンディオネイト)金、およびジプロピル(1,3
−ジフェニル−1,3−プロパンディオネイト)金。
を下記する。ジメチル(1−メチル−3−フェニル−1
,3−プロパンディオネイト)金、ジメチル(1,3−
ジフェニル−1,3−プロパンディオネイト)金、ジエ
チル(1−メチル−3−フェニル−1,3−プロパンデ
ィオネイト)金、ジエチル(1,3−ジフェニル−1,
3−プロパンディオネイト)金、ジメチル(1−エチル
−3−フェニル−1,3−プロパンディオネイト)金、
ジメチル(1−プロピル−3−フェニル−1,3−プロ
パンディオネイト)金、ジメチル(1−ブチル−3−フ
ェニル−1,3−プロパンディオネイト)金、ジメチル
(1,3−ジブチル−1,3−プロパンディオネイト)
金、ジプロピル(1−メチル−3−フェニル−1,3−
プロパンディオネイト)金、およびジプロピル(1,3
−ジフェニル−1,3−プロパンディオネイト)金。
【0011】硫黄とハロゲンを含まない一般式(1)で
示される金化合物は、下記の反応式に従って、ジアルキ
ル金ハロゲン化合物とアセチルアセトネート誘導体を反
応させることにより、合成することができる〔参照:ジ
ャーナル オブ アメリカンケミカル ソサイエ
ティ(J.A.C.S.),99,3695(1978
)〕。
示される金化合物は、下記の反応式に従って、ジアルキ
ル金ハロゲン化合物とアセチルアセトネート誘導体を反
応させることにより、合成することができる〔参照:ジ
ャーナル オブ アメリカンケミカル ソサイエ
ティ(J.A.C.S.),99,3695(1978
)〕。
【0012】((R1)2AuX)2 + 2T
l(R2COCHCOR3)→2(R1)2Au(R2
COCHCOR3) + 2TlX (式中、R1 ないしR3 は上述の一般式(1)中の
定義と同じであり、Xはハロゲン原子を表す。)
l(R2COCHCOR3)→2(R1)2Au(R2
COCHCOR3) + 2TlX (式中、R1 ないしR3 は上述の一般式(1)中の
定義と同じであり、Xはハロゲン原子を表す。)
【00
13】この一般式(1)式で示される金化合物を使って
均一性のある金ペースト組成物を作ることができる。そ
の溶媒の例としては、硫黄原子またはハロゲン原子を含
有しない溶媒ならどれでも良いが、各種のターピネオー
ル、テルペン油、香油、カルビトールの誘導体等が好ま
しい。
13】この一般式(1)式で示される金化合物を使って
均一性のある金ペースト組成物を作ることができる。そ
の溶媒の例としては、硫黄原子またはハロゲン原子を含
有しない溶媒ならどれでも良いが、各種のターピネオー
ル、テルペン油、香油、カルビトールの誘導体等が好ま
しい。
【0014】金ペースト組成物を作製するためには、上
述の溶媒の他に又は溶媒なしに、他の硫黄原子またはハ
ロゲン原子を含有していないビヒクル成分、例えば、粘
性と膜性と非剥離性を向上させるロジンや高分子樹脂物
を、また基板との密着強度や膜の均一性を増すために微
量のロジウム、ビスマス、銅等の金属石鹸を添加するこ
とにより、金の薄膜形成用のペースト組成物を作ること
ができる。
述の溶媒の他に又は溶媒なしに、他の硫黄原子またはハ
ロゲン原子を含有していないビヒクル成分、例えば、粘
性と膜性と非剥離性を向上させるロジンや高分子樹脂物
を、また基板との密着強度や膜の均一性を増すために微
量のロジウム、ビスマス、銅等の金属石鹸を添加するこ
とにより、金の薄膜形成用のペースト組成物を作ること
ができる。
【0015】また一般式(1)の金化合物をそのまま基
材上に塗布することも可能である。この場合、一般式(
1)の化合物が液体ならばそのまま用いることができ、
また固体でも基板上で融解させて用いることができる。
材上に塗布することも可能である。この場合、一般式(
1)の化合物が液体ならばそのまま用いることができ、
また固体でも基板上で融解させて用いることができる。
【0016】次に、この一般式(1)の金化合物または
これを含有する溶液又はペーストを基材、特に電気回路
用の基板上に塗布して加熱し、熱分解して焼成する。
これを含有する溶液又はペーストを基材、特に電気回路
用の基板上に塗布して加熱し、熱分解して焼成する。
【0017】基材特に電気回路用基板としては、非導電
性の基材、例えばガラス、セラミックス例えばシリカ、
アルミナまたはグレーズド基板等が挙げられる。
性の基材、例えばガラス、セラミックス例えばシリカ、
アルミナまたはグレーズド基板等が挙げられる。
【0018】この加熱は、一般式(1)の金化合物の分
解が起こり始める温度ないし300℃より低い温度で行
われる。分解反応を充分に行った上で、次の焼成に移行
するのが好ましい。
解が起こり始める温度ないし300℃より低い温度で行
われる。分解反応を充分に行った上で、次の焼成に移行
するのが好ましい。
【0019】焼成は、300〜900℃で行うことがで
きる。そして、この焼成により、金属金が示す導電性を
有する金膜が得られる。
きる。そして、この焼成により、金属金が示す導電性を
有する金膜が得られる。
【0020】本発明の方法としては、例えば一般式(1
)の金化合物の溶液をアルミナ基板に塗布して、乾燥さ
せ、次いで上記温度で分解し、その後800℃まで昇温
して充分に焼成し、冷却する方法が挙げられる。
)の金化合物の溶液をアルミナ基板に塗布して、乾燥さ
せ、次いで上記温度で分解し、その後800℃まで昇温
して充分に焼成し、冷却する方法が挙げられる。
【0021】
【作用】アセチルアセトネート金化合物の代表的化合物
として、ジメチル(アセチルアセトネート)金化合物(
一般式(1)においてR1 =CH3 、R2 =CH
3 、R3 =CH3 のとき)が知られている。
として、ジメチル(アセチルアセトネート)金化合物(
一般式(1)においてR1 =CH3 、R2 =CH
3 、R3 =CH3 のとき)が知られている。
【0022】これを塗布して熱分解後焼成すると、この
金化合物の一部分が揮発するために、実用に耐える導電
性のある金膜は得られない。また従来は有機金化合物の
溶解性が悪かったために、金濃度の低い金溶液しかでき
なかったが、しかしR2 とR3 として共にメチル基
でない基、即ち新たに硫黄または塩素の置換基を有さな
い炭素原子数2ないし12のアルキル基、または式(2
)で表されるアリール基を導入することにより、非揮発
性であってしかも各種の有機溶媒に対する溶解性が向上
した化合物か得られ、このため金濃度の高い溶液をつく
ることができる。
金化合物の一部分が揮発するために、実用に耐える導電
性のある金膜は得られない。また従来は有機金化合物の
溶解性が悪かったために、金濃度の低い金溶液しかでき
なかったが、しかしR2 とR3 として共にメチル基
でない基、即ち新たに硫黄または塩素の置換基を有さな
い炭素原子数2ないし12のアルキル基、または式(2
)で表されるアリール基を導入することにより、非揮発
性であってしかも各種の有機溶媒に対する溶解性が向上
した化合物か得られ、このため金濃度の高い溶液をつく
ることができる。
【0023】一般式(1)で示される化合物は分解性の
向上した化合物であるがこれを上記のように基板上に塗
布、分解次いで焼成すると驚くべきことに揮発が起こら
ず、導電性を有する均一な金膜が基材に密着して形成で
きることを見いだした。
向上した化合物であるがこれを上記のように基板上に塗
布、分解次いで焼成すると驚くべきことに揮発が起こら
ず、導電性を有する均一な金膜が基材に密着して形成で
きることを見いだした。
【0024】このときR1 の炭素原子数が大き過ぎる
と、合成時の収率が低下する傾向がみられ、また化合物
自体金含有量が低くなるので実用面では不利になってく
る。
と、合成時の収率が低下する傾向がみられ、また化合物
自体金含有量が低くなるので実用面では不利になってく
る。
【0025】導電性の金膜を形成させるには、膜厚は通
常、金換算で1〜2mg/cm2 の厚さが必要であり
、この厚さとなるようにこの一般式(1)の金化合物の
溶液をガラス、グレーズド基板等に塗布し、焼成するこ
とによって基材と密着した膜をつくることができる。
常、金換算で1〜2mg/cm2 の厚さが必要であり
、この厚さとなるようにこの一般式(1)の金化合物の
溶液をガラス、グレーズド基板等に塗布し、焼成するこ
とによって基材と密着した膜をつくることができる。
【0026】焼成する温度が300℃よりも低いと有機
物が残存して非導電性の膜となり、また一度に300℃
以上に加熱して焼成すると、平滑な、かつ密着した膜が
形成されない。ところが一般式(1)の化合物の分解温
度以上でも300℃より低い温度で金化合物(1)を分
解させた後に、さらに300〜900℃で加熱すること
によって、はじめて基材に平滑で密着した導電性の金膜
を形成することができる。900℃以上で焼成すること
もできるが、特に利点はなく、エネルギーの消費、炉の
損傷等を来すから好ましくない。
物が残存して非導電性の膜となり、また一度に300℃
以上に加熱して焼成すると、平滑な、かつ密着した膜が
形成されない。ところが一般式(1)の化合物の分解温
度以上でも300℃より低い温度で金化合物(1)を分
解させた後に、さらに300〜900℃で加熱すること
によって、はじめて基材に平滑で密着した導電性の金膜
を形成することができる。900℃以上で焼成すること
もできるが、特に利点はなく、エネルギーの消費、炉の
損傷等を来すから好ましくない。
【0027】一般式(1)の金化合物の熱による一般的
な分解挙動は、まず100〜270℃の間で大きな分解
が起こり、さらに昇温することによって、550〜70
0℃で定常的な金属金の膜になる。例えば、化合物(C
H3 )2 Au(CH3 COCHCOC6 H5
)や(CH3 )2 Au(C6 H5 COCHCO
C6 H5 )等の化合物の場合は、示差熱分析による
と130〜150℃と490〜510℃の温度範囲の両
方に於いて大きな発熱ピークが観察される。
な分解挙動は、まず100〜270℃の間で大きな分解
が起こり、さらに昇温することによって、550〜70
0℃で定常的な金属金の膜になる。例えば、化合物(C
H3 )2 Au(CH3 COCHCOC6 H5
)や(CH3 )2 Au(C6 H5 COCHCO
C6 H5 )等の化合物の場合は、示差熱分析による
と130〜150℃と490〜510℃の温度範囲の両
方に於いて大きな発熱ピークが観察される。
【0028】
【実施例】本発明を実施例により更に説明する。なお、
本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものでは
ない。
【0029】実施例 1.((CH3 )2 AuI
)2の0.30g をベンゼン10mlに溶かした溶液
へ、Tl(CH3 COCHCOC6 H5 )の0.
31g をベンゼン10mlに溶かした溶液を加えた。 スラリー液となり、室温で1時間かくはんした。茶色の
沈澱物をろ別してベンゼン10mlで洗浄した。このベ
ンゼン溶液を室温で減圧し、溶媒留去して、茶色の油状
物0.47g を得た。氷水で冷やすと、結晶化した。 この結晶をろ別して0.25g の結晶を得た。
)2の0.30g をベンゼン10mlに溶かした溶液
へ、Tl(CH3 COCHCOC6 H5 )の0.
31g をベンゼン10mlに溶かした溶液を加えた。 スラリー液となり、室温で1時間かくはんした。茶色の
沈澱物をろ別してベンゼン10mlで洗浄した。このベ
ンゼン溶液を室温で減圧し、溶媒留去して、茶色の油状
物0.47g を得た。氷水で冷やすと、結晶化した。 この結晶をろ別して0.25g の結晶を得た。
【0030】この結晶をメタノールで再結晶した後、元
素分析とIR分析したところ、(CH3 )2 Au(
CH3 COCHCOC6 H5 )であると確認した
。融点は40℃であった。
素分析とIR分析したところ、(CH3 )2 Au(
CH3 COCHCOC6 H5 )であると確認した
。融点は40℃であった。
【0031】この結晶をターピネオールに1:1の重量
比で混ぜると、透明に溶解した。この溶液を金換算2m
g/cm2 の膜量でアルミナ基板に塗って、乾燥させ
た後市販品の電気炉中で290℃で約10分間加熱して
、黒色の膜になった後、更に800℃まで昇温させて1
0分間焼成した。基板に密着した平滑な金の薄膜が形成
され、金属金の導電性を示した。
比で混ぜると、透明に溶解した。この溶液を金換算2m
g/cm2 の膜量でアルミナ基板に塗って、乾燥させ
た後市販品の電気炉中で290℃で約10分間加熱して
、黒色の膜になった後、更に800℃まで昇温させて1
0分間焼成した。基板に密着した平滑な金の薄膜が形成
され、金属金の導電性を示した。
【0032】実施例 2.((CH3 )2 AuI
)2 の0.13g をベンゼン5mlに溶かした溶液
へ、Tl(C6 H5 COCHCOC6 H5 )の
0.17gをベンゼン5mlに溶かした溶液を加えた。 スラリー液となり、室温で1時間かくはんした。茶色の
沈澱物をろ別してベンゼン5mlで洗浄した。この濾液
のベンゼン溶液を室温で減圧し、溶媒留去した。灰白色
の固体0.19g を得た。 メタノールに溶かし、その液へエーテルを加えて再結晶
させ、この結晶をろ別して精製品0.09gを得た。元
素分析とIRで分析し、(CH3 )2 Au(C6
H5 COCHCOC6 H5 )であると確認した。 融点を測定すると、117℃であった。
)2 の0.13g をベンゼン5mlに溶かした溶液
へ、Tl(C6 H5 COCHCOC6 H5 )の
0.17gをベンゼン5mlに溶かした溶液を加えた。 スラリー液となり、室温で1時間かくはんした。茶色の
沈澱物をろ別してベンゼン5mlで洗浄した。この濾液
のベンゼン溶液を室温で減圧し、溶媒留去した。灰白色
の固体0.19g を得た。 メタノールに溶かし、その液へエーテルを加えて再結晶
させ、この結晶をろ別して精製品0.09gを得た。元
素分析とIRで分析し、(CH3 )2 Au(C6
H5 COCHCOC6 H5 )であると確認した。 融点を測定すると、117℃であった。
【0033】精製物をターピネオール1:1の重量比で
混ぜて、60℃に加熱すると均一液が得られた。この溶
液は低温でも溶液を保ち、金換算2mg/cm2 の膜
量でアルミナ基板に塗って、実施例1と同様に、乾燥さ
せた後電気炉中で加熱し、焼成した。密着した平滑な金
膜が形成された。この膜は、金属金の導電性を示した。
混ぜて、60℃に加熱すると均一液が得られた。この溶
液は低温でも溶液を保ち、金換算2mg/cm2 の膜
量でアルミナ基板に塗って、実施例1と同様に、乾燥さ
せた後電気炉中で加熱し、焼成した。密着した平滑な金
膜が形成された。この膜は、金属金の導電性を示した。
【0034】
【発明の効果】一般式(1)の金化合物へ硫黄原子もし
くはハロゲン原子を含有しない溶媒または/および硫黄
原子もしくはハロゲン原子を含有しない他のビヒクル成
分、たとえば粘性と膜性と密着性を向上させるロジンや
高分子樹脂物を、また基板との密着強度や膜特性を増す
ために微量のロジウム、ビスマス、銅等の金属石鹸を添
加することにより、金の薄膜形成用の溶液またはペース
ト組成物を作ることができる。このペーストをアルミナ
、ガラス、セラミック等の基板に塗布して、一般式(1
)の金化合物をその分解が起こり始める温度ないし30
0℃より低い温度で分解し、次いで300〜900℃で
焼成すると、強く密着した導電性の均一な金の薄膜が容
易に形成される。この方法によれば金化合物の均一溶液
を濾過して微細なゴミを除去することができ、薄くて均
一な金膜が形成できる。
くはハロゲン原子を含有しない溶媒または/および硫黄
原子もしくはハロゲン原子を含有しない他のビヒクル成
分、たとえば粘性と膜性と密着性を向上させるロジンや
高分子樹脂物を、また基板との密着強度や膜特性を増す
ために微量のロジウム、ビスマス、銅等の金属石鹸を添
加することにより、金の薄膜形成用の溶液またはペース
ト組成物を作ることができる。このペーストをアルミナ
、ガラス、セラミック等の基板に塗布して、一般式(1
)の金化合物をその分解が起こり始める温度ないし30
0℃より低い温度で分解し、次いで300〜900℃で
焼成すると、強く密着した導電性の均一な金の薄膜が容
易に形成される。この方法によれば金化合物の均一溶液
を濾過して微細なゴミを除去することができ、薄くて均
一な金膜が形成できる。
【0035】本発明によれば、高価な金の使用量が少な
くてすみ、大幅なコスト低下になる。また大がかりな装
置を必要とする蒸着法に較べて、比較的小さな設備で製
造ができ、小回りのきくメリットがある。
くてすみ、大幅なコスト低下になる。また大がかりな装
置を必要とする蒸着法に較べて、比較的小さな設備で製
造ができ、小回りのきくメリットがある。
【0036】さらに本発明の方法によれば従来の焼成時
に発生する有害な硫黄酸化物が全く発生しない。したが
ってこれら有害物質を除く特別な設備を必要とせず、よ
り簡便な装置で導電性をもつ金の薄膜を形成させること
ができる。
に発生する有害な硫黄酸化物が全く発生しない。したが
ってこれら有害物質を除く特別な設備を必要とせず、よ
り簡便な装置で導電性をもつ金の薄膜を形成させること
ができる。
Claims (1)
- 【請求項1】一般式(1) (R1)2Au(R2COCHCOR3)
(1)〔式中、R1 は炭素原子数1ないし8のアルキ
ル基を表し;R2 およびR3 は同一または互いに異
なっていて、各々炭素原子数1ないし12のアルキル基
又は式(2)(式中、R4 とR5 は同一または互い
に異なっていて、各々水素原子、炭素原子数1ないし8
のアルキル基または炭素原子数6ないし10のアリール
基を表す。)で表されるアリール基を表し; 但しR
1 とR3 が共にメチル基であることはない。〕によ
り表される硫黄または塩素原子を含有しない有機金化合
物を;基材表面上で一般式(1)の化合物の分解が起こ
り始める温度ないし300℃より低い温度で加熱した後
;更に300℃〜900℃の温度範囲で焼成することを
特徴とする導電性金膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3799891A JPH04254487A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 金膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3799891A JPH04254487A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 金膜形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04254487A true JPH04254487A (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=12513248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3799891A Pending JPH04254487A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 金膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04254487A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003508331A (ja) * | 1999-08-28 | 2003-03-04 | デグッサ、アクチエンゲゼルシャフト | 高温焼成用の光輝貴金属配合物、及び輝きのある貴金属装飾形成へのその配合物の使用 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP3799891A patent/JPH04254487A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003508331A (ja) * | 1999-08-28 | 2003-03-04 | デグッサ、アクチエンゲゼルシャフト | 高温焼成用の光輝貴金属配合物、及び輝きのある貴金属装飾形成へのその配合物の使用 |
JP4691700B2 (ja) * | 1999-08-28 | 2011-06-01 | ヴェーツェー ヘレウス ゲーエムベーハー | 高温焼成用の光輝貴金属配合物、及び輝きのある貴金属装飾形成へのその配合物の使用 |
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