DE4020098A1 - Verfahren zum vermindern der verunreinigung von schmelzen hoher temperatur sowie vorrichtung zum schmelzverarbeiten von metallen mit hohen schmelzpunkten - Google Patents
Verfahren zum vermindern der verunreinigung von schmelzen hoher temperatur sowie vorrichtung zum schmelzverarbeiten von metallen mit hohen schmelzpunktenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft allgemein die Schmelzverarbeitung
hochschmelzender Metalle. Mehr im besonderen bezieht sie
sich auf Verfahren, mit denen die Verunreinigung von
Schmelzen hoher Temperatur vermindert und/oder vermieden
werden kann.
Es ist bekannt, daß beim Verarbeiten von Schmelzen gerin
gerer Temperatur die Verunreinigung durch atmosphärische
Oxidation oder durch Verunreinigungen, die vom Schmelz
tiegel oder mittels Staubteilchen in die Schmelze einge
führt werden, gering ist. Die üblichen Verfahren und
Praktiken gestatten das Schmelzen und Gießen, ohne daß
in solchen Metallen akzeptable Verunreinigungsmengen
überschritten werden. Metalle, wie Blei, Zink, Zinn,
Wismut sowie Legierungen, wie Messing, Bronze und ähnliche,
wurden üblicherweise erfolgreich vermittels der Schmelze
verarbeitet, ohne daß das feste Produkt durch Einführung
zu vieler Verunreinigungen aufgrund der Verarbeitung be
einträchtigt wurde. Solche Metalle werden bei tieferen
Schmelztemperaturen in der Größenordnung von 100 bis
wenigen Hundert Grad erschmolzen. Wärme kann solchen Schmel
zen durch die Tiegel, in denen sie sich befinden, zugeführt
werden, und ein solches Erhitzen erzeugt sehr wenig
optisch verdunkelndes dampfförmiges oder teilchenförmiges
Material.
Für Metalle, die bei höheren Temperaturen und insbeson
dere oberhalb von etwa 1000°C schmelzen, sind die Tech
niken, die beim Schmelzen und beim Freihalten der
Schmelze von Verunreinigung, sei es aus der Atmosphäre
oder von Verunreinigungen, angewandt werden, von anderer
Art.
Zuerst sind die Mittel zum Schmelzen der Metalle, die bei
sehr viel höheren Temperaturen schmelzen, anders und sie
können im Fall hochreaktiver Metalle, wie Titan, den Ge
brauch einer Plasmaflamme oder eines Elektronenstrahles
oder eine ähnliche Schmelztechnik einschließen. Die An
wendung von Wärme solcher Quellen auf das Metall erfolgt
direkt auf die Schmelzoberfläche statt durch eine Tie
gelwand. Darüber hinaus muß wegen der hohen Reaktivität
von Metallen, wie Titan, das Metall vor der üblichen
Sauerstoff und Stickstoff enthaltenden Atmosphäre ge
schützt werden. Da Metall, wie Titan, darüber hinaus
stark mit jeglichem Tiegelmaterial reagiert, wird das
Metall in einem kalten schädelförmigem Tiegel erschmol
zen, bei dem eine Schicht aus festem Titan als Tiegel
für das flüssige oder geschmolzene Titan dient. Wegen
dieser besonderen Umstände und wegen der Natur des
dampfförmigen, tröpfchenförmigen und teilchenförmigen
Materials, das beim Schmelzen von hochschmelzenden
Metallmaterial erzeugt wird, ergeben sich spezielle
Probleme.
Ein solches Problem schließt die Abscheidung dampfför
migen und teilchenförmigen Materials auf den inneren Ober
flächen von Umhüllungen ein, die vorgesehen sind, das
geschmolzene Metall vor dem Kontakt mit üblichen Atmo
sphären zu schützen. Der Grad der Verdampfung und der
Bildung von teilchenförmigem Material ist für hoch
schmelzende Materialien recht hoch, zumindest teilweise
wegen der Art, in der die Wärme beim Schmelzen zuge
führt wird. Diese Wärme stammt von Quellen hoher Tempe
ratur und wird mit einer hohen Intensität einer Metall-
oder Schmelzoberfläche zugeführt. Wärme eines Plasma
brenners wird zum Beispiel bei Temperaturen von mehr als
10 000°C zugeführt. Es wurde festgestellt, daß eine
beträchtliche Menge an dampfförmigem und teilchenförmigem
Material durch Plasmaflammen erzeugt wird, die nach unten
auf das Oberteil einer Schmelze in einem kalten Herdtiegel
gerichtet sind. Auch beim Erhitzen mittels Elektronen
strahl findet ein beträchtliches Spritzen, Spratzen und
Verteilen des festen und flüssigen Materials zu dem Grade
statt, daß sich auf den inneren Oberflächen des umhül
lenden Gefäßes eine Abscheidung des verdampften und/oder
teilchenförmigen Materials bildet.
Bei fortgesetztem Gebrauch des Gefäßes neigt das an der
Oberfläche abgeschiedene Material zum Abspalten oder
Abtropfen in einer Weise, die die Verunreinigung der
Schmelze gestattet. Wird ein Tank oder Gefäß beim Schmel
zen oder Schmelzverarbeiten einer Anzahl verschiedener
Legierungen benutzt, dann besteht die Gefahr, daß eine
während der Verarbeitung einer Legierung gebildete Ab
scheidung in die Schmelze einer anderen Legierung ge
langt, was zu einer Verunreinigung der später verarbei
teten Legierung führt.
Es werden Anstrengungen unternommen, eine solche Ver
unreinigung zu vermeiden, und diese können das Reinigen
des Ofeninneren zwischen den einzelnen Verarbeitungs
läufen einschließen. Ein anderes Problem tritt jedoch
während einer einzigen Verarbeitung auf und kann durch
Reinigen zwischen zwei Verarbeitungen nicht beseitigt
werden. Dieses Problem besteht darin, daß das Kondensat
auf dem Inneren eines Gefäßes eine höhere Konzentration
der flüchtigeren Elemente aufweist, wie Aluminium, als
die Schmelze, aus der der Dampf stammt. Der Aluminium
gehalt einer Titanlegierung mit 6% Aluminium kann an
fänglich bis zu 50% betragen. Bildet sich ein Aluminium
kondensat während einer einzelnen Verarbeitung und
tropft unmittelbar vor dem Gießen in die Schmelze, dann
können beträchtliche Eigenschaftsunterschiede im Gieß
körper auftreten.
Eine andere Art der Verarbeitung von Metallen mit hohen
Schmelztemperaturen, ist die Plasmaabscheidung unter
rascher Erstarrung. Bei diesem Verfahren werden Teilchen
des zu schmelzenden Metalles mittels eines Trägergases
durch eine Plasmaflamme geführt. Die Erzeugung fein
teiliger Festkörper und von Metalldämpfen während des
Plasmaspritzens eines Pulvers aus einer Schmelzphase ist
ähnlich dem, was während des oben beschriebenen Schmelzens
hochschmelzender Metalle auftritt.
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
Verfahren zu schaffen, das die Verunreinigung von Schmel
zen, die in Schmelzvorrichtungen für hohe Temperatur ver
arbeitet werden, begrenzt. Weiter soll eine Vorrichtung
geschaffen werden, die es gestattet, das Maß der Ver
unreinigung zu begrenzen bzw. zu vermindern.
Eine weitere Aufgabe ist die Schaffung eines Verfahrens
zur Schmelz- und/oder Plasma-Verarbeitung von Schmelzen
hoher Temperatur, wie Superlegierungen auf Nickelbasis,
bei verminderter Verunreinigung. Und schließlich soll
ein Verfahren zur Schmelzverarbeitung sehr reaktiver
Metalle, wie Titanlegierungen, mit verringerter Verun
reinigung aufgrund der Verarbeitung geschaffen werden.
In einem seiner weiteren Aspekte werden die der Erfin
dung zugrunde liegenden Aufgaben gelöst durch Schaffen
einer Ofenhülle, in der das Erhitzen eines Metalles mit
einer sehr hohen Rate und auf eine sehr hohe Temperatur
erfolgt. Die Anwendung der Wärme auf das Metall erfolgt
vorzugsweise an der oberen Oberfläche der Schmelze
mittels einer Wärmequelle hoher Intensität, wie einem
Plasmabrenner oder einem Elektronenstrahl oder einer
ähnlichen Quelle hoher Intensität. Eine Schmelze kann
in einer Hülle des gleichen Metalles enthalten sein,
um ihre Verunreinigung durch Reaktion mit einem Behäl
ter zu vermeiden. Die sehr intensive Anwendung von
Wärme tritt während des Plasmaerhitzens an einer Teil
chenoberfläche eines Teilchenstromes auf, wie dieser
während der Schmelzverarbeitung der Teilchen bei Bil
dung einer Metallabscheidung auf einer aufnehmenden
Oberfläche durch Plasmaspritzen auftritt. Das Erhitzen
mit hoher Intensität verursacht einen wolkenartigen
Nebel aus dampfförmigem und/oder teilchenförmigem
Material innerhalb der Ofenkammer. Ein solches Material
bildet sich durch Anwendung des hochintensiven Erhitzens
in einer Heizzone an der Oberfläche des Metalles. Um
die Teilchenwolke und die Oberflächenabscheidung auf
den Wandungen der Umhüllung zu vermindern, wird mindestens
eine Metalloberfläche benachbart der Heizzone innerhalb
der Kammer geschaffen. Mindestens eine elektrische
Ladung wird auf die Metalloberflächen aufgebracht, um die
Bildung eines elektrischen Feldes innerhalb der Zone zu
verursachen. Dieses elektrische Feld verursacht die Ab
scheidung von dampfförmigem und/oder teilchenförmigem
Material aus der Heizzone auf der geladenen Oberfläche
und vermindert so die Abscheidung solchen Materials auf
Teilen der Umhüllung. Diese Verminderung der Abschei
dung erfolgt an Oberflächen, von denen die Abscheidungen
unter Verunreinigung der Schmelze oder unter Verunreini
gung einer mittels Plasma abgeschiedenen Metallschmelze
schicht fallen könnten.
Unter dampfförmig wird in der vorliegenden Anmeldung ein
Material verstanden, das die erhitzte Metalloberfläche
als Dampf verläßt. Es wird jedoch erkannt, daß ein sol
ches Material beim Verlassen der Heizzone hoher Inten
sität, in dem es gebildet wird, rasch Tröpfchen bildet.
Es wird auch erkannt, daß solche Tröpfchen rasch zu
Teilchen erstarren, wenn sie in eine Zone eintreten, in
der die Umgebungstemperatur unterhalb ihres Schmelz
punktes liegt.
Andererseits kann sich Material, das dampfförmig bleibt,
auf den Wandungen des umhüllenden Gefäßes kondensieren.
Im folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf
die Zeichnung näher erläutert, deren einzige Figur eine
schematische Ansicht einer Umhüllung, wie eines Ofens,
wiedergibt, innerhalb der das Oberflächenerhitzen eines
Metalles mit hoher Intensität ausgeführt werden kann.
Es wurde festgestellt, daß bei kontinuierlichem Betreiben
eines Ofens zum Plasmalichtbogenschmelzen (PAM) oder zum
Elektronenstrahlschmelzen (EBM) oder bei der Plasmaab
scheidung unter rascher Erstarrung (RSPD) sich teilchen
förmiges Material, das während solcher Verfahren erzeugt
wird, auf den inneren Oberflächen der Umhüllung abschei
det. Diese Abscheidungen erfolgen im wesentlichen auf
allen inneren Oberflächen der Umhüllung einschließlich
der inneren Oberflächen, die oberhalb von durch Plasma
abscheidung gebildeten Oberflächenschichten oder ober
halb geschmolzenen Metallbädern angeordnet sind. Mit
der Zeit werden die Abscheidungen dick genug, um abzu
brechen und in das Metallbad zu tropfen. Einige dieser
Abscheidungen sind reich an Sauerstoff. Andere enthalten
andere Konzentrationen an Ingredenzien als die Schmelze.
Das feinverteilte Material, das durch Plasmalichtbogen
schmelzen oder Elektronenstrahlschmelzen gebildet wird,
absorbiert Sauerstoff leicht oder reagiert damit, und die
oxidhaltige Abscheidung ist, wenn überhaupt, selten identisch
hinsichtlich der Zusammensetzung mit der Zusammensetzung
der fertigen Legierung oder der herzustellenden Abscheidung
und stellt in diesem Sinn einen unerwünschten und potentiell
nachteiligen Zusatz zum Legierungsbad oder zu einer Ober
fläche dar, an der eine Plasmaabscheidung unter rascher
Erstarrung vorgenommen werden soll. Es wurden Anstrengungen
unternommen, eine solche "Rückfall"-Verunreinigung zu ver
mindern oder zu beseitigen.
In einer Reihe von PAM-Öfen beseitigt ein konstanter
Gasstrom einen Teil des gebildeten teilchenförmigen
Materials, doch müßte ein solcher Gasstrom um das Mehr
fache verstärkt werden, um solche Abscheidungen zu be
seitigen. Beim EBM-Verarbeiten wurde ein Fangrechen
bzw. Rost über der Schmelze angeordnet, um teilchen
förmiges Material abzufangen und eine verläßlichere
Bindung des abgeschiedenen teilchenförmigen Materials
an den Oberflächen über dem Schmelzbad sicherzustellen.
Die Idee ist, daß wenn sich das teilchenförmige Material
stärker an der Rostoberfläche festsetzt, da es eine
größere Sammeloberfläche hat, es eine verminderte Chance
gibt, daß sich das festgesetzte Material löst und in
das Schmelzbad fällt. Diese passiven Techniken, wie ein
Rost über dem Schmelzbad oder große reinigende Gasvolu
mina, hatten begrenzten Erfolg bei der Verarbeitung und
in den für diese Techniken benötigten Vorrichtungen.
Beim RSPD-Verarbeiten besteht die Gefahr, daß sich die
Oberflächenabscheidungen vom Inneren der Umhüllung lösen
und auf die aufnehmende Oberfläche fallen und in der
RSPD-Oberflächenabscheidung eingebettet werden, so daß
sie einen Einschluß oder Fehler in der Oberflächenstruktur
oder Legierungszusammensetzung erzeugen.
Auf der Grundlage ausgeführter experimenteller Arbeiten
wird es für möglich gehalten, die Bildung teilchenför
miger Abscheidungen auf den Wandungen eines Ofens, in
dem RSPD, PAM und/oder EBM bei der Schmelzverarbeitung
hochschmelzender Metalle ausgeführt werden, beträchtlich
zu vermindern oder potentiell zu vermeiden. Diese Ver
minderung in der Abscheidung von dampfförmigem und teil
chenförmigem Material auf Oberflächen einer Umhüllung,
von denen eine solche Abscheidung auf und/oder in die
Plasmaabscheidung oder Schmelze fallen kann und diese
verunreinigen, wird ermöglicht durch Anordnen mindestens
einer Elektrode in der Umhüllung an einer Position, die
wirksam ist beim Anziehen eines großen Bruchteils des
teilchenförmigen Materials in der zum Verarbeiten be
nutzten Umhüllung.
Es wurde festgestellt, daß das teilchenförmige Material
in der Ofenkammer geladen wird. Die Existenz der Ladung
ergab sich aus der Tatsache, daß das teilchenförmige
Material von einer entgegengesetzt geladenen Platte an
gezogen wird. Es ist daher möglich, die Abscheidung des
teilchenförmigen Materials zu beeinflussen, indem man
ein elektrisches Feld innerhalb der Kammer induziert,
um anziehende und/oder abstoßende Kräfte auf das teil
chenförmige Material auszuüben.
Bei den Experimenten wurde festgestellt, daß das teil
chenförmige Material in den Verarbeitungsöfen sehr fein
ist und daß diese feinen Teilchen zu einem großen Teil
eine Ladung tragen. Bei den Versuchen wurde festgestellt,
daß in gewissen Verarbeitungsvorrichtungen das teilchen
förmige Material fast ausschließlich negativ geladen
ist und die Anwendung wird als negativ geladenes teil
chenförmiges Material beschrieben. Die Hauptfeststellung
besteht jedoch darin, daß die Teilchen vorherrschend
eine einzige Ladung haben, und daß man das teilchen
förmige Material wirksam behandeln kann, weil es nur
eine einzige Ladung trägt. Die Teilchengröße des teil
chenförmigen Materials ist zu einem großen Grad geringer
als 1 µm. Auf der Grundlage der Kombination von Teilchen
größe und Ladung, die von den Teilchen getragen werden,
wurde ein merklicher Anteil der Teilchen an einer ge
ladenen Platte festgehalten. Es ist nicht bekannt, daß
bereits Anstrengungen unternommen wurden, teilchenför
miges Material aus der Verarbeitungsatmosphäre von Vor
richtungen zum RSPD, EBM oder PAM durch aktive Abschei
dung zu beseitigen, obwohl PAM, RSPD und EBM seit vielen
Jahren benutzt werden.
Um die Teilchenabscheidung und -entfernung zu bewerk
stelligen oder zu beeinflussen, muß mindestens eine
leitende Oberfläche innerhalb der Ofenumhüllung nahe der
Heizzone angeordnet sein, in der die Wärme auf die zu
schmelzende Probe angewandt wird. Mindestens eine solche
leitende Oberfläche wird so angeordnet, obwohl auch mehr
als eine benutzt werden können. Die leitende Oberfläche
wird mit einer relativ hohen Spannung im Bereich von 10 bis
30 kV in einer Experimentalvorrichtung geladen, und es wird
eine Leistungszuführung zur Lieferung relativ geringer
Ströme in der Größenordnung von mA zur leitenden Oberfläche
benutzt. Die Ladung der leitenden Oberfläche ist der der
Teilchen entgegengesetzt. Je höher die angewandte Spannung,
um so höher ist die Sammelrate für die Teilchen, doch sollte
die Spannung nicht so hoch sein, daß sie unerwünschte Neben
wirkungen zeigt, wie eine Lichtbogenbildung oder ähn
liches. Eine solche Lichtbogenbildung oder ein Durch
bruch ist eine Funktion der Art der Atmosphäre, des
Druckes, der Temperatur und anderer Faktoren, wie der
Teilchendichte, des Teilchenbandes und anderer ähnlicher
Faktoren. Bei der Benutzung magnetischer oder elektri
scher Felder in Verbindung mit einem Elektronenstrahl
erhitzen ist Sorgfalt zu beachten, um ein Wegdirigieren
des Strahles vom beabsichtigten Ziel zu vermeiden.
Es wurde festgestellt, daß eine negativ geladene lei
tende Oberfläche, wie die Oberfläche einer Platte, bei
den Versuchen sehr sauber blieb. Ein beträchtlicher Anteil
der in der Umhüllung befindlichen Teilchen schien sich
jedoch auf einer positiv geladenen Platte abzuscheiden.
Obwohl diese Abscheidung nicht direkt zu einer Abnahme der
Teilchenwolke in der Kammer führte, wird angenommen, daß
eine solche Abnahme zumindest teilweise das erzielbare
Ergebnis ist.
Durch den Einsatz mindestens einer dieser geladenen
Oberflächen oder geladenen Platten war es möglich, die
Abscheidung des teilchenförmigen Materials auf den
inneren Oberflächen zu begrenzen und zu vermindern,
was nicht direkt beobachtet werden konnte, was sich
jedoch aus den gemachten Beobachtungen ergibt. Auf der
Grundlage der Abscheidung negativ geladener Teilchen auf
der positiv geladenen Platte ergab sich die Schlußfol
gerung, daß mit einem Kragen solcher Platten, der sich
um die exponierte Schmelzoberfläche herum erstreckt,
das Auftreten von Abscheidungen, die sich unter Verun
reinigung der Schmelze oder der RSPD-Abscheidung von
den Kammeroberflächen lösen und in die Schmelze fallen,
wirksam vermindert werden kann.
In der vorliegenden Anmeldung bezieht sich Ofenumhüllung
auf eine Umhüllung, in der ein Erhitzen von Metallproben
mit großer Intensität stattfindet. Das Erhitzen mit
großer Intensität kann durch PAM, EBM, RSPD oder irgend
ein anderes Verfahren erfolgen, mit dem Hitze hoher
Temperatur rasch einer Metalloberfläche zugeführt wird,
sei sie flüssig, fest oder teilchenförmig.
Ein Erhitzen hoher Intensität mittels einer Plasmaflamme
erfolgt, weil die Plasmaflamme eine Hochtemperatur
ionisation von Gas einschließt und die Betriebstemperatur
eines Plasmas üblicherweise über 10 000°C beträgt, und
der Kontakt einer solchen Flamme mit einer Metallprobe
dieser Metallprobe Wärme hoher Temperatur und mit einer
hohen Geschwindigkeit zuführt. Die gleiche hohe Heizrate
tritt auf, wenn das Erhitzen durch einen übertragenen
Bogen erfolgt.
Das Verfahren, nach dem die Erfindung ausgeführt wird,
kann unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben werden.
Diese Zeichnung gibt schematisch die Beziehung der ver
schiedenen Teile einer Vorrichtung wieder, die die Ein
zelheiten der mechanischen Abstützung der verschiedenen
mechanischen Teile nicht zeigt, da sie dem Fachmann ohne
weiteres klar sind und sie nicht wesentlich für die Aus
führung der Erfindung sind.
In der einzigen Figur enthält eine Umhüllung 10 eine Vor
richtung zum Erhitzen einer Metallprobe mit hoher Inten
sität. Das zu erhitzende Metall 12 ist in einem Herd 14
enthalten. Der Herd besteht aus einem Kupfertiegel 16
mit Kühlrohren 18, die im Boden 20 eingebettet und um
die Seiten 16 des Tiegels angeordnet sind, um den Kupfer
körper des Herdes 14 zu kühlen. Das Kühlen führt zur
Bildung eines Herdrestes 22, der die Schmelze 12 umgibt
und so die Verunreinigung der Schmelze durch Material
des Herdes vermeidet. Der Herd 14 wird von einem Rahmen
24 getragen, der durch den Draht 26 geerdet ist. Der Herd
14 selbst ist durch den Draht 28 geerdet.
Wärme wird mittels eines Plasmabrenners 30 zugeführt,
der oberhalb der Schmelze angeordnet ist, um die Wärme
des Brenners auf die obere Oberfläche der Schmelze 12
zu richten. Die Strom- und Gaszuführung zum Brenner 30
sind nicht dargestellt, da sie für die vorliegende Er
findung nicht wesentlich sind.
Nach dem Zünden hat der Brenner einen Lichtbogen, der
sich zwischen Elementen im Brenner erstreckt. Die Bren
nerflamme erstreckt sich aufgrund der Gasströmung durch
den Bogen von diesem weg. Nach dem Zünden kann sich der
Lichtbogen jedoch aufgrund eines Übertragungsbogen-Betriebs
von der Kathode des Brenners zur Oberfläche der Schmelze
erstrecken, um das Erhitzen der oberen Oberfläche des Metalls
mit hoher Intensität fortzusetzen. Dieses Erhitzen mit hoher
Intensität erfolgt, weil die Temperatur des Plasmas vom
Brenner 10 000°C oder mehr beträgt, so daß wegen der sehr
hohen Temperatur, mit der diese Wärme der Schmelzoberfläche
zugeführt wird, ein sehr intensives Erhitzen der Oberfläche
der Schmelze erfolgt. Dabei werden Dampf und teilchenförmiges
Material sehr geringer Teilchengröße gebildet. Eine ähnliche
Erzeugung von Dämpfen und teilchenförmigem Material be
gleitet andere Formen des Erhitzens mit hoher Intensität,
wie das Erhitzen mittels Elektronenstrahl oder anderer
Einrichtungen. Die gleiche Art von Dämpfen und teilchen
förmigem Material wird erzeugt, wenn ein Plasmalichtbogen
zum Abscheiden von Teilchen eines Materials durch Plasma
spritzen benutzt wird, das durch die Plasmaflamme auf
eine aufnehmende Oberfläche übertragen wird. Bei jeder
dieser Schmelzverarbeitungsoperationen, die die Anwen
dung einer Wärme hoher Intensität auf eine Metallober
fläche einschließen, gibt es eine begleitende Erzeugung
von Dämpfen und teilchenförmigem Material, für die die
vorliegende Erfindung einige Vorteile bietet.
Um die Konzentration des teilchenförmigen und dampf
förmigen Materials, das aus dem Herd austritt, zu ver
mindern, kann mindestens eine leitende Metalloberfläche,
wie die Oberfläche 32 der Elektrode 34, bereitgestellt
werden. Die leitende Oberfläche kann mit einer positiven
Ladung von der Leistungszufuhr 36 durch den elektrischen
Leiter 38 geladen werden, wenn die Ladung auf den Teil
chen als negativ festgestellt wird. Ist die Teilchen
ladung positiv, dann kann die Elektrode 34 negativ ge
laden werden, um die Teilchenabscheidung auf der Elek
trode zu bewirken. Der Leiter ist von der Wand der Um
hüllung 10 durch einen Isolator 40 isoliert. Durch An
legen einer Spannung von 5 bis 30 kV an die Platte 34
ist es möglich, die Abscheidung des teilchenförmigen
Materials aus dem Herd 14 auf der Oberfläche der Platte
zu induzieren. Die obere Grenze dieser Spannung, die an
eine Elektrode angelegt wird, ist durch die Möglich
keiten der Vorrichtung bestimmt. Die in der vorliegenden
Anmeldung benutzte experimentelle Vorrichtung konnte
30 kV handhaben. Eine industrielle Vorrichtung könnte
vorteilhaft höhere Spannungen von 50 oder 80 kV oder mehr
benutzen.
Eine Art, in der die Abscheidung teilchenförmigen Mate
rials auf der leitenden Oberfläche untersucht werden
kann, besteht darin, eine Folie 42 auf der leitenden
Oberfläche der Platte 34 anzuordnen, die als Sammel
oberfläche für die teilchenförmige Abscheidung dient.
Nachdem sich eine Abscheidung angesammelt hat, kann die
Folie 42 von der Platte 34 weggenommen und auf die Ab
scheidung untersucht werden, die sich darauf befindet.
Auf diese Weise wurde in der vorliegenden Erfindung
festgestellt, daß eine beträchtliche Abscheidung von teil
chenförmigem Material auf der Folie 42 erfolgt, wenn
der Platte 34 von der Leistungsquelle 36 eine Ladung
mit positiver Spannung gegeben worden ist. Durch eine
ähnliche Untersuchung der Platte 44 und insbesondere
einer Folie 46 auf der Platte 44 wurde festgestellt, daß
im wesentlichen keine Teilchenabscheidung auf der Platte
44 auftritt, wenn die Ladung der Platte 44 negativ ist,
während die Ladung auf der Platte 34 positiv ist. Die
Ladung auf der Platte 44 stammt von der Leistungsquelle
36 durch den Leiter 48. Der Leiter 48 ist von der Wand
der Umhüllung 10 durch den Isolator 50 isoliert. Die
aus Ziegeln bestehende Stütze 52 hält die Platte 32
isolierend an Ort und Stelle und die Ziegelstütze 54
hält die Platte 44 isolierend an Ort und Stelle.
Aus den ausgeführten Experimenten wurde der Schluß ge
zogen, daß es möglich ist, eine beträchtliche Menge des
teilchenförmigen Materials zu sammeln, das beim Er
hitzen einer Metallprobe mit hoher Intensität in einem
Ofen erzeugt wird, wie oben beschrieben, wobei die ent
sprechende Vorrichtung eine leitende Oberfläche, wie
die Oberfläche 32 einschließt, die in der Nähe des Herdes
14 angeordnet ist, um der Heizzone des Herdes ein elek
trisches Feld aufzuprägen. Die Bildung dampfförmigen und
teilchenförmigen Materials während des Erhitzens mit
hoher Intensität in einem Ofen ist augenscheinlich ein
unvermeidbares Ergebnis der Ofenbehandlung mit Hitze
großer Intensität. Die experimentellen Beobachtungen
gestatten jedoch den Schluß, daß es möglich ist, eine
beträchtliche Menge des teilchenförmigen Materials eines
solchen Ofenbetriebes auf einer positiv oder in anderer
Weise entgegengesetzt geladenen leitenden Oberfläche zu
sammeln, wobei diese Oberfläche ein Element eines elek
trischen Feldes ist, das der Heizzone des Ofens aufge
prägt wird.
Da Ofen und Ofenträger geerdet sind, ist es möglich, eine
geladene Platte oder eine leitende Oberfläche zu haben,
die einer Heizzone ein elektrisches Feld aufprägt, ohne
daß man eine zweite leitende Platte braucht. Eine solche
Anordnung ist in der Figur veranschaulicht, in der nur
eine einzige Platte 32 vorgesehen und eine zweite Platte,
wie die Platte 44, nicht erforderlich ist.
Eine bevorzugte Ausführungsform und Anordnung des elek
trischen Feldes ist eines, bei dem sich eine einzige
positiv geladene Platte in Form eines positiv geladenen
Kragens vollständig um den Herd 14 erstreckt. Eine solche
Anordnung wäre zum Beispiel vorhanden, wenn man die Platte
34 und die Platte 44 als Schnittansicht eines geladenen
Kragens betrachtet, der sich ganz um den Herd 14 herum
erstreckt.
Claims (14)
1. Verfahren zum Vermindern der Verunreinigung von
Schmelzen, die durch Wärmequellen hoher Intensität er
schmolzen werden, umfassend:
Schaffen einer Umhüllung, in der ein solches Schmelzen ausgeführt werden soll,
Schaffen einer inerten Atmosphäre oder eines Vakuums in der Umhüllung,
Anwenden von Wärme hoher Intensität auf ein Metall in einer Schmelzzone innerhalb der Umhüllung,
Schaffen mindestens einer Metalloberfläche in der Umhüllung benachbart der Heizzone und
Aufbringen einer Ladung auf die mindestens eine Metalloberfläche zur Schaffung eines elektrischen Feldes in der genannten Zone, um das Sammeln eines merklichen Teiles des teilchenförmigen und dampfförmigen Materials zu induzieren, das aus der Heizzone austritt.
Schaffen einer Umhüllung, in der ein solches Schmelzen ausgeführt werden soll,
Schaffen einer inerten Atmosphäre oder eines Vakuums in der Umhüllung,
Anwenden von Wärme hoher Intensität auf ein Metall in einer Schmelzzone innerhalb der Umhüllung,
Schaffen mindestens einer Metalloberfläche in der Umhüllung benachbart der Heizzone und
Aufbringen einer Ladung auf die mindestens eine Metalloberfläche zur Schaffung eines elektrischen Feldes in der genannten Zone, um das Sammeln eines merklichen Teiles des teilchenförmigen und dampfförmigen Materials zu induzieren, das aus der Heizzone austritt.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem die Umhüllung eine Ofenhülle ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem die Metalloberfläche positiv geladen
wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem die Metalloberfläche die Oberfläche einer
Metallplatte ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem es mehr als eine Metalloberfläche in
der Umhüllung gibt.
6. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem es mehr als eine Metalloberfläche in
der Umhüllung und Metalloberflächen bei verschiedenen
Spannungen gibt.
7. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem es zwei Metalloberflächen in der Um
hüllung gibt.
8. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem es zwei Metalloberflächen in der Um
hüllung gibt, die entgegengesetzt geladen sind.
9. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem es zwei Metalloberflächen in der Um
hüllung gibt und zwischen den beiden Metalloberflächen
ein Ladungsunterschied von 5 bis 80 kV geschaffen wird.
10. Vorrichtung zum Schmelzverarbeiten von Metallen
mit hohen Schmelzpunkten, umfassend:
eine Umhüllung, die das genannte Metall enthält sowie eine Einrichtung zum Anwenden von Wärme hoher Temperatur auf die Oberfläche des genannten Metalles mit einer hohen Rate, wodurch dampfförmiges und teilchen förmiges Material erzeugt wird,
mindestens eine Metalloberfläche in dem Behälter befindet sich nahe der Oberfläche, wo Wärme hoher Inten sität auf die Metalloberfläche angewandt wird, und
eine Einrichtung zum Aufbringen einer Ladung auf die Metalloberfläche, um die Abscheidung teilchen förmigen Materials auf der geladenen Metalloberfläche zu bewirken.
eine Umhüllung, die das genannte Metall enthält sowie eine Einrichtung zum Anwenden von Wärme hoher Temperatur auf die Oberfläche des genannten Metalles mit einer hohen Rate, wodurch dampfförmiges und teilchen förmiges Material erzeugt wird,
mindestens eine Metalloberfläche in dem Behälter befindet sich nahe der Oberfläche, wo Wärme hoher Inten sität auf die Metalloberfläche angewandt wird, und
eine Einrichtung zum Aufbringen einer Ladung auf die Metalloberfläche, um die Abscheidung teilchen förmigen Materials auf der geladenen Metalloberfläche zu bewirken.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10,
bei der es mehr als eine geladene Metallober
fläche in der Umhüllung gibt.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10,
bei der die Metalloberfläche die Oberfläche
einer Metallplatte ist.
13. Vorrichtung nach Anspruch 10,
bei der die Ladung auf der Metalloberfläche
zwischen 10 und 30 kV liegt.
14. Vorrichtung nach Anspruch 11,
bei der eine Ladung zwischen 5 und 80 kV auf
eine Metallplatte aufgebracht wird, die eine Oberfläche
nahe der Oberfläche hat, wo Wärme hoher Intensität auf
die Metalloberfläche angewandt wird.
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