JPS5994420A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5994420A JPS5994420A JP20340182A JP20340182A JPS5994420A JP S5994420 A JPS5994420 A JP S5994420A JP 20340182 A JP20340182 A JP 20340182A JP 20340182 A JP20340182 A JP 20340182A JP S5994420 A JPS5994420 A JP S5994420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode plate
- reaction tube
- reaction pipe
- etching
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置製造に使用されるプラズマエツチ
ング装置に関するものである。
ング装置に関するものである。
従来、半導体基板の表面に付着した金属膜あるいは絶縁
膜を酸化膜あるいはフォトレジスト膜を保護膜として選
択的にパターンを加工するプラズマエツチング装置は高
周波発振器に接続されている(→電極板及び(ト)電極
板が反応管を挾んで配置されている為、電極板間の高周
波の発振による反応管の摩耗が激しく反応管の厚さが薄
くなシ破裂したシ、又、反応管が摩耗によシ白くくもる
為半導体基板のエツチング完了点を自動的に検出できず
にエツチングオーバー・エツチングガスを誘発し半導体
装置の歩留を低下させる問題も頻発していた。
膜を酸化膜あるいはフォトレジスト膜を保護膜として選
択的にパターンを加工するプラズマエツチング装置は高
周波発振器に接続されている(→電極板及び(ト)電極
板が反応管を挾んで配置されている為、電極板間の高周
波の発振による反応管の摩耗が激しく反応管の厚さが薄
くなシ破裂したシ、又、反応管が摩耗によシ白くくもる
為半導体基板のエツチング完了点を自動的に検出できず
にエツチングオーバー・エツチングガスを誘発し半導体
装置の歩留を低下させる問題も頻発していた。
この発明の目的はプラズマエツチング装置に使用されて
いる反応管の摩耗を防ぎ、反応管の寿命を長くする事の
できる手段を提供する事にある。
いる反応管の摩耗を防ぎ、反応管の寿命を長くする事の
できる手段を提供する事にある。
この発明のプラズマエツチング装置はガス導入管及びガ
ス排出管を有し、反応管内外に電極を配置した筒状の反
応管、該ガス導入管に連結するガス供給源、該ガス排出
管に連結する高真空源、該電極に連結する高周波発振器
を含み、反応管中心部に設置されたエツチング処理台に
フォトレジスト工程を経た半導体基板を載せ、種々のエ
ツチングガスによυ選択的にパターン加工するプラズマ
エツチング装置において、エツチング処理台に載せられ
た半導体基板に対して垂直に配置されている高周波発振
器に接続された(→電極板及び(ト)電極板が両方共、
反応管内部に配置されておシ、更に外側に配置された電
極板と反応管との間にしきシ板が設置された構造を有す
るプラズマエツチング装置である。
ス排出管を有し、反応管内外に電極を配置した筒状の反
応管、該ガス導入管に連結するガス供給源、該ガス排出
管に連結する高真空源、該電極に連結する高周波発振器
を含み、反応管中心部に設置されたエツチング処理台に
フォトレジスト工程を経た半導体基板を載せ、種々のエ
ツチングガスによυ選択的にパターン加工するプラズマ
エツチング装置において、エツチング処理台に載せられ
た半導体基板に対して垂直に配置されている高周波発振
器に接続された(→電極板及び(ト)電極板が両方共、
反応管内部に配置されておシ、更に外側に配置された電
極板と反応管との間にしきシ板が設置された構造を有す
るプラズマエツチング装置である。
この発明のプラズマエツチング装置は上記した処置を施
こす事によシ、反応管の摩耗を少なくし原価低減につな
がシ、摩耗によシ反応管が白くくもシ半導体基板のエツ
チング完了点を検出できずエツチングオーバーやエツチ
ング不足を誘発する機会が少なくなるため結果的に半導
体装置の歩留向上にも貢献できる。
こす事によシ、反応管の摩耗を少なくし原価低減につな
がシ、摩耗によシ反応管が白くくもシ半導体基板のエツ
チング完了点を検出できずエツチングオーバーやエツチ
ング不足を誘発する機会が少なくなるため結果的に半導
体装置の歩留向上にも貢献できる。
次にこの発明の実施例につき図を用いて説明する。
第1図、第2図は、この発明の一実施例を説明するため
のプラズマエツチング装置の断面図である。この実施例
のプラズマエツチング装置を従来装置と比較して説明を
行うと、第1図が従来使用されているプラズマエツチン
グ装置の断面図であるが、ガス供給源に連結するガス導
入管1と高周空源に連結するガス排出管2と反応管3内
部に高周波発振器に接続される(→電極板4、反応管3
外部にも同様の(ト)電極板5が配置されエツチング処
理台6に載せられたフォトレジスト工程を経た半導体基
板7に対して、ガス導入管1より種々のエツチングガス
を導入し、選択的にパターン加工するが、この場合(→
電極板4と(ト)電極板5との間に強い高周波が発生し
ているため、反応管3のエツチングも進行し摩耗が促進
する。
のプラズマエツチング装置の断面図である。この実施例
のプラズマエツチング装置を従来装置と比較して説明を
行うと、第1図が従来使用されているプラズマエツチン
グ装置の断面図であるが、ガス供給源に連結するガス導
入管1と高周空源に連結するガス排出管2と反応管3内
部に高周波発振器に接続される(→電極板4、反応管3
外部にも同様の(ト)電極板5が配置されエツチング処
理台6に載せられたフォトレジスト工程を経た半導体基
板7に対して、ガス導入管1より種々のエツチングガス
を導入し、選択的にパターン加工するが、この場合(→
電極板4と(ト)電極板5との間に強い高周波が発生し
ているため、反応管3のエツチングも進行し摩耗が促進
する。
第2図には本実施例のプラズマエツチング装置を示す。
第1図において示した従来装置と同様のガス導入管1及
びガス排出管2と半導体基板7をエツチング処理する為
のエツチング処理台6を有しているが高周波発振器に接
続される0電極板4及び(ト)電極板5が両方共反応管
3内部に配置されておシ、かつ外側に配置されている電
極5と反応管3との間にしきシ板8を有している事であ
る。
びガス排出管2と半導体基板7をエツチング処理する為
のエツチング処理台6を有しているが高周波発振器に接
続される0電極板4及び(ト)電極板5が両方共反応管
3内部に配置されておシ、かつ外側に配置されている電
極5と反応管3との間にしきシ板8を有している事であ
る。
即ち、この実施例によれば従来反応管3を挾んで電極板
4,5が配置されていたために起る高周波電力による反
応管3の摩耗が、(ト)電極板5・(→電極板4を両方
共、反応管3内部に配置した事、更に外側の電極板5と
反応管3との間にしきシ板8を設置した事により、反応
管3の寿命が従来1回/4〜5ケ月交換していたのが1
回/14〜15ケ月に延長でき、反応%−3の破裂事故
も減少し原価低減につながった。又、反応管3の摩耗に
ょシ、反応管3が白くくもる事も無くなってきたため、
エツチング処理完了点を検出できずにエツチングオーバ
ー・エツチング不足を誘発し、半導体装置の歩留を低下
させる間層も減少し、電極板配置が半導体基板7へと近
すいた為、エツチング速度が従来装置の12倍〜1.3
倍程度速くなシ、処理能力が向上する効果もあられれた
。
4,5が配置されていたために起る高周波電力による反
応管3の摩耗が、(ト)電極板5・(→電極板4を両方
共、反応管3内部に配置した事、更に外側の電極板5と
反応管3との間にしきシ板8を設置した事により、反応
管3の寿命が従来1回/4〜5ケ月交換していたのが1
回/14〜15ケ月に延長でき、反応%−3の破裂事故
も減少し原価低減につながった。又、反応管3の摩耗に
ょシ、反応管3が白くくもる事も無くなってきたため、
エツチング処理完了点を検出できずにエツチングオーバ
ー・エツチング不足を誘発し、半導体装置の歩留を低下
させる間層も減少し、電極板配置が半導体基板7へと近
すいた為、エツチング速度が従来装置の12倍〜1.3
倍程度速くなシ、処理能力が向上する効果もあられれた
。
上述の実施例において、平行平板型のプラズマエツチン
グ装置において説明を行ったが、バレル型のプラズマエ
ツチング装置においても同様の事が応用できるし、電極
板と反応管との間に使用されるしきシ板の材質は石英で
も、アルミ製などでも同様の効果が得られるのは言うま
でもない。
グ装置において説明を行ったが、バレル型のプラズマエ
ツチング装置においても同様の事が応用できるし、電極
板と反応管との間に使用されるしきシ板の材質は石英で
も、アルミ製などでも同様の効果が得られるのは言うま
でもない。
第1図は従来使用されているプラズマエツチング装置の
断面図である。 第2図は本実施例を示したプラズマエツチング装置の断
面図である。 岡、図において、1・・曲ガス導入管、2・・・・・・
ガス排出管、3・・・・・・反応管、4・・・・・・0
電極板、5・・・・・佃電極板、6・・・・・・エツチ
ング処理台、7・・四半導体基板、8・・・川しきシ板
。
断面図である。 第2図は本実施例を示したプラズマエツチング装置の断
面図である。 岡、図において、1・・曲ガス導入管、2・・・・・・
ガス排出管、3・・・・・・反応管、4・・・・・・0
電極板、5・・・・・佃電極板、6・・・・・・エツチ
ング処理台、7・・四半導体基板、8・・・川しきシ板
。
Claims (1)
- ガス導入管及びガス排出管を有し、反応管内外に電極を
配置した筒状の反応管、該ガス導入管に連結するガス供
給源、該ガス排出管に連結する高真空源、該電極に接続
する高周波発振器を含み、反応管中心部に設置されたエ
ツチング処理台に7オトレジストエ程を経た半導体基板
を載せ種々のエツチングガスによシ、選択的に/くター
ン加工するプラズマエツチングitにおいて、エツチン
グ処理台に載せられた半導体基板に対して垂直に配置さ
れている高周波発振器に接続されたに)電極板・(→電
極板が両方共、反応管内部に配置され、更に外側に配置
された電極板と反応管との間にしきシ板が設置されてい
る事を特徴とするプラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20340182A JPS5994420A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20340182A JPS5994420A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5994420A true JPS5994420A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16473437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20340182A Pending JPS5994420A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5994420A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2649474A1 (fr) * | 1989-07-06 | 1991-01-11 | Gen Electric | Procede permettant de reduire une contamination des bains de fusion a haute temperature et dispositif obtenu |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP20340182A patent/JPS5994420A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2649474A1 (fr) * | 1989-07-06 | 1991-01-11 | Gen Electric | Procede permettant de reduire une contamination des bains de fusion a haute temperature et dispositif obtenu |
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