JPS5994420A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5994420A JPS5994420A JP20340182A JP20340182A JPS5994420A JP S5994420 A JPS5994420 A JP S5994420A JP 20340182 A JP20340182 A JP 20340182A JP 20340182 A JP20340182 A JP 20340182A JP S5994420 A JPS5994420 A JP S5994420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode plate
- reaction tube
- reaction pipe
- etching
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置製造に使用されるプラズマエツチ
ング装置に関するものである。
ング装置に関するものである。
従来、半導体基板の表面に付着した金属膜あるいは絶縁
膜を酸化膜あるいはフォトレジスト膜を保護膜として選
択的にパターンを加工するプラズマエツチング装置は高
周波発振器に接続されている（→電極板及び（ト）電極
板が反応管を挾んで配置されている為、電極板間の高周
波の発振による反応管の摩耗が激しく反応管の厚さが薄
くなシ破裂したシ、又、反応管が摩耗によシ白くくもる
為半導体基板のエツチング完了点を自動的に検出できず
にエツチングオーバー・エツチングガスを誘発し半導体
装置の歩留を低下させる問題も頻発していた。
膜を酸化膜あるいはフォトレジスト膜を保護膜として選
択的にパターンを加工するプラズマエツチング装置は高
周波発振器に接続されている（→電極板及び（ト）電極
板が反応管を挾んで配置されている為、電極板間の高周
波の発振による反応管の摩耗が激しく反応管の厚さが薄
くなシ破裂したシ、又、反応管が摩耗によシ白くくもる
為半導体基板のエツチング完了点を自動的に検出できず
にエツチングオーバー・エツチングガスを誘発し半導体
装置の歩留を低下させる問題も頻発していた。
この発明の目的はプラズマエツチング装置に使用されて
いる反応管の摩耗を防ぎ、反応管の寿命を長くする事の
できる手段を提供する事にある。
いる反応管の摩耗を防ぎ、反応管の寿命を長くする事の
できる手段を提供する事にある。
この発明のプラズマエツチング装置はガス導入管及びガ
ス排出管を有し、反応管内外に電極を配置した筒状の反
応管、該ガス導入管に連結するガス供給源、該ガス排出
管に連結する高真空源、該電極に連結する高周波発振器
を含み、反応管中心部に設置されたエツチング処理台に
フォトレジスト工程を経た半導体基板を載せ、種々のエ
ツチングガスによυ選択的にパターン加工するプラズマ
エツチング装置において、エツチング処理台に載せられ
た半導体基板に対して垂直に配置されている高周波発振
器に接続された（→電極板及び（ト）電極板が両方共、
反応管内部に配置されておシ、更に外側に配置された電
極板と反応管との間にしきシ板が設置された構造を有す
るプラズマエツチング装置である。
ス排出管を有し、反応管内外に電極を配置した筒状の反
応管、該ガス導入管に連結するガス供給源、該ガス排出
管に連結する高真空源、該電極に連結する高周波発振器
を含み、反応管中心部に設置されたエツチング処理台に
フォトレジスト工程を経た半導体基板を載せ、種々のエ
ツチングガスによυ選択的にパターン加工するプラズマ
エツチング装置において、エツチング処理台に載せられ
た半導体基板に対して垂直に配置されている高周波発振
器に接続された（→電極板及び（ト）電極板が両方共、
反応管内部に配置されておシ、更に外側に配置された電
極板と反応管との間にしきシ板が設置された構造を有す
るプラズマエツチング装置である。
この発明のプラズマエツチング装置は上記した処置を施
こす事によシ、反応管の摩耗を少なくし原価低減につな
がシ、摩耗によシ反応管が白くくもシ半導体基板のエツ
チング完了点を検出できずエツチングオーバーやエツチ
ング不足を誘発する機会が少なくなるため結果的に半導
体装置の歩留向上にも貢献できる。
こす事によシ、反応管の摩耗を少なくし原価低減につな
がシ、摩耗によシ反応管が白くくもシ半導体基板のエツ
チング完了点を検出できずエツチングオーバーやエツチ
ング不足を誘発する機会が少なくなるため結果的に半導
体装置の歩留向上にも貢献できる。
次にこの発明の実施例につき図を用いて説明する。
第１図、第２図は、この発明の一実施例を説明するため
のプラズマエツチング装置の断面図である。この実施例
のプラズマエツチング装置を従来装置と比較して説明を
行うと、第１図が従来使用されているプラズマエツチン
グ装置の断面図であるが、ガス供給源に連結するガス導
入管１と高周空源に連結するガス排出管２と反応管３内
部に高周波発振器に接続される（→電極板４、反応管３
外部にも同様の（ト）電極板５が配置されエツチング処
理台６に載せられたフォトレジスト工程を経た半導体基
板７に対して、ガス導入管１より種々のエツチングガス
を導入し、選択的にパターン加工するが、この場合（→
電極板４と（ト）電極板５との間に強い高周波が発生し
ているため、反応管３のエツチングも進行し摩耗が促進
する。
のプラズマエツチング装置の断面図である。この実施例
のプラズマエツチング装置を従来装置と比較して説明を
行うと、第１図が従来使用されているプラズマエツチン
グ装置の断面図であるが、ガス供給源に連結するガス導
入管１と高周空源に連結するガス排出管２と反応管３内
部に高周波発振器に接続される（→電極板４、反応管３
外部にも同様の（ト）電極板５が配置されエツチング処
理台６に載せられたフォトレジスト工程を経た半導体基
板７に対して、ガス導入管１より種々のエツチングガス
を導入し、選択的にパターン加工するが、この場合（→
電極板４と（ト）電極板５との間に強い高周波が発生し
ているため、反応管３のエツチングも進行し摩耗が促進
する。
第２図には本実施例のプラズマエツチング装置を示す。
第１図において示した従来装置と同様のガス導入管１及
びガス排出管２と半導体基板７をエツチング処理する為
のエツチング処理台６を有しているが高周波発振器に接
続される０電極板４及び（ト）電極板５が両方共反応管
３内部に配置されておシ、かつ外側に配置されている電
極５と反応管３との間にしきシ板８を有している事であ
る。
びガス排出管２と半導体基板７をエツチング処理する為
のエツチング処理台６を有しているが高周波発振器に接
続される０電極板４及び（ト）電極板５が両方共反応管
３内部に配置されておシ、かつ外側に配置されている電
極５と反応管３との間にしきシ板８を有している事であ
る。
即ち、この実施例によれば従来反応管３を挾んで電極板
４，５が配置されていたために起る高周波電力による反
応管３の摩耗が、（ト）電極板５・（→電極板４を両方
共、反応管３内部に配置した事、更に外側の電極板５と
反応管３との間にしきシ板８を設置した事により、反応
管３の寿命が従来１回／４〜５ケ月交換していたのが１
回／１４〜１５ケ月に延長でき、反応％−３の破裂事故
も減少し原価低減につながった。又、反応管３の摩耗に
ょシ、反応管３が白くくもる事も無くなってきたため、
エツチング処理完了点を検出できずにエツチングオーバ
ー・エツチング不足を誘発し、半導体装置の歩留を低下
させる間層も減少し、電極板配置が半導体基板７へと近
すいた為、エツチング速度が従来装置の１２倍〜１．３
倍程度速くなシ、処理能力が向上する効果もあられれた
。
４，５が配置されていたために起る高周波電力による反
応管３の摩耗が、（ト）電極板５・（→電極板４を両方
共、反応管３内部に配置した事、更に外側の電極板５と
反応管３との間にしきシ板８を設置した事により、反応
管３の寿命が従来１回／４〜５ケ月交換していたのが１
回／１４〜１５ケ月に延長でき、反応％−３の破裂事故
も減少し原価低減につながった。又、反応管３の摩耗に
ょシ、反応管３が白くくもる事も無くなってきたため、
エツチング処理完了点を検出できずにエツチングオーバ
ー・エツチング不足を誘発し、半導体装置の歩留を低下
させる間層も減少し、電極板配置が半導体基板７へと近
すいた為、エツチング速度が従来装置の１２倍〜１．３
倍程度速くなシ、処理能力が向上する効果もあられれた
。
上述の実施例において、平行平板型のプラズマエツチン
グ装置において説明を行ったが、バレル型のプラズマエ
ツチング装置においても同様の事が応用できるし、電極
板と反応管との間に使用されるしきシ板の材質は石英で
も、アルミ製などでも同様の効果が得られるのは言うま
でもない。
グ装置において説明を行ったが、バレル型のプラズマエ
ツチング装置においても同様の事が応用できるし、電極
板と反応管との間に使用されるしきシ板の材質は石英で
も、アルミ製などでも同様の効果が得られるのは言うま
でもない。
第１図は従来使用されているプラズマエツチング装置の
断面図である。 第２図は本実施例を示したプラズマエツチング装置の断
面図である。 岡、図において、１・・曲ガス導入管、２・・・・・・
ガス排出管、３・・・・・・反応管、４・・・・・・０
電極板、５・・・・・佃電極板、６・・・・・・エツチ
ング処理台、７・・四半導体基板、８・・・川しきシ板
。
断面図である。 第２図は本実施例を示したプラズマエツチング装置の断
面図である。 岡、図において、１・・曲ガス導入管、２・・・・・・
ガス排出管、３・・・・・・反応管、４・・・・・・０
電極板、５・・・・・佃電極板、６・・・・・・エツチ
ング処理台、７・・四半導体基板、８・・・川しきシ板
。
Claims (1)
- ガス導入管及びガス排出管を有し、反応管内外に電極を
配置した筒状の反応管、該ガス導入管に連結するガス供
給源、該ガス排出管に連結する高真空源、該電極に接続
する高周波発振器を含み、反応管中心部に設置されたエ
ツチング処理台に７オトレジストエ程を経た半導体基板
を載せ種々のエツチングガスによシ、選択的に／くター
ン加工するプラズマエツチングｉｔにおいて、エツチン
グ処理台に載せられた半導体基板に対して垂直に配置さ
れている高周波発振器に接続されたに）電極板・（→電
極板が両方共、反応管内部に配置され、更に外側に配置
された電極板と反応管との間にしきシ板が設置されてい
る事を特徴とするプラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20340182A JPS5994420A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20340182A JPS5994420A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994420A true JPS5994420A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16473437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20340182A Pending JPS5994420A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2649474A1 (fr) * | 1989-07-06 | 1991-01-11 | Gen Electric | Procede permettant de reduire une contamination des bains de fusion a haute temperature et dispositif obtenu |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP20340182A patent/JPS5994420A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2649474A1 (fr) * | 1989-07-06 | 1991-01-11 | Gen Electric | Procede permettant de reduire une contamination des bains de fusion a haute temperature et dispositif obtenu |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4987284A (en) | Downstream microwave plasma processing apparatus having an improved coupling structure between microwave plasma | |
| JPS5994420A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| US5840203A (en) | In-situ bake step in plasma ash process to prevent corrosion | |
| JPH0352217B2 (ja) | ||
| JPS5871626A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPS5994422A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH0637050A (ja) | 半導体ウエハのドライエッチング装置 | |
| JPH0241167B2 (ja) | ||
| JPS59124724A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JP2967681B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPS59172236A (ja) | 反応性イオンエツチング装置 | |
| CN201562655U (zh) | 保护罩 | |
| JPS61224420A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000299306A (ja) | 誘導結合型プラズマエッチング装置 | |
| JPS60120524A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPS5976427A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0125222B2 (ja) | ||
| JPS59124725A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPS63229717A (ja) | エツチング方法 | |
| JPS5864030A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| KR200173010Y1 (ko) | 웨이퍼 스트립장치의 이온 트랩퍼 | |
| JPH05234957A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63124529A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6340320A (ja) | ドライアツシング装置 | |
| JPH01130526A (ja) | レジスト剥離装置 |