DE4015275A1 - Anordnung mit beschichtetem spiegel zur untersuchung von proben nach der methode der roentgenfluoreszenzanalyse - Google Patents
Anordnung mit beschichtetem spiegel zur untersuchung von proben nach der methode der roentgenfluoreszenzanalyseInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Untersuchung
von Proben nach der Methode der Röntgenfluoreszenzana
lyse, umfassend einen Strahlungsdetektor zur Erfassung
einer von der zu analysierenden Probe herrührenden
Sekundärstrahlung, sowie eine Röntgenstrahlungsquelle,
deren Strahlung beim Analysevorgang auf die Probe
gerichtet ist, wobei an einem Spiegel, der mit einer
alternierend periodischen Folge einer Mehrzahl einzelner
Lagen aus Metall oder Nichtmetall beschichtet sein kann,
die von der Röntgenstrahlungsquelle kommende Primär
strahlung unter Totalreflexionsbedingungen reflektiert
wird.
Eine Anordnung dieser Art wird in der Patentanmeldung P
39 38 193.5 beschrieben. Mit der vorangemeldeten Anord
nung zur Messung der charakteristischen
Fluoreszenzstrahlung (Sekundärstrahlung) bei streifendem
Einfall der Primärstrahlung ist ein grundsätzlich
geeignetes Instrument zur Elementbestimmung in ober
flächennahen Schichten geschaffen worden, was durch sehr
erfolgreich verlaufende Versuche bestätigt wurde. Bei
Anordnungen dieser Art wird der Effekt ausgenutzt, daß
bei streifendem Einfall von Röntgenstrahlung auf plane
Oberflächen die primäre Röntgenstrahlung eine nur
geringe vertikale Eindringtiefe in den Körper unterhalb
der Oberfläche aufweist. Für Einfallswinkel unter dem
Grenzwinkel der Totalreflexion ist die Eindringtiefe nur
auf wenige nm beschränkt. Die Nutzung eines derartigen
Effektes ist auch für die Röntgenfluoreszenzanalyse
kleinster zu untersuchender Proben im µg-Bereich geeig
net, z. B. von Stäuben oder Rückständen aus Lösungsmit
teln, wobei die Proben auf plane polierte Oberflächen,
die dann als Probenträger dienen, gegeben werden. Bei
dieser Anwendung führt die unter Totalreflexionsbedin
gungen extrem niedrige, vom Untergrund des Probenträgers
herrührende Beeinflussung zu Nachweisgrenzen in pg-Be
reich.
Um mit der vorangemeldeten Anordnung die Meßgenauigkeit
erhöhen zu können, mit dem Ziel, besonders geeignete
Anregungsbedingungen für die Totalreflexions-Röntgen
fluoreszenzanalyse herzustellen, ist ein monochroma
tischer Röntgenstrahl hoher Intensität bei geringer
Winkeldivergenz erforderlich. Zu diesem Zweck wurde der
Spiegel der Anordnung, der die primäre Röntgenstrahlung
unter Totalreflexionsbedingungen reflektiert, wenigstens
am Ort der Reflexion mit einer alternierend periodischen
Folge einer Mehrzahl einzelner Lagen aus Metall oder
Nichtmetall beschichtet, wobei derartige Schichten mit
"Synthetics Multilayer Structure" oder kurz SMLS-Schicht
bezeichnet werden. Durch das Vorsehen dieser
SMLS-Beschichtung im Reflexionsbereich ist eine die
Bandpaß-Filterung an SMLS-Schichten ausnutzende Win
kelbestimmung möglich, die die sehr hohe Flankensteil
heit und Selektivität ausnutzt, um der Forderung nach
einem monochromatischen Primärstrahl am Probenort
nachkommen zu können. Eine Verbesserung der Intensität
der Röntgenstrahlung am Probenort führt zu einer Ver
besserung der Nachweisstärke der Anordnung als solcher.
Bei Verwendung eines mit der SMLS-Beschichtung versehe
nen Spiegels sorgt ein ausreichend breiter, den Anfor
derungen der Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse
angepaßter Durchlaßbereich bei Energie- und Auftreff
winkel für hinreichend kleine Intensitätsverluste.
Untersuchungen haben gezeigt, daß eine Kurve, die den
Durchlaßbereich der auf den Spiegel auftreffenden
Strahlung für einen festen Winkel einer geeignet ausge
wählten SMLS-Beschichtung in Abhängigkeit von der
Energie zeigt, etwa bei doppelter Energie einen weiteren
Durchlaßbereich zeigt. Somit wird im Falle des mit einer
SMLS-Beschichtung versehenen Spiegels noch ein uner
wünschter spektraler Beitrag zur Messung geliefert, der
den Störuntergrund vergrößert, d. h. die Meßgenauigkeit
wiederum einschränkt.
Es ist somit Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine
Anordnung zur Röntgenfluoreszenzanalyse zu schaffen,
bei der der von einem mit einer SMLS-Beschichtung
versehene Spiegel reflektierte Röntgenstrahl, der einen
unerwünschten spektralen Beitrag enthält, von diesem
spektralen Beitrag befreit wird, um den Störuntergrund
zu vermindern, und die Meßgenauigkeit der Anordnung zu
erhöhen.
Gelöst wird die Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch, daß
in den Strahlengang zwischen der Röntgenstrahlungsquelle
und dem Spiegel ein zweiter Spiegel angeordnet ist,
wobei wenigstens der Reflexionsbereich eines Spiegels
mit der Mehrzahl einzelner Lagen (SMLS-Beschichtung)
beschichtet ist.
Der Vorteil der erfindungsgemäßen Anordnung besteht
darin, daß es auf einfache Weise möglich ist, den
hochenergetischen Reflex des mit einer SMLS-Beschichtung
versehenen Spiegels zu eleminieren, wobei die Intensität
und die Charakteristik des nutzbaren Bandes der SMLS-
Beschichtung praktisch nicht verändert wird. Vorteilhaft
ist es auch, die SMLS-Beschichtung wahlweise entweder
auf dem ersten oder dem zweiten Spiegel vorzusehen.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung
ist das die SMLS-Beschichtung bildende Metall Wolfram
und/oder Platin und/oder Tantal, wobei das Nichtmetall
Kohlenstoff und/oder Silizium und/oder ein Metallsilizit
ist. Die Zahl der Schichten, die die Gesamtdicke bildet,
ist wenigstens 20-200 groß, wobei die Dicke der Lagen
im Bereich von 10-9 m, d. h. im Bereich von nm liegt.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung
ist der Strahlungsdetektor an einem als Träger dienenden
Körper ausgebildet, wobei der Körper als erster Spiegel
dient. Auf diese Weise kann der Winkel am quasi als
Spiegel wirkenden Trägerkörper, wenn die SLMS-Schicht an
diesem Spiegel ausgebildet ist, genutzt werden, um über
die spezielle Energie/Winkelbeziehung des Reflexionsko
effizienten der Röntgenstrahlung das Energiespektrum der
Primärstrahlung unabhängig vom Auftreffwinkel auf die
Probe zu beeinflussen. Hinzu kommt, daß bei dieser
Ausgestaltung die Probe gegenüber dem als erster Spiegel
dienenden Trägerkörper auf einem exakt definierten
Abstand gehalten wird.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Anordnung
liegt der Einfallswinkel β 1 der von der Röntgenstrah
lungsquelle kommenden Primärstrahlung auf dem zweiten
Spiegel im Bereich von 10 (9,4) mrad. Dieser Wert zeigt
besonders vorteilhafte Reflexionsbedinungen.
Der Einfallswinkel β 2 der vom zweiten Spiegel reflek
tierten Primärstrahlung auf den ersten Spiegel liegt
vorteilhafterweise im Bereich von 1 (1,5) mrad. Mit
diesen Werten wird eine Durchlaßcharakteristik er
reicht, die den zweiten Reflex optimal eliminiert.
Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die nach
folgenden schematischen Zeichnungen anhand eines Aus
führungsbeispieles beschrieben. Darin zeigen:
Fig. 1 in der Seitenansicht die bei der Anordnung
zusammenwirkenden Komponenten mit schematisch
dargestelltem Strahlengang der Primärstrah
lung,
Fig. 2 in der Seitenansicht in teilweisem Schnitt die
bei der Anordnung zusammenwirkenden Komponen
ten gemäß Fig. 1, jedoch mit einem als Träger
körper ausgebildeten ersten Spiegel sowie
einer detaillierteren Darstellung der ein
zelnen Komponenten der Anordnung,
Fig. 3 der Verlauf der Intensität der Primärstrahlung
nach Spiegelung an einer SLMS-Schicht bei
einer vorbestimmten Energie, wobei ein Inten
sitätsmaximum der Primärstrahlung einem
bestimmten Winkel zugeordnet ist (Kurve A),
sowie die gleiche Primärintensität nach
Spiegelung an einem normalen Röntgenspiegel
(Kurve B) und einem weiteren Durchlaßbereich
bei höherer Energie und
Fig. 4 eine Darstellung gemäß Fig. 3, jedoch ohne den
Durchlaßbereich bei hoher Energie (2. Maximum),
wobei diese Fig. die erfindungsgemäß durch
Kombination von SMLS und Normalspiegel gerei
nigte Primärstrahlung darstellt.
Die Anordnung 10, vgl. Fig. 1, 2, besteht im wesent
lichen aus einem ersten Spiegel 11, der gemäß Fig. 2 als
quaderförmiger Block in Form eines Trägerkörpers 110
ausgebildet ist, sowie einer Röntgenstrahlungsquelle 16,
die einstellbar ist. Die Röntgenstrahlungsquelle 16 ist
in allen Freiheitsgraden verschieb- bzw. verschwenkbar
relativ zum Trägerkörper 11 ausgebildet.
Im Trägerkörper 110 ist in einem Abstand von der Rönt
genstrahlungsquelle 17 eine Bohrung 21 ausgebildet, die
den Trägerkörper 110 im wesentlichen rechtwinklig zur
grundsätzlich flächig ausgebildeten Unterseite des Trä
gerkörpers 110 durchquert. Der Reflexionsbereich 19 der
Primärstrahlung 17 am Trägerkörper 110 wird durch die
Unterseite des Trägerkörpers 110 zu einer Referenzebene
22 für die Probenoberfläche verlängert. In der Bohrung
21 ist als Teil der Anordnung 10 der Strahlungsdetektor
12 angeordnet. Der Detektor 12 weist eine Detektoremp
fangsachse 23 auf, die rechtwinklig zur Reflexionsfläche
22 der Primärstrahlung 17, 170 verläuft. Zentrisch zu
der Detektorempfangsachse 23, bei Betrachtung der
Anordnung der Fig. 1 und 2, und unterhalb der Reflexi
onsfläche 22 ist ein auswechselbarer Probenträger 24
angeordnet, der zur Detektorempfangsachse 23 axial und
winklig entsprechend der Pfeile 28 und 29 verschwenkbar
ist.
Auf dem Probenträger 24 ist eine zu analysierende Probe
15 positioniert, was symbolisch durch die in Richtung
des Strahlungsdetektors 12 gerichteten Pfeile, die die
von der Probe 15 herrührende Sekundärstrahlung 18
(Fluoreszenzstrahlung) zeigen, dargestellt ist.
Oberhalb, bei Betrachtung der Darstellung der Fig. 1 und
2, der Referenzebene 22 ist auf dem als quaderförmigem
Block ausgebildeten Trägerkörper 110 wenigstens ein Ab
standserfassungsmittel 26 angeordnet. An der Stelle, an
der das Abstandserfassungsmittel 26 am Trägerkörper 110
ausgebildet ist, wird der Trägerkörper 110 durch ein
Durchgangsloch 31 durchquert, wobei das Durchgangsloch
im wesentlichen parallel zur Detektorempfangsachse 23
verläuft. Der Abstand 13 zwischen einer Oberfläche 25
einer vom Probenträger 24 aufgenommenen Probe 15 und der
Referenzebene 22 des Trägerkörpers 11 ist somit durch
das Abstandserfassungsmittel 26 erfaßbar. Das Abstands
erfassungsmittel 26 kann beispielsweise durch eine
Meßeinrichtung gebildet werden, die mit Meßfühlern
versehen ist, so daß eine bewertbare physikalische Größe
entsprechend dem Abstand 13 zwischen Trägerkörper 11 und
der Oberfläche 25 der Probe 15 geliefert wird, indem
beispielsweise die Meßfühler unmittelbar die Oberfläche
25 der Probe 15 bzw. den Probenträger 24 berühren und
bei Verschiebung auf das Abstandserfassungsmittel 26 zu
bzw. von diesem weg bewegt werden.
Die Meßeinrichtung kann darüber hinaus, was hier im
einzelnen nicht dargestellt ist, berührungslos den
Abstand zwischen der Referenzebene 22 und der Oberfläche
25 der Probe 15 erfassen.
Schließlich umfaßt die Anordnung 10 Blenden 20, 27,
wobei die Blende 20 im wesentlichen im Reflexionsbereich
der Primärstrahlung am Trägerkörper 110 angeordnet ist.
Die Blende 20 ist als Stegblende ausgebildet. Die
Schlitzbreite der Blende 20 beträgt beispielsweise 1 bis
5×10-5 m. Die Blende 20 ist dabei in etwa in der Mitte
zwischen der Anode der Röhre der Röntgenstrahlungsquelle
16 und der Probe 15 angebracht. Die Breite der Schlitzes
kann beispielsweise durch Distanzstücke gegenüber der
Reflexionsbereich 19 des Trägerkörpers 11 eingestellt
werden.
Um den Strahlungsdetektor 12 herum ist die vorgenannte
zweite Blende 27 ausgebildet, die vorzugsweise in Form
einer Zylinderblende geformt ist. Diese Zylinderblende
hält zusätzlich unerwünschte Primär- und Streustrahlung
vom Strahlungsdetektor 12 fern und definiert den zu un
tersuchenden Ausschnitt der flächenhaften Probe 15 durch
Ausblendung der sekundären Fluoreszenzstrahlung 18.
Zwischen der Röntgenstrahlungsquelle 17 und dem ersten
Spiegel 11 bzw. dem als ersten Spiegel 11 wirkenden
Trägerkörper 110 ist ein zweiter Spiegel 14 in den von
der Röntgenstrahlungsquelle zum ersten Spiegel
führenden Strahlengang eingefügt. Der Strahlengang der
Primärstrahlung 17, 170, 171 ist durch die gepunktete
Linie dargestellt, die von der Röntgenstrahlungsquelle
16 ausgeht, am zweiten Spiegel 14 reflektiert wird und
am Trägerkörper 110 bzw. ersten Spiegel 11 in einem
Reflexionsbereich 19 unter Totalreflexionsbedingungen
reflektiert wird und dann als reflektierte Primärstrah
lung 171 auf die Probe 15 gelangt.
Der Trägerkörper 110 kann vorzugsweise aus einem Quarz
glas oder aus Metall bestehen, wobei grundsätzlich aber
jedes beliebige geeignete Material den Trägerkörper 110
bilden kann. So ist es auch möglich, den Trägerkörper
110 beispielsweise aus Quarzglas herzustellen und die
Reflexionsfläche 19 metallisch zu beschichten.
Der erste Spiegel 11 bzw. der Trägerkörper 110 kann
vorzugsweise im Reflexionsbereich 19 mit einer alter
nierend periodischen Folge einer Mehrzahl einzelner
Lagen aus Metall oder Nichtmetall beschichtet sein. Die
durch die Mehrzahl der Lagen gebildete Beschichtung wird
allgemein als SMLS-Beschichtung bezeichnet (SMLS-Syn
thetic Multilayer Structure). Die einzelnen Lagen der
Gesamtschicht können beispielsweise als Metall Wolfram
oder ein anderes Schwermetall aufweisen, während die
Lagen aus Nichtmetall beispielsweise durch Kohlenstoff
und/oder Silizium und/oder ein Metall Silizit gebildet
werden können. Die Zahl der Lagen kann beliebig variiert
werden, sie ist jedoch vorzugsweise 20-200 groß, wobei
die Dicke der Lagen im Bereich 10-9 m liegt.
Der zweite Spiegel 14 kann genauso wie der erste Spiegel
11 im Reflexionsbereich 190 mit einer alternierend
periodischen Folge einer Mehrzahl einzelner Lagen aus
Metall oder Nichtmetall beschichtet sein, d. h. mit der
vorangehend beschriebenen SMLS-Beschichtung, wobei
gleichermaßen die vorgenannten Dickenrelationen anwend
bar sind und ebenfalls die gleiche vorgenannte Materi
alwahl genutzt werden kann.
Wie Fig. 4 zeigt, ist eine die Bandpaß-Filterung an
SMLS-Schichten ausnutzende Winkelbestimmung möglich, die
die sehr hohe Flankensteilheit und Selektivität aus
nutzt. Fig. 4 zeigt auch, daß erfindungsgemäß ein
weiterer Durchlaßbereich nicht mehr existent ist.
Die Fig. 3 und 4 verdeutlichen auch die Wirkungsweise
der Anordnung 10. Fig. 3 zeigt Energiedurchlaßkurve für
einen einfachen Röntgenspiegel (Einfallswinkel β 2= 1,4 mrad,
Kurve B) zusammen mit der Durchlaßkurve für den
mit einer SMLS-Beschichtung versehenen zweiten Spiegel
(Einfallswinkel β 1=9,4 mrad, Kurve A). Fig. 4 zeigt,
wie erwähnt, die aus dem Hintereinanderschalten der
beiden Spiegel 14, 11 resultierende Durchlaßkurve. Im
Ergebnis zeigt Fig. 4 im Vergleich zur Kurve A in Fig.
3, daß es mit Hilfe der erfindungsgemäßen Anordnung
gelingt, den hochenergetischen Reflex bzw. Durchlaßbe
reich des mit einer SMLS-Beschichtung versehenen Spie
gels 11; 14 zu eleminieren. Es sei darauf hingewiesen,
daß entweder der erste Spiegel 11 oder der zweite
Spiegel 14 mit der SMLS-Beschichtung versehen sein kann,
um die erfindungsgemäße Wirkung zu erreichen. Grund
sätzlich wird die Intensität und die Charakteristik des
nutzbaren Bandes des mit der SMLS-Beschichtung versehe
nen Spiegels 11; 14 praktisch nicht verändert. Zur
Verbesserung einer Fokussierung der Primärstrahlung 170,
171 ist es möglich, die Spiegel 11; 14 geringfügig
gewölbt auszubilden.
Bei der Ausbildung der SMLS-Schicht am erten Spiegel
läuft das mit der Anordnung 10 ausführbare Verfahren in
folgenden Verfahrensschritten ab:
auf der Probenträgeroberfläche 25 wird zunächst die
Probe 15 angeordnet. Die Probenträgeroberfläche 25 wird
dann parallel in einen definierten Abstand 13 zur
Referenzebene 22 überführt, an der die Röntgenprimär
strahlung 170 unter Totalreflexionsbedingungen im
Reflexionsbereich 19 reflektiert wird und als reflek
tierte Strahlung 171 auf die auf der Probenträger
oberfläche 25 angeordneten Probe 15 trifft. Nachfolgend
wird die von der Röntgenstrahlungsquelle 16 ausgehende
Primärstrahlung 17 zu ihrem Strahlengang relativ zur
Referenzebene 22 variiert, vergl. Fig. 1, und zwar in
Richtung des Pfeiles 30. Dadurch ändert sich der Refle
xionswinkel 32 zwischen der Referenzebene 22 und dem
Strahlengang der reflektierten Primärstrahlung 171.
Gleichzeitig wird das Strahlungsspektrum der Sekundär
strahlung 18 der auf der Probenträgeroberfläche 25
angeordneten Probe 15 mit dem Strahlungsdetektor 12
beobachtet und zwar derart, daß anschließend bei einem
vorbestimmten Energiebetrag der Primärstrahlung 17 ein
Sekundärstrahlungsintensitätsmaximum ermittelt wird, und
zwar unter Verwendung bekannter Beziehungen zwischen dem
Reflexionswinkel 32 und der Intensität der reflektierten
Primärstrahlung 171, so daß dem Sekundärstrahlungsin
tensitätsmaximum ein bestimmter Reflexionswinkel zuge
ordnet werden kann.
Dabei kann jeder beliebige Einfallswinkel 33, unter dem
die an der Referenzebene 22 reflektierte Primärstrahlung
171 auf der Probenträgeroberfläche 25 auftrifft, relativ
zum ermittelten Referenzwinkel eingestellt werden.
Bezugszeichenliste
10 Anordnung
11 erster Spiegel
110 Trägerkörper
12 Strahlungsdetektor
13 Abstand
14 zweiter Spiegel
15 Probe
16 Röntgenstrahlungsquelle
17 Primärstrahlung
170 Primärstrahlung nach erster Reflexion
171 Primärstrahlung nach zweiter Reflexion
18 Sekundärstrahlung
19 Reflexionsbereich
190 Reflexionsbereich
20 Blende
21 Bohrung
22 Referenzebene
23 Detektorempfangsachse
24 Probenträger
25 Probenoberfläche
26 Abstandserfassungsmittel
27 Blende
28 Pfeil (Abstandsänderung)
29 Pfeil (Winkeländerung)
31 Durchgangsloch
32 Reflexionswinkel
33 Einfallswinkel
11 erster Spiegel
110 Trägerkörper
12 Strahlungsdetektor
13 Abstand
14 zweiter Spiegel
15 Probe
16 Röntgenstrahlungsquelle
17 Primärstrahlung
170 Primärstrahlung nach erster Reflexion
171 Primärstrahlung nach zweiter Reflexion
18 Sekundärstrahlung
19 Reflexionsbereich
190 Reflexionsbereich
20 Blende
21 Bohrung
22 Referenzebene
23 Detektorempfangsachse
24 Probenträger
25 Probenoberfläche
26 Abstandserfassungsmittel
27 Blende
28 Pfeil (Abstandsänderung)
29 Pfeil (Winkeländerung)
31 Durchgangsloch
32 Reflexionswinkel
33 Einfallswinkel
Claims (6)
1. Anordnung zur Untersuchung von Proben nach der
Methode der Röntgenfluoreszenzanalyse, umfassend einen
Strahlungsdetektor zur Erfassung einer von der zu
analysierenden Probe herrührenden Sekundärstrahlung
sowie eine einstellbare Röntgenstrahlungsquelle, deren
Strahlung beim Analysevorgang auf die Probe gerichtet
ist, wobei an einem Spiegel, der mit einer alternierend
periodischen Folge einer Mehrzahl einzelner Lagen aus
Metall oder Nichtmetall beschichtet sein kann, die von
der Röntgenstrahlungsquelle kommende Primärstrahlung
unter Totalreflexionsbedingungen reflektiert wird,
dadurch gekennzeichnet, daß in den Strahlengang zwischen
der Röntgenstrahlungsquelle (17) und dem Spiegel (11)
ein zweiter Spiegel (14) angeordnet ist, wobei wenig
stens der Reflexionsbereich (19; 190) eines Spiegels
(11; 14) mit einer Mehrzahl einzelner Lagen beschichtet
ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Metall Wolfram und/oder Platin und/oder Tantal
ist und daß das Nichtmetall Kohlenstoff und/oder Sili
zium und/oder ein Metallsilizit ist.
3. Anordnung nach einem oder beiden der Ansprüche 1 oder
2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zahl der Lagen
wenigstens 20 bis 200 groß ist, wobei die Dicke der
Lagen im Bereich von 10-9 m liegt.
4. Anordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Strahlungsdetek
tor (12) an einem als Träger dienenden Körper (110)
angeordnet ist, wobei der Trägerkörper (110) als erster
Spiegel dient.
5. Anordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Einfallswinkel β 1
der von der Röntgenstrahlungsquelle (16) kommenden
Primärstrahlung (17) auf den zweiten Spiegel (14) im
Bereich von 10 mrad liegt.
6. Anordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Einfallswinkel β 2
der vom zweiten Spiegel (14) reflektierten Primär
strahlung (170) auf den ersten Spiegel (11) im Bereich
von 1 mrad liegt.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904015275 DE4015275C2 (de) | 1990-05-12 | 1990-05-12 | Anordnung mit beschichtetem Spiegel zur Untersuchung von Proben nach der Methode der Röntgenfluoreszenzanalyse |
PCT/DE1991/000367 WO1991018284A1 (de) | 1990-05-12 | 1991-05-03 | Anordnung mit beschichtetem spiegel zur untersuchung von proben nach der methode der röntgenfluoreszenzanalyse |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904015275 DE4015275C2 (de) | 1990-05-12 | 1990-05-12 | Anordnung mit beschichtetem Spiegel zur Untersuchung von Proben nach der Methode der Röntgenfluoreszenzanalyse |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4015275A1 true DE4015275A1 (de) | 1991-11-14 |
DE4015275C2 DE4015275C2 (de) | 1994-07-21 |
Family
ID=6406258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19904015275 Expired - Fee Related DE4015275C2 (de) | 1990-05-12 | 1990-05-12 | Anordnung mit beschichtetem Spiegel zur Untersuchung von Proben nach der Methode der Röntgenfluoreszenzanalyse |
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