DE3942419C2 - - Google Patents

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DE3942419C2
DE3942419C2 DE3942419A DE3942419A DE3942419C2 DE 3942419 C2 DE3942419 C2 DE 3942419C2 DE 3942419 A DE3942419 A DE 3942419A DE 3942419 A DE3942419 A DE 3942419A DE 3942419 C2 DE3942419 C2 DE 3942419C2
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Germany
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semiconductor
film
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DE3942419A
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DE3942419A1 (de
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Masato Kashima
Kazuhiro Kawasaki Kanagawa Jp Tsuchiya
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/111—Field plates
    • H10D64/115—Resistive field plates, e.g. semi-insulating field plates

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
DE3942419A 1988-12-22 1989-12-21 Halbleitervorrichtung Granted DE3942419A1 (de)

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JP63324330A JPH02170469A (ja) 1988-12-22 1988-12-22 半導体装置

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DE3942419A1 DE3942419A1 (de) 1990-06-28
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19526568C1 (de) * 1995-07-20 1997-01-30 Siemens Ag Integrierter Schaltkreis mit CMOS-Schaltung und Verfahren zur Herstellung von isolierten, aktiven Bereichen einer CMOS-Schaltung
JP5732763B2 (ja) * 2010-07-20 2015-06-10 大日本印刷株式会社 Ｅｓｄ保護素子を備える半導体装置およびｅｓｄ保護素子を備える半導体装置の製造方法
CN109103259A (zh) * 2018-08-21 2018-12-28 电子科技大学 一种积累型dmos器件

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT951158B (it) * 1971-06-23 1973-06-30 Rca Corp Dispositivo semiconduttore presen tante giunzioni stabili per alte tensioni
US4412242A (en) * 1980-11-17 1983-10-25 International Rectifier Corporation Planar structure for high voltage semiconductor devices with gaps in glassy layer over high field regions
US4430663A (en) * 1981-03-25 1984-02-07 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Prevention of surface channels in silicon semiconductor devices
JPS61129868A (ja) * 1984-11-29 1986-06-17 Toshiba Corp 半導体装置
JPS62183177A (ja) * 1986-02-06 1987-08-11 Nec Corp 半導体装置
EP0255968A3 (en) * 1986-08-08 1988-08-10 SILICONIX Incorporated High sheet resistance polycrystalline silicone film for increasing diode breakdown voltage

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JPH02170469A (ja) 1990-07-02
DE3942419A1 (de) 1990-06-28

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