DE3805118A1 - Verfahren zum tiegelfreien zonenziehen von halbleiterstaeben und induktionsheizspule zu seiner durchfuehrung - Google Patents

Verfahren zum tiegelfreien zonenziehen von halbleiterstaeben und induktionsheizspule zu seiner durchfuehrung

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US07/281,499 US4851628A (en) 1988-02-18 1988-12-08 Method for the crucible-free floating zone pulling of semiconductor rods and an induction heating coil therefor
JP1002166A JPH062636B2 (ja) 1988-02-18 1989-01-10 半導体棒のルツボなしゾーン引上げ法および該方法を実施するための誘導加熱コイル
DK074689A DK169355B1 (da) 1988-02-18 1989-02-17 Fremgangsmåde til digelfri zonesmeltning af halvlederstænger samt induktionsvarmespole til udførelse af fremgangsmåden

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2142686B1 (en) 2007-04-13 2018-12-12 Topsil GlobalWafers A/S Method for producing a single crystal
EP4144894A1 (de) 2021-09-07 2023-03-08 Siltronic AG Verfahren zum herstellen eines einkristalls aus silicium

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0699218B2 (ja) * 1989-04-26 1994-12-07 信越半導体株式会社 単結晶育成用コイル
US5217565A (en) * 1991-11-13 1993-06-08 Wisconsin Alumni Research Foundation Contactless heater floating zone refining and crystal growth
JP2002249393A (ja) * 2001-02-15 2002-09-06 Komatsu Electronic Metals Co Ltd Ｆｚ法半導体単結晶成長方法
DE10137856B4 (de) * 2001-08-02 2007-12-13 Siltronic Ag Durch tiegelloses Zonenziehen hergestellter Einkristall aus Silicium
DE10137857B4 (de) * 2001-08-02 2006-11-16 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls
KR101324582B1 (ko) * 2008-11-25 2013-11-04 루오양 진누오 메캐니컬 엔지니어링 씨오., 엘티디 복수 개의 실리콘 코어를 제조하기 위한 고주파 코일 인상홀 배열체
JP4831203B2 (ja) * 2009-04-24 2011-12-07 信越半導体株式会社 半導体単結晶の製造方法および半導体単結晶の製造装置
JP5234148B2 (ja) * 2011-08-04 2013-07-10 信越半導体株式会社 半導体単結晶の製造方法および半導体単結晶の製造装置
JP5803729B2 (ja) * 2012-02-17 2015-11-04 信越半導体株式会社 誘導加熱コイル及び該コイルを使用した単結晶の製造方法
CN103114325A (zh) * 2013-02-25 2013-05-22 天津市环欧半导体材料技术有限公司 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
DE102014226419A1 (de) * 2014-12-18 2016-06-23 Siltronic Ag Verfahren zum Züchten eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls aus einer Fließzone
CN111748842B (zh) * 2020-07-09 2022-02-22 泉州市依科达半导体致冷科技有限公司 用于半导体晶棒拉晶的区熔炉及拉晶区域熔炼方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1809847A1 (de) * 1968-05-30 1969-12-11 Siemens Ag Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere Halbleiterstabes
DE2812216A1 (de) * 1978-03-20 1979-10-11 Siemens Ag Verfahren zum besseren aufschmelzen des vorratsstabes beim tiegelfreien zonenschmelzen
DE3600531A1 (de) * 1986-01-10 1987-07-16 Siemens Ag Vorrichtung zum herstellen von einkristallinem halbleitermaterial

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3096158A (en) * 1959-09-25 1963-07-02 Gerthart K Gaule Apparatus for pulling single crystals in the form of long flat strips from a melt
DE1802524B1 (de) * 1968-10-11 1970-06-04 Siemens Ag Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere Halbleiterstabes
US4220839A (en) * 1978-01-05 1980-09-02 Topsil A/S Induction heating coil for float zone melting of semiconductor rods
DE3603766A1 (de) * 1986-02-06 1987-08-13 Wacker Chemitronic Induktionsheizspule fuer das tiegelfreie zonenziehen von kristallstaeben
DE3625669A1 (de) * 1986-07-29 1988-02-04 Siemens Ag Induktionsheizer zum tiegelfreien zonenschmelzen

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1809847A1 (de) * 1968-05-30 1969-12-11 Siemens Ag Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere Halbleiterstabes
DE2812216A1 (de) * 1978-03-20 1979-10-11 Siemens Ag Verfahren zum besseren aufschmelzen des vorratsstabes beim tiegelfreien zonenschmelzen
DE3600531A1 (de) * 1986-01-10 1987-07-16 Siemens Ag Vorrichtung zum herstellen von einkristallinem halbleitermaterial

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2142686B1 (en) 2007-04-13 2018-12-12 Topsil GlobalWafers A/S Method for producing a single crystal
EP4144894A1 (de) 2021-09-07 2023-03-08 Siltronic AG Verfahren zum herstellen eines einkristalls aus silicium
WO2023036514A1 (de) 2021-09-07 2023-03-16 Siltronic Ag Verfahren zum herstellen eines einkristalls aus silicium

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Publication number Publication date
JPH062636B2 (ja) 1994-01-12
DK74689D0 (da) 1989-02-17
DK74689A (da) 1989-08-19
DK169355B1 (da) 1994-10-10
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US4851628A (en) 1989-07-25
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