DE2812216A1 - Verfahren zum besseren aufschmelzen des vorratsstabes beim tiegelfreien zonenschmelzen - Google Patents

Verfahren zum besseren aufschmelzen des vorratsstabes beim tiegelfreien zonenschmelzen

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DE2812216A1
DE2812216A1 DE19782812216 DE2812216A DE2812216A1 DE 2812216 A1 DE2812216 A1 DE 2812216A1 DE 19782812216 DE19782812216 DE 19782812216 DE 2812216 A DE2812216 A DE 2812216A DE 2812216 A1 DE2812216 A1 DE 2812216A1
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Wolfgang Dr Rer Nat Keller
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • C30B13/20Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

  • Verfahren zum besseren Aufschmelzen des Vorratsstabes
  • beim tiegelfreien Zonenschmelzen Die vorliegende Patentanmeldung betrifft ein Verfahren zum besseren Aufschmelzen des Vorratsstabes beim tiegelfreien Zonenschmelzen eines lotrecht gehalterten Halbleiterkristallstabes, insbesondere eines Siliciumkristallstabes, bei dem die Schmelzzone durch eine den Stab ringförmig umgebende, als Flachspule ausgebildete Induktionsheizspule erzeugt wird, deren Innendurchmesser kleiner als der aufzuschmelzende Vorratsstabteil ist.
  • Beim tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterkristallstäben mit größeren Durchmessern mit Hilfe einer Flachspule, beispielsweise bei Siliciumstäben mit mehr als 40 mm Durchmesser, neigen die aufzuschmelzenden, meist polykristallinen Kristallstäbe zuweilen dazu, Spitzen am Stabumfang in Form einer Zackenkrone oder "Nasen" auszubilden, wenn sie in den Bereich der Schmelzspule gelangen, die nicht aufschmelzen, sondern vielmehr, wenn sie mit der Spule in Kontakt kommen, einen Kurzschluß zwischen Spule und Stab verursachen und den Zonenschmelzprozeß sofort unterbrechen.
  • Bei dünnen Stäben kann man das Zusammentreffen einer "Spitze" oder "Nase" mit dem Innenrand der Induktionsheizspule dadurch unterbinden, daß man die Spule in horizontaler Richtung verschiebt. Diese Möglichkeit ist nicht mehr gegeben, wenn dicke Vorratsstäbe aufgeschmolzen werden müssen und deshalb die Schmelzzone stark eingeschnürt werden muß. In diesem Fall kann man nur den Zonenschmelzprozeß durch Auseinanderziehen der Stabenden abbrechen.
  • Eine Möglichkeit, die Ausbildung der Spitzen am Rand der aufzuschmelzenden Grenzflächen zu verhindern, besteht darin, daß man den Vorratsstabteil mit einer zusätzlichen Induktionsheizspule - wie in der deutschen Patentschrift 1 275 966 beschrieben - beheizt. Dies ist aber wegen der auftretenden Verkopplung technisch schwierig zu realisieren.
  • Eine weitere Möglichkeit ist dadurch gegeben, daß man, wie in der deutschen Offenlegungsschrift 26 30 366 bereits beschrieben, den Vorratsstabteil im Bereich des Schmelzzonenrandes zusätzlich zur Induktionsheizspule durch Strahlungsenergie, insbesondere in Form von energiereicher Lichtstrahlung, zum Beispiel durch Laserstrahlen aufschmilzt.
  • Beim Ubergang-auf sehr große Stabdurchmesser (größer 70 mm), bei denen zur Herstellung der Einkristalistäbe aus ökonomischen Gründen auch Vorratsstäbe mit relativ großen Stabdurchmessern verwendet werden, die dann noch mittels einer Induktionsheizspule mit kleinerem Innendurchmesser als der aufzuschmelzende Stabteil zonengeschmolzen und zusätzlich aufgestaucht werden, versagen die bislang bekannten Aufschmelzmethoden.
  • Die vorliegende Erfindung schafft hier Abhilfe und ist durch ein Verfahren der eingangs genannten Art dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich des Schmelzzonenrandes des Vorratsstabteils mindestens teilweise ein hoher Gradient des Spulenfeldes erzeugt wird und der rekristallisierte Stabteil undloder der Vorratsstabteil während des Zonenschmelzens in Rotation um ihre Längsachse versetzt werden.
  • Dabei liegt es im Rahmen der Erfindung2 daß der hohe Feldgradient durch einen, im Bereich der Heizspule angeordneten, mit einem Kiiblmittel versehenen Kurzschlußring, bestehend aus elektrisch gut leitendem Material erzeugt wird, der mindestens eine in Richtung Vorratsstabteil, entgegengesetzt der Ziehrichtung sich erstreckende Ausbuchtung aufweist. Dabei kann auch gemäß einem Ausführungsbeispiel ein, aus einem mäanderförmig gebogenen, gut leitendem Metallrohr bestehender, mit Kühlmittel durchflossener Kurzschlußring verwendet werden.
  • Durch den erfindungsgemäßen Kurzschlußring wird das Feid der Heizspule in der Weise beeinflußt, daß die Heizwirkung im Bereich der Ausbuchtung(en) erhöht wird.
  • Durch die Rotation des Stabes kommt jeder Bereich des Schmelzzonenrandes in den Bereich der Ausbuchtung, also erhöhter Heizwirkung, und es wird ein gleichmäßiges Aufschmelzen gewährleistet.
  • Es liegt auch im Rahmen des Erfindungsgedankens, daß der hohe Feldgradient durch ein, mit der InduRtionsheizspule bzw. deren Zuführungen fest verbundenen, mäanderförmig zu einem Ring gebogenen, wassergekühlten Kupfer- oder Silberrohr erzeugt wird. Bei dieser Anordnung fließt im Gegensatz zu den oben beschriebenen Ausführungsformen der Strom in Phase mit dem Spulenstrom.
  • Weitere Möglichkeiten der Feldbeeinflussung der Heizspule sind dadurch gegeben, daß die als einwindige Flachspule ausgebildete Induktionsheizspule mit einem, sich zur Spulenmitte hin verjüngenden Spulenschlitz ausgestattet ist oder mit einem schräg in Richtung Schmelzzone verlaufenden Spulenschlitz versehen ist.
  • Dabei erweist es sich immer als zweckmäßig, die Kühlung und den Speisestrom bevorzugt nach innen zu führen.
  • Durch das Verfahren nach der Lehre der Erfindung ist die Möglichkeit gegeben, bei Verwendung von Vorratsstäben von mehr als 80 mm Durchmesser Siliciumeinkristallstäbe mit Durchmessern von 100 mm und darüber und Längen von mehr als 1000 mm ohne Schwierigkeiten und versetzungsfrei zonenzuschmelzen.
  • Weitere Einzelheiten werden im Folgenden an Hand von Ausführungsbeispielen und der Fig. 1 bis 6 noch näher erläutert. Dabei zeigen die Fig. 1 und 2 die Verwendung eines mit einer Ausbuchtung versehenen Kurzschlußringes beim Zonenschmelzen eines Siliciumkristallstabes nach dem erfindungsgemäßen Verfahren; Fig. 3 und 4 stellen mit der Induktionsheizspule verbundene mäanderförmig zu einem Ring gebogene Ausführungsformen dar und die Fig. 5 und 6 zeigen einwindige Flachspulen mit speziellen Schlitzausführungen.
  • In der Fig. 1 ist mit dem Bezugszeichen 1 der Vorratsstabteil eines polykristallinen Siliciumstabes dargestellt, welcher in einen Siliciumeinkristallstab 2 durch Ziehen aus der mit dem Bezugs zeichen 3 bezeichneten Schmelze gezogen wird. Die Schmelzzone 3, welche die beiden Stabteile 1 und 2 miteinander verbindet, wird erzeugt durch die als Flachspule ausgebildete Induktionskeizspule 4. Der Impfling ist unterhalb der Spule angeordnet. Während des Aufschmelzens des Vorratsstabteils 1 bilden sich an dessen, der Schmelzzone 3 zugewandten Rand Spitzen ur.d Nasen infolge der grobkörnigen Struktur des polykristallinen Materials aus, welche durch die an dem über der Induktionsheizspule 4 in der Ebene der oberen Fest/Flüssig-Grenze angeordneten Kurzschlußring 5 befindliche Ausbuchtung 6 (Schmelzohr) infolge der dort örtlich auftretenden höheren Heizleistung aufgeschmolzen werden. Da der Vorratsstabteil 1 in Rotation um seine Längsachse, dargestellt durch den Drehpfeil 7, versetzt wird, werden die an der oberen Grenzfläche Flüssig/Fest auftretenden Nasen aufgeschmolzen, noch bevor sie in den Bereich der Induktionsheizspule gelangen. Der erfindungsgemäße Kurzschlußring 5, welcher schwenkbar, ggf. auch höhenverstellbar ausgebildet ist, besteht aus einem, mit Kühlwasser durchflossenen Kupferrohr, dessen Enden durch eine Lötstelle 8 miteinander verbunden sind.
  • In Fig. 2, welche einen Längsschnitt durch die Fig. 1 darstellt, gelten die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1. Die Induktionsheizspule 4 (sog. Lochpfannkuchenspule) kann auch teilbar ausgebildet sein. Wie aus den Fig. 1 und 2 zu ersehen ist, wird der Siliciumstab 1 im Bereich der Schmelzzone 3 stark eingeschnürt.
  • Ausführunsbeisiel zu Fig. 1 und 2: Durchmesser des Vorratsstabteils 1 = 80 bis 100 mm Durchmesser des rekristallisierten Stabteils 2 = 80 bis 100 mm Innendurchmesser der Spule = 36 mm Außendurchmesser der Spule = 150 mm Rotation des Vorratsstabteils 1 = 5 UpM (mindestens 2 UpM).
  • In der Fig. 3 ist eine einwindige, als Flachspule ausgebildete Induktionsheizspule 11 dargestellt, bei der der hohe Feldgradient am oberen Schmelzzonenrand durch ein, mit der Induktionsheizspule 11 durch Lötstellen 13 fest verbundenes, mäanderförmig zu einem Ring 12 gebogenes, wassergekühltes Kupfer- oder Silberrohr erzeugt wird.
  • Fig. 4 zeigt eine ähnliche Ausführungsform wie Fig. 3.
  • Der Unterschied besteht darin, daß der mäanderförmig gebogene Ring 12 freischwebend über der Spule 11 angeordnet ist und die Zuführungen 14 für Kühlwasser und Hochfrequenz hinten am Spulenklötzchen 15 angeschlossen sind.
  • In Fig. 5 ist eine einwindige Flachspule 21 (sog. Lochpfannkuchenspule) dargestellt, bei der zur Beeinflussung des Spulenfeldes der Spulenschlitz 22 schräg in Richtung der Schmelzzone verläuft. Dadurch wird eine größere Verweilzeit des Stabrandes im Schlitzbereich gewährleistet.
  • Fig. 6 zeigt ebenfalls eine einwindige Flachspule 31 mit einem sich zum Innenrand der Spule hin verjüngenden Schlitz 32. Durch zusätzlich eingebrachte Schlitze 33 und 34 wird eine bessere Stromführung erzwungen und dadurch in diesem Bereich eine höhere Heizleitung erreicht. Der Vorratsstabteil muß in Rotation um seine Längsachse versetzt werden.
  • 6 Figuren 7 Patentansprüche

Claims (7)

  1. Pat entanstrüche 1. Verfahren zum besseren AuSschmelzen des Vorratsstabes beim tiegelfreien Zonenschmelzen eines lotrecht gehalterten Halbleiterkristallstabes, insbesondere eines Siliciumkristallstabes, bei dem die Schmelzzone durch eine, den Stab ringförmig umgebende, als Flachspule ausgebildete Induktionsheizspule erzeugt wird, deren Innendurchmesser kleiner als der auizuschmelzende Vorratsstabteil ist, da d u r c h gek e n n -z e i c h n e t , daß im Bereich des Schmelzzonenrandes des Vorratsstabteils mindestens teilweise ein hoher Gradient des Spulenfeldes erzeugt wird und der rekristallisierte Stabteil und/oder der Vorratsstabteil wahrend des Zonenschmelzens in Rotation um Ihre Längsachsen versetzt werden.
  2. 2. Verfaiiren rach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß der hohe Feldgradient durch einen im Bereich der Heizspule angeordneten, mit einem Kühlmittel versehenen Kurzschlußring, bestehend aus elektrisch gut leitendem Material erzeugt wird, der mindestens eine in Richtung Vorratsstabteil, entgegengesetzt der Ziehrichtung sich erstreckende Ausbuchtung aufweist.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 undloder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß ein aus einem mäanderförmig gebogenen, gut leitendem Metallrohr bestehender, mit Kühlwasser durchflossener Kurzschlußring verwendet wira.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß der hohe Feldgradient durch ein, mit der Induktionsheizspule bzw. deren Zuführungen fest verbundenes mäanderförmig zu einem Ring gebogenes, wassergekuhltes Kupfer- oder Silberrohr erzeugt wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, g e k e n n z e i c h -n e t d u r c h die Verwendung einer einwindigen Flachspule mit einem schräg, in Richtung Schmelzzone verlaufenden Spulenschlitz.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 1, g e k e n n z e i c h -n e t d u r c h die Verwendung einer einwindigen Flachspule mit einem, sich zur Spulenmitte hin verjüngenden Spulenschlitz.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß eine Rotationsgeschwindigkeit von mindestens 2 UpM, vorzugsweise 5 UpM, eingestellt wird.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0292920A1 (de) * 1987-05-25 1988-11-30 Shin-Etsu Handotai Company Limited Vorrichtung für HF-Induktionsheizung
DE3805118A1 (de) * 1988-02-18 1989-08-24 Wacker Chemitronic Verfahren zum tiegelfreien zonenziehen von halbleiterstaeben und induktionsheizspule zu seiner durchfuehrung
US5051242A (en) * 1989-04-26 1991-09-24 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Heating coil for use in growth of single crystal
DE19610650B4 (de) * 1996-03-06 2004-03-18 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterialstäben

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