DE3726171A1 - Verfahren und vorrichtung zur reinigung von silicium - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reinigung von Si­ licium und insbesondere ein Verfahren, das sich des Prin­ zips der Segregationserstarrung zur Reinigung von metalli­ schem Silicium für industrielle Zwecke bedient, so daß Si­ licium mit einer hohen Reinheit von mindestens 99,9% aus rohem Silicium mit einer Reinheit von etwa 98 bis etwa 99% hergestellt werden kann.

Die angegebenen Prozentangaben beziehen sich auf Gewichts­ prozentangaben.

Es ist unerläßlich, Silicium mit einer hohen Reinheit von mindestens 99,9% als polykristallines Silicium für Solar­ zellen und ebenfalls als polykristallines Silicium zur Her­ stellung von Siliciumeinkristallen für Halbleiter zu ver­ wenden. Hochreines Silicium wird in der Weise hergestellt, daß man für industrielle Zwecke im Handel erhältliches rohes Si­ licium mit einer Reinheit von 98 bis 99% reinigt. Zur Rei­ nigung des rohen Siliciums wurden bisher chemische oder me­ tallurgische Verfahren angewendet. Ein chemisches Verfahren wird gewöhnlich in der Weise durchgeführt, daß man rohes Silicium unter Bildung von Trichlorsilan mit Chlorwasser­ stoff umsetzt, das Trichlorsilan reinigt, das gereinigte Silan mit Wasserstoff reduziert und unter Abscheidung auf einem rotglühenden Stab hochreines Silicium erhält. Die herkömmlichen chemischen Reinigungsverfahren enthalten vie­ le Stufen und bergen weiterhin den Nachteil, daß sie schwierig in der Durchführung und außerdem kostspielig sind. Das Prinzip der Abscheidungserstarrung bei der metal­ lurgischen Reinigung wird in der Weise durchgeführt, daß man hochreines Silicium aus einer Schmelze aus rohem Sili­ cium in einer geschmolzenen Sn-Pb-Legierung, einer Al-Le­ gierung oder Aluminium auskristallisieren läßt. Das her­ kömmliche metallurgische Reinigungsverfahren erfordert je­ doch einen sehr großen Zeitaufwand, damit die Erstarrung im Gleichgewicht erfolgen kann. Sie weist außerdem nur eine geringe Produktivität auf und ist bisher noch nicht in in­ dustriellem Maßstab angewendet worden.

Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren, das die oben genannten Nachteilel zur Reinigung von Silicium nicht auf­ weist, anzugeben.

Diese Aufgabe wird mit dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Reinigung von Silicium gelöst, das darin besteht, daß man rohes Silicium schmilzt, das geschmolzene Silicium oberhalb einer Erstarrungstemperatur in einer lnertgasatmosphäre hält und eine in das geschmolzene Silicium getauchte Hohl­ raumrotationskühleinheit dreht, währenddem man eine Kühl­ flüssigkeit in die Kühleinheit einleitet, um in dieser Wei­ se die Kristallisation von hochreinem Silicium auf der äu­ ßeren Umfangsoberfläche der Kühlvorrichtung zu veranlassen.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird rohes Silicium bis auf eine hohe Reinheit mit einem einfacheren Verfahren als das herkömmliche chemische Reinigungsverfahren innerhalb eines kürzeren Zeitraums als bei dem herkömmlichen metal­ lurgischen Verfahren gereinigt. Wenn man rohes Silicium, das eutektische Unreinheiten enthält, die mit dem Silicium eine eutektische Reaktion eingehen, schmilzt und dann einer Gleichgewichtserstarrung unterwirft, so scheiden sich zu­ nächst primäre Siliciumkristalle von hoher Reinheit ab. Das Verhältnis der Konzentration der Verunreinigung der festen Phase zu der Konzentration der Verunreinigung der flüssigen Phase, C_S/C_L, wird durch den Gleichgewichtssegregationsko­ effizienten Ko ausgedrückt. Die Gleichgewichtssegregations­ koeffizienten verschiedener Unreinheiten im Silicium sind bisher empirisch bestimmt worden. ln der Nachbarschaft der Fest-Flüssig-Grenzfläche des oben beschriebenen Systems bildet sich durch die freigewordenen Verunreinigungen eine konzentrierte Schicht aus Verunreinigungen mit einer höhe­ ren Verunreinigungskonzentration als in den anderen Berei­ chen. Wenn man dann die Erstarrung sehr langsam über einen längeren Zeitraum durchführen läßt, während dem die Ver­ unreinigungen in der konzentrierten Schicht durch die ge­ samte flüssige Phase diffundieren, so wird der Fortgang der Erstarrung ebenfalls durch den Gleichgewichtssegregations­ koeffizienten bestimmt, d. h. also, daß die Erstarrung im Gleichgewicht verläuft. Dieses zeitaufwendige Verfahren ist jedoch im Hinblick auf die Produktivität in industriellem Maßstab undurchführbar. Die Erstarrung muß daher innerhalb eines kürzeren Zeitraums durchgeführt werden. Bei einer Be­ schleunigung wird die Erstarrung der flüssigen Phase durch den effektiven Segregationskoeffizienten bestimmt, der einen größeren Wert als der Gleichgewichtssegregations­ koeffizient hat, was schließlich dazu führt, daß die gebil­ dete feste Phase eine höhere Verunreinigungskonzentration als diejenige, die man nach dem oben genannten durch den Gleichgewichtssegregationskoeffizienten bestimmten Erstar­ rungsverfahren erhält, aufweist. Im Falle, daß man das Si­ licium erfindungsgemäß auf der äußeren Periphere der Rota­ tionskühleinheit während der Rotation auskristallisieren läßt, können die in der Nachbarschaft der fest-flüssigen Grenzfläche freigesetzten Verunreinigungen durch die ge­ samte flüssige Phase diffundieren und mit dieser vermischt werden, wodurch die Dicke der konzentrierten Verunreini­ gungsschicht in der flüssigen Phase, welche sich in der Nähe der Grenzfläche während des Vorgangs der Erstarrung des Siliciums befindet, schnell vermindert wird. Auf diese Weise wird der bei der Erstarrung beteiligte Segregations­ koeffizient auf einen Wert herabgesetzt, der nahe an den Gleichgewichtssegregationskoeffizienten herankommt, was schließlich dazu führt, daß gereinigtes Silicium innerhalb eines kurzen Zeitraums mit einer wesentlich höheren Rein­ heit als das rohe Silicium hergestellt werden kann.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kann die Oxidation des geschmolzenen Siliciums verhindert werden. Geschmolzenes Silicium bildet, wenn es oxidiert ist, auf der Oberfläche der Schmelze einen Oxidfilm, der den Reinigungsprozeß er­ heblich behindert, was schließlich dazu führt, daß das zu reinigende Silicium verworfen werden muß.

Das Verfahren wird mit einer Vorrichtung durchgeführt, die einen Schmelzofen mit einer Heizeinrichtung, einen in dem Schmelzofen zur Aufbewahrung des geschmolzenen Siliciums angebrachten Tiegel, eine Einrichtung zum Halten des ge­ schmolzenen Siliciums in einer Inertgasatmosphäre, eine rotierbare, in dem Tiegel angebrachte Hohlraumkühleinheit und eine Einrichtung zum Einleiten einer Kühlflüssigkeit in den Innenraum der Hohlraumkühleinheit umfaßt.

Die Erfindung wird nachfolgend im einzelnen beschrieben.

Fig. 1 zeigt eine Ansicht eines senkrechten Schnitts durch eine erste Ausführungsform einer Vorrichtung zum Durchführen des erfindungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 2 zeigt eine Ansicht eines senkrechten Schnittes durch eine zweite Ausführungsform einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens; und

Fig. 3 zeigt eine Ansicht eines senkrechten Schnittes durch eine dritte Ausführungsform einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.

In den Fig. 1 bis 3 sind die einzelnen Teile und Substanzen mit Bezugszahlen gekennzeichnet.

Fig. 1 zeigt eine erste Ausführungsform einer Vorrichtung, die erfindungsgemäß zur Reinigung des Siliciums eingesetzt werden kann. Aus dieser Zeichnung geht hervor, daß die Si­ liconreinigungsvorrichtung einen Schmelzofen 1 und einen in dem Schmelzofen 1 angebrachten Tiegel 2 aufweist. Der Schmelzofen 1 umfaßt einen Hauptkörper 3 mit einem offenen oberen Ende und eine Schließeinrichtung 4, die durch Ver­ rücken das obere offene Ende des Ofenhauptkörpers 3 ver­ schließt. Eine Heizeinrichtung 5 befindet sich entlang der inneren Oberfläche der peripheren Wand des Hauptkörpers 3. Die Heizeinrichtung 5 besteht hauptsächlich aus Graphit, Siliciumcarbid oder ähnlichen Keramikmaterialien, die für Hochtemperaturanwendungen geeignet sind. Die Schließein­ richtung 4 ist in der Mitte mit einer Bohrung 6 versehen. Eine darüber befindliche röhrenförmige Einheit 7 ist um die Bohrung 6 auf der oberen Seite der damit eingebauten Schließeinrichtung 4 angebracht. Durch die Schließein­ richtung 4 erstreckt sich eine Röhre 8, mit der in den In­ nenraum des Ofens 1 ein lnertgas, das vorzugsweise Argongas ist, eingeleitet wird. Die Schließeinrichtung 4 und das Gaseinleitungsrohr 8 dienen dazu, das geschmolzene Silicium in dem Tiegel 2 in einer Inertgasatmosphäre zu halten.

Es ist wünschenswert, daß der Tiegel 2 aus einem Material, wie Graphit oder Aluminiumoxid, hergestellt ist, damit kei­ ne Reaktion mit dem Silicium oder dem verunreinigten ge­ schmolzenen Silicium erfolgen kann. Der Tiegel 2 wird vor­ zugsweise zusammen mit einem darin eingefügten Quarzglas­ tiegel 11 aus Siliciumdioxid verwendet. Der Tiegel 11 bil­ det eine Siliciumdioxidschicht. Der Tiegel 2 befindet sich auf einem Block aus feuerfestem Normalstein 9 am unteren Ende des Ofens 1. Das rohe, zu reinigende Silicium wird in den Tiegel 2 eingebracht und bis zur Entstehung von ge­ schmolzenem Silicium 10 mit der Heizvorrichtung 5 erhitzt.

Eine Hohlraumrotationskühleinheit 12 in Gestalt einer ver­ tikalen Röhre mit einem geschlossenen unteren Ende geht ab­ wärts durch die röhrenförmige Einheit 7 und die Bohrung 6 in den Schmelzofen 1 und taucht somit in das im Tiegel 2 befindliche geschmolzene Silicium 10. Die Kühleinheit 12 kann sich sowohl nach oben als auch nach unten bewegen. Die Kühleinheit 12 verjüngt sich an der Stelle, wo sie in das geschmolzene Silicium 10 eintaucht. Die Hohlraumrotations­ kühleinheit 12 ist in ihrem Inneren mit einer Röhre 13 aus­ gestattet, die eine Kühlflüssigkeit in den Innenraum der Kühlvorrichtung 12 leitet. Eine Vielzahl von Löchern 14 zum Entweichen der Kühlflüssigkeit sind in der peripheren Wand des Rohres 13 an der Stelle eingelassen, wo sich die Kühl­ einheit 12 unterhalb der Flüssigkeitsgrenze des geschmolze­ nen Siliciums 10 befindet. Die Kühleinheit 12 besteht vor­ zugsweise aus einem Material, wie Siliciumnitrid oder Gra­ phit, damit keine Reaktionen mit dem verunreinigten ge­ schmolzenen Silicium stattfinden kann. Außerdem weist ein solches Material eine hohe Hitzeleitfähigkeit auf.

Beim Betrieb dieser Vorrichtung bringt man das rohe zu rei­ nigende Silicium zunächst in den Tiegel 2 ein und leitet ein Inertgas in den Schmelzofen 1 über das Gaseinleitungs­ rohr 8 ein, um somit eine lnertgasatmosphäre im lnnenraum des Ofens zu schaffen. Man setzt die Heizvorrichtung 5 in Betrieb, um somit das rohe Silicium in das geschmolzene Si­ licium 10 unter Hitze zu verwandeln, das während des Er­ hitzens oberhalb seiner Erstarrungstemperatur gehalten wird. Das rohe Silicium kann andererseits auch, bevor es in den Tiegel 2 eingebracht wird, geschmolzen werden. Man hält das geschmolzene Silicium 10 in der lnertgasatmosphä­ re. Man dreht dann die Kühleinheit 12, währenddem eine Kühlflüssigkeit über das Rohr 13, welches zur Einleitung der Flüssigkeit dient, in den lnnenraum der Einheit 12 ein­ leitet. Es ist bevorzugt, die Kühleinheit 12 bei einer Um­ fangsgeschwindigkeit von 500 bis 6000 mm/s, insbesondere 500 bis 1500 mm/s, rotieren zu lassen. Die in die flüssige Phase an der Fest-Flüssig-Grenzfläche abgegebenen Verunrei­ nigungen können von der Grenzfläche aus durch die Rotation während des Fortschreitens der Erstarrung des geschmolzenen Siliciums in die gesamte flüssige Phase diffundiert werden. Der Erstarrungsprozeß wird daher durch einen Segregations­ koeffizienten bestimmt, der nahe an den Wert für den Gleichgewichtsegregationskoeffizienten kommt, was dazu führt, daß hochreines Silicium 15 an der äußeren peripheren Oberfläche der Kühleinheit 12 innerhalb eines kurzen Zeit­ raums kristallisiert. Wenn die Umfangsgeschwindigkeit un­ terhalb der unteren Grenze liegt, so kann diese Wirkung nicht in vollem Ausmaß erreicht werden, wenn jedoch die Geschwindigkeit oberhalb der oberen Grenze liegt, so wird sich das Silicium wahrscheinlich nur schwer auf der äußeren peripheren Oberfläche der Kühleinheit 12 während der Er­ starrung abscheiden.

Man kann das hochreine, an der äußeren peripheren Oberflä­ che der Kühleinheit 12 abgeschiedene Silicium 15 sammeln, indem man das Silicium 15 abschabt oder dieses nach dem Em­ porheben der Kühleinheit 12 entlang der Schließeinrichtung 4 wieder schmilzt.

Die Fig. 2 zeigt als zweite erfindungsgemäße Ausführungs­ form eine Vorrichtung, bei der zwei Ablenkplatten 20 zur Verminderung der Fließgeschwindigkeit des geschmolzenen Si­ liciums an der unteren Seite der Schließeinrichtung 4 je­ weils hängend mit einer Halteeinrichtung 21 in Gestalt ei­ nes runden Stabes angebracht sind. Diese zweite Ausfüh­ rungsform unterscheidet sich nur hinsichtlich dieses Merk­ mals von der ersten Ausführungsform. Die Ablenkplatten 20 weisen jeweils ein unterhalb des unteren Endes der Rota­ tionskühleinheit 12 anbringbares unteres Ende und ein un­ terhalb der Flüssigkeitsoberfläche anbringbares oberes Ende auf. Die Anzahl der Ablenkplatten 20 ist keinesfalls nur auf zwei beschränkt, jedoch sollte zumindest eines vorhan­ den sein. Zwei bis acht Ablenkplatten sind bevorzugt. Die Ablenkplatten 20 sind in einem bestimmten Umfangsabstand um die Rotationskühleinheit 12 angebracht.

Die Ablenkplatten 20 vermindern die Geschwindigkeit des Flusses des geschmolzenen Siliciums 10, die durch die Rota­ tion der Rotationskühleinheit 12 entsteht, wobei die Ge­ schwindigkeit der Rotationskühleinheit 12 gegenüber der flüssigen Phase erhöht wird, was den Unterschied zwischen der Umfangsgeschwindigkeit der Kühleinheit 12 und der Fließgeschwindigkeit des geschmolzenen Siliciums 10 aus­ macht. Wenn dieser Unterschied ansteigt, vermischt sich ei­ ne konzentrierte Schicht aus Verunreinigungen, die sich in der Nachbarschaft der Fest-Flüssig-Grenzfläche bildet, mit der verbleibenden flüssigen Phase in stärkerem Maße als ohne den Einbau der Ablenkplatten, so daß die Verunreini­ gungen in Gegenwart der Ablenkplatten 20 in der konzen­ trierten Schicht durch die gesamte flüssige Phase diffun­ diert werden, wobei die Dicke der konzentrierten Schicht vermindert wird und ein größerer Temperaturgradient in die­ sem Bereich entsteht. Die Ablenkplatten 20 erzeugen außer­ dem Wirbelströmungen in dem geschmolzenen Silicium 10, wo­ durch die Dicke der konzentrierten Schicht ebenfalls ver­ mindert wird. Der Erstarrungsvorgang in diesem Zustand er­ möglicht auf der äußeren Oberfläche der Kühleinheit 12 das Abscheiden einer Masse aus gereinigtem Silicium 15 mit ei­ nem wesentlich höheren Reinheitswert als das rohe Silicium. Wenn man die Ablenkplatten 20 weiter nach oben oberhalb der Flüssigkeitsgrenze anbringt, so werden Wirbelströmungen des geschmolzenen Siliciums in der Nähe der Oberfläche der Schmelze entstehen, so daß die Schmelze eine wellenförmige Oberfläche bekommt, was schließlich dazu führt, daß ge­ schmolzenes Silicium herausspritzt. Um diese Nachteile zu überwinden, sollte das obere Ende der Ablenkplatten 20 stets unterhalb der Flüssigkeitsgrenze angebracht sein. Sollten die oberen Enden der Ablenkplatten 20 oberhalb der Flüssigkeitsgrenze angebracht sein, so erstarrt aufgrund von Wirbelströmungen oder Wellenbildung herausgespritztes geschmolzenes Silicium oberhalb der oberen inneren Oberflä­ che des Tiegels 11 oder auf den Bereichen der Ablenkplatten 20, die aus der Flüssigkeit herausragen. Auf diese Weise kommt es dann zu einer verminderten Reinigungseffektivität und auch zu einer verminderten Produktivität.

Fig. 3 zeigt als dritte erfindungsgemäße Ausführungsform eine Vorrichtung, bei der zwei Ablenkplatten 20 zur Ver­ minderung der Fließgeschwindigkeit des geschmolzenen Sili­ ciums auf der inneren Oberfläche des Tiegels 11 angebracht sind und sich in einem bestimmten Umfangsabstand von­ einander befinden. Diese dritte Ausführungsform unterschei­ det sich von der zweiten nur in dieser Hinsicht.

Beispiel 1

Man führt die Reinigung unter Verwendung der in Fig. 1 ge­ zeigten Vorrichtung durch.

Man gibt in den Tiegel 2 4 kg festes rohes Silicium, das 0,50% Eisen und 0,45% Aluminium enthält und leitet über das Gaseinleitungsrohr 8 Argongas in den Schmelzofen 1, um somit die Luft in dem Schmelzofen 1 durch eine Argongasat­ mosphäre zu ersetzen. Man schmilzt das rohe Silicium mit der Heizeinrichtung 5 und hält das geschmolzene Silicium 10 auf einer Temperatur von 1500°C. Man läßt die Rotations­ kühleinheit 12 bei 400 Upm, d. h. bei einer Umfangsge­ schwindigkeit von 628 mm/s, rotieren, währenddem man eine Kühlflüssigkeit durch die Flüssigkeitseinleitungsröhre 13 in die Einheit 12 einleitet. Nachdem die Vorrichtung wäh­ rend 10 Minuten in Betrieb genommen wurde, hält man die Kühleinheit 12 an und erhält 200 g einer Siliciummasse 15, die sich um die Kühleinheit 12 angesammelt haben. Die von der Kühleinheit 12 entfernte Siliciummasse 15 enthält 40 ppm Eisen und 30 ppm Aluminium als Verunreinigungen.

Beispiel 2

Man reinigt rohes Silicium mit der gleichen oben angegebe­ nen Zusammensetzung unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1, jedoch mit der Ausnahme, daß man die in Fig. 2 gezeigte Vorrichtung verwendet. 210 g einer Siliciummasse 15 kristallisieren dann auf der Außenfläche der Rotations­ kühleinheit 12. Die von der Kühleinheit 12 entfernte Sili­ ciummasse 15 enthält 20 ppm Eisen und 10 ppm Aluminium als Verunreinigungen.

Beispiel 3

Man reinigt rohes Silicium mit der gleichen oben angegebe­ nen Zusammensetzung unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1, jedoch mit der Ausnahme, daß man die in Fig. 3 gezeigte Vorrichtung verwendet. Es kristallisieren dann 210 g einer Siliciummasse 15 auf der Außenfläche der Rotations­ kühleinheit 12. Die von der Kühleinheit 12 entfernte Sili­ ciummasse 15 enthält 20 ppm Eisen und 10 ppm Aluminium als Verunreinigungen.

Claims (10)

1. Verfahren zur Reinigung von rohem Silicium, dadurch gekennzeichnet, daß man das rohe Silicium schmilzt, das ge­ schmolzene Silicium oberhalb seiner Erstarrungstemperatur in einer Inertgasatmosphäre hält und eine in das geschmol­ zene Silicium getauchte Hohlraumrotationskühleinheit ro­ tiert, währenddem man eine Kühlflüssigkeit in die Kühlein­ heit zur Kristallisation von hochreinem Silicium auf der äußeren Oberfläche der Kühleinheit einleitet.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühleinheit bei einer Umfangsgeschwindigkeit von 500 bis 6000 mm/s rotiert.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühleinheit bei einer Umfangsgeschwindigkeit von 500 bis 1500 mm/s rotiert.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als lnertgas Argon verwendet.

5. Vorrichtung zur Reinigung von rohem Silicium zur Bildung von hochreinem Silicium, gekennzeichnet durch einen Schmelzofen (1) mit einer Heizeinrichtung (5), einen im Schmelzofen angebrachten Tiegel (2), eine Einrichtung (4, 8) zum Halten des in dem Tiegel befin­ dlichen geschmolzenen Siliciums in einer Inertgasatmosphä­ re,
eine rotierbare, in den Tiegel eingebrachte Hohlraumkühl­ einheit (12) und
eine Einrichtung (13) zum Einleiten einer Kühlflüssigkeit in den Innenraum der Hohlraumkühleinheit.

6. Vorrichtung zur Reinigung von rohem Silicium zur Bildung von hochreinem Silicium, gekennzeichnet durch einen Schmelzofen (1) mit einem Ofenhauptkörper (3), der ein offenes oberes Ende und eine Schließeinrichtung (4) zum Verschließen des offenen oberen Endes des Hauptkörpers aufweist, wobei der Ofen in seinem Innenraum mit einer Heizeinrichtung (5) ausgestattet ist,
einen in dem Schmelzofen angebrachten Tiegel (2) mit einem offenen oberen Ende,
ein an der Schließeinrichtung angebrachtes und sich durch diese erstreckendes Gaseinleitungsrohr (8) zum Einleiten eines Inertgases in den Schmelzofen,
eine sich durch die Schließeinrichtung erstreckende und in dem dem Tiegel angeordnete rotierbare Hohlraumkühleinheit (12) und
ein in der Hohlraumkühleinheit befindliches Einleitungsrohr (13) für Flüssigkeiten zum Einleiten einer Kühlflüssigkeit in den lnnenraum der Kühleinheit.

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schließeinrichtung (4) mindestens eine mittels ei­ ner Halteeinrichtung (21) hängend angebrachte Ablenkplatte (20) zur Verminderung der Fließgeschwindigkeit des ge­ schmolzenen Siliciums aufweist, wobei die Ablenkplatte ein unterhalb der Oberfläche des in dem Tiegel befindlichen ge­ schmolzenen Siliciums anbringbares oberes Ende und ein ge­ ringfügig unterhalb des unteren Endes der Kühleinheit an­ gebrachtes unteres Ende aufweist.

8. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Tiegel (2) an seiner inneren Oberfläche mindestens eine Ablenkplatte (20) zur Verminderung der Fließgeschwin­ digkeit des Siliciums aufweist und die Ablenkplatte ein un­ terhalb der Oberfläche des im Tiegel befindlichen geschmol­ zenen Siliciums anbringbares oberes Ende und ein unterhalb des unteren Endes der Kühleinheit angebrachtes unteres Ende aufweist.

9. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Tiegel aus Graphit oder Aluminiumoxid be­ steht und eine Siliciumdioxidschicht auf seiner inneren Oberfläche aufweist.

10. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Hohlraumkühleinheit aus Siliciumnitrid oder Graphit besteht.