DE3718941A1 - Vorrichtung und verfahren zur einleitung von hochspannungsstroemen in eine chemische loesung - Google Patents
Vorrichtung und verfahren zur einleitung von hochspannungsstroemen in eine chemische loesungInfo
- Publication number
- DE3718941A1 DE3718941A1 DE19873718941 DE3718941A DE3718941A1 DE 3718941 A1 DE3718941 A1 DE 3718941A1 DE 19873718941 DE19873718941 DE 19873718941 DE 3718941 A DE3718941 A DE 3718941A DE 3718941 A1 DE3718941 A1 DE 3718941A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- thyristor
- charge
- gate
- cathode
- switch cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
- H03K17/105—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in thyristor switches
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
- C12M—APPARATUS FOR ENZYMOLOGY OR MICROBIOLOGY; APPARATUS FOR CULTURING MICROORGANISMS FOR PRODUCING BIOMASS, FOR GROWING CELLS OR FOR OBTAINING FERMENTATION OR METABOLIC PRODUCTS, i.e. BIOREACTORS OR FERMENTERS
- C12M35/00—Means for application of stress for stimulating the growth of microorganisms or the generation of fermentation or metabolic products; Means for electroporation or cell fusion
- C12M35/02—Electrical or electromagnetic means, e.g. for electroporation or for cell fusion
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
- C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
- C12N13/00—Treatment of microorganisms or enzymes with electrical or wave energy, e.g. magnetism, sonic waves
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
- C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
- C12N15/00—Mutation or genetic engineering; DNA or RNA concerning genetic engineering, vectors, e.g. plasmids, or their isolation, preparation or purification; Use of hosts therefor
- C12N15/09—Recombinant DNA-technology
- C12N15/87—Introduction of foreign genetic material using processes not otherwise provided for, e.g. co-transformation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/53—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback
- H03K3/57—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback the switching device being a semiconductor device
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Einleitung von
Hochspannungsströmen in eine chemische Lösung, gemäß dem Ober
begriff der Ansprüche 1, 6 bzw. 15, sowie ein Verfahren zur
Einleitung eines Hochspannungsstroms in eine chemische Lösung,
gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 16 bzw. 25, und betrifft
insbesondere die Transfektion und Zellfusion unter Verwen
dung von Strömen, die auf eine Suspension von Zellen und DNS
gerichtet werden.
In der Biotechnik ist es manchmal wünschenswert, geklonte DNS
in verschiedene Säugetiere oder andere Zellen einzubringen,
indem eine elektrische Hochspannungsentladung verwendet wird.
Dieses Verfahren wird üblicherweise als "Transfektion"
bezeichnet und besteht typischerweise darin, eine Suspension
von Zellen in einer phosphatgepufferten Kochsalzlösung (PBS) zu
erzeugen und geklonte DNS hinzuzufügen. Die Suspension wird
dann einem Hochspannungsimpuls aus einem Impulsgenerator der
Art ausgesetzt, die bewirkt, daß die Zellen die exogene DNS
aufnehmen und exprimieren. Verschiedene Impulsgeneratoren sind
zu diesem Zweck verwendbar, und die meisten liefern Strom im
Milliamperebereich. Eine verfügbare Einheit kann anscheinend
Ströme von 40 A erzeugen. Die Spannungs- und Stromgrößen, die
bei Transfektionsverfahren erforderlich sind, hängen von den
Zell- und DNS-Typen ab, und die elektrischen Parameter
müssen genau gesteuert werden. Es zeigte sich, daß einige
Transfektionsverfahren Ströme von 125 A und mehr erfordern.
Dieser derzeitige Bedarf ist erheblich größer als im Bereich der
Biotechnik bei bekannten Impulsgeneratoren verfügbar.
Bekannte Spannungsversorgungen, die in der Biotechnik verwendet
werden, sind nicht in der Lage, den erforderlichen Strom zu
liefern, und sie können nicht so abgeändert werden, da die
Spannungsversorgungen transistorgetrieben sind und Transistoren
nur etwa um 50 A erzeugen können. Bekannte Spannungsversorgun
gen mit der Fähigkeit, derart hohe Ströme zu erzeugen, sind für
biotechnische Anwendungen ungeeignet, da sie sehr teuer sind
und keine ausreichenden Sicherheitssteuermechanismen aufweisen.
Beispielsweise sind derartige Netzteile häufig nicht für die
häufig auftretenden Behandlungen an Menschen ausgelegt, und die
Gefahr eines Elektroschocks ist üblicherweise vorhanden. Ein
Elektroschock aus diesen Vorrichtungen wäre aber höchstwahr
scheinlich letal.
Auch wenn eine Spannungsversorgung für hohen Strom konstruiert
wird, muß sie in der Lage sein, hohe Spannungen, hohe Energie
und rechteckige Impulse zu erzeugen. Es ist zu erwarten, daß
das Schalten der Bauteile in einem derartigen Hochspannungs
/Hochstrom-Netzteil zur Erzeugung von Rechteckimpulsen die
Bauteile hohen Belastungen aussetzt und möglicherweise die
Spannungsversorgung beschädigt.
Die vorliegende Erfindung hat sich demgegenüber die Aufgabe
gestellt, eine Vorrichtung gemäß dem Oberbegriff der Ansprüche
1, 6 bzw. 15 sowie ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff der
Ansprüche 16 bzw. 25 zu schaffen, bei welchem hohe Spannungen,
hohe Ströme und rechteckige Impulse störungsfrei auch bei
unmittelbarer Anwendung am Menschen im Bereich der Biotechnik
erzeugt werden können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Ansprüche 1, 6,
15, 16 und 25 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich
aus den Unteransprüchen.
Besonders vorteilhaft ist die Verwendung einer Transfektions-
Hochspannungs-Steuereinheit mit Thyristoren zur Einleitung
eines Hochspannungsstroms in eine Suspension von Zellen und
DNS. Mit der erfindungsgemäßen Lösung lassen sich Spannungen
über 3000 V und Ströme über 125 A mit relativer Sicherheit
erzeugen. Ferner ist die erfindungsgemäße Lösung in der Lage,
Hochspannungs/Hochstrom-Exponential- oder Rechteckimpulse unter
Ausübung einer minimalen Belastung für die Schaltbauteile zu
erzeugen.
Gemäß einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel wird ein
Hochjouleschalter durch eine Steuereinheit getriggert und
leitet einen Impuls mit hoher Spannung und hohem Strom aus
einem Kondensator in einem Energiespeichermodul zu einer
Küvette.
Der Hochjouleschalter weist einen Thyristor (SCR) auf, dessen
Anode mit dem Hochvoltkondensator und dessen Kathode mit der
Küvette verbunden ist. Das Gate des Thyristors ist mit der
Steuereinheit verbunden und wird durch diese getriggert.
Die Steuereinheit steuert das Laden des Hochspannungskondensa
tors durch einen Wechselstromschalter. Wenn der Kondensator
sich auf eine vorgegebene Spannung auflädt, aktiviert die
Steuereinheit eine Triggereinheit, die einen Spannungsimpuls zu
dem Gate des Thyristors aussendet. Der durch die Triggereinheit
ausgesendete Impuls bringt den Thyristor in den leitfähigen
Zustand, und der Thyristor leitet den Strom von dem Hochvolt
kondensator zu der Küvette.
Um Hochspannungs/Hochenergie-Rechteckimpulse zu erzeugen, macht
sich die Erfindung die Tatsache zunutze, daß ein Thyristor
sperrt, wenn der in seine Anode einfließende Strom unterhalb
eines vorgegebenen Minimalwertes, der der "Haltestrom" genannt
wird, fällt. Eine Stromsenke wird mit der Anode des Thyristors
verbunden, um nahezu augenblicklich den dort hineinfließenden
Strom unterhalb des vorgegebenen Thyristorhaltestroms nach
einer vorgegebenen Zeitperiode, nachdem der Hochspannungsstrom
an der Kathode des Thyristors auftritt, zu reduzieren. Die
nahezu augenblickliche Abschaltung des Thyristors, die sich
daraus ergibt, erzeugt die fallende Flanke des gewünschten
Rechteckimpulses. Die quadratische Spitze, die für eine quadra
tische Welle erforderlich ist, wird erzeugt, wenn die gewünsch
te Impulsdauer kurz im Vergleich zu dem exponentiellen Abfall
der Kondensatorspannung ist.
Um die Anpaßbarkeit im Betrieb zu verbessern und um die Fähig
keiten, noch höhere Spannungen auszuhalten, zu erhöhen, kann
eine Mehrzahl von Hochjouleschaltern in Reihe geschaltet sein,
um eine Gruppe von Thyristoren zur Erzeugung einer gewünschten
Spannungs/Strom-Kombination zu schaffen. Ein Triggersteuermodul
ist mit jedem Gate aus der Mehrzahl von Thyristoren verbunden, um
zugleich oder nacheinander jeden Thyristor zu triggern, wie es
die Umstände erfordern.
Um die Sicherheit des Gerätes zu verbessern, ist ein neuer
Nebenschlußkreis über die Anode und die Kathode eines einzigen
Thyristors oder jedes Thyristors in einer Gruppe geschaltet, der
statische und dynamische Spannungsverteiler aufweist. Der
Nebenschlußschaltkreis ist wiederum mit einer Reihe von Wider
ständen verbunden, so daß die Kathode (der Ausgang) eines
einzigen Thyristors oder der letzte Thyristor in einer
Thyristorgruppe mit einem Punkt zwischen dem Nebenschlußschalt
kreis und der Reihe von Widerständen verbunden ist. Jeder
statische Spannungsvergleichmäßigungsschaltkreis weist einen
Widerstand auf, der der maximalen Dauerspannung entspricht, die
über jedem Thyristor in einer Gruppe bestehen kann. Jeder dynami
sche Spannungsvergleichmäßigungsschaltkreis weist einen Metall
oxidvaristor in Reihe zu einem Kondensator auf, um wirksam den
dynamischen Vergleichmäßigungsschaltkreis von dem statischen
Vergleichmäßigungsschaltkreis zu entkoppeln. Das Entkoppeln der
Schaltkreise stellt sicher, daß der dynamische Vergleichmäßi
gungsschaltkreis nicht zu dem Widerstand des statischen Span
nungsvergleichmäßigungsschaltkreises beiträgt. Daher tragen die
Widerstände in dem statischen Spannungsvergleichmäßigungs
schaltkreis mit ihrem bekannten Widerstand dazu bei, zusammen
mit der erwähnten Reihe von Widerständen an dem Schaltkreisaus
gang einen Spannungsteiler zu erzeugen, der die Spannung
begrenzt, die an der Kathode eines einzigen Thyristors oder an
derjenigen des letzten Thyristors in einer Gruppe besteht. Die
Spannung an der Kathode des einzigen Thyristors oder des
letzten Thyristors in der Gruppe steuert die Spannung, bei
welcher der Thyristor getriggert werden kann, so daß der
Sicherheitsschaltkreis dabei hilft, die Möglichkeit zu
verhindern, daß eine Person, die die Ausgangsanschlüsse des
Impulsgenerators berührt, versehentlich einen Elektroschock
erhält, wenn die Thyristoren getriggert werden.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile ergeben sich aus
der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels der
Erfindung anhand der Zeichnung.
Es zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild einer erfindungsgemäßen Trans
fektions-Hochspannungs-Steuereinheit, die exponen
tielle Impulse erzeugt;
Fig. 2 ein detailliertes Schaltbild des Hochjouleschalters
gemäß Fig. 1;
Fig. 3 ein Blockschaltbild einer Mehrzahl von Hochjoule
schaltern, die erfindungsgemäß in Reihe geschaltet
sind;
Fig. 4 eine schematische Darstellung der Ausführungsform
gemäß Fig. 3;
Fig. 5 ein detailliertes Schaltbild einer Vorrichtung zur
Erzeugung von quadratischen Wellen unter Verwendung
des Hochjouleschalters gemäß Fig. 1; und
Fig. 6 ein Zweitransistormodell eines Thyristors.
Fig. 1 zeigt eine neue Transfektions-Hochspannungs-Steuerein
heit zur Erzeugung von Exponentialimpulsen, die allgemein mit
"4" bezeichnet ist. Die Spannungs-Steuereinheit 4 weist einen
Steuerabschnitt 8 einen Energiespeicher 12 und einen Hoch
jouleschalter 16 auf.
Der Steuerabschnitt 8 weist einen Steuerprozessor 20 auf, der
sowohl mit einem optischen Triggerbaustein 24 als auch mit
einem Wechselstromschalter 28 verbunden ist. Der Steuer
prozessor 20 kann programmierbare Mikroprozessoren oder Analog-
bzw. Kombinationslogik aufweisen und dient zur Steuerung der
Funktion des optischen Triggerbausteins 24 und des Wechsel
stromschalters 28. Der Steuerprozessor 20 kann manuell durch
eine Handsteuereinheit 32 gesteuert werden. Der Wechsel
stromschalter 28 empfängt Wechselstrom von den Wechselstrom
eingängen 36 und 40 und gibt Wechselstrom über die Stromlei
tungen 44 und 48 zu dem Energiespeicher 12 ab. Der optische
Triggerbaustein 24 dient zur Triggerung des Hochjouleschalters
16 und ist über eine Triggerleitung 50 mit dem Hochjoule
schalter 16 verbunden. Der optische Triggerbaustein 24 kann
einen von Licht aktivierbaren Thyristor (LASCR) bekannter Art
dergestalt aufweisen, daß der Steuerprozessor 20 nicht die
höheren Spannungen liefern muß, die normalerweise erforderlich
sind, um einen Hochjouleschalter 16 zu aktivieren.
Der Energiespeicher 12 weist einen Transformator 52, eine Diode
56, einen Widerstand 58, einen Kondensator 60 und einen Wider
stand 61 auf, um Energie bzw. Leistung an den Hochjouleschalter
16 abzugeben. Der Energiespeicher 12 weist auch einen Trigger
versorgungsschaltkreis 62 für die Bereitstellung der Trigger
energie für den optischen Triggerbaustein 24 auf. Der Trigger
versorgungsschaltkreis 62 weist einen Widerstand 63, der mit
dem Ausgang der Diode 56 verbunden ist, einen Widerstand 64,
der in Reihe mit dem Transistor 63 geschaltet ist, eine Diode
65, die mit einem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 63
und 64 verbunden ist, und einen Kondensator 66 auf, der in
Reihe mit der Diode 65 geschaltet ist. Eine Triggerversorgungs
leitung 67 ist mit dem Ausgang der Diode 65 verbunden, um
Triggerenergie für den optischen Triggerbaustein 24 bereitzu
stellen. Der Triggerversorgungsschaltkreis 62 vermeidet die
Notwendigkeit eines besonderen Netzteils für den optischen
Triggerbaustein 24 und erlaubt es, den optischen Triggerbau
stein 24 automatisch an unterschiedliche Betriebszustände des
Hochjouleschalters 16 anzupassen.
Die Niederspannungswicklung 68 des Transformators 52 ist mit den
Stromleitungen 44 und 48 verbunden. Die Hochspannungswicklung 69
des Transformators 52 ist mit einer Masseleitung 70 und der
Diode 56 verbunden. Die Diode 56 dient zur Gleichrichtung des
Stroms, der aus dem Transformator 52 austritt, und ist mit dem
Widerstand 63 des Triggerversorgungsschaltkreises 62 und über
den Widerstand 58 mit dem Kondensator 60, dem Widerstand 61
bzw. einer Schalteingangsleitung 72 des Hochjouleschalters 16
verbunden. Der Kondensator 60 wird durch den Strom auf einen
Hochspannungspegel aufgeladen, der aus der Hochspannungswick
lung 69 des Transformators 52 fließt, und dient dazu, einen
Strom mit hoher Spannung für den Hochjouleschalter 16 bereit
zustellen. Der Widerstand 58 dient zur Begrenzung des Stroms in
den Kondensator 60, so daß ein kleiner Transformator 52 verwen
det werden kann. Der Widerstand 61 dient dazu, den Kondensator
nach und nach zu entladen. Dies geschieht aus den weiter unten
erläuterten Gründen.
Wenn der Hochjouleschalter 16 geschlossen ist, leitet er nahezu
alle Ladung bzw. Energie über eine Lastleitung 76 zu einer Last
74, beispielsweise einer Küvette. Der Kondensator 60 entlädt
sich exponentiell und erzeugt dadurch eine exponentielle
Ausgangssignalform.
In Fig. 2 ist eine schematische Ansicht einer Ausführungsform
eines Hochjouleschalters 16 dargestellt. Das Haupt-Schaltele
ment in dem Hochjouleschalter 16 ist ein Thyristor (SCR) 80 mit
einem Gate 84 für das Triggern des Thyristors 80, einer Kathode
88 für die Abgabe von Hochspannungsstrom an die Lastleitung 76
und einer Anode 92 für die Aufnahme von Hochspannungsstrom von der
Schaltereingangsleitung 65. Bei dem vorliegenden Anwendungs
beispiel wird mit Thyristor jeder rückwärts sperrende Thyri
stor, der als Triode vorliegt, bezeichnet. Die Bezeichnung des
tatsächlich bei der Herstellung des Elements verwendeten Halb
leitermaterials (Silizium, Selen usw.) kann anstelle von "Halb
leiter" in der auch üblichen Bezeichnung "gesteuerter Halblei
ter-Gleichrichter" eingesetzt werden, wobei die Erfindung nicht
auf eine bestimmte Wahl beschränkt ist. Beispielsweise kann
ein gesteuerter Silizium-Gleichrichter für den Thyristor 80
verwendet werden, wie der Typ 2 N 3899 von General Electric.
Mit dem Gate 84 und der Kathode 88 des Thyristors 80 ist ein
Widerstand 96 verbunden, der sicherstellt, daß das Gate 84 und
die Kathode 88 sich für das Triggern auf dem gleichen elektri
schen Potential befinden. Eine Diode 100 dient dazu, sicherzu
stellen, daß das Gate 84 gegenüber der Kathode 88 nie negativ
vorgespannt ist. Auch ist mit dem Gate 84 ein Widerstand 104
zur Begrenzung des Stromes in das Gate 84 sowie ein Kondensator
108 verbunden, der zur Ankopplung dient und verhindert, daß die
Hochspannung in dem Schalter auf der Triggerleitung 50 auf
tritt.
Ein Nebenschlußschaltkreis 112 ist mit der Kathode 88 und der
Anode 92 zum Überbrücken des Thyristors 80 während statischer
und dynamischer Zustände vorgesehen. Ein Widerstand 116 dient
zum Überbrücken des Thyristors 80 während statischer Zustände
und zur Spannungsteilung über jedem Thyristor 80, wenn eine
Mehrzahl von Thyristoren miteinander verbunden sind, um einen
Multischalter-Hochstromschaltkreis zu bilden, wie es weiter
unten beschrieben ist. Ein Metalloxidvaristor 120 ist in Reihe
mit einem Kondensator 124 geschaltet, um den Thyristor 80
während des Triggerns und anderer dynamischer Zustände zu
überbrücken.
Wie es in Fig. 1 dargestellt ist, ist im Betrieb ein Nieder
spannungs-Wechselstromnetzteil - das nicht dargestellt ist -
mit den Wechselstromeingängen 36 und 40 verbunden. Eine
gewünschte Spannung wird eingestellt, und der Betrieb des
Schaltkreises wird aufgenommen, indem die Handsteuereinheit 32
betätigt wird. Der Steuerprozessor 20 schließt den Wechsel
stromschalter 28, der daraufhin Wechselspannung an die Nieder
spannungswicklung 68 des Transformators 52 anlegt. Der Trans
formator 52 erzeugt einen Hochspannungs-Wechselstrom an seiner
Hochspannungswicklung 69, welcher durch die Diode 56 gleich
gerichtet wird und über den Widerstand 58 den Kondensator 60
auflädt. Der Steuerprozessor 20 erlaubt, daß sich der Kondensa
tor 60 auf eine Spannung oberhalb der durch die Handsteuerein
heit 32 eingestellten vorgeschriebenen Spannung auflädt, ohne
daß der Hochjouleschalter 16 getriggert wird, um die möglichen
bzw. Potentialeffekte einer Verzögerung bei dem Wechselstrom
schalter 28 auszuschalten, die ein irrtümliches Triggern des
Hochjouleschalters 16 bewirken könnten.
Nachdem der Kondensator 60 auf eine Spannung ausreichend ober
halb der vorgeschriebenen Spannung aufgeladen ist, öffnet der
Steuerprozessor 20 den Wechselstromschalter 28, und der Konden
sator 60 entlädt sich nach und nach über den Widerstand 61.
Wenn die Ladung auf dem Kondensator 60 die durch die Hand
steuereinheit 32 vorgeschriebene Spannung erreicht, gibt der
Steuerprozessor 20 einen optischen Impuls an den optischen
Triggerbaustein 24 ab, der wiederum die Energie von dem
Triggerversorgungsschaltkreis 62 verwendet, um einen elektri
schen Impuls über die Triggerleitung 50 zu dem Hochjoule
schalter 16 zu leiten. Der Widerstand 104 und der Kondensator
108 aus Fig. 2 leiten ausreichende Spannungs- und Strombeträge
für eine ausreichende Zeitdauer weiter, um eine anhaltende
Aktivierung des Thyristors 80 zu starten, und die Ladung und
Energie, die auf dem Kondensator 60 vorliegen, können von der
Anode 92 zu der Kathode 88, zu der Lastleitung 76 und dann zu
der Last 74 gelangen.
Die Konstruktion des Hochjouleschalters 16 erlaubt es auch, daß
mehrere Schalter in Serienschaltung verbunden werden, um hohe
Ströme oberhalb von 100 A bei 3000 V zu erhalten. Dies ist
wünschenswert, da viele Transfektionsanwendungen derart hohe
Ströme erfordern, und eine Reihe von Thyristoren mit niedri
gerer Kapazität können zu diesem Zweck relativ preisgünstig
gekoppelt und betrieben werden, während einzelne Hochjoule
thyristoren sehr teuer sind.
In Fig. 3 ist ein Multischalter-Hochstromschaltkreis 158
dargestellt, der eine Reihenschaltung aus einer Mehrzahl von
Hochjouleschaltern 16 und eine Triggersteuereinheit 160
aufweist. Die Mehrzahl der Hochjouleschalter 16 bilden mehrere,
beispielsweise sechs, Schalterzellen 150, 151, 152, 153, 154
und 155. Die Schalterzelle 150 ist so verbunden, daß sie die
Eingangsleitung 72 schaltet, und die Schalterzelle 155 ist mit
der Leitung 76 des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1 verbunden.
Die Triggersteuereinheit 160 ist mit der Triggerleitung 50
verbunden. Die Triggersteuereinheit 160 ist mit der Trigger
leitung 50 jedes Hochjouleschalters 16 verbunden und bildet
eine Schnittstelle zu dem optischen Triggerbaustein 24 über
eine Triggertreiberleitung 162. Die Triggersteuereinheit 160
triggert die Mehrzahl von Schalterzellen ansprechend auf den
optischen Triggerbaustein 24. Die Triggersteuereinheit 160 kann
entweder gleichzeitige oder aufeinanderfolgendes Triggern jeder
Schalterzelle bewirken, wie es die Umstände erfordern.
In diesem Ausführungsbeispiel sind eine Mehrzahl, beispielswei
se vier, Widerstände 164 mit der Lastleitung 76 verbunden und
aus den nachstehend erläuterten Gründen parallel zu der Last 74
geschaltet.
Wenn die Thyristoren sich in ihren Sperrzuständen (nichtleiten
den Zuständen) befinden, führt der Unterschied bei der Sperr
charakteristik jedes Thyristors zu ungleichen statischen Span
nungsteilerzuständen. Dies könnte für einen Thyristor mit einem
von Natur aus niedrigen Sperrstrom tödlich sein, da dies zu
einer sehr hohen Spannung über diesem Thyristor führen könnte.
Dementsprechend dienen die Parallelwiderstände 116 dazu, die
Spannung über jedem Thyristor 80 während des statischen
Zustandes zu vergleichmäßigen. Wenn in ähnlicher Weise die
Verzögerungszeit eines Thyristors erheblich länger als diejeni
ge der anderen Thyristoren in der Reihenschaltung ist, muß der
langsam einschaltende Thyristor kurzzeitig die volle Spannung
aushalten. Das gleiche tritt auf, wenn die Thyristoren abge
schaltet werden, da nicht alle Thyristoren exakt zum gleichen
Zeitpunkt abschalten, und die erste Zelle, die ihren Sperr
zustand erreicht, trägt die gesamte Spannung. Dementsprechend
vergleichmäßigen der Metalloxidvaristor 120 und ein
Kondensator 124 in jeder Speicherzelle die Spannung während
dieser Zeiten.
Zusätzlich zu der Spannungsvergleichmäßigungsfunktion der
Widerstände 116 und jedes Varistor 120/Kondensator 124-Paares,
dienen diese Komponenten einer wichtigen Sicherheitsfunktion,
wenn sie in Zusammenhang mit den Widerständen 164 betrachtet
werden. Die Impedanz jedes Varistors 120 ist sehr hoch, und
jeder Kondensator 124 wirkt im wesentlichen als ein offener
Schaltkreis, wenn jeder Thyristor 80 sich in dem nichtleit
fähigen Zustand befindet. Somit beeinflußt der Widerstand jedes
Varistors 120 nicht wesentlich den Widerstand der Widerstände
116, und die Widerstände 116 bilden in Verbindung mit den
Widerständen 164 einen Spannungsteiler, wobei jeder Widerstand
116 im wesentlichen mit seinem ganzen Widerstand in dem Teiler
schaltkreis liegt. Für die Zwecke dieses Ausführungsbeispiels
werden Werte von 1 Megaohm für jeden Widerstand 116 und
18 Kiloohm für jeden Widerstand 164 empfohlen.
Wenn eine Last mit hohem Widerstand (beispielsweise ein mensch
licher Körper) an das System angekoppelt ist, macht der
Widerstand 116 in jeder Schalterzelle in Verbindung mit den
Widerständen 164 die Spannung an der Lastleitung 76, die
wiederum mit der Kathode des Thyristors 80 in der Schalterzelle
155 verbunden ist, zu hoch, um das Triggern dieser Schalter
zelle durch die Triggersteuereinheit 160 zu erlauben. Bei
diesem Ausführungsbeispiel beginnt das Triggern bei Lasten von
etwa 1000 Ohm. Ein zuverlässiges Triggern tritt bei Proben
lasten auf, die einen Widerstand von weniger als 1000 Ohm
haben, während ein menschlicher Körper, der einen Widerstand
von etwa 10 Kiloohm aufweist, das Triggern verhindert.
In Fig. 4 ist ein detailliertes Schaltkreisdiagramm des
Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 3 dargestellt. Die Bauteile
jedes Hochjouleschalters, der jede Schalterzelle aufweist, sind
wie in Fig. 2 numeriert.
Die Triggersteuereinheit 160 weist einen Betriebsartenschalter
182 auf, der jeder Schalterzelle 150, 151, 152, 153, 154 und
155 für das Setzen der gewünschten Triggerbetriebsart
zugeordnet ist. Die Betriebsartenschalter 182 können entweder
mechanische oder elektrische Schalter sein, wie es gewünscht
ist. Die Betriebsartenschalter 182 verbinden die Schalterzellen
150, 151, 152, 153, 154 und 155 mit dem optischen Triggerbau
stein, wenn gleichzeitiges Triggern gewünscht wird.
Die Triggersteuereinheit 160 weist auch einen Widerstand 186
für die serielle Betriebsart auf, der jeder Schalterzelle 150,
151, 152, 153 und 154 zugeordnet ist. Die Betriebsartenschalter
182 verbinden die Speicherzellen 150, 151, 152, 153 und 154 mit
Widerständen 186 für die serielle Betriebsart, wenn das
serielle Triggern der Schalterzellen gewünscht wird, und die
Widerstände 186 für die serielle Betriebsart sind wiederum mit
Massenpotential verbunden. Die serielle Triggerbetriebsart
kann für die Stromsenkenfunktion verwendet werden, wie sie für
die Impulserzeugung weiter unten erläutert wird.
Die Schalterzelle 155 ist nicht mit einem Betriebsartenschalter
182 verbunden. Anstelle dessen ist die Schalterzelle 155 immer
mit der optischen Triggereinheit 24 und mit einem Widerstand
190 verbunden der die Verbindung zur Masse herstellt.
Die Betriebsweise des Multischalter-Schaltkreises ist im wesent
lichen die gleiche, wie sie für den Grundschaltkreis beschrie
ben wurde, mit der Ausnahme, daß zwei Triggerbetriebsarten dem
Bediener zur Verfügung stehen. Für höhere Spannungen werden zur
gleichzeitigen Triggerung die Betriebsartenschalter 182 mit dem
optischen Triggerbaustein 24 verbunden, wie es in Fig. 4
dargestellt ist. Wenn somit der optische Triggerbaustein 24
aktiviert wird, wird ein Triggerimpuls gleichzeitig an das Gate
84 jedes Thyristors 80 in jeder Schalterzelle angelegt, und die
Schalterzellen werden nahezu zugleich leitfähig.
Für die Niederspannungstriggerung und für die Impulserzeugung,
wie es unten beschrieben ist, ist die serielle Triggerung
wünschenswert. Für die serielle Triggerung sind die Betriebs
artenschalter 182 in der Stellung, daß sie eine Verbindung zu
den Widerständen 186 für die serielle Betriebsart bilden. Dies
erlaubt, daß die Kondensatoren 108 in jeder Speicherzelle auf
ein vorgegebenes Potential aufgeladen werden. Zusätzlich ist
die Lastleitung 76 auf ein im wesentlichen Masse entsprechendes
Potential gelegt. Durch die Verbindung der Lastleitung 76 mit
einem massenahen Potential (das über die Kathode 88 des
Thyristors 80 in die Schalterzelle 155 eingeleitet wird),
kann eine Niederspannungstriggerquelle - die nicht dargestellt
ist - anstelle des optischen Triggerbausteins 24 verwendet
werden, wenn die Triggerverzögerung, die bei optischen Trigger
bausteinen 24 inhärent ist, nicht gewünscht wird. Wenn der Nie
derspannungs-Triggerbaustein aktiviert wird, triggert er den
Thyristor 80 in der Schalterzelle 155. Wenn die Schalterzelle
155 eingeschaltet wird, fällt die Spannung, die an der Kathode
88 des Thyristors 80 in der Schalterzelle 154 besteht, im
wesentlichen auf Massepotential ab. Dieses massenahe Potential
bewirkt, daß der Kondensator 108 in der Schalterzelle 154
entladen wird, und der Kondensator 108 liefert ausreichend
Strom an das Gate 84 des Thyristors 80 in der Schalterzelle
154 um den Thyristor zu triggern. Die Anode 92 des Thyristors
80 in der Schalterzelle 154 nimmt dann ein massenahes Potential
an, und der Prozeß wiederholt sich in einem pulsierenden Effekt
durch die Schalterzellen 153, 152, 151 bzw. 150.
Anwendungsfälle aus dem Bereich des Elektroschweißens erfordern
die Erzeugung von Rechteckimpulsen mit hohen Spannungen und
hohen Energien. Jedoch bleiben Thyristoren leitfähig, bis der
Hauptstromfluß durch die Anode auf einen Pegel reduziert ist,
der unterhalb des vorgegebenen Haltestroms des Bauelements
liegt. Um daher den Thyristor 80 abzuschalten und einen
gewünschten Rechteckimpuls zu erzeugen, muß der Strom durch die
Anode 92 unter einen vorgegebenen Haltestrom zu einem vorgege
benen Zeitpunkt nach dem Auftreten des Hochspannungsstroms auf
der Lastleitung 76 reduziert werden. Ferner muß die Reduktion
nahezu augenblicklich erfolgen, so daß der durch den Thyristor
80 fließende Strom während der Impulsdauer nahezu gleichbleibt,
und so, daß die fallende Flanke des Impulses im wesentlichen
senkrecht ist.
Ein Impulsgeneratorschaltkreis 191, wie er in Fig. 5 darge
stellt ist, kann für diesen Zweck verwendet werden. Die Grund
elemente des Impulsgeneratorschaltkreises 191 sind entsprechend
dem Grundschaltkreis gemäß Fig. 1 aufgebaut, so daß nur die
Details der Wirkungsweise der Impulsabgabe erläutert werden
sollen.
Wie es in Fig. 5 dargestellt ist, ist eine Lastleitung 76 A
eines Hochjouleschalters 16 A mit Widerständen 192 und 194
verbunden. Die Widerstände 192 und 194 sind in Reihe
geschaltet, und der Widerstand 194 ist mit Masse verbunden.
Ein Monovibrator 196 bekannter Art ist mit seinem Eingang mit
einem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 192 und 194
und mit seinem Ausgang mit einem Einzelimpuls-Triggerbaustein
198 verbunden. Der Einzelimpuls-Triggerbaustein 198 ist mit
einem Kurzschlußschalter 200 verbunden. Der Eingang des Kurz
schlußschalters 200 ist mit einer Schaltereingangsleitung 72 A
verbunden, um den Strom weg von dem Hochjouleschalter 16 A zu
leiten, und der Ausgang des Kurzschlußschalters 200 ist mit
Masse verbunden.
Wie es in Fig. 5 dargestellt ist, kann der Kurzschlußschalter
200 aus einem Multischalter-Hochstromschalter 158, wie er in
Fig. 3 und 4 dargestellt ist, bestehen. In dieser Anwendung
sind die Betriebsartenschalter 182 für den seriellen Betrieb
durchgeschaltet, die Schaltereingangsleitung 72 ist mit der
Schaltereingangsleitung 72 A des Hochjouleschalters 16 A
verbunden, die Lastleitung 76 ist mit Masse verbunden, und die
Triggertreiberleitung 162 ist mit dem Einzelimpuls-Triggerbau
stein 198 verbunden. Durch die Verwendung des Schaltkreises 158
in der seriellen Triggerbetriebsart kann die Niederspannungs-
Triggerfähigkeit des Einzelimpuls-Triggerbausteins 198 verwen
det und somit die Verzögerung, die bei der optischen Trigge
rung auftritt, ausgeschaltet werden.
Im Betrieb wird der Hochjouleschalter 16 A durch das bei der
Erläuterung des Grundschaltkreises beschriebene Verfahren
getriggert. Wenn der Hochspannungsstrom auf der Lastleitung 76 A
auftritt, aktiviert dieser Strom den Monovibrator 196, und der
Monovibrator 196 beginnt damit, die vorgegebene Impulsbreite zu
steuern. Nachdem der Monovibrator 196 abgelaufen ist, wird der
Einzelimpuls-Triggerbaustein 198 aktiviert, der wiederum den
Kurzschlußschalter 200 aktiviert. Der Eingangsstrom auf der
Schaltereingangsleitung 72 A wird daraufhin nahezu augenblick
lich auf Masse kurzgeschlossen, und der Strom, der durch den
Hochjouleschalter 16 A fließt, nimmt auf einen Wert unterhalb
seines vorgegebenen Haltestroms ab. Folglich schaltet der
Hochjouleschalter 16 A ab und erzeugt den gewünschten Rechteck
impuls.
Während obiges eine vollständige Beschreibung eines bevorzugten
Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung ist, können
verschiedene Abänderungen durchgeführt werden. Beispielsweise
kann jeder Thyristor 80 durch ein äquivalentes Zweitransistor-
Thyristor-Modell 210 mit einem Gate 211, einer Anode 212 und
einer Kathode 213 ersetzt werden, wie es in Fig. 6 dargestellt
ist. Das Gate 211, die Anode 212 und die Kathode 213 sind
äquivalent zu dem Gate 84 der Kathode 88 und der Anode 92 des
in Fig. 2 dargestellten Thyristors 80.
Wie es in Fig. 6 dargestellt ist, weist das Thyristormodell 210
einen PNP-Transistor 214 mit einer Basis 215, einem Kollektor
216 und einem Emitter 217 und einen NPN-Transistor 218 mit
einer Basis 219, einem Kollektor 220 und einem Emitter 221 auf.
Der Kollektor des NPN-Transistors 218 ist mit der Basis des
PNP-Transistors 214 verbunden, und der Kollektor des PNP-Tran
sistors 214 ist mit der Basis des NPN-Transistors 218 verbund
en. Die Basis 219 und der Emitter 221 des NPN-Transistors 218
und der Emitter 217 des PNP-Transistors 214 bilden das Gate
211, die Kathode 213 bzw. die Anode 212 des Thyristormodells
210.
Wenn ein elektrischer Impuls an das Gate 211 des Thyristor
modells 210 angelegt wird, schaltet der Transistor 218 ab und
zwingt den Kollektor 220 auf ein niedriges Potential. Das
niedrige Potential wird zu der Basis 215 geleitet und reicht
aus, um den Transistor 218 einzuschalten. Der sich ergebende
Strom, der aus dem Kollektor 216 fließt, wird in die Basis 219
des Transistors 218 geleitet und baut die Bedingungen für einen
fortlaufenden Stromfluß auf. Wenn der an das Gate 211 angelegte
elektrische Impuls aufhört, bleibt das Thyristormodell 210 in
dem leitfähigen Zustand, vorausgesetzt, es ist ein ausreichen
der Hauptstrom an der Anode 212 verfügbar.
Claims (24)
1. Vorrichtung zur Einleitung von Hochspannungsströmen in
eine chemische Lösung, mit:
einer Speichereinrichtung (Energiespeicher 12) für die Speiche rung einer elektrischen Ladung;
einer Aufnahmeeinrichtung (Last 74) für die Aufnahme der in der Speichereinrichtung (Energiespeicher 12) gespeicherten Ladung;
einer Erfassungsvorrichtung (Steuerprozessor 20), mit welcher eine vorgegebene Ladungsmenge, die in der Ladungs-Speicherein richtung (Energiespeicher 12) abgespeichert ist, erfaßbar ist; und
einer Leitvorrichtung (Hochjouleschalter 16), mit welcher ansprechend auf die Erfassungsvorrichtung (Steuerprozessor 20) die in der Ladungs-Speichereinrichtung (Energiespeicher 12) abgespeicherte Ladung zu der Aufnahmeeinrichtung (Last 74) leitbar ist.
einer Speichereinrichtung (Energiespeicher 12) für die Speiche rung einer elektrischen Ladung;
einer Aufnahmeeinrichtung (Last 74) für die Aufnahme der in der Speichereinrichtung (Energiespeicher 12) gespeicherten Ladung;
einer Erfassungsvorrichtung (Steuerprozessor 20), mit welcher eine vorgegebene Ladungsmenge, die in der Ladungs-Speicherein richtung (Energiespeicher 12) abgespeichert ist, erfaßbar ist; und
einer Leitvorrichtung (Hochjouleschalter 16), mit welcher ansprechend auf die Erfassungsvorrichtung (Steuerprozessor 20) die in der Ladungs-Speichereinrichtung (Energiespeicher 12) abgespeicherte Ladung zu der Aufnahmeeinrichtung (Last 74) leitbar ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Leitvorrichtung (Hochjouleschalter 16) einen Thyristor (80)
aufweist, dessen Anode (92) mit der Ladungs-Speichereinrichtung
(Energiespeicher 12) für den Empfang eines Stromes aus der
Ladungs-Speichereinrichtung verbunden ist und dessen Kathode
mit der Ladungs-Aufnahmeeinrichtung (Last 74) verbunden ist, um
die in der Ladungs-Speichereinrichtung (Energiespeicher 12)
abgespeicherte Ladung zu der Ladungs-Aufnahmeeinrichtung (Last
74) zu leiten.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Leitvorrichtung (Hochjouleschalter 16) eine Mehrzahl von
Transistoren (214, 218) aufweist, deren Eingang (212) mit der
Ladungs-Speichereinrichtung (Energiespeicher 12) zur Aufnahme
des von dieser abfließenden Stromes verbunden ist und deren
Ausgang (213) mit der Ladungs-Aufnahmeeinrichtung (Last 74)
verbunden ist, um die in der Ladungs-Speichereinrichtung
abgespeicherte Ladung zu der Ladungs-Aufnahmeinrichtung zu
leiten, und daß die Mehrzahl von Transistoren (214, 218) so
miteinander verschaltet ist, daß ein Schaltkreis gebildet wird,
der einen Stromfluß aufrechterhalten kann, nachdem ein
elektrischer Impuls angelegt worden ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeich
net, daß die Leitvorrichtung (Hochjouleschalter 16) einen PNP-
Transistor (214) und einen NPN-Transistor (218) aufweist, wobei
der Kollektor (216) des PNP-Transistors (214) mit der Basis
(219) des NPN-Transistors (218), der Kollektor (220) des NPN-
Transistors (218) mit der Basis (215) des PNP-Transistors
(214), der Emitter (217) des PNP-Transistors (214) mit der
Ladungs-Speichereinrichtung (Energiespeicher 12) für die
Aufnahme eines aus diesem austretenden Stromes, und der Emitter
(221) des NPN-Transistors (218) mit der Aufnahmeeinrichtung
(Last 74) verbunden ist, um die in der Ladungs-Speicher
einrichtung gespeicherte Ladung zu der Ladungs-Aufnahme
einrichtung zu leiten (Fig. 6).
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungs-Speichereinrichtung
(Energiespeicher 12) eine Speichervorrichtung (Kondensator 60)
für die Speicherung einer Ladungsmenge oberhalb der vorgege
benen Ladungsmenge aufweist und
daß ferner eine Entladeeinrichtung (Widerstand 61) vorgesehen
ist, mit welcher die Ladungs-Speichereinrichtung (Energiespei
cher 12) entladbar ist, bis die in der Ladungs-Speichereinrich
tung abgespeicherte Ladungsmenge der vorgegebenen Menge gleich
ist, wodurch die Erfassungsvorrichtung (Steuerprozessor 20) die
vorgegebene Ladungsmenge, die in der Ladungs-Speichereinrich
tung abgespeichert ist, erkennt und die Leitvorrichtung (Hoch
jouleschalter 16) die in der Ladungs-Speichereinrichtung (12)
abgespeicherte Ladung zu der Ladungs-Aufnahmeeinrichtung
leitet.
6. Vorrichtung zur Einleitung von Hochspannungsströmen in
eine chemische Lösung, gekennzeichnet durch:
einen ersten Thyristor (80) mit einem Gate (84) und einer Anode (92) für die Aufnahme eines Hochspannungsstroms und einer Kathode (88) für die Abgabe eines Hochspannungsstromes, einer Nebenschlußeinrichtung (112), die mit der Anode (92) und der Kathode (88) verbunden ist, um den ersten Thyristor (80) zu überbrücken, wobei die Nebenschlußeinrichtung (112) einen Metalloxidvaristor (120) aufweist, der in Reihe mit einem Kondensator (124) geschaltet ist; und
eine Triggereinrichtung (104, 108), die mit dem Gate (84) verbunden ist und mit welcher der erste Thyristor (80) triggerbar ist, wodurch ein Hochspannungsstrom von der Anode (92) zu der Kathode (88) des Thyristors (80) fließt.
einen ersten Thyristor (80) mit einem Gate (84) und einer Anode (92) für die Aufnahme eines Hochspannungsstroms und einer Kathode (88) für die Abgabe eines Hochspannungsstromes, einer Nebenschlußeinrichtung (112), die mit der Anode (92) und der Kathode (88) verbunden ist, um den ersten Thyristor (80) zu überbrücken, wobei die Nebenschlußeinrichtung (112) einen Metalloxidvaristor (120) aufweist, der in Reihe mit einem Kondensator (124) geschaltet ist; und
eine Triggereinrichtung (104, 108), die mit dem Gate (84) verbunden ist und mit welcher der erste Thyristor (80) triggerbar ist, wodurch ein Hochspannungsstrom von der Anode (92) zu der Kathode (88) des Thyristors (80) fließt.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die Triggereinrichtung (104, 108) eine Speichervorrichtung
(Kondensator 108) aufweist, mit welcher eine elektrische Ladung
für die Triggerung des ersten Thyristors (80) abspeicherbar
ist, wobei die abgespeicherte Ladung proportional zu dem
Hochspannungsstrom ist, der durch die Anode (92) des ersten
Thyristors (80) aufgenommen wird.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, gekennzeichnet durch:
einen zweiten Thyristor (80 in der Schalterzelle 151), mit einem Gate (84), einer Anode (92), die für die Aufnahme des Hochspannungsstroms verschaltet ist, der von der Kathode (88) des ersten Thyristors (80 in der Schalterzelle 150) abgegeben wird, und mit einer Kathode für die Abgabe eines Hochspannungs stroms;
eine Nebenschlußeinrichtung (112 in der Schalterzelle 151), die mit der Anode (92) und der Kathode (88) des zweiten Thyristors (80 in der Schalterzelle 151) für das Überbrücken des zweiten Thyristors (80 in der Schalterzelle 151) verbunden ist und die einen Varistor (120) aufweist, der in Reihe mit einem Kondensator (124) geschaltet ist; und
eine Triggereinrichtung (160), die mit dem Gate des zweiten Thyristors (80 in der Schalterzelle 151) verbunden ist und mit der der zweite Thyristor (80) triggerbar ist, wodurch ein Hochspannungsstrom von der Anode (92) zu der Kathode (88) des Thyristors (80) fließt, wenn ein Hochspannungsstrom von der Kathode (88) des ersten Thyristors (80 in der Schalterzelle 150) abgegeben wird.
einen zweiten Thyristor (80 in der Schalterzelle 151), mit einem Gate (84), einer Anode (92), die für die Aufnahme des Hochspannungsstroms verschaltet ist, der von der Kathode (88) des ersten Thyristors (80 in der Schalterzelle 150) abgegeben wird, und mit einer Kathode für die Abgabe eines Hochspannungs stroms;
eine Nebenschlußeinrichtung (112 in der Schalterzelle 151), die mit der Anode (92) und der Kathode (88) des zweiten Thyristors (80 in der Schalterzelle 151) für das Überbrücken des zweiten Thyristors (80 in der Schalterzelle 151) verbunden ist und die einen Varistor (120) aufweist, der in Reihe mit einem Kondensator (124) geschaltet ist; und
eine Triggereinrichtung (160), die mit dem Gate des zweiten Thyristors (80 in der Schalterzelle 151) verbunden ist und mit der der zweite Thyristor (80) triggerbar ist, wodurch ein Hochspannungsstrom von der Anode (92) zu der Kathode (88) des Thyristors (80) fließt, wenn ein Hochspannungsstrom von der Kathode (88) des ersten Thyristors (80 in der Schalterzelle 150) abgegeben wird.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch eine
Einrichtung die mit Triggereinrichtungen (104, 108) des ersten
(80 in Schalterzelle 150) und des zweiten Thyristors (80 in
Schalterzelle 151) verbunden ist und mit der im wesentlichen
zugleich der erste und der zweite Thyristor (80 in den
Schalterzellen 150 bzw. 151) triggerbar ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch eine
Einrichtung (160), die mit Triggereinrichtungen (104, 108) des
ersten (80 in Schalterzelle 150) und des zweiten Thyristors (80
in Schalterzelle 151) verbunden ist und mit der nacheinander
der erste und der zweite Thyristor (80 in den Schalterzellen
150 bzw. 151) triggerbar ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
die Triggereinrichtung des ersten Thyristors (80 in der
Schalterzelle 150) einen Gatewiderstand (104), der mit dem Gate
(84) des ersten Thyristors (80) verbunden ist, und einen Gate
kondensator (108) aufweist, der in Reihe zu dem Gatewiderstand
geschaltet ist, und daß der zweite Thyristor (80 in der
Schalterzelle 151) einen Gatewiderstand (104), der mit dem Gate
(84) des zweiten Thyristors (80) verbunden ist, und einen Gate
kondensator (108) aufweist, der in Reihe zu diesem geschaltet
ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Triggereinrichtung (160) vorgesehen ist, die mit den
Gatekondensatoren zur Triggerung des ersten und des zweiten
Thyristors (80 in 150 bzw. 151) verbunden ist und mit der ein
Spannungsimpuls gleichzeitig an die Thyristoren abgebbar ist,
um den ersten und den zweiten Thyristor (80 in der Schalterzelle
150 und in der Schalterzelle 151) im wesentlichen gleichzeitig
zu triggern, so daß ein Hochspannungsstrom von der Anode (92)
des ersten Thyristors (80 in der Schalterzelle 150) durch den
ersten und zweiten Thyristor (80 in den Schalterzellen 150 und
151) fließt und durch die Kathode (88) des zweiten Thyristors
(80 in der Schalterzelle 151) abgegeben wird.
13. Vorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekenn
zeichnet, daß der erste Thyristor (80 in der Schalterzelle 150)
ferner aufweist:
Einen Masse-Widerstand (186), der in Reihe mit dem Gatekon densator (108) und dem Gatewiderstand (104) geschaltet ist und mit Massepotential verbunden ist;
eine Vorrichtung zur Abspeicherung einer ausreichenden elektri schen Ladungsmenge in dem Gatekondensator (108), um den ersten Thyristor (80 in der Schalterzelle 150) zu triggern, wenn der Gatekondensator (108) entladen wird; und
eine Entladevorrichtung, mit welcher der Gatekondensator (108) entladen wird, wenn die Kathode (88) des ersten Thyristors (80 in der Schalterzelle 150) nahezu auf Massepotential liegt.
Einen Masse-Widerstand (186), der in Reihe mit dem Gatekon densator (108) und dem Gatewiderstand (104) geschaltet ist und mit Massepotential verbunden ist;
eine Vorrichtung zur Abspeicherung einer ausreichenden elektri schen Ladungsmenge in dem Gatekondensator (108), um den ersten Thyristor (80 in der Schalterzelle 150) zu triggern, wenn der Gatekondensator (108) entladen wird; und
eine Entladevorrichtung, mit welcher der Gatekondensator (108) entladen wird, wenn die Kathode (88) des ersten Thyristors (80 in der Schalterzelle 150) nahezu auf Massepotential liegt.
14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß
die Kathode des zweiten Thyristors (80 in der Schalterzelle
151) mit einem massennahen Potential verbunden ist und
ferner eine Vorrichtung vorgesehen ist, die mit dem Kondensator
(108) der Triggervorrichtung des zweiten Thyristors (80 in der
Schalterzelle 151) verbunden ist und mit welcher ein Span
nungsimpuls an diesen abgebbar ist, um den zweiten Thyristor zu
triggern, wodurch die Anode des Thyristors im wesentlichen
Massenpotential annimmt, welches zu der Kathode des ersten
Thyristors (80 in der Schalterzelle 150) geleitet wird, worauf
ansprechend der erste Thyristor (80 in der Schalterzelle
150) getriggert wird.
15. Vorrichtung zum Einleiten eines Hochspannungsstroms in
eine chemische Lösung, gekennzeichnet durch:
einen Thyristor (80) mit einem Gate (84), einer Anode (92) für die Aufnahme eines Hochspannungsstroms und einer Kathode (88) für die Abgabe eines Hochspannungsstroms;
einer Triggervorrichtung (24, 50, 108, 104), die mit dem Gate (84) verbunden ist und mit welcher der Thyristor (80) trigger bar ist, wodurch ein Hochspannungsstrom von der Anode (92) zu der Kathode (88) des Thyristors (80) fließt; und
einem Zeitschaltglied (196), das mit der Kathode (88) verbunden ist und mit welchem der durch die Anode (92) des Thyristors (80) fließende Hochspannungsstrom nach einer vorgegebenen Zeitdauer unterdrückbar ist.
einen Thyristor (80) mit einem Gate (84), einer Anode (92) für die Aufnahme eines Hochspannungsstroms und einer Kathode (88) für die Abgabe eines Hochspannungsstroms;
einer Triggervorrichtung (24, 50, 108, 104), die mit dem Gate (84) verbunden ist und mit welcher der Thyristor (80) trigger bar ist, wodurch ein Hochspannungsstrom von der Anode (92) zu der Kathode (88) des Thyristors (80) fließt; und
einem Zeitschaltglied (196), das mit der Kathode (88) verbunden ist und mit welchem der durch die Anode (92) des Thyristors (80) fließende Hochspannungsstrom nach einer vorgegebenen Zeitdauer unterdrückbar ist.
16. Verfahren zum Einleiten eines Hochspannungsstroms in eine
chemische Lösung, gekennzeichnet durch folgende Verfahrens
schritte:
Verbinden einer elektrischen Ladungs-Speichereinrichtung mit der Anode eines ersten Thyristors;
Verbinden der Kathode des ersten Thyristors so, daß ein Strom in die chemische Lösung eingeleitet wird;
Anlegen eines elektrischen Impulses an das Gate eines ersten Thyristors dergestalt, daß der erste Thyristor leitend wird; und
Einleiten der elektrischen Ladung, die über den ersten Thyristor fließt, in die chemische Lösung.
Verbinden einer elektrischen Ladungs-Speichereinrichtung mit der Anode eines ersten Thyristors;
Verbinden der Kathode des ersten Thyristors so, daß ein Strom in die chemische Lösung eingeleitet wird;
Anlegen eines elektrischen Impulses an das Gate eines ersten Thyristors dergestalt, daß der erste Thyristor leitend wird; und
Einleiten der elektrischen Ladung, die über den ersten Thyristor fließt, in die chemische Lösung.
17. Verfahren nach Anspruch 16, gekennzeichnet durch die
folgenden Verfahrensschritte:
Erfassen eines leitfähigen Zustands des ersten Thyristors;
Messen eines vorgegebenen Zeitintervalls nach der Erfassung des leitfähigen Zustands des ersten Thyristors; und
Unterdrücken des durch den ersten Thyristor fließenden Stroms gegen das Ende des vorgegebenen Zeitintervalls.
Erfassen eines leitfähigen Zustands des ersten Thyristors;
Messen eines vorgegebenen Zeitintervalls nach der Erfassung des leitfähigen Zustands des ersten Thyristors; und
Unterdrücken des durch den ersten Thyristor fließenden Stroms gegen das Ende des vorgegebenen Zeitintervalls.
18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeich
net, daß das Potential an der Kathode des ersten Thyristors
begrenzt wird.
19. Verfahren nach Anspruch 16, 17 oder 18, dadurch gekenn
zeichnet,
daß die Anode eines zweiten Thyristors so verbunden ist, daß sie den durch die Kathode des ersten Thyristors fließenden Strom aufnimmt;
daß die Kathode des zweiten Thyristors so verbunden ist, daß sie einen Strom zu einer chemischen Lösung abgibt;
daß ein elektrischer Impuls an die Gates des ersten und des zweiten Thyristors gelegt wird, der ausreicht, um den ersten und den zweiten Thyristor leitfähig zu schalten;
daß die elektrische Ladung, die durch den ersten und den zweiten Thyristor fließt, in die chemische Lösung eingeleitet wird.
daß die Anode eines zweiten Thyristors so verbunden ist, daß sie den durch die Kathode des ersten Thyristors fließenden Strom aufnimmt;
daß die Kathode des zweiten Thyristors so verbunden ist, daß sie einen Strom zu einer chemischen Lösung abgibt;
daß ein elektrischer Impuls an die Gates des ersten und des zweiten Thyristors gelegt wird, der ausreicht, um den ersten und den zweiten Thyristor leitfähig zu schalten;
daß die elektrische Ladung, die durch den ersten und den zweiten Thyristor fließt, in die chemische Lösung eingeleitet wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch
gekennzeichnet, daß beim Anlegen des elektrischen Impulses
der elektrische Impuls nahezu gleichzeitig an die Gates des
ersten und des zweiten Thyristors angelegt wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 20, dadurch
gekennzeichnet, daß bei der Begrenzung des Potentials das
Potential nahezu auf Massenpotential begrenzt wird.
22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß
das Gate des ersten Thyristors mit einem Kondensator verbunden
wird, der den ersten Thyristor triggern kann, wenn der Konden
sator entladen wird.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 22, dadurch
gekennzeichnet,
daß das Potential an der Anode des zweiten Thyristors zu dem Gate des ersten Thyristors geleitet wird,
daß ein elektrischer Impuls an das Gate des zweiten Thyristors gelegt wird, der ausreicht, um den zweiten Thyristor leitfähig zu schalten, wodurch das massennahe Potential an der Kathode des zweiten Thyristors an die Anode des zweiten Thyristors und das Gate des ersten Thyristors geleitet wird, wobei das massennahe Potential an dem Gate des ersten Thyristors den Kondensator entlädt, um den ersten Thyristor leitfähig zu schalten.
daß das Potential an der Anode des zweiten Thyristors zu dem Gate des ersten Thyristors geleitet wird,
daß ein elektrischer Impuls an das Gate des zweiten Thyristors gelegt wird, der ausreicht, um den zweiten Thyristor leitfähig zu schalten, wodurch das massennahe Potential an der Kathode des zweiten Thyristors an die Anode des zweiten Thyristors und das Gate des ersten Thyristors geleitet wird, wobei das massennahe Potential an dem Gate des ersten Thyristors den Kondensator entlädt, um den ersten Thyristor leitfähig zu schalten.
24. Verfahren zur Einleitung eines Hochspannungsstroms in
eine chemische Lösung, gekennzeichnet durch folgende Verfah
rensschritte:
Verbinden einer Mehrzahl von Transistoren dergestalt, daß ein Schaltkreis gebildet wird, der in der Lage ist, den Strom, der von dem Eingang des Schaltkreises zu dem Ausgang des Schalt kreises fließt, aufrechtzuerhalten, nachdem ein elektrischer Impuls an den Schaltkreis angelegt worden ist;
Verbinden des Eingangs des Schaltkreises mit einer Ladungs- Speichereinrichtung;
Verbinden des Ausgangs des Schaltkreises dergestalt, daß ein Strom von dem Schaltkreis in eine chemische Lösung fließen kann;
Anlegen eines elektrischen Impulses an den Schaltkreis, um einen dauernden Stromfluß durch den Schaltkreis hindurch zu starten;
Einleiten des Stroms, der von dem Ausgang des Schaltkreises austritt, in eine chemische Lösung.
Verbinden einer Mehrzahl von Transistoren dergestalt, daß ein Schaltkreis gebildet wird, der in der Lage ist, den Strom, der von dem Eingang des Schaltkreises zu dem Ausgang des Schalt kreises fließt, aufrechtzuerhalten, nachdem ein elektrischer Impuls an den Schaltkreis angelegt worden ist;
Verbinden des Eingangs des Schaltkreises mit einer Ladungs- Speichereinrichtung;
Verbinden des Ausgangs des Schaltkreises dergestalt, daß ein Strom von dem Schaltkreis in eine chemische Lösung fließen kann;
Anlegen eines elektrischen Impulses an den Schaltkreis, um einen dauernden Stromfluß durch den Schaltkreis hindurch zu starten;
Einleiten des Stroms, der von dem Ausgang des Schaltkreises austritt, in eine chemische Lösung.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/872,060 US4750100A (en) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | Transfection high voltage controller |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3718941A1 true DE3718941A1 (de) | 1988-02-04 |
Family
ID=25358752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873718941 Ceased DE3718941A1 (de) | 1986-06-06 | 1987-06-05 | Vorrichtung und verfahren zur einleitung von hochspannungsstroemen in eine chemische loesung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4750100A (de) |
JP (1) | JP2848599B2 (de) |
CA (1) | CA1326507C (de) |
DE (1) | DE3718941A1 (de) |
GB (3) | GB2193054B (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0866123A1 (de) * | 1997-03-21 | 1998-09-23 | Eppendorf-Netheler-Hinz Gmbh | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Elektropermeation oder Elektroperation von lebenden Zellen |
DE10119901A1 (de) * | 2001-04-23 | 2002-10-24 | Amaxa Gmbh | Schaltungsanordnung zur Einbringung von Nukleinsäuren und anderen biologisch aktiven Molekülen in den Kern höherer eukaryontischer Zellen mit Hilfe elektrischen Stroms |
DE102007056956A1 (de) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | Moosbauer, Peter, Dipl.-Ing.(FH) | Schaltung zur Regelung der Stromversorgung eines Verbrauchers und Verfahren zum Betrieb einer Schaltung |
DE102007056955A1 (de) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | Moosbauer, Peter, Dipl.-Ing.(FH) | Schaltung zur Regelung der Stromversorgung eines Verbrauchers und Verfahren zum Betrieb einer Schaltung |
US7732175B2 (en) | 2004-06-14 | 2010-06-08 | Lonza Cologne Ag | Method and circuit arrangement for treating biomaterial |
EP3654477A1 (de) * | 2018-11-15 | 2020-05-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronischer schalter mit überspannungsschutz |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4946793A (en) * | 1986-05-09 | 1990-08-07 | Electropore, Inc. | Impedance matching for instrumentation which electrically alters vesicle membranes |
US5098843A (en) * | 1987-06-04 | 1992-03-24 | Calvin Noel M | Apparatus for the high efficiency transformation of living cells |
GB8807271D0 (en) * | 1988-03-26 | 1988-04-27 | Preece A W | Cell fusion apparatus |
US5422272A (en) * | 1993-07-14 | 1995-06-06 | Andrew A. Papp | Improvements to apparatus and method for electroporation |
US5642035A (en) * | 1994-06-16 | 1997-06-24 | Bio-Rad Laboratories | Transfection high-voltage controller |
US5585249A (en) * | 1994-10-03 | 1996-12-17 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Polyhydroxybutyrate and polyphosphate membranes with channels |
US6103084A (en) * | 1995-06-06 | 2000-08-15 | Eppendorf Netheler-Hinz Gmbh | Apparatus for electroporation |
US5608311A (en) * | 1995-10-19 | 1997-03-04 | Eaton Corporation | AC input for digital processor with capacitively coupled immunity and surge withstand |
US6010613A (en) * | 1995-12-08 | 2000-01-04 | Cyto Pulse Sciences, Inc. | Method of treating materials with pulsed electrical fields |
US5869326A (en) * | 1996-09-09 | 1999-02-09 | Genetronics, Inc. | Electroporation employing user-configured pulsing scheme |
DE19834612A1 (de) * | 1998-07-31 | 2000-02-24 | Dornier Medtech Holding Int Gmbh | Verfahren zum intrazellulären Transfer von Oligonukleotiden und Vorrichtung zur Durchführung desselben |
US6214297B1 (en) * | 1999-03-24 | 2001-04-10 | The Ohio State University | High voltage pulse generator |
US8143195B2 (en) * | 2000-01-24 | 2012-03-27 | Yingjian Wang | Arrays for bringing two or more reagents in contact with one or more biological targets and methods for making and using the arrays |
US7429466B2 (en) * | 2000-01-24 | 2008-09-30 | Hypromatrix, Inc | Methods and arrays for detecting biological molecules |
DE10031179A1 (de) * | 2000-06-27 | 2002-01-31 | Amaxa Gmbh | Verfahren zur Einbringung von Nukleinsäuren und anderen biologisch aktiven Molekülen in den Kern höherer eukaryontischer Zellen mit Hilfe elektrischen Stroms |
WO2003050546A2 (en) | 2001-12-06 | 2003-06-19 | Bio-Rad Laboratories Inc. | Resistance circuit stabilization and pulse duration control systems for electroporation instruments |
US7776373B2 (en) * | 2004-11-19 | 2010-08-17 | Eteka Llc | Apparatus and method for the enhancement of food properties and food prepared therefrom |
US7923238B2 (en) * | 2006-02-10 | 2011-04-12 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Multi-channel electroporation system |
WO2009065618A2 (de) | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Biontex Laboratories Gmbh | Verbesserung von transfektionsergebnissen nicht-viraler genliefersysteme durch beeinflussung des angeborenen immunsystems |
DE102008016275A1 (de) | 2008-03-28 | 2009-11-19 | Biontex Laboratories Gmbh | Verbesserung von Transfektionsergebnissen nicht-viraler Genliefersysteme durch Blockierung des angeborenen Immunsystems |
DE102007056488A1 (de) | 2007-11-22 | 2009-07-23 | Biontex Laboratories Gmbh | Steigerung von Transfektionseffizienzen nicht-viraler Genliefersysteme durch Blockierung des angeborenen Immunsystems |
DE102008023913A1 (de) | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Biontex Laboratories Gmbh | Verbesserung von Transfektionsergebnissen nicht-viraler Genliefersysteme durch Beeinflussung des angeborenen Immunsystems |
US20110045001A1 (en) * | 2008-03-28 | 2011-02-24 | Biontex Laboratories Gmbh | Transfection results of non-viral gene delivery systems by influencing of the innate immune system |
WO2012158132A1 (en) | 2011-05-18 | 2012-11-22 | Eteka Llc | Apparatus for the enhancement of food properties by electroporation or pulsed electric fields |
WO2013167185A1 (en) | 2012-05-09 | 2013-11-14 | Universitat Politècnica De Catalunya | Electrode assembly for generating electric field pulses to perform electroporation to a biological sample |
US10916939B2 (en) | 2018-10-02 | 2021-02-09 | Stmicroelectronics (Tours) Sas | Low leakage transient overvoltage protection circuit using a series connected metal oxide varistor (MOV) and silicon controlled rectifier (SCR) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3609413A (en) * | 1969-11-03 | 1971-09-28 | Fairchild Camera Instr Co | Circuit for the protection of monolithic silicon-controlled rectifiers from false triggering |
US3772532A (en) * | 1970-01-26 | 1973-11-13 | J Petrov | Apparatus for simultaneous triggering of series-connected thyristors |
US4296358A (en) * | 1979-07-30 | 1981-10-20 | Fisher Scientific Company | High-voltage spark source |
DD205312A1 (de) * | 1982-03-03 | 1983-12-21 | Herbert Bachmann | Anordnung zur steuerung einer abschneidefunkenstrecke |
DE3321999A1 (de) * | 1983-06-18 | 1984-12-20 | Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH, 6100 Darmstadt | Schaltungsanordnung zur energieversorgung |
US4571535A (en) * | 1984-11-15 | 1986-02-18 | Westinghouse Electric Corp. | VAR Generator having controlled discharge of thyristor switched capacitors |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB644347A (en) * | 1948-07-23 | 1950-10-11 | British Thomson Houston Co Ltd | Circuit arrangements for charging condensers |
BE627843A (de) * | 1962-01-31 | |||
DE1564084B2 (de) * | 1966-07-28 | 1977-05-12 | Hellige Gmbh, 7800 Freiburg | Gleichstrom-defibrillator |
SE360228B (de) * | 1972-02-01 | 1973-09-17 | Asea Ab | |
US3898410A (en) * | 1972-06-16 | 1975-08-05 | Environment One Corp | AC to RF converter circuit for induction cooking unit |
US3849670A (en) * | 1973-04-13 | 1974-11-19 | Webster Electric Co Inc | Scr commutation circuit for current pulse generators |
CH569545A5 (de) * | 1973-08-31 | 1975-11-28 | Charmilles Sa Ateliers | |
FR2253831B1 (de) * | 1973-12-06 | 1977-11-10 | Rikagaku Kenkyusho | |
US3947726A (en) * | 1974-12-18 | 1976-03-30 | General Electric Co. | Reverse voltage surge protection for high-voltage thyristors |
DK140580B (da) * | 1977-06-29 | 1979-10-01 | Reofon As | Apparat til frembringelse af elektriske stødimpulser. |
GB1598590A (en) * | 1978-05-31 | 1981-09-23 | Ml Aviation Co Ltd | Explosive devices |
GB2075759B (en) * | 1980-03-27 | 1984-10-03 | Masuda Senichi | Particle charging apparatus |
JPS58154367A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-13 | Toshiba Corp | サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生器 |
DE3538194A1 (de) * | 1985-10-26 | 1987-06-11 | Heinz Doevenspeck | Verfahren zur stoffwechsel- und/oder wachstumssteigernden behandlung von mikroorganismen sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
-
1986
- 1986-06-06 US US06/872,060 patent/US4750100A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-06-04 CA CA000538821A patent/CA1326507C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-05 GB GB8713170A patent/GB2193054B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-05 JP JP62141316A patent/JP2848599B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-05 DE DE19873718941 patent/DE3718941A1/de not_active Ceased
-
1990
- 1990-02-22 GB GB9003971A patent/GB2227380B/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-22 GB GB9003972A patent/GB2228635B/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3609413A (en) * | 1969-11-03 | 1971-09-28 | Fairchild Camera Instr Co | Circuit for the protection of monolithic silicon-controlled rectifiers from false triggering |
US3772532A (en) * | 1970-01-26 | 1973-11-13 | J Petrov | Apparatus for simultaneous triggering of series-connected thyristors |
US4296358A (en) * | 1979-07-30 | 1981-10-20 | Fisher Scientific Company | High-voltage spark source |
DD205312A1 (de) * | 1982-03-03 | 1983-12-21 | Herbert Bachmann | Anordnung zur steuerung einer abschneidefunkenstrecke |
DE3321999A1 (de) * | 1983-06-18 | 1984-12-20 | Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH, 6100 Darmstadt | Schaltungsanordnung zur energieversorgung |
US4571535A (en) * | 1984-11-15 | 1986-02-18 | Westinghouse Electric Corp. | VAR Generator having controlled discharge of thyristor switched capacitors |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
DE-B.: E. PHILIPPOW, Taschenbuch Elektrotechnik, Bd. 6 (Systeme der Energietechnik), Verlag C. Hanser, München 1982, S. 395-397 * |
DE-B.: K. HEUMANN, Grundlagen der Leistungs- elektronik, Verlag B.G. Teubner, Stuttgart 1978, S. 43 * |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6008038A (en) * | 1997-03-21 | 1999-12-28 | Eppendorf-Netheler-Hinz Gmbh | Method and a circuit arrangement for the electropermeation of living cells |
EP0866123A1 (de) * | 1997-03-21 | 1998-09-23 | Eppendorf-Netheler-Hinz Gmbh | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Elektropermeation oder Elektroperation von lebenden Zellen |
DE10119901A1 (de) * | 2001-04-23 | 2002-10-24 | Amaxa Gmbh | Schaltungsanordnung zur Einbringung von Nukleinsäuren und anderen biologisch aktiven Molekülen in den Kern höherer eukaryontischer Zellen mit Hilfe elektrischen Stroms |
US8173416B2 (en) | 2001-04-23 | 2012-05-08 | Lonza Cologne Gmbh | Circuit arrangement for injecting nucleic acids and other biologically active molecules into the nucleus of higher eucaryotic cells using electrical current |
US7732175B2 (en) | 2004-06-14 | 2010-06-08 | Lonza Cologne Ag | Method and circuit arrangement for treating biomaterial |
US8058042B2 (en) | 2004-06-14 | 2011-11-15 | Lonza Cologne Gmbh | Method and circuit arrangement for treating biomaterial |
DE102007056956A1 (de) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | Moosbauer, Peter, Dipl.-Ing.(FH) | Schaltung zur Regelung der Stromversorgung eines Verbrauchers und Verfahren zum Betrieb einer Schaltung |
DE102007056955B4 (de) * | 2007-11-27 | 2009-11-19 | Moosbauer, Peter, Dipl.-Ing.(FH) | Schaltung zur Regelung der Stromversorgung eines Verbrauchers und Verfahren zum Betrieb einer Schaltung |
DE102007056956B4 (de) * | 2007-11-27 | 2009-10-29 | Moosbauer, Peter, Dipl.-Ing.(FH) | Schaltung zur Regelung der Stromversorgung eines Verbrauchers und Verfahren zum Betrieb einer Schaltung |
DE102007056955A1 (de) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | Moosbauer, Peter, Dipl.-Ing.(FH) | Schaltung zur Regelung der Stromversorgung eines Verbrauchers und Verfahren zum Betrieb einer Schaltung |
US8487482B2 (en) | 2007-11-27 | 2013-07-16 | Messtec Power Converter Gmbh | Circuit for controlling power supply to a consumer and method for operating a circuit |
US8729871B2 (en) | 2007-11-27 | 2014-05-20 | Messtec Power Converter Gmbh | Circuit and method for controlling the power supply of a consumer with current pulses having steep flanks |
EP3654477A1 (de) * | 2018-11-15 | 2020-05-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronischer schalter mit überspannungsschutz |
WO2020099103A1 (de) | 2018-11-15 | 2020-05-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronischer schalter mit überspannungsschutz |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2228635B (en) | 1991-04-17 |
GB2228635A (en) | 1990-08-29 |
GB2227380A (en) | 1990-07-25 |
GB2193054A (en) | 1988-01-27 |
GB9003972D0 (en) | 1990-04-18 |
CA1326507C (en) | 1994-01-25 |
GB9003971D0 (en) | 1990-04-18 |
JP2848599B2 (ja) | 1999-01-20 |
JPS6335177A (ja) | 1988-02-15 |
GB2193054B (en) | 1991-03-20 |
GB8713170D0 (en) | 1987-07-08 |
US4750100A (en) | 1988-06-07 |
GB2227380B (en) | 1991-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3718941A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur einleitung von hochspannungsstroemen in eine chemische loesung | |
DE2630179A1 (de) | Vorrichtung zur stimulation von nerven | |
DE69532699T2 (de) | Hochspannungssteuerung für Transfektion | |
DE2120816A1 (de) | Spannungsvervielfacher | |
DE2065013A1 (de) | Bedarfsherzschrittmacher. Ausscheidung aus; 2025499 | |
DE2051527A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Schnell laden von elektrischen Batterien | |
DE2703347B2 (de) | Elektrochirurgische« Gerät | |
DE2103922C3 (de) | Schaltungsanordnung zum Schnelladen einer elektrischen Akkumulatoren-Batterie | |
DE2305052A1 (de) | Radar-modulator | |
DE2242334A1 (de) | Gleichstromsteuerschaltung | |
DE1588303A1 (de) | Schaltung zur Drehzahlregelung eines Kollektormotors | |
DE3005160A1 (de) | Ansteuerschaltung fuer eine blitzlampe | |
DE1903621A1 (de) | Thyristor-Ansteuerschaltung | |
DE2431487C2 (de) | Triggerschaltung | |
DE2347935A1 (de) | Verfahren zum zuenden und leitend halten eines steuerbaren gleichrichters und ein zuendsignalgenerator zur durchfuehrung dieses verfahrens | |
CH661383A5 (de) | Thyristoreinrichtung. | |
DE1487745A1 (de) | Steuersystem fuer Gleichstrommotoren | |
DE2166613B2 (de) | Elektronenblitzgerät mit einer Blitzauslöse- und einer Blitzbegrenzervorrichtung | |
DE2340978A1 (de) | Sender fuer wechsellichtschranke | |
DE1948257C3 (de) | Verfahren und Anordnung zur Erzeugung eines Zündimpulses mit einer hohen steilen Spitze und einem Impulsrücken | |
DE2338540A1 (de) | In einem herzschrittmacher verwendbarer impulsgenerator, der impulse mit konstanter energie erzeugt | |
DE655376C (de) | Einrichtung zur Erzeugung von Stromimpulsen gleicher Richtung und regelbarer niederer Frequenz aus Wechselstrom mittels einer gittergesteuerten elektrischen Entladungsstrecke | |
DE2325600A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum regeln des ausgangssignals von impulsgeneratoren | |
DE2626241C2 (de) | Impulsgenerator | |
CH441538A (de) | Vorrichtung zum Schweissen von Werkstücken |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H02M 9/00 |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 3745178 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 3745178 |
|
8131 | Rejection |