CH661383A5

CH661383A5 - Thyristoreinrichtung.

Info

Publication number: CH661383A5
Application number: CH372282A
Authority: CH
Inventors: Toshiaki Matsuura; Nobuo Sashida
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1981-06-16
Filing date: 1982-06-16
Publication date: 1987-07-15
Also published as: SE8203651L; DE3221831A1; JPS57208862A

Description

Die Erfindung betrifft eine Thyristoreinrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Aus der DE-A-2 552 414 ist eine derartige Thyristoreinrichtung mit n in Reihe geschalteten Thyristoren Ti ... T„ in jedem Thyristorarm bekannt. Zum Zwecke der Synchronisation des Zündens der Thyristoren werden Lichtimpulse von Lichtemittern an Impulsgeber zum Erzeugen eines Gatesignals für den jeweiligen Thyristor geliefert.

Aus der DE-A-2 443 279 ist eine Einrichtung zum Überspannungsschutz von Thyristoren bekannt, bei der Überspannungsabieiter parallel zu den Thyristoren vorgesehen sind, wodurch diese geschützt werden. Aus der DE-A-2 530 789 ist eine Schaltung zum Schutz von Gleichrichteranlagen für Gleichstromfernleitungen mit einem Abieiter, einem nichtlinearen Widerstand und einem Stromgeber auf der Gleichstromseite der Gleichrichteranlage bekannt, bei der der Abieiter dann entladen wird, wenn das Gleichstromausgangssignal der Gleichrichteranlage die Form einer Übespannung annimmt, wodurch die Gatesignale aller Thyristoren der Gleichrichteranlage blockiert werden.

Thyristoreinrichtungen finden verbreitet Verwendung in Gleichstrom-Kraftübertragungsanlagen, in Anlassern zum Starten von Synchronmotoren usw.

Die Figur 1 zeigt ein Blockschema einer Gleichstrom-Kraftübertragungsanlage von bekannter Art. Die dargestellte Anlage enthält kurz gesagt einen Gleichrichter 1, einen Wechselrichter 2, Transformatoren 3 und 7 und Gleichstrom-Kraft-übertragungsleitungen 5. Die Eingangs-Wechselspannung des Gleichrichters 1 wird diesem vom Transformator 3 über Wechselstromreaktanzen 4 zugeführt. Die Ausgangs-Gleichspannung des Gleichrichters 1 wird über Gleichstromreaktanzen 14 dem einen Ende jeder der Gleichstrom-Kraftübertragungsleitungen 5 zugeführt. Das andere Ende jeder dieser Leitungen 5 ist über Gleichstromreaktanzen 14 mit dem Gleichspannungseingang des Wechselrichters 2 verbunden. Der Gleichrichter 1 und der Wechselrichter 2 bestehen je aus einer dreiphasigen Brückenschaltung mit sechs Thyristorarmen 10. Jeder der Thyristorarme 10 enthält eine Mehrzahl von Thyristoren 11, die zueinander in Reihe und/oder parallel geschaltet sind.

Eine dem Transformator 3 zugeführte Wechselspannung wird in eine Wechselspannung anderer Grösse transformiert und über die Wechselstromreaktanzen 4 dem Gleichrichter 1 zugeführt. Die so transformierte Wechselspannung wird im Gleichrichter 1 in eine Gleichspannung umgewandelt. Diese Gleichspannung wird über die Gleichstrom-Kraftübertragungs-leitungen 5 übertragen und dem Wechselrichter 2 zugeführt. In diesem wird die Gleichspannung in eine Wechselspannung zurückgewandelt. Diese Wechselspannung wird über die Wechselstromreaktanzen 6 dem Transformator 7 zugeführt, in welchem die Spannung wieder transformiert wird. So wird eine Gleichstrom-Kraftübertragung durchgeführt.

Eine solche Anlage enthält in der Regel eine Schutzeinrichtung, z.B. einen Stossspannungsdämpfer, einen Abieiter od. dgl., um die beschriebenen Thyristoren 11 vor Stossspannun-gen, z.B. Blitz-Überspannungen, Schalt-Überspannungen od. dgl., zu schützen. Im einzelnen enthält die in Fig. 1 dargestellte Anlage einen Leitungs-Stossspannungsdämpfer 8 mit einer Serieschaltung eines Kondensators und eines Widerstandes in jeder der drei Phasen jeweils zwischen dem Wechselspannungs-Zufuhrleiter zum Gleichrichter 1 und Erde. Element-Stoss-spannungsdämpfer 13 mit je einer Serieschaltung eines Kondensators und eines Widerstandes sind jeweils zu einer Mehrzahl von Thyristoren 11, die einen Thyristorarm 10 bilden, parallelgeschaltet. Arm-Ableiter 12 sind je zu einem zugeordneten Thyristorarm 10 parallelgeschaltet. Der Wechselrichter 2 ist ebenfalls in ähnlicher Weise mit Leitungs-Stossspannungsdämpfern 9, Arm-Ableitern 12 und Element-Stossspannungsdämpfern 13 ausgerüstet.

Die Leitungs-Stossspannungsdämpfer 8 dienen dazu Stoss-spannungen zu unterdrücken, die dem Gleichrichter 1 über den Transformator 3 zugeführt werden. Die Arm-Ableiter 12 dienen dazu, Stossspannungen zu unterdrücken, die an die betreffenden Thyristorarme 10 angelegt werden. Die Element-Stossspan-nungsdämpfer 13 dienen dazu, Stossspannungen zu unterdrücken, die an die betreffenden Thyristoren 11 angelegt werden. Die Leitungs-Stossspannungsdämpfer 9, die Arm-Ableiter

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12 und die Element-Stossspannungsdämpfer 13 des Wechselrichters 2 wirken in der gleichen Weise.

Nun sollen die Zusammenhänge zwischen der Anzahl der Thyristoren 11 in einer Serieschaltung, der wiederholt zulässigen Sperr-Scheitelspannung der Thyristoren 11 und der Entla- 5 dungsauslösespannung der beschriebenen Arm-Ableiter 12 erläutert werden. In einem Ausführungsbeispiel der Anlage gemäss Fig. 1 beträgt die Nennspannung der Transformatoren 110 kVeff und enthält jeder der Thyristorarme 10 eine Serieschaltung von 120 Thyristoren mit einer Sperr-Scheitelspannung 10 von 4 kV. Wenn die Entladungsauslösespannung (obere Grenze) der Arm-Ableiter 12 355 kV beträgt und unter der Annahme, dass die Unregelmässigkeit der Spannungsverteilung unter den 120 in Reihe geschalteten Thyristoren 20% ausmacht, dann kann die Spannung Vs, die anlässlich einer Entladung der Arm- 15 Abieiter 12 im schlimmsten Fall an einen der Thyristoren 11 angelegt wird, durch die folgende Gleichung ausgedrückt werden:

vs =

355 120

X 1,2 = 3,5 (kV)

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Mit anderen Worten wird, wenn die Arm-Ableiter 12 durch eine äussere Blitz-Überspannung od. dgl. bei 355 kV entladen werden, an einen einzelnen Thyristor 11 eine Spannung von höchstens 3,55 kV angelegt. Da die wiederholt zulässige Sperr-Scheitelspannung der Thyristoren jedoch 4 kV beträgt, wie vor- 25 stehend angegeben, werden die Thyristoren 11 nicht zerstört. Die vorstehend beschriebenen Zusammenhänge sind in der Tabelle im einzelnen dargestellt.

TABELLE 30

maximale Auslegespannung 480 kV

(4 kV x 120s = 400 kV x 1,2)

Spannungsfestigkeit der

Thyristor-Stromrichter 400 kV 35

(= 355 kV x 1,13)

Entladungsauslösespannung

(obere Grenze) der Arm-

-Ableiter 355 kV

40

Scheitelwert der maximalen wiederholt auftretenden Spannung (Umschaltschwingspannung) 205 kV

(= 171 kV x 1,2) 45

Scheitelwert der Nennwechselspannung bei Spannungsschwankungen der Quelle 171 kV

(= 155 kV x 1,1)

Scheitelwert der Nenn- 50

wechselspannung 155 kV (110 kVeff x ]/l)

Nennwechselspannung 110kVerr

Konventionelle Thyristoreinrichtungen sind schon so gebaut 55 worden, dass die Thyristoren 11 eingeschaltet werden können, wenn eine sich wiederholende Sperr-Scheitelspannung von 4 kV angelegt ist, und zwar in einem Fall, wo ein Gatesignal zum Einschalten an die Thyristoren 11 angelegt wird, während die Arm-Ableiter 12 durch eine äussere Blitz-Überspannung od. 60 dgl. entladen worden sind. Das Einschalten aller Thyristoren 11 erfordert dabei eine gewisse Zeit, mit dem Resultat, dass ein Spannungs-Verlust auftritt, der als Schaltverlust bezeichnet wird. Je höher die Spannung ist, die beim Einschalten der Thyristoren 11 an diesen liegt, desto grösser ist der Schaltverlust. 65 Gewöhnliche Thyristoren können nur eingeschaltet werden,

wenn die an ihnen liegende Spannung niedriger ist als die Hälfte der wiederholt zulässigen Sperr-Scheitelspannung. Damit die Thyristoren 11 eingeschaltet werden können, während eine in der Nähe von 100% der wiederholt zulässigen Sperr-Scheitelspannung liegende Spannung an sie angelegt ist, müssen die Thyristoren kräftig genug gebaut werden, um dem Schaltverlust widerstehen zu können. Damit sind Nachteile verbunden, indem die innere Struktur der Gate-Elektroden der Thyristoren kompliziert wird und die Thyristoren gross werden. Dies wiederum führt zu dem Nachteil, dass die Thyristoreinrichtung als Ganzes gross und sperrig wird.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Thyristoreinrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 so auszubilden, dass die Thyristoren eine geringere Widerstandsfähigkeit gegen Schaltverluste aufweisen können und daher geometrisch kleiner sein können und eine einfache Gate-Struktur besitzen können,

Die Aufgabe wird gelöst durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale.

In der erfindungsgemässen Thyristoreinrichtung kann jeder Thyristor im Normalbetrieb gesteuert durch das vom zugehörigen Gatesignal-Erzeugungsmittel abgegebene Gatesignal seine Aufgabe erfüllen, z.B. eine bestimmte Spannungsumformung durchführen. Wenn jedoch ein Stossspannungsableitmittel durch eine an einen Thyristorarm angelegte Stossspannung, z.B. eine externe Blitz-Überspannung, entladen wird, dann wird die Entladung von dem betreffenden Ableiterentladungs-Feststellmittel festgestellt, und das auf das Ausgangssignal des Ableiterentladungs-Feststellmittels ansprechende Gatesignal-Blockiermittel macht das betreffende Gatesignal-Erzeugungsmittel unwirksam. In einem solchen Fall wird dem Thyristorarm vom Gatesignal-Erzeugungsmittel kein Gatesignal zugeführt, so dass die Thyristoren nicht eingeschaltet werden. Die Thyristoren werden also nicht eingeschaltet, wenn eine abnorm hohe Spannung an den Thyristorarm angelegt ist, so dass kein übermässiger Schaltverlust entsteht. Es ist daher nicht nötig, dass die Thyristoren eine sehr hohe Widerstandsfähigkeit gegen Schaltverluste aufweisen.

Die Thyristoren und damit die ganze Thyristoreinrichtung können dadurch relativ billig und auch von relativ geringer Grösse sein. Die kleineren und einfacheren Thyristoren lassen sich in der Regel auch leichter beschaffen, so dass der Unterhalt der Thyristoreinrichtung einfacher ist.

Die erfindungsgemässe Thyristoreinrichtung kann für viele verschiedene Anwendungen eingesetzt werden, z.B. in Gleichstrom-Kraftübertragungsanlagen, in Frequenzwandlern, in Anlassern für Synchronmotoren usw.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen näher erläutert.

Fig. 1 zeigt ein Blockschema einer bekannten Gleichstrom-Kraftübertragungsanlage, in der sich die Erfindung mit Vorteil anwenden lässt, und

Fig. 2 zeigt ein Blockschema einer Ausführungsform der Erfindung.

Im einzelnen zeigt die Fig. 2 ein Blockschema des Thyristorarmes 10 der Anlage von Fig. 1 mit einer zugeordneten Gatesignal-Erzeugungsschaltung. Die Anschlussstellen A und B in Fig. 2 entsprechen den Anschlussstellen A und B in Fig. 1.

Wie schon erläutert, enthält der Thyristorarm 10 eine Reihenschaltung von beispielsweise 120 Thyristoren 11. Die Kathode des Thyristors 11 am einen Ende dieser Reihe ist mit der Anschlussstelle A verbunden, und die Anode des Thyristors 11 am anderen Ende der Reihe ist mit der Anschlussstelle B verbunden. Eine Reihen- und/oder Parallelschaltung mehrerer Thyristoren 11 wird als Thyristor-Stromrichter bezeichnet. Ein Element-Stossspannungsdämpfer 13, der eine Reihenschaltung eines Kondensators und eines Widerstandes enthält, ist zu jedem Thyristor 11 parallelgeschaltet. Ferner ist zu jedem Thyristor 11 je ein Element-Überbrückungswiderstand 15 parallelgeschaltet. Die Widerstände 15 verringern die Ungleichmässig-

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keit der Verteilung der an den verschiedenen Thyristoren 11 liegenden Spannungen. Ein Ende des Arm-Ableiters 12 ist mit der Anschlussstelle A verbunden, und das andere Ende des Arm-Ableiters 12 ist mit einem Ende eines Spannungsteilerwiderstandes 16 verbunden. Das andere Ende des Spannungsteilerwider-standes 16 ist mit der Anschlussstelle B verbunden. An die Gate-Elektrode und die Kathode jedes der Thyristoren 11 ist je eine Schaltung 19 zum Erzeugen von elektrischen Gatesignalen angeschlossen. Jede elektrische Gatesignal-Erzeugungsschaltung enthält je ein Lichtempfängerelement 19a. Mit jeder elektrischen Gatesignal-Erzeugungsschaltung 19 ist über je einen Lichtleiter 18 eine Schaltung 17 zum Erzeugen von optischen Gatesignalen verbunden. Die optische Gatesignal-Erzeugungsschaltung 17 enthält eine Reihenschaltung von lichtaussendenden Einrichtungen 17a in einer Anzahl, die gleich der Anzahl der elektrischen Gatesignal-Erzeugungsschaltungen 19 ist. Eine Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsschaltung 25 ist über ein UND-Tor 24 mit dem Eingang der optischen Gatesignal-Erzeugungsschaltung 17 verbunden.

An den vorstehend beschriebenen Spannungsteilerwiderstand 16 ist eine Schaltung 20 zum Feststellen einer Entladung und Erzeugen eines optischen Signals angeschlossen. Diese Schaltung 20 enthält ein lichtaussendendes Element 20a. Das Ausgangssignal der Schaltung 20 wird dem Eingang einer Empfängerschaltung 22 für optische Signale über einen Lichtleiter 21 zugeführt. Die Empfängerschaltung 22 enthält ein Lichtempfängerelement 22a. Das Ausgangssignal der Empfängerschaltung 22 wird einem der Eingänge des UND-Tores 24 über einen Inverter 23 zugeführt. Die Empfängerschaltung 22, der Inverter 23 und die optische Gatesignal-Erzegungsschaltung 17 bilden zusammen eine Niederspannungs-Schaltungsanordnung 26. Ähnlich bilden die elektrische Gatesignal-Erzeugungsschaltung 19, die Thyristoren 11, die Element-Stossspannungsdämpfer 13, die Element-Überbrückungswiderstände 15, der Arm-Ableiter 12, der Spannungsteilerwiderstand 16 und die Schaltung 20 zusammen eine Hochspannungs-Schaltungsanordnung 27.

Nachstehend wird die Arbeitsweise der Schaltungen gemäss Fig. 2 erläutert. Zunächst wird der Betrieb im Normalzustand beschrieben, in welchem keine Entladung des Arm-Ableiters 12 stattfindet. Der Thyristorarm 10 ist beispielsweise, wie in Fig. 1 dargestellt, in einer dreiphasigen Brückenschaltung angeordnet, so dass ein Gleichrichterbetrieb zum Umformen einer Wechselspannung in eine Gleichspannung oder umgekehrt ein Wechselrichterbetrieb zum Umformen einer Gleichspannung in eine Wechselspannung durchgeführt werden kann. Die Gate-Akti-vierungssignal-Erzeugungsschaltung 25 erzeugt ein Gate-Aktivierungssignal S1 mit einer vorbestimmten Phase für die Durchführung eines Gleichrichterbetriebes oder eines Wechselrichterbetriebes und liefert dieses Signal an das UND-Tor 24. Die Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsschaltung 25 kann z.B. ein Zündsignal-Generator mit einem spannungsgesteuerten Oszillator von der Art sein, die in den US-Patenten Nummern 2 467 765, 3 047 789 und 3 197 691 und in der US-Patentan-meldung Nr. 382 015 beschrieben ist.

Das UND-Tor 24 bildet ein logisches Produkt aus dem Gate-Aktivierungssignal S1 und dem Ausgangssignal des Inver-ters 23 in der Weise, dass es das von der Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsschaltung 25 zugeführte Gate-Aktivierungs-signal S1 an die optische Gatesignal-Erzeugungsschaltung 17 weiterleitet, wenn das Ausgangssignal des Inverters 23 hoch ist. In Abhängigkeit von dem Gate-Aktivierungssignal S1 sendet die optische Gatesignal-Erzegungsschaltung 17 gleichzeitig von allen lichtaussendenden Elementen 17a Licht aus, und die optischen Gatesignale S2 werden den betreffenden elektrischen Gatesignal-Erzeugungsschaltungen 19 über die Lichtleiter 18 zugeführt. Durch die gleichzeitige Aussendung von Licht von allen lichtaussendenden Elementen 17a sollen alle Thyristoren 11

in der Reihe gleichzeitig eingeschaltet werden. Der Zweck der Verwendung der Lichtleiter 18 besteht darin, die vorstehend beschriebene Nieder'spannungs-Schaltungsanordnung 26 von der Hochspannungs-Schaltungsanordnung 27 elektrisch zu isolieren. Wenn den elektrischen Gatesignal-Erzegungsschaltungen

19 die optischen Gatesignale S2 zugeführt werden, dann werden die optischen Gatesignale von den Lichtempfängerelementen 19a in elektrische Signale umgewandelt, und als Folge werden elektrische Gatesignale S3 je zwischen der Gate-Elektrode und der Kathode an jeden der Thyristoren 11 angelegt. Wenn die elektrischen Gatesignale S3 den Thyristoren 11 zugeführt werden, dann werden diese gleichzeitig eingeschaltet. Als Folge hiervon arbeitet der Thyristorarm 10 im vorstehend beschriebenen Gleichrichterbetrieb oder Wechselrichterbetrieb.

Nun soll der Betrieb der Schaltungen gemäss Fig. 2 für den Fall beschrieben werden, wo der Arm-Ableiter 12 durch eine externe Blitz-Überspannung od. dgl. entladen wird. Wenn dem Thyristorarm 10 eine Stossspannung zugeführt wird, die höher ist als die Impulsentladungsauslösespannung des Arm-Ableiters 12 (im dargestellten Ausführungsbeispiel wie vorstehend beschrieben 355 kV), dann wird der Arm-Ableiter 12 entladen. Als Folge der Entladung des Arm-Ableiters 12 fliesst ein Entladungsstrom durch den Spannungsteilerwiderstand 16, wobei die entstehende Spannung vom Spannungsteilerwiderstand 16 auf einen Wert geteilt, der für den Betrieb der Schaltung 20 zum Feststellen einer Entladung und Erzeugen eines optischen Signals geeignet ist. Wenn das elektrische Signal in Form der geteilten Spannung angelegt wird, dann veranlasst die Schaltung

20 das lichtaussendende Element 20a, Licht auszusenden, und das so erzeugte optische Signal S4 wird über den Lichtleiter 21 der Empfängerschaltung 22 für optische Signale zugeführt. Der Zweck der Verwendung des Lichtleiters 21 besteht darin, die Niederspannungs-Schaltungsanordnung 26 von der Hochspan-nungs-Schaltungsanordnung 27 elektrisch zu isolieren. Wenn das optische Signal S4 zugeführt wird, dann bewirkt die Empfängerschaltung 22 eine Umwandlung des optischen Signals S4 in ein elektrisches Signal durch das Lichtempfängerelement 22a, und dieses elektrische Signal wird dem Inverter 23 zugeführt. Der Inverter 23 erzeugt in Abhängigkeit vom hohen Wert des Signals von der Empfängerschaltung 22 ein tiefes Ausgangssignal. Wenn das Ausgangssignal des Inverters 23 tief wird, dann verschwindet das logische Produkt als Ausgangssignal des UND-Tores 24, womit das Gate-Aktivierungssignal S1 von der Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsschaltung 25 durch das UND-Tor 24 blockiert wird und nicht zu der optischen Gatesignal-Erzeugungsschaltung 17 gelangen kann. Das Gate-Aktivierungssignal S1 ist kein kontinuierliches Signal, sondern ein Impulssignal, das mit einer vorbestimmten Phase erzeugt wird; die Zeitspanne zwischen der Entladung des Arm-Ableiters 12 und der Sperrung des UND-Tores 24 ist jedoch sehr kurz, beispielsweise einige Mikrosekunden, und daher wird innerhalb dieser Zeitspanne das Gate-Aktivierungssignal S1 nicht zur optischen Gatesignal-Erzeugungsschaltung 17 gelangen.

Also werden in einem Falle, wo wegen einer externen Blitz-Überspannung od. dgl. eine anormale Spannung an den Thyri-, storarm 10 gelegt ist, die Thyristoren 11 nicht eingeschaltet, auch wenn die Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsschaltung 25 das Gate-Aktivierungssignal S1 abgibt. Daher entstehen in den Thyristoren 11 keine extrem grossen Schaltverluste. Die Thyristoren 11 brauchen deshalb keine hohe Widerstandsfähigkeit gegenüber Schaltverlusten aufzuweisen.

Obwohl vorstehend ein Ausführungsbeispiel der Erfindung in einer Gleichstrom-Kraftübertragungsanlage beschrieben worden ist, ist die Erfindung natürlich nicht auf diese Anwendung beschränkt, sondern findet auch zahlreiche andere Anwendungen, z.B. in Frequenzumformern, Thyristoranlassern für Synchronmotoren usw.

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PATENTANSPRÜCHE

1. Thyristoreinrichtung, mit einer Mehrzahl von Thyristorarmen (10), von denen jeder wenigstens einen Thyristor (11) enthält, und mit einer Mehrzahl von je einem der Thyristorarme (10) zugeordneten Gatesignal-Erzeugungsmitteln (25, 17, 19) zum Abgeben eines Gatesignals an jeden einzelnen Thyristor (11), gekennzeichnet durch eine Mehrzahl von je zu einem der Thyristorarme (10) parallel geschalteten Stossspannungs-ableitmitteln (12) zum Schützen der Thyristoren vor Stossspan-nungen, eine Mehrzahl von je mit einem der Stossspannungs-ableitmittel (12) in Verbindung stehenden Ableiterentladungs-Feststellmitteln (16, 20) zum Feststellen einer Entladung des Stossspannungsableitmittels (12) und eine Mehrzahl von je mit einem der Ableiterentladungs-Feststellmittel (16, 20) sowie einem der Gatesignal-Erzeugungsmittel (25, 17, 19) in Verbindung stehenden Gatesignal-Blockiermitteln (22, 23, 24), die jeweils auf ein Ausgangssignal der Ableiterentladungs-Feststell-mittel (16, 20) ansprechen, um das Gatesignal-Erzeugungsmittel (25, 17, 19) unwirksam zu machen, wobei jedes Ableiterentla-dungs-Feststellmittel (16, 20) je ein Lichtaussendemittel (20) aufweist, das bei einer Entladung des jeweiligen Stossspannungsableitmittels (12) Licht emittiert, und jedes Gatesignal-Blockiermittel (22, 23, 24) je einen Lichtempfänger (22) zum Umwandeln des Lichtsignals in ein elektrisches Signal aufweist.
2. Thyristoreinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jeder Thyristorarm (10) je zwei oder mehrere in Reihe und/oder parallel geschaltete Thyristoren (11) aufweist.
3. Thyristoreinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Gatesignal-Erzeugungsmittel (25, 17, 19) je ein Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsmittel (25) zum Erzeugen eines Gate-Aktivierungssignals, das die Erzeugung des Gatesignals ermöglicht, und je eine Gatesignal-Erzeugungs-schaltung (17, 19) enthält, welche auf das Gate-Aktivierungssignal anspricht, um das Gatesignal zu erzeugen, und dass jedes Gatesignal-Blockiermittel (22, 23, 24) je eine Gatesignal-Blockierschaltung (23, 24) zum Verhindern der Weiterleitung des Gate-Aktivierungssignals an die Gatesignal-Erzeugungs-schaltung (17, 19) enthält.
4. Thyristoreinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Ableiterentladungs-Feststellmittel (16, 20) je einen mit dem jeweiligen Ableitmittel (12) in Reihe geschalteten Spannungsteiler (16) zum Teilen einer Spannung, die von einem Entladungsstrom des Ableitmittels (12) erzeugt wird, aufweist, dass das jeweilige Lichtaussendemittel (20) an den Spannungsteiler (16) angeschlossen ist und zum Umwandeln der geteilten Spannung in ein Lichtsignal eingerichtet ist, und dass jedes Gatesignal-Blockiermittel (22, 23, 24) je eine mit dem jeweiligen Lichtempfänger (22), dem jeweiligen Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsmittel (25) und der jeweiligen Gate-signal-Erzeugungsschaltung (17, 19) in Verbindung stehende Blockiertorschaltung (23, 24) enthält, welche auf ein Ausgangssignal des Lichtempfängers (22) anspricht, um die Weiterleitung des Gate-Aktivierungssignals an die jeweilige Gatesignal-Erzeugungsschaltung (17, 19) zu verhindern, und dass ferner eine Mehrzahl von Lichtleitermitteln (22) vorhanden ist, von denen jedes je eines der Lichtaussendemittel (20) mit jeweils einem der Lichtempfänger (22) verbindet.