CH661383A5 - THYRISTOR DEVICE. - Google Patents

THYRISTOR DEVICE. Download PDF

Info

Publication number
CH661383A5
CH661383A5 CH372282A CH372282A CH661383A5 CH 661383 A5 CH661383 A5 CH 661383A5 CH 372282 A CH372282 A CH 372282A CH 372282 A CH372282 A CH 372282A CH 661383 A5 CH661383 A5 CH 661383A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
gate
discharge
thyristor
voltage
gate signal
Prior art date
Application number
CH372282A
Other languages
German (de)
Inventor
Toshiaki Matsuura
Nobuo Sashida
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CH661383A5 publication Critical patent/CH661383A5/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
    • H02M1/092Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices the control signals being transmitted optically
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/10Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers
    • H02H7/12Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers
    • H02H7/125Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers for rectifiers
    • H02H7/127Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers for rectifiers having auxiliary control electrode to which blocking control voltages or currents are applied in case of emergency

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Thyristoreinrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. The invention relates to a thyristor device according to the preamble of patent claim 1.

Aus der DE-A-2 552 414 ist eine derartige Thyristoreinrichtung mit n in Reihe geschalteten Thyristoren Ti ... T„ in jedem Thyristorarm bekannt. Zum Zwecke der Synchronisation des Zündens der Thyristoren werden Lichtimpulse von Lichtemittern an Impulsgeber zum Erzeugen eines Gatesignals für den jeweiligen Thyristor geliefert. DE-A-2 552 414 discloses such a thyristor device with n thyristors Ti ... T "connected in series in each thyristor arm. For the purpose of synchronizing the firing of the thyristors, light pulses from light emitters are supplied to pulse generators for generating a gate signal for the respective thyristor.

Aus der DE-A-2 443 279 ist eine Einrichtung zum Überspannungsschutz von Thyristoren bekannt, bei der Überspannungsabieiter parallel zu den Thyristoren vorgesehen sind, wodurch diese geschützt werden. Aus der DE-A-2 530 789 ist eine Schaltung zum Schutz von Gleichrichteranlagen für Gleichstromfernleitungen mit einem Abieiter, einem nichtlinearen Widerstand und einem Stromgeber auf der Gleichstromseite der Gleichrichteranlage bekannt, bei der der Abieiter dann entladen wird, wenn das Gleichstromausgangssignal der Gleichrichteranlage die Form einer Übespannung annimmt, wodurch die Gatesignale aller Thyristoren der Gleichrichteranlage blockiert werden. From DE-A-2 443 279 a device for overvoltage protection of thyristors is known, in which surge arresters are provided in parallel with the thyristors, thereby protecting them. From DE-A-2 530 789 a circuit for the protection of rectifier systems for direct current lines with an arrester, a non-linear resistor and a current generator on the direct current side of the rectifier system is known, in which the arrester is discharged when the direct current output signal of the rectifier system takes the form of an overvoltage, whereby the gate signals of all thyristors of the rectifier system are blocked.

Thyristoreinrichtungen finden verbreitet Verwendung in Gleichstrom-Kraftübertragungsanlagen, in Anlassern zum Starten von Synchronmotoren usw. Thyristor devices are widely used in DC power transmission systems, in starters for starting synchronous motors, etc.

Die Figur 1 zeigt ein Blockschema einer Gleichstrom-Kraftübertragungsanlage von bekannter Art. Die dargestellte Anlage enthält kurz gesagt einen Gleichrichter 1, einen Wechselrichter 2, Transformatoren 3 und 7 und Gleichstrom-Kraft-übertragungsleitungen 5. Die Eingangs-Wechselspannung des Gleichrichters 1 wird diesem vom Transformator 3 über Wechselstromreaktanzen 4 zugeführt. Die Ausgangs-Gleichspannung des Gleichrichters 1 wird über Gleichstromreaktanzen 14 dem einen Ende jeder der Gleichstrom-Kraftübertragungsleitungen 5 zugeführt. Das andere Ende jeder dieser Leitungen 5 ist über Gleichstromreaktanzen 14 mit dem Gleichspannungseingang des Wechselrichters 2 verbunden. Der Gleichrichter 1 und der Wechselrichter 2 bestehen je aus einer dreiphasigen Brückenschaltung mit sechs Thyristorarmen 10. Jeder der Thyristorarme 10 enthält eine Mehrzahl von Thyristoren 11, die zueinander in Reihe und/oder parallel geschaltet sind. FIG. 1 shows a block diagram of a DC power transmission system of known type. The system shown contains, in short, a rectifier 1, an inverter 2, transformers 3 and 7 and DC power transmission lines 5. The input AC voltage of the rectifier 1 is supplied by the latter Transformer 3 supplied via AC reactances 4. The DC output voltage of the rectifier 1 is supplied to one end of each of the DC power transmission lines 5 via DC reactances 14. The other end of each of these lines 5 is connected to the DC voltage input of the inverter 2 via DC reactances 14. The rectifier 1 and the inverter 2 each consist of a three-phase bridge circuit with six thyristor arms 10. Each of the thyristor arms 10 contains a plurality of thyristors 11, which are connected to one another in series and / or in parallel.

Eine dem Transformator 3 zugeführte Wechselspannung wird in eine Wechselspannung anderer Grösse transformiert und über die Wechselstromreaktanzen 4 dem Gleichrichter 1 zugeführt. Die so transformierte Wechselspannung wird im Gleichrichter 1 in eine Gleichspannung umgewandelt. Diese Gleichspannung wird über die Gleichstrom-Kraftübertragungs-leitungen 5 übertragen und dem Wechselrichter 2 zugeführt. In diesem wird die Gleichspannung in eine Wechselspannung zurückgewandelt. Diese Wechselspannung wird über die Wechselstromreaktanzen 6 dem Transformator 7 zugeführt, in welchem die Spannung wieder transformiert wird. So wird eine Gleichstrom-Kraftübertragung durchgeführt. An alternating voltage supplied to the transformer 3 is transformed into an alternating voltage of a different size and supplied to the rectifier 1 via the alternating current reactances 4. The AC voltage transformed in this way is converted into a DC voltage in the rectifier 1. This DC voltage is transmitted via the DC power transmission lines 5 and fed to the inverter 2. In this, the DC voltage is converted back into an AC voltage. This AC voltage is fed via the AC reactances 6 to the transformer 7, in which the voltage is transformed again. So a DC power transmission is carried out.

Eine solche Anlage enthält in der Regel eine Schutzeinrichtung, z.B. einen Stossspannungsdämpfer, einen Abieiter od. dgl., um die beschriebenen Thyristoren 11 vor Stossspannun-gen, z.B. Blitz-Überspannungen, Schalt-Überspannungen od. dgl., zu schützen. Im einzelnen enthält die in Fig. 1 dargestellte Anlage einen Leitungs-Stossspannungsdämpfer 8 mit einer Serieschaltung eines Kondensators und eines Widerstandes in jeder der drei Phasen jeweils zwischen dem Wechselspannungs-Zufuhrleiter zum Gleichrichter 1 und Erde. Element-Stoss-spannungsdämpfer 13 mit je einer Serieschaltung eines Kondensators und eines Widerstandes sind jeweils zu einer Mehrzahl von Thyristoren 11, die einen Thyristorarm 10 bilden, parallelgeschaltet. Arm-Ableiter 12 sind je zu einem zugeordneten Thyristorarm 10 parallelgeschaltet. Der Wechselrichter 2 ist ebenfalls in ähnlicher Weise mit Leitungs-Stossspannungsdämpfern 9, Arm-Ableitern 12 und Element-Stossspannungsdämpfern 13 ausgerüstet. Such a system usually contains a protective device, e.g. an impulse voltage damper, an Abieiter or the like. to the described thyristors 11 before impulse voltages, e.g. To protect lightning overvoltages, switching overvoltages or the like. In particular, the system shown in FIG. 1 contains a line surge voltage damper 8 with a series connection of a capacitor and a resistor in each of the three phases between the AC voltage supply conductor to the rectifier 1 and earth. Element-shock voltage dampers 13, each with a series connection of a capacitor and a resistor, are connected in parallel to a plurality of thyristors 11, which form a thyristor arm 10. Arm arresters 12 are each connected in parallel to an assigned thyristor arm 10. The inverter 2 is likewise equipped in a similar way with line surge dampers 9, arm arresters 12 and element surge dampers 13.

Die Leitungs-Stossspannungsdämpfer 8 dienen dazu Stoss-spannungen zu unterdrücken, die dem Gleichrichter 1 über den Transformator 3 zugeführt werden. Die Arm-Ableiter 12 dienen dazu, Stossspannungen zu unterdrücken, die an die betreffenden Thyristorarme 10 angelegt werden. Die Element-Stossspan-nungsdämpfer 13 dienen dazu, Stossspannungen zu unterdrücken, die an die betreffenden Thyristoren 11 angelegt werden. Die Leitungs-Stossspannungsdämpfer 9, die Arm-Ableiter The line surge voltage dampers 8 serve to suppress surge voltages that are supplied to the rectifier 1 via the transformer 3. The arm arresters 12 serve to suppress surge voltages which are applied to the relevant thyristor arms 10. The element surge voltage dampers 13 serve to suppress surge voltages which are applied to the relevant thyristors 11. The line surge dampers 9, the arm arresters

5 5

10 10th

15 15

20 20th

25 25th

30 30th

35 35

40 40

45 45

50 50

55 55

60 60

65 65

3 3rd

661 383 661 383

12 und die Element-Stossspannungsdämpfer 13 des Wechselrichters 2 wirken in der gleichen Weise. 12 and the element impulse voltage damper 13 of the inverter 2 act in the same way.

Nun sollen die Zusammenhänge zwischen der Anzahl der Thyristoren 11 in einer Serieschaltung, der wiederholt zulässigen Sperr-Scheitelspannung der Thyristoren 11 und der Entla- 5 dungsauslösespannung der beschriebenen Arm-Ableiter 12 erläutert werden. In einem Ausführungsbeispiel der Anlage gemäss Fig. 1 beträgt die Nennspannung der Transformatoren 110 kVeff und enthält jeder der Thyristorarme 10 eine Serieschaltung von 120 Thyristoren mit einer Sperr-Scheitelspannung 10 von 4 kV. Wenn die Entladungsauslösespannung (obere Grenze) der Arm-Ableiter 12 355 kV beträgt und unter der Annahme, dass die Unregelmässigkeit der Spannungsverteilung unter den 120 in Reihe geschalteten Thyristoren 20% ausmacht, dann kann die Spannung Vs, die anlässlich einer Entladung der Arm- 15 Abieiter 12 im schlimmsten Fall an einen der Thyristoren 11 angelegt wird, durch die folgende Gleichung ausgedrückt werden: The relationships between the number of thyristors 11 in a series circuit, the repeatedly permissible blocking peak voltage of the thyristors 11 and the discharge trigger voltage of the arm arresters 12 described will now be explained. 1, the nominal voltage of the transformers is 110 kVeff and each of the thyristor arms 10 contains a series circuit of 120 thyristors with a blocking peak voltage 10 of 4 kV. If the discharge trigger voltage (upper limit) of the arm arrester 12 is 355 kV and assuming that the irregularity of the voltage distribution among the 120 series-connected thyristors is 20%, then the voltage Vs which occurs when the arm 15 In the worst case, conductor 12 is applied to one of the thyristors 11, expressed by the following equation:

vs = vs =

355 120 355 120

X 1,2 = 3,5 (kV) X 1.2 = 3.5 (kV)

(1) (1)

Mit anderen Worten wird, wenn die Arm-Ableiter 12 durch eine äussere Blitz-Überspannung od. dgl. bei 355 kV entladen werden, an einen einzelnen Thyristor 11 eine Spannung von höchstens 3,55 kV angelegt. Da die wiederholt zulässige Sperr-Scheitelspannung der Thyristoren jedoch 4 kV beträgt, wie vor- 25 stehend angegeben, werden die Thyristoren 11 nicht zerstört. Die vorstehend beschriebenen Zusammenhänge sind in der Tabelle im einzelnen dargestellt. In other words, when the arm arrester 12 is discharged by an external lightning overvoltage or the like at 355 kV, a voltage of at most 3.55 kV is applied to a single thyristor 11. However, since the repeatedly permissible reverse peak voltage of the thyristors is 4 kV, as stated above, the thyristors 11 are not destroyed. The relationships described above are shown in detail in the table.

TABELLE 30 TABLE 30

maximale Auslegespannung 480 kV maximum design voltage 480 kV

(4 kV x 120s = 400 kV x 1,2) (4 kV x 120s = 400 kV x 1.2)

Spannungsfestigkeit der Dielectric strength of the

Thyristor-Stromrichter 400 kV 35 Thyristor converter 400 kV 35

(= 355 kV x 1,13) (= 355 kV x 1.13)

Entladungsauslösespannung Discharge trigger voltage

(obere Grenze) der Arm- (upper limit) the arm

-Ableiter 355 kV Arrester 355 kV

40 40

Scheitelwert der maximalen wiederholt auftretenden Spannung (Umschaltschwingspannung) 205 kV Peak value of the maximum repetitive voltage (switching oscillation voltage) 205 kV

(= 171 kV x 1,2) 45 (= 171 kV x 1.2) 45

Scheitelwert der Nennwechselspannung bei Spannungsschwankungen der Quelle 171 kV Peak value of the nominal alternating voltage in the event of voltage fluctuations of the source 171 kV

(= 155 kV x 1,1) (= 155 kV x 1.1)

Scheitelwert der Nenn- 50 Peak value of nominal 50

wechselspannung 155 kV (110 kVeff x ]/l) AC voltage 155 kV (110 kVeff x] / l)

Nennwechselspannung 110kVerr Nominal AC voltage 110k

Konventionelle Thyristoreinrichtungen sind schon so gebaut 55 worden, dass die Thyristoren 11 eingeschaltet werden können, wenn eine sich wiederholende Sperr-Scheitelspannung von 4 kV angelegt ist, und zwar in einem Fall, wo ein Gatesignal zum Einschalten an die Thyristoren 11 angelegt wird, während die Arm-Ableiter 12 durch eine äussere Blitz-Überspannung od. 60 dgl. entladen worden sind. Das Einschalten aller Thyristoren 11 erfordert dabei eine gewisse Zeit, mit dem Resultat, dass ein Spannungs-Verlust auftritt, der als Schaltverlust bezeichnet wird. Je höher die Spannung ist, die beim Einschalten der Thyristoren 11 an diesen liegt, desto grösser ist der Schaltverlust. 65 Gewöhnliche Thyristoren können nur eingeschaltet werden, Conventional thyristor devices have already been built 55 so that the thyristors 11 can be turned on when a repetitive 4kV reverse peak voltage is applied, in a case where a gate signal is applied to the thyristors 11 to turn on while the Arm arrester 12 have been discharged by an external lightning surge or 60 or the like. Switching on all thyristors 11 requires a certain amount of time, with the result that a voltage loss occurs, which is referred to as switching loss. The higher the voltage that is present on the thyristors 11 when the thyristors 11 are switched on, the greater the switching loss. 65 Ordinary thyristors can only be switched on

wenn die an ihnen liegende Spannung niedriger ist als die Hälfte der wiederholt zulässigen Sperr-Scheitelspannung. Damit die Thyristoren 11 eingeschaltet werden können, während eine in der Nähe von 100% der wiederholt zulässigen Sperr-Scheitelspannung liegende Spannung an sie angelegt ist, müssen die Thyristoren kräftig genug gebaut werden, um dem Schaltverlust widerstehen zu können. Damit sind Nachteile verbunden, indem die innere Struktur der Gate-Elektroden der Thyristoren kompliziert wird und die Thyristoren gross werden. Dies wiederum führt zu dem Nachteil, dass die Thyristoreinrichtung als Ganzes gross und sperrig wird. if the voltage across them is less than half the repeatable blocking peak voltage. In order for the thyristors 11 to be switched on while a voltage close to 100% of the repeatedly permissible reverse peak voltage is applied to them, the thyristors must be built strong enough to withstand the switching loss. This has disadvantages in that the internal structure of the gate electrodes of the thyristors is complicated and the thyristors are large. This in turn leads to the disadvantage that the thyristor device as a whole becomes large and bulky.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Thyristoreinrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 so auszubilden, dass die Thyristoren eine geringere Widerstandsfähigkeit gegen Schaltverluste aufweisen können und daher geometrisch kleiner sein können und eine einfache Gate-Struktur besitzen können, The object of the invention is to design a thyristor device according to the preamble of patent claim 1 in such a way that the thyristors can have a lower resistance to switching losses and can therefore be geometrically smaller and have a simple gate structure,

Die Aufgabe wird gelöst durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale. The object is achieved by the features specified in the characterizing part of patent claim 1.

In der erfindungsgemässen Thyristoreinrichtung kann jeder Thyristor im Normalbetrieb gesteuert durch das vom zugehörigen Gatesignal-Erzeugungsmittel abgegebene Gatesignal seine Aufgabe erfüllen, z.B. eine bestimmte Spannungsumformung durchführen. Wenn jedoch ein Stossspannungsableitmittel durch eine an einen Thyristorarm angelegte Stossspannung, z.B. eine externe Blitz-Überspannung, entladen wird, dann wird die Entladung von dem betreffenden Ableiterentladungs-Feststellmittel festgestellt, und das auf das Ausgangssignal des Ableiterentladungs-Feststellmittels ansprechende Gatesignal-Blockiermittel macht das betreffende Gatesignal-Erzeugungsmittel unwirksam. In einem solchen Fall wird dem Thyristorarm vom Gatesignal-Erzeugungsmittel kein Gatesignal zugeführt, so dass die Thyristoren nicht eingeschaltet werden. Die Thyristoren werden also nicht eingeschaltet, wenn eine abnorm hohe Spannung an den Thyristorarm angelegt ist, so dass kein übermässiger Schaltverlust entsteht. Es ist daher nicht nötig, dass die Thyristoren eine sehr hohe Widerstandsfähigkeit gegen Schaltverluste aufweisen. In the thyristor device according to the invention, each thyristor can perform its task in normal operation, controlled by the gate signal emitted by the associated gate signal generating means, e.g. perform a specific stress transformation. However, if a surge voltage deriving means is applied by a surge voltage applied to a thyristor arm, e.g. an external lightning overvoltage is discharged, then the discharge is detected by the relevant arrester discharge detection means, and the gate signal blocking means responsive to the output signal of the arrester discharge detection means deactivates the relevant gate signal generating means. In such a case, no gate signal is supplied to the thyristor arm by the gate signal generating means, so that the thyristors are not switched on. The thyristors are therefore not switched on when an abnormally high voltage is applied to the thyristor arm, so that there is no excessive switching loss. It is therefore not necessary for the thyristors to have a very high resistance to switching losses.

Die Thyristoren und damit die ganze Thyristoreinrichtung können dadurch relativ billig und auch von relativ geringer Grösse sein. Die kleineren und einfacheren Thyristoren lassen sich in der Regel auch leichter beschaffen, so dass der Unterhalt der Thyristoreinrichtung einfacher ist. The thyristors and thus the entire thyristor device can thereby be relatively cheap and also of relatively small size. The smaller and simpler thyristors can generally also be obtained more easily, so that the maintenance of the thyristor device is easier.

Die erfindungsgemässe Thyristoreinrichtung kann für viele verschiedene Anwendungen eingesetzt werden, z.B. in Gleichstrom-Kraftübertragungsanlagen, in Frequenzwandlern, in Anlassern für Synchronmotoren usw. The thyristor device according to the invention can be used for many different applications, e.g. in DC power transmission systems, in frequency converters, in starters for synchronous motors, etc.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen näher erläutert. An embodiment of the invention is explained below with reference to the drawings.

Fig. 1 zeigt ein Blockschema einer bekannten Gleichstrom-Kraftübertragungsanlage, in der sich die Erfindung mit Vorteil anwenden lässt, und Fig. 1 shows a block diagram of a known DC power transmission system in which the invention can be used with advantage, and

Fig. 2 zeigt ein Blockschema einer Ausführungsform der Erfindung. 2 shows a block diagram of an embodiment of the invention.

Im einzelnen zeigt die Fig. 2 ein Blockschema des Thyristorarmes 10 der Anlage von Fig. 1 mit einer zugeordneten Gatesignal-Erzeugungsschaltung. Die Anschlussstellen A und B in Fig. 2 entsprechen den Anschlussstellen A und B in Fig. 1. 2 shows a block diagram of the thyristor arm 10 of the system of FIG. 1 with an associated gate signal generating circuit. The connection points A and B in FIG. 2 correspond to the connection points A and B in FIG. 1.

Wie schon erläutert, enthält der Thyristorarm 10 eine Reihenschaltung von beispielsweise 120 Thyristoren 11. Die Kathode des Thyristors 11 am einen Ende dieser Reihe ist mit der Anschlussstelle A verbunden, und die Anode des Thyristors 11 am anderen Ende der Reihe ist mit der Anschlussstelle B verbunden. Eine Reihen- und/oder Parallelschaltung mehrerer Thyristoren 11 wird als Thyristor-Stromrichter bezeichnet. Ein Element-Stossspannungsdämpfer 13, der eine Reihenschaltung eines Kondensators und eines Widerstandes enthält, ist zu jedem Thyristor 11 parallelgeschaltet. Ferner ist zu jedem Thyristor 11 je ein Element-Überbrückungswiderstand 15 parallelgeschaltet. Die Widerstände 15 verringern die Ungleichmässig- As already explained, the thyristor arm 10 contains a series connection of, for example, 120 thyristors 11. The cathode of the thyristor 11 at one end of this row is connected to the connection point A, and the anode of the thyristor 11 at the other end of the row is connected to the connection point B. . A series and / or parallel connection of a plurality of thyristors 11 is referred to as a thyristor power converter. An element surge suppressor 13, which includes a series connection of a capacitor and a resistor, is connected in parallel with each thyristor 11. Furthermore, an element bridging resistor 15 is connected in parallel to each thyristor 11. The resistors 15 reduce the uneven

661 383 661 383

4 4th

keit der Verteilung der an den verschiedenen Thyristoren 11 liegenden Spannungen. Ein Ende des Arm-Ableiters 12 ist mit der Anschlussstelle A verbunden, und das andere Ende des Arm-Ableiters 12 ist mit einem Ende eines Spannungsteilerwiderstandes 16 verbunden. Das andere Ende des Spannungsteilerwider-standes 16 ist mit der Anschlussstelle B verbunden. An die Gate-Elektrode und die Kathode jedes der Thyristoren 11 ist je eine Schaltung 19 zum Erzeugen von elektrischen Gatesignalen angeschlossen. Jede elektrische Gatesignal-Erzeugungsschaltung enthält je ein Lichtempfängerelement 19a. Mit jeder elektrischen Gatesignal-Erzeugungsschaltung 19 ist über je einen Lichtleiter 18 eine Schaltung 17 zum Erzeugen von optischen Gatesignalen verbunden. Die optische Gatesignal-Erzeugungsschaltung 17 enthält eine Reihenschaltung von lichtaussendenden Einrichtungen 17a in einer Anzahl, die gleich der Anzahl der elektrischen Gatesignal-Erzeugungsschaltungen 19 ist. Eine Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsschaltung 25 ist über ein UND-Tor 24 mit dem Eingang der optischen Gatesignal-Erzeugungsschaltung 17 verbunden. speed of the distribution of the voltages across the various thyristors 11. One end of the arm arrester 12 is connected to the connection point A, and the other end of the arm arrester 12 is connected to one end of a voltage dividing resistor 16. The other end of the voltage divider resistor 16 is connected to the connection point B. A circuit 19 for generating electrical gate signals is connected to the gate electrode and the cathode of each of the thyristors 11. Each electric gate signal generating circuit contains a light receiving element 19a. A circuit 17 for generating optical gate signals is connected to each electrical gate signal generating circuit 19 via a respective light guide 18. The optical gate signal generating circuit 17 includes a series circuit of light emitting devices 17a in a number equal to the number of the electric gate signal generating circuits 19. A gate activation signal generation circuit 25 is connected via an AND gate 24 to the input of the optical gate signal generation circuit 17.

An den vorstehend beschriebenen Spannungsteilerwiderstand 16 ist eine Schaltung 20 zum Feststellen einer Entladung und Erzeugen eines optischen Signals angeschlossen. Diese Schaltung 20 enthält ein lichtaussendendes Element 20a. Das Ausgangssignal der Schaltung 20 wird dem Eingang einer Empfängerschaltung 22 für optische Signale über einen Lichtleiter 21 zugeführt. Die Empfängerschaltung 22 enthält ein Lichtempfängerelement 22a. Das Ausgangssignal der Empfängerschaltung 22 wird einem der Eingänge des UND-Tores 24 über einen Inverter 23 zugeführt. Die Empfängerschaltung 22, der Inverter 23 und die optische Gatesignal-Erzegungsschaltung 17 bilden zusammen eine Niederspannungs-Schaltungsanordnung 26. Ähnlich bilden die elektrische Gatesignal-Erzeugungsschaltung 19, die Thyristoren 11, die Element-Stossspannungsdämpfer 13, die Element-Überbrückungswiderstände 15, der Arm-Ableiter 12, der Spannungsteilerwiderstand 16 und die Schaltung 20 zusammen eine Hochspannungs-Schaltungsanordnung 27. A circuit 20 for detecting a discharge and generating an optical signal is connected to the voltage divider resistor 16 described above. This circuit 20 contains a light-emitting element 20a. The output signal of the circuit 20 is fed to the input of a receiver circuit 22 for optical signals via an optical fiber 21. The receiver circuit 22 includes a light receiving element 22a. The output signal of the receiver circuit 22 is fed to one of the inputs of the AND gate 24 via an inverter 23. The receiver circuit 22, the inverter 23 and the optical gate signal generation circuit 17 together form a low-voltage circuit arrangement 26. Similarly, the electrical gate signal generation circuit 19, the thyristors 11, the element surge dampers 13, the element bypass resistors 15, the arm Arrester 12, the voltage divider resistor 16 and the circuit 20 together form a high-voltage circuit arrangement 27.

Nachstehend wird die Arbeitsweise der Schaltungen gemäss Fig. 2 erläutert. Zunächst wird der Betrieb im Normalzustand beschrieben, in welchem keine Entladung des Arm-Ableiters 12 stattfindet. Der Thyristorarm 10 ist beispielsweise, wie in Fig. 1 dargestellt, in einer dreiphasigen Brückenschaltung angeordnet, so dass ein Gleichrichterbetrieb zum Umformen einer Wechselspannung in eine Gleichspannung oder umgekehrt ein Wechselrichterbetrieb zum Umformen einer Gleichspannung in eine Wechselspannung durchgeführt werden kann. Die Gate-Akti-vierungssignal-Erzeugungsschaltung 25 erzeugt ein Gate-Aktivierungssignal S1 mit einer vorbestimmten Phase für die Durchführung eines Gleichrichterbetriebes oder eines Wechselrichterbetriebes und liefert dieses Signal an das UND-Tor 24. Die Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsschaltung 25 kann z.B. ein Zündsignal-Generator mit einem spannungsgesteuerten Oszillator von der Art sein, die in den US-Patenten Nummern 2 467 765, 3 047 789 und 3 197 691 und in der US-Patentan-meldung Nr. 382 015 beschrieben ist. The mode of operation of the circuits according to FIG. 2 is explained below. The operation in the normal state in which the arm arrester 12 is not discharged is first described. For example, as shown in FIG. 1, the thyristor arm 10 is arranged in a three-phase bridge circuit, so that a rectifier operation for converting an AC voltage into a DC voltage or vice versa, an inverter operation for converting a DC voltage into an AC voltage can be carried out. The gate activation signal generation circuit 25 generates a gate activation signal S1 with a predetermined phase for performing a rectifier operation or an inverter operation and supplies this signal to the AND gate 24. The gate activation signal generation circuit 25 can e.g. an ignition signal generator with a voltage controlled oscillator of the type described in U.S. Patent Nos. 2,467,765, 3,047,789 and 3,197,691 and U.S. Patent Application No. 382,015.

Das UND-Tor 24 bildet ein logisches Produkt aus dem Gate-Aktivierungssignal S1 und dem Ausgangssignal des Inver-ters 23 in der Weise, dass es das von der Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsschaltung 25 zugeführte Gate-Aktivierungs-signal S1 an die optische Gatesignal-Erzeugungsschaltung 17 weiterleitet, wenn das Ausgangssignal des Inverters 23 hoch ist. In Abhängigkeit von dem Gate-Aktivierungssignal S1 sendet die optische Gatesignal-Erzegungsschaltung 17 gleichzeitig von allen lichtaussendenden Elementen 17a Licht aus, und die optischen Gatesignale S2 werden den betreffenden elektrischen Gatesignal-Erzeugungsschaltungen 19 über die Lichtleiter 18 zugeführt. Durch die gleichzeitige Aussendung von Licht von allen lichtaussendenden Elementen 17a sollen alle Thyristoren 11 The AND gate 24 forms a logical product of the gate activation signal S1 and the output signal of the inverter 23 in such a way that it sends the gate activation signal S1 supplied by the gate activation signal generating circuit 25 to the optical gate signal Generation circuit 17 passes on when the output of inverter 23 is high. Depending on the gate activation signal S1, the optical gate signal generating circuit 17 simultaneously emits light from all light-emitting elements 17a, and the optical gate signals S2 are supplied to the relevant electrical gate signal generating circuits 19 via the light guides 18. Due to the simultaneous emission of light from all light-emitting elements 17a, all thyristors 11

in der Reihe gleichzeitig eingeschaltet werden. Der Zweck der Verwendung der Lichtleiter 18 besteht darin, die vorstehend beschriebene Nieder'spannungs-Schaltungsanordnung 26 von der Hochspannungs-Schaltungsanordnung 27 elektrisch zu isolieren. Wenn den elektrischen Gatesignal-Erzegungsschaltungen be switched on simultaneously in the row. The purpose of using the light guides 18 is to electrically isolate the low-voltage circuit arrangement 26 described above from the high-voltage circuit arrangement 27. When the electrical gate signal generation circuits

19 die optischen Gatesignale S2 zugeführt werden, dann werden die optischen Gatesignale von den Lichtempfängerelementen 19a in elektrische Signale umgewandelt, und als Folge werden elektrische Gatesignale S3 je zwischen der Gate-Elektrode und der Kathode an jeden der Thyristoren 11 angelegt. Wenn die elektrischen Gatesignale S3 den Thyristoren 11 zugeführt werden, dann werden diese gleichzeitig eingeschaltet. Als Folge hiervon arbeitet der Thyristorarm 10 im vorstehend beschriebenen Gleichrichterbetrieb oder Wechselrichterbetrieb. 19, the optical gate signals S2 are supplied, then the optical gate signals are converted into electrical signals by the light receiving elements 19a, and as a result, electrical gate signals S3 are applied to each of the thyristors 11 between the gate electrode and the cathode. If the electrical gate signals S3 are supplied to the thyristors 11, then these are switched on at the same time. As a result, the thyristor arm 10 operates in the rectifier operation or inverter operation described above.

Nun soll der Betrieb der Schaltungen gemäss Fig. 2 für den Fall beschrieben werden, wo der Arm-Ableiter 12 durch eine externe Blitz-Überspannung od. dgl. entladen wird. Wenn dem Thyristorarm 10 eine Stossspannung zugeführt wird, die höher ist als die Impulsentladungsauslösespannung des Arm-Ableiters 12 (im dargestellten Ausführungsbeispiel wie vorstehend beschrieben 355 kV), dann wird der Arm-Ableiter 12 entladen. Als Folge der Entladung des Arm-Ableiters 12 fliesst ein Entladungsstrom durch den Spannungsteilerwiderstand 16, wobei die entstehende Spannung vom Spannungsteilerwiderstand 16 auf einen Wert geteilt, der für den Betrieb der Schaltung 20 zum Feststellen einer Entladung und Erzeugen eines optischen Signals geeignet ist. Wenn das elektrische Signal in Form der geteilten Spannung angelegt wird, dann veranlasst die Schaltung The operation of the circuits according to FIG. 2 for the case where the arm arrester 12 is discharged by an external lightning surge voltage or the like will now be described. If a surge voltage is supplied to the thyristor arm 10 which is higher than the pulse discharge triggering voltage of the arm arrester 12 (355 kV as described above in the exemplary embodiment shown), then the arm arrester 12 is discharged. As a result of the discharge of the arm arrester 12, a discharge current flows through the voltage divider resistor 16, the voltage which is produced divided by the voltage divider resistor 16 to a value which is suitable for the operation of the circuit 20 for detecting a discharge and generating an optical signal. If the electrical signal is applied in the form of the divided voltage, then the circuit initiates

20 das lichtaussendende Element 20a, Licht auszusenden, und das so erzeugte optische Signal S4 wird über den Lichtleiter 21 der Empfängerschaltung 22 für optische Signale zugeführt. Der Zweck der Verwendung des Lichtleiters 21 besteht darin, die Niederspannungs-Schaltungsanordnung 26 von der Hochspan-nungs-Schaltungsanordnung 27 elektrisch zu isolieren. Wenn das optische Signal S4 zugeführt wird, dann bewirkt die Empfängerschaltung 22 eine Umwandlung des optischen Signals S4 in ein elektrisches Signal durch das Lichtempfängerelement 22a, und dieses elektrische Signal wird dem Inverter 23 zugeführt. Der Inverter 23 erzeugt in Abhängigkeit vom hohen Wert des Signals von der Empfängerschaltung 22 ein tiefes Ausgangssignal. Wenn das Ausgangssignal des Inverters 23 tief wird, dann verschwindet das logische Produkt als Ausgangssignal des UND-Tores 24, womit das Gate-Aktivierungssignal S1 von der Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsschaltung 25 durch das UND-Tor 24 blockiert wird und nicht zu der optischen Gatesignal-Erzeugungsschaltung 17 gelangen kann. Das Gate-Aktivierungssignal S1 ist kein kontinuierliches Signal, sondern ein Impulssignal, das mit einer vorbestimmten Phase erzeugt wird; die Zeitspanne zwischen der Entladung des Arm-Ableiters 12 und der Sperrung des UND-Tores 24 ist jedoch sehr kurz, beispielsweise einige Mikrosekunden, und daher wird innerhalb dieser Zeitspanne das Gate-Aktivierungssignal S1 nicht zur optischen Gatesignal-Erzeugungsschaltung 17 gelangen. 20, the light-emitting element 20a to emit light, and the optical signal S4 thus generated is fed via the light guide 21 to the receiver circuit 22 for optical signals. The purpose of using the light guide 21 is to electrically isolate the low voltage circuitry 26 from the high voltage circuitry 27. When the optical signal S4 is supplied, the receiver circuit 22 causes the optical signal S4 to be converted into an electrical signal by the light receiving element 22a, and this electrical signal is supplied to the inverter 23. Depending on the high value of the signal from the receiver circuit 22, the inverter 23 generates a low output signal. When the output of the inverter 23 goes low, the logic product disappears as the output of the AND gate 24, blocking the gate activation signal S1 from the gate activation signal generating circuit 25 through the AND gate 24 and not the optical gate signal - Generation circuit 17 can arrive. The gate activation signal S1 is not a continuous signal, but a pulse signal that is generated with a predetermined phase; however, the period between the discharge of the arm arrester 12 and the blocking of the AND gate 24 is very short, for example a few microseconds, and therefore the gate activation signal S1 will not reach the optical gate signal generation circuit 17 within this period.

Also werden in einem Falle, wo wegen einer externen Blitz-Überspannung od. dgl. eine anormale Spannung an den Thyri-, storarm 10 gelegt ist, die Thyristoren 11 nicht eingeschaltet, auch wenn die Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsschaltung 25 das Gate-Aktivierungssignal S1 abgibt. Daher entstehen in den Thyristoren 11 keine extrem grossen Schaltverluste. Die Thyristoren 11 brauchen deshalb keine hohe Widerstandsfähigkeit gegenüber Schaltverlusten aufzuweisen. Thus, in a case where an abnormal voltage is applied to the thyristor 10 due to an external lightning overvoltage or the like, the thyristors 11 are not turned on even if the gate activation signal generating circuit 25 generates the gate activation signal S1 delivers. Therefore, there are no extremely large switching losses in the thyristors 11. The thyristors 11 therefore do not need to have a high resistance to switching losses.

Obwohl vorstehend ein Ausführungsbeispiel der Erfindung in einer Gleichstrom-Kraftübertragungsanlage beschrieben worden ist, ist die Erfindung natürlich nicht auf diese Anwendung beschränkt, sondern findet auch zahlreiche andere Anwendungen, z.B. in Frequenzumformern, Thyristoranlassern für Synchronmotoren usw. Although an embodiment of the invention has been described above in a DC power transmission system, the invention is of course not limited to this application, but also finds numerous other applications, e.g. in frequency converters, thyristor starters for synchronous motors, etc.

s io s io

15 15

20 20th

25 25th

30 30th

35 35

40 40

45 45

50 50

55 55

60 60

65 65

V V

1 Blatt Zeichnungen 1 sheet of drawings

Claims (4)

661 383 661 383 2 2nd PATENTANSPRÜCHE PATENT CLAIMS 1. Thyristoreinrichtung, mit einer Mehrzahl von Thyristorarmen (10), von denen jeder wenigstens einen Thyristor (11) enthält, und mit einer Mehrzahl von je einem der Thyristorarme (10) zugeordneten Gatesignal-Erzeugungsmitteln (25, 17, 19) zum Abgeben eines Gatesignals an jeden einzelnen Thyristor (11), gekennzeichnet durch eine Mehrzahl von je zu einem der Thyristorarme (10) parallel geschalteten Stossspannungs-ableitmitteln (12) zum Schützen der Thyristoren vor Stossspan-nungen, eine Mehrzahl von je mit einem der Stossspannungs-ableitmittel (12) in Verbindung stehenden Ableiterentladungs-Feststellmitteln (16, 20) zum Feststellen einer Entladung des Stossspannungsableitmittels (12) und eine Mehrzahl von je mit einem der Ableiterentladungs-Feststellmittel (16, 20) sowie einem der Gatesignal-Erzeugungsmittel (25, 17, 19) in Verbindung stehenden Gatesignal-Blockiermitteln (22, 23, 24), die jeweils auf ein Ausgangssignal der Ableiterentladungs-Feststell-mittel (16, 20) ansprechen, um das Gatesignal-Erzeugungsmittel (25, 17, 19) unwirksam zu machen, wobei jedes Ableiterentla-dungs-Feststellmittel (16, 20) je ein Lichtaussendemittel (20) aufweist, das bei einer Entladung des jeweiligen Stossspannungsableitmittels (12) Licht emittiert, und jedes Gatesignal-Blockiermittel (22, 23, 24) je einen Lichtempfänger (22) zum Umwandeln des Lichtsignals in ein elektrisches Signal aufweist. 1. Thyristor device, having a plurality of thyristor arms (10), each of which contains at least one thyristor (11), and having a plurality of gate signal generating means (25, 17, 19) assigned to each of the thyristor arms (10) for emitting one Gate signal to each individual thyristor (11), characterized by a plurality of surge voltage deriving means (12) connected in parallel to one of the thyristor arms (10) for protecting the thyristors from surge voltages, a plurality of each with one of the surge voltage deriving means ( 12) associated discharge discharge detection means (16, 20) for detecting a discharge of the surge voltage discharge means (12) and a plurality of each with one of the discharge discharge detection means (16, 20) and one of the gate signal generating means (25, 17, 19 ) related gate signal blocking means (22, 23, 24), each responsive to an output signal of the discharge discharge detection means (16, 20) to the Render gate signal generating means (25, 17, 19) ineffective, each arrester discharge detection means (16, 20) each having a light emitting means (20) which emits light when the respective surge voltage discharge means (12) is discharged, and each gate signal Blocking means (22, 23, 24) each have a light receiver (22) for converting the light signal into an electrical signal. 2. Thyristoreinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jeder Thyristorarm (10) je zwei oder mehrere in Reihe und/oder parallel geschaltete Thyristoren (11) aufweist. 2. Thyristor device according to claim 1, characterized in that each thyristor arm (10) has two or more series and / or parallel connected thyristors (11). 3. Thyristoreinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Gatesignal-Erzeugungsmittel (25, 17, 19) je ein Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsmittel (25) zum Erzeugen eines Gate-Aktivierungssignals, das die Erzeugung des Gatesignals ermöglicht, und je eine Gatesignal-Erzeugungs-schaltung (17, 19) enthält, welche auf das Gate-Aktivierungssignal anspricht, um das Gatesignal zu erzeugen, und dass jedes Gatesignal-Blockiermittel (22, 23, 24) je eine Gatesignal-Blockierschaltung (23, 24) zum Verhindern der Weiterleitung des Gate-Aktivierungssignals an die Gatesignal-Erzeugungs-schaltung (17, 19) enthält. 3. Thyristor device according to claim 1 or 2, characterized in that each gate signal generating means (25, 17, 19) each have a gate activation signal generating means (25) for generating a gate activation signal which enables the generation of the gate signal, and each includes a gate signal generating circuit (17, 19) responsive to the gate activation signal to generate the gate signal, and each gate signal blocking means (22, 23, 24) includes a gate signal blocking circuit (23, 24) for preventing the gate activation signal from being forwarded to the gate signal generating circuit (17, 19). 4. Thyristoreinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Ableiterentladungs-Feststellmittel (16, 20) je einen mit dem jeweiligen Ableitmittel (12) in Reihe geschalteten Spannungsteiler (16) zum Teilen einer Spannung, die von einem Entladungsstrom des Ableitmittels (12) erzeugt wird, aufweist, dass das jeweilige Lichtaussendemittel (20) an den Spannungsteiler (16) angeschlossen ist und zum Umwandeln der geteilten Spannung in ein Lichtsignal eingerichtet ist, und dass jedes Gatesignal-Blockiermittel (22, 23, 24) je eine mit dem jeweiligen Lichtempfänger (22), dem jeweiligen Gate-Aktivierungssignal-Erzeugungsmittel (25) und der jeweiligen Gate-signal-Erzeugungsschaltung (17, 19) in Verbindung stehende Blockiertorschaltung (23, 24) enthält, welche auf ein Ausgangssignal des Lichtempfängers (22) anspricht, um die Weiterleitung des Gate-Aktivierungssignals an die jeweilige Gatesignal-Erzeugungsschaltung (17, 19) zu verhindern, und dass ferner eine Mehrzahl von Lichtleitermitteln (22) vorhanden ist, von denen jedes je eines der Lichtaussendemittel (20) mit jeweils einem der Lichtempfänger (22) verbindet. 4. Thyristor device according to claim 3, characterized in that each discharge discharge detection means (16, 20) each have a voltage divider (16) connected in series with the respective discharge means (12) for dividing a voltage caused by a discharge current of the discharge means (12). is generated, that the respective light-emitting means (20) is connected to the voltage divider (16) and is set up to convert the divided voltage into a light signal, and that each gate signal blocking means (22, 23, 24) each have a respective one Light receiver (22), the respective gate activation signal generation means (25) and the respective gate signal generation circuit (17, 19) in connection blocking gate circuit (23, 24) which responds to an output signal of the light receiver (22), in order to prevent the gate activation signal from being forwarded to the respective gate signal generating circuit (17, 19), and also to prevent a plurality of optical fibers means (22) is present, each of which connects one of the light emitting means (20) with one of the light receivers (22).
CH372282A 1981-06-16 1982-06-16 THYRISTOR DEVICE. CH661383A5 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9326781A JPS57208862A (en) 1981-06-16 1981-06-16 Thyristor bulb

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH661383A5 true CH661383A5 (en) 1987-07-15

Family

ID=14077693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH372282A CH661383A5 (en) 1981-06-16 1982-06-16 THYRISTOR DEVICE.

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPS57208862A (en)
CH (1) CH661383A5 (en)
DE (1) DE3221831A1 (en)
SE (1) SE8203651L (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5911772A (en) * 1982-07-12 1984-01-21 Kansai Electric Power Co Inc:The Overvoltage protecting device of optically firing thyristor
JPS6098823A (en) * 1983-11-02 1985-06-01 株式会社東芝 Power converter
JPS63234874A (en) * 1987-03-19 1988-09-30 Toshiba Corp Thyristor valve
DE102009046617A1 (en) * 2009-11-11 2011-05-19 Zf Friedrichshafen Ag inverter
DE102009046616A1 (en) * 2009-11-11 2011-05-19 Zf Friedrichshafen Ag inverter
CN107171353B (en) * 2017-06-15 2020-03-20 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心 Light control valve control method for preventing current from being unable to be established during direct current unlocking

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2467765A (en) * 1947-04-25 1949-04-19 Farnsworth Res Corp Regulated power supply
US3047789A (en) * 1959-11-25 1962-07-31 Gen Electric Inverter circuit
US3197691A (en) * 1962-01-02 1965-07-27 Gen Electric Regulated power supply
DE1564577C3 (en) * 1966-04-26 1975-07-31 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Overstretched! protection circuit for a thyristor
DE1638853B1 (en) * 1968-02-23 1971-09-09 Siemens Ag Inverter
SE342711B (en) * 1969-12-12 1972-02-14 Asea Ab
IT1016268B (en) * 1974-07-02 1977-05-30 Gni Energet In EQUIPMENT FOR PROTECTING THE THYRISTORS OF A HIGH VOLTAGE CONTROLLED VERTITOR FROM OVER VOLTAGE
FR2315788A1 (en) * 1975-06-23 1977-01-21 Elektrotekhnichesky Inst DC transmission line excess voltage protection - comprises excess voltage eliminator across thyristor gate to protect rectifiers
DE2530789C2 (en) * 1975-07-10 1982-12-16 Vsesojuznyj elektrotechničeskij institut imeni V.I. Lenina, Moskva Procedure for the protection of rectifier systems in three-phase bridge circuits for direct current long-distance lines
DE2552414C3 (en) * 1975-11-22 1978-05-24 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Method for operating a monitoring arrangement

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57208862A (en) 1982-12-22
SE8203651L (en) 1982-12-17
DE3221831A1 (en) 1983-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3322873C2 (en) Circuit arrangement with light-triggerable thyristors
DE2914313A1 (en) FAULT CURRENT LIMITING CIRCUIT
DE2434279B2 (en) DEVICE FOR OVERVOLTAGE PROTECTION FOR THYRISTORS OF A CONTROLLED HIGH VOLTAGE CONVERTER
DE1413509A1 (en) System for the simultaneous ignition of controlled rectifiers
DE2128128A1 (en) Surge arrester with a control spark gap
DE2323069B2 (en) CONVERTER ARRANGEMENT OF SEVERAL SUB-CONVERTERS CONNECTED IN SERIES WITH BRIDGING SWITCH
DE1513868B2 (en) Device for the simultaneous ignition of several thyristors connected in series
DE2506021C2 (en) Overvoltage protection circuitry for high power thyristors
DE2208432C3 (en) Circuit breaker
DE2444893A1 (en) CIRCUIT ARRANGEMENT FOR IGNITING AT LEAST ONE GAS DISCHARGE FLASHING LAMP
DE3033916C2 (en)
CH659157A5 (en) CIRCUIT FOR COMPENSATING BLIND POWER IN AN ELECTRICAL AC VOLTAGE NETWORK.
DE2530910C3 (en) Protection device for one or more series capacitors or groups of series capacitors
CH661383A5 (en) THYRISTOR DEVICE.
DE69117811T2 (en) Protection device for static semiconductor relays
DE3789659T2 (en) Gate pulse generator for thyristor inverters.
DE19634186B4 (en) Mains-controlled thyristor bridge
DE2922010A1 (en) ELECTRONIC PROTECTION CIRCUIT
DE3143622C2 (en)
DE1488862A1 (en) Power converters with thyristors
DE1952828C3 (en) Circuit arrangement for protecting series-connected thyristors against overvoltages
DE2248113B2 (en) SURGE ARRANGER WITH SEPARATE CONTROL UNITS
DE2332723C3 (en) Ignition circuit arrangement for thyristors connected in series to a high voltage
DE1928746C3 (en) Ignition system for gas turbines
DE2513026A1 (en) HF HIGH VOLTAGE DEVICE

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased