DE3637095C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Signalpegelkonverter wie er im Oberbegriff des Patentanspruches 1 be­ schrieben ist, und wie er beispielsweise durch die DE-PS 32 43 706 bekannt ist.

Der herkömmliche TTL-ECL-Pegelkonverter benutzte eine positive Spannungsversorgungsquelle, die eine Ver­ sorgungsspannung lieferte zum Treiben eines TTL-Schalt­ kreises, z. B. +5 V, und eine negative Spannungsver­ sorgungsquelle, die eine Spannungsversorgung zum Treiben eines ECL-Schaltkreises lieferte, z. B. -4,5 V oder -5,2 V, gemeinsam mit einem Massepotential. Ein Eingangs- TTL-Signal wird an die Kathode einer Eingangsdiode an­ gelegt. Das Signal an der Anode der Eingangsdiode wird wiederum zugeführt zur Basis eines Eingangs­ transistors, der durch einen Widerstand oder Wider­ stände vorgespannt ist, die mit der positiven Span­ nungsversorgung verbunden sind. Der Kollektor des Eingangstransistors ist mit der positiven Spannungs­ versorgung direkt oder über einen der Widerstände ver­ bunden. Der Emitter des Eingangstransistors ist einer­ seits über drei Dioden mit Masse verbunden und anderer­ seits mit der Basis eines Puffertransistors über zwei oder drei Dioden und einen Widerstand. Der Puffer­ transistor ist mit seinem Kollektor mit Masse ver­ bunden und mit seinem Emitter über einen Widerstand mit der negativen Spannungsversorgung. Der Signal­ pegel am Emitter des Puffertransistors wird durch einen Differentialverstärker mit einer Bezugsspannung verglichen, welche die Schwellenspannung des ECL- Schaltkreises ist. Der Differentialverstärker wird auch durch die negative Spannungsversorgung getrieben. Das Vergleichsergebnis wird über einen Emitterfolger als ECL-Signal erhalten. Der Emitterfolger wird auch durch die negative Spannungsversorgung getrieben.

Wenn das TTL-Eingangssignal auf niedrigem Pegel liegt, wird die Kapazitätskomponente der Eingangsdiode aufge­ laden mit einem Strom, der durch die positive Span­ nungsquelle - den Widerstand oder die Widerstände, die zwischen der positiven Spannungsquelle und der Basis des Eingangstransistors geschaltet sind - die Eingangsdiode und den Massepunkt fließt. Die Ladungen in der Kapazitätskomponente der Eingangsdiode werden durch den Eingangstransistor entladen, wenn das TTL- Eingangssignal auf den hohen Pegel wechselt. Da der Emitter des Eingangstransistors über die drei Dioden mit Masse verbunden ist, die Basis aber keine direkte Verbindung mit dem Massepunkt hat, hat hier der Ein­ gangstransistor eine hohe Eingangsimpedanz. Deshalb bedarf es einer langen Zeitspanne, um die Kapazitäts­ komponente der Eingangsdiode komplett zu entladen. So tritt im ECL-Ausgangssignal eine große Zeitverzöge­ rung auf, wenn das Eingangssignal vom niedrigen Pegel zum hohen Pegel wechselt.

Außerdem fließt der Entladestrom auch durch den Widerstand oder die Widerstände, die die Basis des Eingangstransistors vorspannen, zur positiven Span­ nungsquelle. In diesem Stromweg steigt die Spannung an der Basis des Eingangstransistors auf eine Spannung, die ein addierter Wert der angehobenen Spannung des Eingangssignals und der vorgeladenen Spannung der Ein­ gangsdiode ist. In diesem Moment wird der Eingangs­ transistor in einen Sättigungszustand getrieben.

Wenn der Transistor gesättigt ist, wird eine Ladungs­ speicherung im Transistor erzeugt, und es tritt eine neue Zeitverzögerung auf, wenn der Eingangssignal­ wert vom hohen Pegel zum niedrigen Pegel wechselt.

Aufgabe der Erfindung ist es, einen Pegelkonverter mit geringer Zeitverzögerung im Ausgangssignal und insbesondere einen TTL-ECL-Pegelkonverter zu schaffen, der mit hoher Geschwindigkeit arbeiten kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Signal­ pegelkonverter gelöst, der durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gekennzeichnet ist.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildun­ gen der Erfindung sind den Unteransprüchen 2-11 zu entnehmen.

Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei­ spielen unter Bezugnahme auf die Figuren genauer beschrie­ ben. Es zeigt

Fig. 1 ein Schaltkreisdiagramm eines herkömmlichen TTL-ECL- Konverters;

Fig. 2 ein Schaltkreisdiagramm eines TTL-ECL-Konverters in einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung; und

Fig. 3 ein Schaltkreisdiagramm eines TTL-ECL-Konverters in einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.

Ein TTL-ECL-Konverter gemäß dem Stand der Technik, wie er in Fig. 1 gezeigt ist, empfängt ein Eingangssignal mit TTL-Signalpegel an einem Eingangsanschluß IN, mit welchem die Kathode einer Eingangsdiode D 1 verbunden ist. Die Anode der Eingangsdiode D 1 ist mit einer positiven Spannungsversorgungsleitung V _CC (z. B. +5 Volt) über die Widerstände R₁ und R₂ verbunden und mit der Basis eines Eingangstransistors Q ₁, dessen Kollektor verbunden ist mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R ₁ und R ₂. Der Emitter des Eingangstransistors Q ₁ ist über eine Reihenverbindung von Dioden D ₂, D ₃ und D ₄ mit Masse verbunden. Der Verbindungspunkt der Dioden D ₃ und D ₄ ist mit der negativen Spannungsversorgungsleitung V _EE (z. B. -4,5 Volt oder -5,2 Volt) über einen Widerstand R ₃ und eine Konstantstromquelle I _{CS 1} verbunden. Der Verbindungs­ punkt zwischen Widerstand R ₃ und der Konstantstromquelle I _{CS 1} ist mit der Basis eines Emitterfolgertransistors Q ₂ verbunden, dessen Kollektor mit Masse verbunden ist und dessen Emitter mit einem Emitterwiderstand R ₄ verbunden ist. Der Emitter des Transistors Q ₂ ist auch mit der Basis eines Transistors Q ₃ verbunden, welcher mit dem Transistor Q ₄, der Konstantstromquelle I _{CS 2} und den Widerständen R ₅ und R ₆ als Differentialverstärker arbeitet. Eine Bezugs­ spannung V _ref für das ECL-Signal, z. B. ungefähr -1,3 Volt, wird an die Basis des Transistors Q ₄ angelegt und wird mit dem Signal am Emitter des Transistors Q ₂ verglichen. Das Vergleichsergebnis, welches am Kollektor des Transistors Q ₄ erhalten wird, wird an eine Emitterfolgerausgangsstufe aus dem Transistor Q ₅ und dem Emitterwiderstand R ₇ ange­ legt und als ECL-Ausgangssignal am Ausgangsanschluß OUT erhalten, welcher mit dem Emitter des Transistors Q ₅ ver­ bunden ist.

Die Bezugsspannung V _ref für ein ECL-Signal ist ungefähr -1,3 Volt und ist bemessen für die Spannungsdifferenz zwischen dem Emitter des Transistors Q ₂ und dem Verbin­ dungspunkt zwischen den Dioden D ₃ und D ₄. Der Transistor Q ₁ schaltet an, wenn das Eingangssignal am Eingangsanschluß größer als das Doppelte der Durchlaßspannung der PN-Über­ gangsdiode wird, welche ungefähr +1,3 Volt ist. Deshalb schaltet der Transistor Q ₁ an und aus durch ein TTL-Pegel­ eingangssignal, um den Pegel am Emitter des Transistors Q ₂ oberhalb bzw. unterhalb der Bezugsspannung V _ref zu setzen. Wenn der Emitterwiderstand R ₇ entsprechend be­ messen ist, hat das am Ausgangsanschluß OUT erhaltene Signal einen ECL-Pegel. So arbeitet der in Fig. 1 gezeigte Konverter als TTL-ECL-Pegelkonverter.

Der oben beschriebene TTL-ECL-Konverter gemäß dem Stand der Technik hat einige Nachteile, die erklärt werden sollen. Wenn das Eingangssignal niedrigen TTL-Pegel hat, fließt von der positiven Spannungsversorgungsleitung V _CC ein Strom durch die Widerstände R ₁ und R ₂ und die Eingangsdiode D ₁ zum Eingangsanschluß IN. Die Kapazitätskomponente der Eingangsdiode D ₁ wird durch den Strom aufgeladen. Darauf­ hin, wenn das Eingangssignal auf den hohen TTL-Pegel an­ steigt, werden die Ladungen in der Eingangsdiode D ₁ ent­ laden durch den Basis-Emitterweg des Transistors Q ₁ und die Dioden D ₂, D ₃ und D ₄. Die Basiseingangsimpedanz des Transistors Q ₁ ist aber sehr groß. Deshalb ist eine große Zeitspanne nötig, um den Transistor Q ₁ auszuschalten, nachdem die Ladungen in der Eingangsdiode D ₁ völlig ent­ laden sind. Dies resultiert in einer Zeitverzögerung im ECL-Ausgangssignal.

Ein weiterer Entladestrom fließt durch den Widerstand R ₁ und R ₂ zur positiven Spannungsversorgungsleitung V _CC . Aufgrund dieses Stromes spannt der Spannungsabfall über den Widerstand R ₂ den Basiskollektorübergang des Tran­ sistors Q ₁ in Durchlaßrichtung vor, und treibt so den Transistor Q ₁ in einen Sättigungszustand, in welchem eine Ladungsspeicherung im Transistor Q ₁ auftritt. Aufgrund dieser Ladungsspeicherung tritt eine weitere Zeitver­ zögerung im ECL-Ausgangssignal auf, wenn das Eingangs- TTL-Signal vom hohen Pegel zum niedrigen Pegel wechselt.

In Fig. 2 ist eine erste bevorzugte Ausführungsform ge­ zeigt, welche ein TTL-Eingangssignal mit einer Schwellen­ spannung von ungefähr +1,3 Volt empfangen kann. Abschnitt A ist ein Eingangsabschnitt des TTL-Pegelsignals. Ab­ schnitt B ist ein Pegelschieberabschnitt, welcher ein positives Signal in ein negatives Signal umsetzt. Ab­ schnitt C ist ein ECL-Pegelsteuerabschnitt.

Ein TTL-Eingangssignal wird an den Eingangsanschluß IN angelegt. Die Kathode einer Eingangsdiode D ₁₁ ist mit dem Eingangsanschluß IN verbunden. Die Anode der Eingangs­ diode D ₁₁ ist mit einem Widerstand R ₁₁ und der Basis eines Eingangstransistors Q ₁₁ verbunden. Eine positive Spannungs­ versorgungsleitung V _CC ist mit dem Widerstand R ₁₁ und dem Kollektor des Eingangstransistors Q ₁₁ verbunden. Eine erste Reihenverbindung 100 aus Dioden D ₁₁ bis D ₁₅ ist zwischen dem Massepunkt GND und dem Verbindungspunkt der Eingangsdiode D ₁₁, des Widerstandes R ₁₁ und der Basis des Transistors Q ₁₁ verbunden. Jede der Dioden D ₁₂ bis D ₁₅ ist so geschaltet, daß sie in Durchlaßrichtung vor­ gespannt ist, wenn das Eingangssignal auf hohem Pegel liegt. Der Emitter des Eingangstransistors Q ₁₁ ist über eine zweite Reihenverbindung 200 aus Dioden D ₁₆ bis D ₁₉ und eine erste Konstantstromquelle I _{CS 11} mit der negati­ ven Spannungsversorgungsleitung V _EE verbunden. Jede der Dioden D ₁₆ bis D ₁₉ ist so geschaltet, daß sie in Durch­ laßrichtung vorgespannt ist, wenn das Eingangssignal auf hohem Pegel liegt. Ein Klemmtransistor Q ₁₂ ist an seinem Kollektor mit Masse verbunden und an seinem Emitter mit dem Verbindungspunkt zwischen der Diode D ₁₉ und der ersten Konstantstromquelle I _{CS 11} verbunden. Eine Bezugs­ spannung V _ref für ein ECL-Signal wird durch eine Reihen­ verbindung von in Durchlaßrichtung vorgespannten Dioden D ₉ und D ₁₀ und einen Widerstand R ₁₅ erzeugt und ist un­ gefähr -1,3 Volt. Die Bezugsspannung V _ref wird an die Basis des Klemmtransistors Q ₁₂ und eines Differential­ transistors Q ₁₄ angelegt. Ein Differentialverstärker wird gebildet durch den Differentialtransistor Q ₁₄, zwei Widerstände R ₁₂ und R ₁₃, eine zweite Konstantstromquelle und einen anderen Differentialtransistor Q ₁₃, dessen Basis mit dem Verbindungspunkt zwischen der Diode D ₁₉ , der ersten Konstantstromquelle I _{CS 11} und dem Emitter des Klemmtransistors Q ₁₂ verbunden ist. Die Emitter der zwei Differentialtransistoren Q ₁₃ und Q ₁₄ sind gemeinsam mit der zweiten Konstantstromquelle I _{CS 12} verbunden. Der Kollektor des Differentialtransistors Q ₁₄ ist mit der Basis eines Emitterfolgertransistors Q ₁₅ verbunden, dessen Emitter mit dem Ausgangsanschluß OUT verbunden ist. Ein Emitterwiderstand R ₁₄ ist zwischen dem Emitter des Emitterfolgertransistors Q ₁₅ und der negativen Spannungs­ versorgungsleitung V _EE geschaltet.

Die Bezugsspannung V _ref wird erzeugt durch zwei in Durch­ laßrichtung vorgespannte Dioden D ₉ und D ₁₀. Deshalb kom­ pensieren zwei der Dioden D ₁₆ bis D ₁₉ in der zweiten Reihenverbindung 200 die in Durchlaßrichtung vorge­ spannten Dioden D ₉ und D ₁₀. Die verbleibenden zwei der Dioden D ₁₆ bis D ₁₉ in der zweiten Reihenverbindung 200, der Basisemitterübergang des Eingangstransistors Q ₁₁ und die Eingangsdiode D ₁₁ bestimmen eine Schwellenspannung für die Eingangsspannung. Da die Eingangsdiode D ₁₁ eine der verbleibenden zwei in Durchlaßrichtung vorgespannten Dioden in der zweiten Reihenverbindung 200 kompensiert, wird die Schwellenspannung bestimmt durch den Basisemitter­ übergang des Eingangstransistors Q ₁₁ und eine der Dioden D ₁₆ bis D ₁₉ in der zweiten Reihenverbindung 200. Als Folge wird die Schwellenspannung etwa +1,3 Volt. Wenn ein Eingangssignal größer als die Schwellenspannung an den Eingangsanschluß IN angelegt wird, schaltet der Ein­ gangstransistor Q ₁₁ an. Der Eingangstransistor Q ₁₁ schal­ tet aus in Antwort auf das Anlegen eines Eingangssignals kleiner als die Schwellenspannung an den Eingangsanschluß IN. Dieser Betrieb bedeutet, daß die Schaltung von Fig. 2 ein TTL-Signal empfangen kann.

Mit anderen Worten ist die Anzahl der in Durchlaßrichtung vorgespannten Dioden in der zweiten Reihenverbindung 200 bestimmt durch die Schwellenspannung des Eingangs-TTL- Signals und die Bezugsspannung zum Erzeugen des Ausgangs- ECL-Signals. Die Zahl, die erhalten wird durch Division der Gesamtspannung der Schwellenspannung und die Bezugs­ spannung durch die Durchlaßspannung einer PN-Übergangs­ diode ist die Anzahl der in Durchlaßrichtung vorgespannten Dioden in der zweiten Reihenverbindung 200. Andererseits ist die Anzahl der in Durchlaßrichtung vorgespannten Dioden in der ersten Reihenverbindung 100 so bestimmt, daß sie -V _F an der Basis des Differentialtransistors Q ₁₃ erzeugt (wobei V _F die Durchlaßspannung einer PN-Über­ gangsdiode ist). Die exakte Anzahl der Dioden in der ersten Reihe 100 zum Erzeugen einer solchen Bedingung ist die gleiche Anzahl wie die der Dioden in der zweiten Reihenverbindung 200.

Nun soll die Betriebsweise der ersten bevorzugten Aus­ führungsform erläutert werden. Wenn das Eingangssignal den niedrigen Pegel von +0,4 Volt annimmt, welcher niedriger ist als die Schwellenspannung von +1,3 Volt, fließt ein Strom durch den Widerstand R ₁₁ und die Eingangsdiode D ₁₁ zum Eingangsanschluß IN. Zu diesem Zeitpunkt nehmen die Dioden D ₁₂ bis D ₁₅ in der ersten Reihenverbindung 100 und der Eingangstransistor Q ₁₁ einen Sperrzustand (cut- off condition) ein. Die Spannung an der Basis des Differentialtransistors Q ₁₃ ist bestimmt durch den Klemm­ transistor Q ₁₂ auf einen Wert von (V _ref -V _BE ), wobei V _BE die Durchlaßspannung der Basisemitterverbindung des Klemmtransistors Q ₁₂ ist. Da die Bezugsspannung V _ref -1,3 Volt ist, schalten die Differentialtransistoren Q ₁₃ und Q ₁₄ auf bzw. an, um jeweils ein ECL-Ausgangssignal mit niedrigem Pegel (-1,62∼-1,81 Volt) am Ausgangs­ anschluß OUT zu erzeugen.

Andererseits, wenn das Eingangssignal auf einen hohen Pegel von 2,8 Volt ansteigt, tritt die Eingangsdiode D ₁₁ in den Sperrzustand. Vom Widerstand R ₁₁ fließt ein Strom in die Basis des Eingangstransistors Q ₁₁. Der Eingangs­ transistor schaltet an, um die Dioden D ₁₆ bis D ₁₉ in der zweiten Reihenverbindung 200 in Durchlaßrichtung vorzuspannen. Da die Anzahl der Dioden in der ersten und zweiten Reihenverbindung 100 und 200 die gleiche ist, wird die Spannung an der Basis des Differentialtransistors Q ₁₃-V _F , welches die Durchlaßspannung der PN-Übergangs­ diode ist. Die Differentialtransistoren Q ₁₃ bzw. Q ₁₄ schalten an und aus, um am Ausgangsanschluß OUT ein ECL-Ausgangssignal mit hohem Pegel (-0,88∼-1,025 Volt) zu erzeugen.

Die Kapazitätskomponente der Eingangsdiode D ₁₁ wird auf­ geladen, während das Eingangssignal auf niedrigem Pegel steht. Daraufhin, wenn das Eingangssignal auf hohen Pegel steigt, fließen die vorgeladenen Ladungen über die erste Reihenverbindung 100 der Dioden D ₁₂ bis D ₁₅, die durch den hohen Pegel des Eingangssignals in Durchlaß­ richtung vorgespannt sind, um eine geringe Impedanz zu zeigen. Die Entladezeit ist sehr kurz. Eine sehr kurze Zeitverzögerung tritt im Ausgangssignal am Ausgangs­ anschluß OUT auf. Ferner klemmt die erste Reihenverbin­ dung 100 der Dioden D ₁₂ bis D ₁₅ die Spannung an der Basis des Eingangstransistors Q ₁₁. Der Eingangstransistor Q ₁₁ wird nicht in einem Sättigungszustand betrieben und erzeugt keine Ladungsspeicherung. Deshalb tritt keine Zeitverzögerung auf, wenn das Eingangssignal vom hohen Pegel zum niedrigen Pegel wechselt.

Fig. 3 zeigt eine zweite bevorzugte Ausführungsform, deren Schwellenspannung für das Eingangssignal auf 2,1 Volt ausgelegt ist, was dem dreifachen der Durchlaßspannung V _F einer PN-Übergangsdiode entspricht. Nur der Unter­ schied von der ersten bevorzugten Ausführungsform von Fig. 2 ist der Teil, der die Schwellenspannung bestimmt. Es ist nämlich die Anzahl der ersten und zweiten Reihen­ verbindungen 100′ und 200′ von Dioden jeweils fünf. Die Schaltkreiskonfiguration außer der ersten und zweiten Reihenverbindung 100′ und 200′ ist die gleiche wie in der ersten Ausführungsform von Fig. 2.

Da die Bezugsspannung V _ref durch die in Durchlaßrichtung vorgespannten Dioden D ₉ und D ₁₀ erzeugt wird, wird die Bezugsspannung V _ref durch zwei der Dioden in der zweiten Reihenverbindung 200′ kompensiert. Die Durchlaßspannung der Eingangsdiode D ₁₁ wird durch eine weitere der Dioden in der zweiten Reihenverbindung 200′ kompensiert. Als Ergebnis ist die Schwellenspannung für das Eingangssignal am Eingangsanschluß IN bestimmt durch die verbleibenden zwei Dioden in der zweiten Reihenverbindung 200′ und den Basisemitterübergang des Eingangstransistors Q ₁₁ und be­ trägt 2,1 Volt.

Ähnlich zur ersten bevorzugten Ausführungsform von Fig. 2 zeigt die erste Reihenverbindung 100′ von Dioden eine Niederimpedanz-Entladungsfunktion der Ladungen in der Eingangsdiode D ₁₁ und eine Klemmfunktion an der Basis des Eingangstransistors Q ₁₁. Die Entladung der Ladungen in der Eingangsdiode D ₁₁ ist sehr schnell und so tritt eine sehr geringe Zeitverzögerung für das Ausgangssignal am Ausgangsanschluß OUT auf, wenn das Eingangssignal vom niedrigen Pegel zum hohen Pegel wechselt. Der Eingangs­ transistor Q ₁₁ wird nicht in einen Sättigungszustand ge­ trieben, und so tritt keine Zeitverzögerung für das Aus­ gangssignal auf, wenn das Eingangssignal vom hohen Pegel zum niedrigen Pegel wechselt.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben beschrie­ benen Ausführungsformen beschränkt. Die Anzahl der Dioden in der ersten und zweiten Reihe kann geändert werden in Übereinstimmung mit gewünschten Schwellenspannungen für das Eingangssignal. Es ist aber sehr praktisch, vier oder fünf Dioden zu verwenden, wenn ein TTL-Signal als Eingangssignal angelegt wird. Die Basis des Emitter­ folgetransistors Q ₁₅ kann mit dem Kollektor des Differen­ tialtransistors Q ₁₃ anstelle mit dem Kollektor des Differentialtransistors Q ₁₄ verbunden sein, um ein Aus­ gangssignal zu erhalten, das einen entgegengesetzten Platz zum Eingangssignal hat.

Claims (11)

1. Signalpegelkonverter mit:
einer positiven Spannungsversorgungsleitung (V _CC );
einer Masseleitung (GND);
einer negativen Spannungsversorgungsleitung (V _EE );
einem Eingangsanschluß (IN), welcher ein Eingangs­ signal empfängt, welches niedrige und hohe logische Pegel aufweist; und
einer Eingangsdiode (D 11), die mit ihrer Kathode mit dem Eingangsanschluß verbunden ist und eine Anode aufweist,
gekennzeichnet durch einen Eingangstran­ sistor (Q 11) mit einem Kollektor, der mit der positiven Spannungsversorgungsleitung (V _CC ) verbunden ist, einer Basis, die mit der Anode der Eingangsdiode (D 11) verbun­ den ist und mit einem Emitter;
eine erste Reihenverbindung (11) von Dioden zwischen der Anode der Eingangsdiode (D ₁₁) und der Masseleitung (GND), wobei die Dioden in der ersten Reihenverbindung in Durchlaßrichtung vorgespannt sind, wenn das Eingangs­ signal auf hohem logischem Pegel liegt;
eine zweite Reihenverbindung (200) von Dioden, die mit ihrem einen Ende mit dem Emitter des Eingangstransistors (Q ₁₁) verbunden ist und ein anderes Ende aufweist;
eine Stromquelle (I _{CS 11}), die zwischen dem anderen Ende der zweiten Reihenverbindung (200) und der negativen Spannungs­ versorgungsleitung (V _EE ) liegt, wobei die Dioden in der zweiten Reihenverbindung in Durchlaßrichtung vorge­ spannt sind, wenn das Eingangssignal auf dem hohen logi­ schen Pegel liegt;
eine Spannungsquelle, die eine Bezugsspannung (V _ref ) er­ zeugt;
einen Klemmtransistor (Q ₁₂), dessen Kollektor mit der Masse­ leitung (GND) verbunden ist, dessen Basis die Bezugsspan­ nung (V _ref ) aufnimmt und dessen Emitter mit dem anderen Ende der zweiten Reihenverbindung (200) verbunden ist; und
eine Vergleichsvorrichtung zum Vergleichen der Spannung am anderen Ende der zweiten Reihenverbindung (200) mit der Bezugsspannung (V _ref ), wobei die Vergleichsvorrichtung ge­ speist wird durch die Versorgungsspannung zwischen der ne­ gativen Spannungsversorgungsleitung (V _EE ) und der Masse­ leitung (GND), und wobei sie ein Ausgangssignal als Ergeb­ nis des Vergleichs erzeugt.

2. Signalpegelkonverter nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Vergleichsvorrichtung einen Ausgangsanschluß (OUT) aufweist und einen Differential­ verstärker mit einem ersten Eingangsknotenpunkt, welcher die Spannung am anderen Ende der zweiten Reihenverbin­ dung (200) empfängt, einem zweiten Eingangsknotenpunkt, der die Bezugsspannung (V _ref ) empfängt und einem Aus­ gangsknotenpunkt, der mit dem Ausgangsanschluß (OUT) ver­ bunden ist.

3. Signalpegelkonverter nach Anspruch 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Vergleichsvorrichtung ferner eine Emitterfolgerstufe aufweist, deren Eingangs­ knotenpunkt mit dem Ausgangsknotenpunkt des Differential­ verstärkers verbunden ist und dessen Ausgangsknotenpunkt mit dem Ausgangsanschluß (OUT) verbunden ist.

4. Signalpegelkonverter nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Spannungsquelle eine dritte Reihenverbindung aus zwei Dioden (D ₉, D ₁₀) auf­ weist, deren eines Ende mit der Masseleitung (GND) ver­ bunden ist und ein Widerstandselement (R ₁₅), welches zwi­ schen dem anderen Ende der dritten Reihenverbindung und der negativen Spannungsversorgungsleitung (V _EE ) geschaltet ist, wobei die zwei Dioden in der dritten Reihenverbindung in Durchlaßrichtung vorgespannt sind und die Bezugsspannung (V _ref ) erzeugt wird am Verbindungspunkt zwischen der dritten Reihenverbindung und dem Widerstandselement (R ₁₅).

5. Signalpegelkonverter nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Dioden in der ersten und zweiten Reihenverbindung (100, 200) vier ist.

6. Signalpegelkonverter nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Dioden in der ersten und zweiten Reihenverbindung fünf ist.

7. Signalpegelkonverter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Dioden in der zweiten Reihenverbindung so gewählt ist, daß die Spannung am anderen Ende der zweiten Reihenverbindung (200) -V _F wird (wobei V _F die Durchlaßspannung der Dioden in der zweiten Reihenverbindung ist), wobei die Anzahl der Dioden in der ersten und zweiten Reihenverbindung (100 bzw. 200) die gleiche ist.

8. Signalpegelkonverter nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Signalpegel­ konverter als TTL-ECL-Signalpegelkonverter ausgebildet ist.

9. Signalpegelkonverter nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden in der ersten und zweiten Reihenverbindung so verbun­ den sind, daß sie in Durchlaßrichtung vorgespannt sind, wenn das Eingangs-TTL-Signal auf hohem logischem Pegel liegt, daß die Anzahl der Dioden in der zwei­ ten Reihenverbindung die Zahl ist, die erhalten wird durch Division der Gesamtspannung der Bezugsspannung und einer Schwellenspannung zum Entscheiden des logischen Pegels des Eingangs-TTL-Signals durch die Durchlaßspannung der Diode in der zweiten Reihen­ verbindung, und daß die Anzahl der Dioden in der ersten Reihenverbindung die gleiche Anzahl ist wie die der Dioden in der zweiten Reihenverbindung.

10. Signalpegelkonverter nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Bezugs­ spannung eine negative Spannung mit zweimal dem Wert der Durchlaßspannung der Diode in der zweiten Reihen­ verbindung ist, wobei die Anzahl der Dioden in der ersten und der zweiten Reihenverbindung jeweils vier ist.

11. Signalpegelkonverter nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Bezugs­ spannung eine negative Spannung mit zweimal dem Wert der Durchlaßspannung der Diode in der zweiten Reihen­ verbindung ist, wobei die Anzahl der Dioden in der ersten und der zweiten Reihenverbindung jeweils fünf ist.