DE1537116B2 - Schaltungsanordnung zur pegelunabhaengigen regenerierung einer maeanderfoermigen impulsfolge - Google Patents
Schaltungsanordnung zur pegelunabhaengigen regenerierung einer maeanderfoermigen impulsfolgeInfo
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Description
3 4
F i g. 2 die Pegel für einen der Anordnung züge- den gleich großen Entladewiderstände 9 und 10 für
führten Impuls, den Kondensator 8 ergibt sich dann zu
F i g. 3 eine praktisch ausgeführte Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung. _ IH_ _ ^ \ _ _L (/
Einander entsprechende Schaltelemente sind in 5 I 2 / 2 °2'
den Figuren mit dem gleichen Bezugszeichen versehen. Damit die Ausgangsamplitude des Begrenzers un-
den Figuren mit dem gleichen Bezugszeichen versehen. Damit die Ausgangsamplitude des Begrenzers un-
In F i g. 1 sind 1 und 2 zwei Transistoren vom glei- abhängig von dem sich mit der Eingangsamplitude
chen Leitfähigkeitstyp, deren Emitter miteinander ändernden Basispotential des Transistors 2 ist, soll
verbunden sind. Die beiden Transistoren bilden einen io die Zuführung des Gleichstroms zu den beiden mitemittergekoppelten
Begrenzer, dem die zu begren- einander verbundenen Emittern der Transistoren 1 zende Impulsfolge über einen Koppelkondensator 3 und 2 über ein Schaltelement mit hohem Wechselan
der Basis des ersten Transistors 1 von einer vor- strom widerstand erfolgen. Es ist zweckmäßig, wenn
zugsweise niederohmigen Quelle 4 zugeführt wird. dieses Schaltelement jedoch einen niedrigen Gleich-Außerdem
wird die Impulsfolge einer Spitzengleich- 15 stromwiderstand hat, damit der Spannungsbedarf der
richteranordnung mit den Dioden 6 und 7, dem Lade- Betriebsstromquelle für die Schaltungsanordnung
kondensator 8 und den Entladewiderständen 9 und nicht unnötig erhöht wird.
10 zugeführt. Die Diode 6 ist bei der eingezeichneten In F i g. 1 sowie in F i g. 3, welche eine ausgeführte
Impulsrichtung mit negativer Polarität der Impulse Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung zeigt, erwährend
des Impulsgrundes leitend und hält den Im- 20 folgt die Zuführung des Gleichstroms zu den Emitpulsgrund
auf einem Potential fest, das um den Be- tern der Transistoren 1 und 2 über einen Konstanttrag
der Durchlaßspannung + Ud der Diode 6 posi- Stromtransistor 11, dessen Basispotential in an sich
tiver als das Bezugspotential (z. B. Massepotential), bekannter Weise durch einen Spannungsteiler aus
wie aus F i g. 2 zu ersehen ist. Die zweite Diode 7, die den Widerständen 12 und 13 festgehalten wird,
in umgekehrter Richtung angeschlossen ist, ist wäh- 25 Die niederohmige Quelle für die dem Begrenzer rend des Impulsdaches leitend und lädt den Konden- zugeführten Impulse wird in der Schaltungsanordsator 8 auf eine gegenüber dem Bezugspotential nega- nung nach F i g. 3 durch einen Transistor 14 gebildet, tive Spannung U0 2 auf, die sich um den Betrag der an dessen Emitter die Impulsfolge an einem Emitter-Durchlaßspannung Ud der Diode 7 vom Potential des widerstand 15 abgenommen und an den Konden-Impulsgrundes unterscheidet. 30 sator 3 angelegt wird. Die Zuführung der Impulsfolge
in umgekehrter Richtung angeschlossen ist, ist wäh- 25 Die niederohmige Quelle für die dem Begrenzer rend des Impulsdaches leitend und lädt den Konden- zugeführten Impulse wird in der Schaltungsanordsator 8 auf eine gegenüber dem Bezugspotential nega- nung nach F i g. 3 durch einen Transistor 14 gebildet, tive Spannung U0 2 auf, die sich um den Betrag der an dessen Emitter die Impulsfolge an einem Emitter-Durchlaßspannung Ud der Diode 7 vom Potential des widerstand 15 abgenommen und an den Konden-Impulsgrundes unterscheidet. 30 sator 3 angelegt wird. Die Zuführung der Impulsfolge
Das Spannungsniveau, bei welchem eine doppel- erfolgt an der Basis des Transistors 14 über einen
seitige Begrenzung durch die aus den beiden emitter- Kondensator 16 und den Basiswiderstand 17.
gekoppelten Transistoren 1 und 2 bestehenden Be- Die beiden Transistoren des Begrenzers 1 und 2
grenzer erfolgt, ist mit dem Basispotential des Tran- sind vom gleichen Leitfähigkeitstyp, vorzugsweise
sistors 2 identisch. Damit diese Begrenzung bei 50 % 35 vom NPN-Typ.
der Impulsamplitude erfolgt, wird das Basispotential In der Schaltungsanordnung nach F i g. 3 wurden
des Transistors 2 dadurch auf das Potential der hai- die folgenden Schaltelemente verwendet:
ben Impulsamplitude gebracht, daß der Entladewiderstand für den Kondensator 8 aus zwei gleich Widerstände 9,10 je 1OkQ
ben Impulsamplitude gebracht, daß der Entladewiderstand für den Kondensator 8 aus zwei gleich Widerstände 9,10 je 1OkQ
großen Widerständen 9 und 10 besteht, deren Ver- 40 Widerstand 1δ' 4 7kQ
bindungsstelle an die Basis des Transistors2 ange- „,., ΛΛ-
' , n
schlossen ist. Widerstand 17 22 kQ
Das begrenzte impulsförmige Signal wird im. KoI- Widerstände 12, 13, 18, 5 IkQ
lektorkreis des zweiten Transistors 2 am Kollektor- Kondensatoren 3, 8 je 22 μΡ
widerstand 5 abgenommen. 45 Kondensator 16 4,7 μΡ
Wie aus F i g. 2 zu entnehmen ist, beträgt die Span- Kondensator 20 0 1 μΡ
nung Uc 2 am Kondensator8 gegenüber dem Bezugs- „ ι-,ϋ
τ>'<~ί no ^
potential -(H-2 Ud). Die Spannung gegenüber dem Transistoren 1, 2,11 BC 108 C
Bezugspotential für die halbe Impulsamplitude L/so°/o Transistor 14 3 N 3906
an der Verbindungsstelle der beiden in Reihe liegen- 50 Dioden 6, 7 IN914
Claims (4)
1. Schaltungsanordnung zur pegelunabhängi- anderen Eingang des Begrenzers zugeführt wird.
gen Regenerierung einer mäanderförmigen Im- 5 Aus der Zeitschrift »Rundfunktechnische Mitteipulsfolge,
insbesondere der in der Fernsehtechnik lungen«, 1963, S. 23, ist eine ähnliche Schaltung als
verwendeten Synchronimpulsfolge, ohne Verän- Amplitudensieb für ein BAS-Signal mit Abschneidederung
der Halbwertdauer durch Herausschnei- niveau-Automatik bekannt, wobei das Potential der
den eines kleinen Amplitudenbereiches bei 50 °/o hinteren Schwarzschulter über einen getasteten Schalder
Impulsamplitude und nachfolgenden Verstär- io ter auf den Speicherkondensator übertragen wird,
kung, wobei an den einen Eingang eines aus zwei Der dafür erforderliche Tastimpuls wird von der
Transistoren vom gleichen Leitfähigkeitstyp be- Rückfront des S-Signals am Amplitudensiebausgang
stehenden emittergekoppelten doppelseitigen Be- hergeleitet, wodurch der Speicherkondensator in Abgrenzers
mit Hilfe eines Koppelkondensators und hängigkeit vom Ausgangssignal aufgeladen wird. Das
einer ersten Diode der eine Extremwert der Im- 15 hat jedoch den Nachteil, daß diese bekannte Schalpulsfolge
auf einem Bezugspotential festgehalten tungsanordnung oftmals nicht sofort und einwandfrei
wird, während der andere Extremwert über ein anläuft.
Halbleiterelement auf einem Ladekondensator ge- Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Schalspeichert
wird, dessen Potential über einen aus tungsanordnung zur pegelunabhängigen Regeneriezwei
gleichen Widerständen bestehenden Span- 20 rung einer mäanderförmigen Impulsfolge, insbesonnungsteiler
abgegriffen und vom Verbindungs- dere der in der Fernsehtechnik verwendeten Synpunkt
der beiden Widerstände dem anderen Ein- chronimpulsfolge, ohne Veränderung der Halbwertgang
des Begrenzers zugeführt wird, dadurch dauer durch Herausschneiden eines kleinen Ampligekennzeichnet,
daß der Ladekondensator tudenbereiches bei 50°/o der Impulsamplitude und
(8) während des anderen Extremwertes der Im- 25 nachfolgende Verstärkung anzugeben, welche exakt
pulsfolge über eine zweite Diode (7) mit etwa anläuft und arbeitet.
gleicher Durchlaßspannung wie die erste Diode Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei der eingangs
(6) aufgeladen wird und daß der Spannungsteiler genannten Schaltungsanordnung zur pegelunabhän-(9,
10) an den Verbindungspunkt der zweiten gigen Regenerierung einer mäanderförmigen Impuls-Diode
(7) mit dem Ladekondensator (8) direkt 30 folge der Ladekondensator während des anderen Exangeschlossen
ist. tremwertes der Impulsfolge über eine zweite Diode
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, da- mit etwa gleicher Durchlaßspannung wie die erste
durch gekennzeichnet, daß die Zuführung des Diode aufgeladen, wobei der Spannungsteiler an den
Gleichstroms zu den beiden miteinander verbun- Verbindungspunkt der zweiten Diode mit dem Ladedenen
Emittern der Begrenzertransistoren (1, 2) 35 kondensator direkt angeschlossen ist.
über ein Schaltelement (11) mit niedrigem Gleich- Da der Speicherkondensator bei der erfindungsge-
strom- und hohem Wechselstromwiderstand vor- mäßen Schaltungsanordnung über die Diode nur mit
genommen ist. ... dem Eingang des Begrenzers verbunden ist, so wird
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 und dieser Kondensator auch nur in Abhängigkeit von der
2, dadurch gekennzeichnet, daß das Ausgangs- 40 Eingangsimpulsfolge aufgeladen. Das hat den Vorsignal
an einem Widerstand (5) im Kollektorkreis teil, daß die erfmdungsgemäße Schaltungsanordnung
des in Basisschaltung arbeitenden Transistors (2) einwandfrei anläuft und wegen der Verarbeitung nur
abnehmbar ist. der Synchronimpulsfolge wesentlich weniger Auf-
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, da- wand erfordert als die bekannte Schaltung.
durch gekennzeichnet, daß die Impulsfolge einer 45 Es ist günstig, wenn die Zuführung des Gleich-Quelle
(4) mit niedrigem Innenwiderstand ent- Stroms zu den beiden miteinander verbundenen Emitnommen
ist. tern der Begrenzertransistoren über ein Schaltele
ment mit niedrigem Gleichstrom- und hohem Wechselstromwiderstand vorgenommen wird. Die der
50 Schaltungsanordnung zugeführten Impulse werden
mit Vorteil einer Quelle mit niedrigem Innenwiderstand entnommen.
Ein bevorzugtes Anwendungsgebiet der erfindungs-
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung gemäßen Schaltungsanordnung ist die Fernsehtechzur
pegelunabhängigen Regenerierung einer mäan- 55 nik. Die Breite der Synchron- und Austastimpulse in
derförmigen Impulsfolge, insbesondere der in der einem Fernsehsignal ist international genormt, wobei
Fernsehtechnik verwendeten Synchronimpulsfolge, die Breite bei 50% der Impulsamplitude gemessen
ohne Veränderung der Halbwertdauer durch Heraus- wird. Zum Beispiel sind den Impulseingängen von
schneiden eines kleinen Amplitudenbereiches bei Fernseh-Studiogeräten Begrenzer nachgeschaltet, da-
°/o der Impulsamplitude und nachfolgende Ver- 60 mit unabhängig von der Form und Größe der den
Stärkung, wobei an den einen Eingang eines aus Geräten zugeführten Impulse regenerierte Impulse
zwei Transistoren vom gleichen Leitfähigkeitstyp mit der gleichen Halbwertdauer wie die zugeführten
bestehenden emittergekoppelten doppelseitigen Be- Impulse erhalten werden.
grenzers mit Hilfe eines Koppelkondensators und Die Erfindung soll nunmehr mit Hilfe der Auseiner
ersten Diode der eine Extremwert der Impuls- 65 führungsbeispiele darstellenden Figuren genauer befolge
auf einem Bezugspotential festgehalten wird, schrieben werden. Von diesen zeigt während der andere Extremwert über ein Halbleiter- F i g. 1 eine Prinzipschaltung der erfindungsgemä-
element auf einem Ladekondensator gespeichert wird, ßen Schaltungsanordnung,
Applications Claiming Priority (1)
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DEF0053360 | 1967-08-30 |
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DE (1) | DE1537116B2 (de) |
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- 1967-08-30 DE DE19671537116 patent/DE1537116B2/de not_active Withdrawn
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