DE3539794C2 - - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein einen Transistor und insbesondere einen Dünnfilm-Transistor (Dünnschicht-Transistor; normalerweise abgekürzt als TFT bezeichnet) mit einer Bauweise, die auf eine Ver­ besserung des Ertrags bei der Fertigung desselben ab­ zielt.

In neuerer Zeit werden auf dem Gebiet der Flüssigkri­ stall-Anzeige mit aktiver Matrix sehr nachhaltige Untersuchungen über Substrate der aktiven Matrix durch­ geführt, worin Dünnfilm-Transistoren in Form einer Matrix auf einem isolierenden Substrat ausgebildet werden. Als Halbleiter-Materialien für diesen Zweck stehen Poly-Si, a-Si, Te, CdSe etc. zur Verfügung.

In Fig. 5 sowie in in Fig. 4, die einen Querschnitt längs der Geraden IV-IV der Fig. 5 zeigt, ist ein Beispiel eines herkömmlichen Dünnfilm-Transistors TFT, bei dem a-Si verwendet ist, dargestellt, worin eine Gate-Verdrahtung 3 zur Verbindung von Gate-Elektroden 2 auf einem Glas-Susbtrat 1 vermittels eines metallischen Materials wie Ta, Mo, Ti, Al oder dergleichen in einer Filmdicke von 20 bis 300 nm (200 bis 3000 Å) gebildet ist. Die Gate-Verdrahtung 3 ist mit einem verzweigten Teil 3a versehen, und der Dünnfilm-Transistor TFT ist auf diesem verzweigten Teil 3a als dem Mittelpunkt ge­ bildet. Über der Gate-Elektrode 2 ist ein Gate-Isolier­ film 4 (in Fig. 5 nicht abgebildet) aus Siliciumnitrid (hiernach als SiNx bezeichnet) in einer Dicke von 100 bis 200 nm (1000 bis 2000 Å) mittels eines Plasma- Verfahrens der chemischen Abscheidung aus der Dampf­ phase (CVD-Verfahren) gebildet. Weiterhin gebildet auf dem Gate-Isolierfilm 4 ist mittels des Plasma-CVD-Ver­ fahrens eine Schicht 5 aus a-Si in einer Dicke von 100 bis 300 nm (1000 bis 3000 Å). Eine Source-Verdrahtung 7 zur Verbindung der Source-Elektroden 6 wird so ausge­ bildet, daß sie die Gate-Verdrahtung 3 unter rechten Winkeln schneidet. Die Source-Elektrode 6 und eine Drain-Elektrode 8 werden beide aus einem metallischen Material wie Ta, Mo, Ti, Al oder dergleichen in einer Dicke von 200 bis 1000 nm (2000 bis 10 000 Å) gebil­ det. Im Zusammenhang mit dem Vorstehenden wird vorzugs­ weise ein anderer mit Phosphor dotierter a-Si-Film 9 in einer Dicke von 50 bis 200nm (500 bis 2000 Å) zwi­ schen der Source-Elektrode 6 und der Drain-Elektrode 8 und dem a-Si-Film 5 so angeordnet, daß dazwischen Ohm′scher Kontakt erzielt wird. In der Weise wie oben beschrieben werden die Dünnfilm-Transistoren TFT in der Form eines Musters an den jeweiligen Schnittstellen zwischen der Gate-Verdrahtung 3 und der Source-Verdrah­ tung 7 gebildet. Obwohl sie nicht speziell dargestellt sind, sind den jeweiligen Dünnfilm-Transistoren TFT entsprechende Bildelement-Elektroden so ausgebildet, daß sie mit den Drain-Elektroden 8 Kontakt haben.

In einem Substrat der aktiven Matrix, bei dem die Dünnfilm-Transistoren eingesetzt werden, werden die betreffenden Schnittstellen mittels eines linearen Ab­ folge-Systems betrieben. Im einzelnen werden Abtast- Signale von einer abzutastenden Gate-Verdrahtung ange­ legt, während Daten-Signale von jeder Source-Verdrah­ tung her eingegeben werden. Es gibt eine große Zahl von Schnittstellen zwischen den Gate-Verdrahtungen und den Source-Verdrahtungen, beispielsweise an 62 500 Stellen in einer Matrix von 250×250. Wenn zwischen Gate und Source ein Leckverlust nur an einer einzigen Stelle einer derart großen Zahl von Schnittstellen auftritt, entsteht unvermeidlich ein Zeilenfehler in Form eines Kreuzes an der äquivalenten Gate-Verdrahtung und Source-Verdrahtung, was dazu führt, daß die Anzeige für die tatsächliche praktische Anwendung nicht brauchbar ist, wodurch der Ertrag des Substrats der aktiven Matrix auf Null reduziert wird. Dementsprechend wird mit der Zunahme der Gate-Verdrahtungen und Source-Ver­ drahtungen eine positive wirksame Isolierung zwischen Gate und Source in zunehmendem Maße benötigt.

Wie in dem in Fig. 4 und 5 dargestellten Dünnfilm- Transistor, wo der Gate-Isolierfilm nur aus einer Schicht des Dünnfilms 4 besteht, ist es außerordentlich schwierig, die Leckverluste zwischen Gate und Source, die infolge der Anwesenheit von Fremdstoffen, Nadel­ stich-Löchern etc. stattfinden, auf Null zu verringern. Als Gegenmaßnahme gegen die obigen Nachteile hat man eine praktische Maßnahme vorgeschlagen, bei der ein aus zwei Schichten bestehender Film aus einem Film aus anodisiertem Gate-Metall und einem durch Plasma-CVD erhaltenen SiNx-Film eingesetzt wird. Ein Film aus Tan­ talpentoxid, das durch Anodisieren von Tantal erhalten wird, ist sowohl chemisch als auch physikalisch sehr stabil und ist dadurch gekennzeichnet, daß er eine Dielektrizitätskonstante besitzt, die größer ist als diejenige eines Materials aus der Silicium-Gruppe. Da überdies der anodisierte Film durch eine Reaktion in einer Lösung gebildet wird, ergibt sich ein Vorteil dahingehend, daß selbst in den Fällen, in denen Nadel­ löcher, Risse, Fremdstoffe etc. in dem Gate-Metall vor­ liegen, diese Teile anodisiert und aufgrunddessen durch ein Isoliermaterial bedeckt werden.

Fig. 6 zeigt ein Beispiel eines Dünnfilm-Transistors TFT, in dem Tantal als Gate-Metall eingesetzt wird, während als Gate-Isolierfilm ein Doppelschicht-Film aus durch Anodisieren gebildetem Tantalpentoxid und ein durch Plasma-CVD gebildeter SiNx-Film eingesetzt wird. Dieser Dünnfilm-Transistor der Fig. 6 umfaßt ein iso­ lierendes Substrat 1 sowie eine Gate-Elektrode 11 aus Tantal, einen Film 12 aus anodisiertem Tantal, einen durch Plasma-CVD gebildeten SiNx-Film 13, eine Halb­ leiter-Schicht 14, eine Source-Verdrahtung 15 und eine Drain-Elektrode 16, die sämtlich nacheinander in der obigen Reihenfolge auf das isolierende Substrat 1 auf­ laminiert sind. Obwohl in dem Dünnfilm-Transistor der Fig. 6 die Leckverluste im Vergleich zu denjenigen eines Dünnfilm-Transistors der in Fig. 4 dargestellten Bauweise in starkem Maße vermindert sind, ist jedoch nach wie vor der Ertrag bei der Fertigung desselben noch nicht günstig.

Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben vermit­ tels der "Kupfer-Dekorationsmethode" den Ursachen der obigen Nachteile nachgeforscht und dabei gefunden, daß Leckverluste zwischen Gate und Source sehr häufig an den Teilen auftreten, wo Kanten von Gate und Source einander schneiden (d. h. in den gestrichelten Teilen der Fig. 5), und daß in einem Teil, wo ein Halbleiter- Film zwischen einer Gate-Elektrode und einer Source- Elektrode vorhanden ist, der Grad des Auftretens von Leck-Verlusten weit geringer ist als in einem solchen Teil, wo kein Halbleiter-Film zwischen ihnen vorliegt. Es wird angenommen, daß die vorstehende Erscheinung der Tatsache zuzuschreiben ist, daß, wie in Fig. 7 darge­ stellt ist, da der anodisierte Film 12 der Gate-Elek­ trode 11 aus Tantal isotrop wächst, die Kanten der Gate-Elektrode 11 einen beträchtlich spitzen Winkel aufweisen und der darüber laminierte SiNx-Film 13 an solchen Kantenteilen sehr dünn wird, woraus eine Ver­ ringerung der Stehspannung für den Gate-Isolierfilm folgt. Die Erscheinung kann auch der Tatsache zuge­ schrieben werden, daß der Gate-Isolierfilm seiner Natur nach an ebenen Stellen und an Stufen-Teilen unter­ schiedlich ist und daß hinsichtlich der Isolierwirkung die Stufen-Teile den ebenen Stellen unterlegen sind.

Aus JP-59-6 578 (A) in: Patents Abstracts of Japan, Sec­ tion E, Vol. 8, 1984, No. 88 (E-24) ist ein Dünnfilm­ transistor mit einem isolierenden Substrat bekannt, bei dem eine Gate-Elektrode G, ein Gate-Isolierfilm 2, ein Halbleiterfilm AS, eine Source-Elektrode S und eine Drain-Elektrode D in der aufgeführten Reihenfolge in Form eines Musters auf das isolierende Substrat auf­ laminiert sind und bei dem der Halbleiter-Film an jeder Schnittstelle zwischen der Gate-Elektrode und der Source- bzw. der Drain-Elektrode aufgebracht ist.

Ein Dünnfilm-Transistor mit einer Gate-Elektrode aus Tantal und einem Gate-Isolierfilm in Form einer Doppel­ schicht-Anordnung ist aus DE 33 06 535 A1 bekannt.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht dem­ gegenüber darin, einen Dünnfilm-Transistor verfügbar zu machen, bei dem die Schnittstellen zwischen den Kanten­ teilen der Gate-Verdrahtung und der Source-Verdrahtung auf ein Minimum reduziert werden.

Dementsprechend ist es ein wesentliches Ziel der vor­ liegenden Erfindung, einen verbesserten Dünnfilm-Tran­ sistor verfügbar zu machen, der eine solche Bauweise hat, daß sie eine Verbesserung des Fertigungsertrags desselben ermöglicht.

Ein weiteres wichtiges Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, einen Dünnfilm-Transistor des oben beschriebe­ nen Typs verfügbar zu machen, der in seiner Bauweise einfach und in seiner Funktion beständig ist und sich leicht in großem Maßstab unter niedrigen Kosten ferti­ gen läßt.

Dieses und andere Ziele werden gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dadurch er­ reicht, daß ein Dünnfilm-Transistor verfügbar gemacht wird, der ein isolierendes Substrat sowie eine Gate- Elektrode, einen Gate-Isolierfilm, einen Halbleiter- Film, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode umfaßt, die sämtlich in der aufgeführten Reihenfolge in Form eines Musters auf das isolierende Substrat auf­ laminiert sind, wobei die Gate-Elektrode aus Tantal besteht, der Gate-Isolierfilm in Form einer Doppel­ schicht-Anordnung aus einem Film aus anodisiertem Tan­ tal und einem Siliciumnitrid-Film gebildet ist und der Halbleiterfilm an jeder Schnittstelle zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode aufgebracht ist, und der dadurch gekennzeichnet ist, daß die Source-Elektrode auf der Gate-Elektrode so ausgebildet ist, daß sie auf Kantenteilen der Gate-Elektrode nicht überlagert ist.

Die weitere Ausgestaltung der Erfindung ist den An­ sprüchen 2 bis 12 zu entnehmen.

Aufgrund der oben beschriebenen Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung sind die Schnittstellen zwischen Kantenteilen der Gate-Verdrahtung und der Source-Ver­ drahtung auf das Minimum verringert, und die Stehspan­ nung an den Kantenteilen ist dadurch erhöht, daß an den Teilen, an denen die Kanten der Gate-Elektrode und die Source-Elektrode einander schneiden (d. h. an den obigen Kanten-Teilen), der Halbleiter-Film angeordnet ist, während durch Verhinderung einer Erosion des SiNx-Films an solchen Teilen durch ein Ätzmittel zum Ätzen des Halbleiter-Films die Erzeugung von Leckverlusten zwi­ schen Gate und Source unterdrückt wird, wodurch die Ausbeute an Dünnfilm-Transistoren erhöht wird.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnungen erläutert.

Fig. 1 zeigt eine Teilansicht von oben auf einen Dünn­ film-Transistor gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 zeigt eine Ansicht ähnlich derjenigen der Fig. 1 einer anderen Ausführungsform derselben;

Fig. 3(a) bis (d) sind schematische Querschnitt-Dia­ gramme längs der Geraden III-III in Fig. 1 oder III′-III′ in Fig. 2 zur Erläuterung des Fertigungsver­ fahrens für die Ausführungsformen der vorliegenden Er­ findung,;

Fig. 4 ist eine seitliche Schnittansicht eines herkömm­ lichen a-Si-Schicht-Dünnfilm-Transistors längs der Geraden IV-IV in Fig. 5 (auf die bereits verwiesen wurde);

Fig. 5 zeigt eine Teilansicht von oben auf den Dünn­ film-Transistor der Fig. 4 (auf die bereits verwiesen wurde);

Fig. 6 ist eine seitliche Schnittansicht eines herkömm­ lichen Dünnfilm-Transistors, bei dem ein Doppelschicht- Film als Gate-Isolierfilm verwendet wurde (worauf bereits verwiesen wurde); und

Fig. 7 zeigt eine Ansicht ähnlich derjenigen der Fig. 6 zur speziellen Erläuterung eines Nachteils des Dünnfilm-Transistors der Fig. 6.

In der gesamten Beschreibung und den Zeichnungen sind gleiche Teile durch die gleichen Bezugszahlen bezeich­ net.

In Fig. 1 und Fig. 2 sind Dünnfilm-Transistoren gemäß bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfin­ dung dargestellt.

In der Ausführungsform der Fig. 1 ist eine Source-Ver­ drahtung 111 in einem Teil in Form einer doppelten Ver­ drahtung 111a und 111b ausgebildet, und der Dünnfilm- Transistor TFT wird gebildet durch die eine Verdrahtung 111b der doppelten Verdrahtung und einem an einer Gate-Verdrahtung 112 angebrachten Ast 112a. Im einzelnen erstreckt sich die doppelte Verdrahtung 111a und 111b parallel zueinander, wobei ein Kantenteil 112b des Astes 112a der Gate-Verdrahtung 112 dazwischen angeord­ net ist, ohne daß die Verdrahtung 111a, 111b auf dem Kantenteil 112b überlagert ist. Somit wird in einem Dünnfilm-Transistor die Source-Elektrode so auf der Gate-Elektrode ausgebildet, daß sie auf den Kantenteilen der Gate-Elektrode nicht überlagert ist. In der vorstehenden Bauweise sind die Schnittstellen (d. h. die gestrichelten Teile in Fig. 1) zwischen den Kantenteilen 112b der Gate-Verdrahtung 112 und der Source-Verdrahtung 111 auf ein Minimum verrin­ gert. Es ist hier anzumerken, daß die doppelte Verdrah­ tung deshalb zum Einsatz kommt, da die Strom-Kapazität durch den Ast 112a allein, der den Dünnfilm-Transistor bildet, nicht ausreichend ist.

In der Ausführungsform der Fig. 2 ist die Gate-Verdrah­ tung 121 so angeordnet, daß sie keinen Verzweigungsteil aufweist, während die Source-Verdrahtung 122 mit einem Ast 122a versehen ist, der sich in Richtung längs der Gate-Verdrahtung 121 erstreckt, und der Dünnfilm- Transistor wird auf diesem Seitenast 122a gebildet. In der obigen Bauweise wird die Breite der Leitung für den Seitenast 122a schmaler bemessen als die Breite der Leitung für die Gate-Verdrahtung 121, um die Schnitt­ stellen (d. h. die gestrichelten Teile in Fig. 2 zwi­ schen den Kantenteilen der Gate-Verdrahtung 121 und der Source-Verdrahtung 122 auf ein Minimum zu verringern.

Darüber hinaus ist in jeder der Anordnungen der Fig. 1 und Fig. 2 der Halbleiter-Film 113 oder 123 an jeder Schnittstelle zwischen der Gate-Verdrahtung und Source- Verdrahtung angebracht, und eine Drain-Elektrode 114 oder 124 ist ebenfalls vorhanden. Dementsprechend gibt es keinen Bereich, in dem zwischen Gate und Source allein der Gate-Isolierfilm vorliegt.

Obwohl über einen Dünnfilm-Transistor mit einer Bau­ weise berichtet wurde, die sich nur des SiNx-Films als des Gate-Isolierfilms bedient, ohne daß irgendein anodisierter Film zum Einsatz kommt, und Halbleiter- Filme an sämtlichen Schnittstellen zwischen Gate-Ver­ drahtung und Source-Verdrahtung bereitstellt (vorläu­ figer Entwurf (YOKOSHU) Nr. CPM-83-42 (1983), Denkitsu­ shin Gakkai of Japan, von Ikeda, Takesada, Namida und Okita), haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung in Experimenten herausgefunden, daß die Leckverluste zwischen Gate und Source nicht in hinreichendem Maße herabgesetzt werden, sofern nicht der Doppelschicht- Film, in dem der anodisierte Film und der SiNx-Film zu einem Gate-Isolierfilm kombiniert werden, wie in der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden. Die vorste­ henden Tatsachen lassen erkennen, daß der durch die Reaktion in der Lösung gebildete anodisierte Film dahingehend wirksam ist, daß er die durch Fremdstoffe, Nadellöcher, Risse etc. auf bzw. in dem Gate-Material erzeugten Leckverluste unterdrückt.

In den Dünnfilm-Transistoren gemäß der vorliegenden Erfindung mit den Bauweisen, wie sie in Fig. 1 und Fig. 2 dargestellt sind, sind die Schnitt-Teile (d. h. die gestrichelten Teile) zwischen den Kantenteilen der Gate-Verdrahtung und der Source-Verdrahtung in hohem Maße verringert im Vergleich zu denjenigen eines herkömmlichen Dünnfilm-Transistors in den Fig. 4 und 5, wobei der Halbleiter-Film an sämtlichen Schnittstellen zwischen Gate und Source angebracht ist, wodurch es möglich geworden ist, die Leckverluste zwischen Gate und Source in bemerkenswertem Maße zu reduzieren.

Die bisher anhand der Fig. 1 und Fig. 2 beschriebenen Dünnfilm-Transistoren der vorliegenden Erfindung werden in der Weise gefertigt, wie sie in den Fig. 3(a) bis 3(d) aufgezeigt wird.

An erster Stelle wird eine Tantal-Schicht mit einer Dicke von 200 nm (2000 Å) durch Aufstäuben auf die gesamte Oberfläche eines Glas-Substrats 131 aufgebracht und durch ein Verfahren des Heiß-Ätzens in die Form einer Gate-Verdrahtung 112 oder 121 gebracht, wie in Fig. 1 oder Fig. 2 gezeigt ist, wodurch die Gate-Elek­ trode 132 entsprechend der Darstellung in Fig. 3(a) hergestellt wird. Danach wird die Tantal-Schicht anodisiert, wodurch die oxidierte Tantal-Schicht 132′ gebildet wird. Dann wird, wie in Fig. 3(b) gezeigt ist, der SiNx-Film 133 in einer Dicke von 150 nm (1500 Å) als Isolierfilm mittels Plasma-CVD gebildet, und danach wird die a-Si-Schicht 134 in einer Dicke von 150 nm (1500 Å) über die gesamte Oberfläche als Halbleiter- Schicht aufgebracht. Anschließend wird mittels des gewöhnlichen Verfahrens des Heiß-Ätzens die a-Si­ Schicht 134 in ein Muster mit inselartigen Formen, wie sie durch 113 bzw. 123 in Fig. 1 bzw. Fig. 2 bezeichnet sind, umgewandelt. Danach wird die mit Phosphor dotier­ te a-Si-Schicht 135 in einer Dicke von 100 nm (1000 Å) mittels des Plasma-CVD-Verfahrens gebildet, wonach eine Ti-Schicht 136 in einer Dicke von 100 nm (1000 Å) und eine Al-Schicht 137 in einer Dicke von 200 nm (2000 Å) mittels eines Vakuum-Aufdampfverfahrens aufgebracht werden.

Wie in den Fig. 3(c) oder 3(d) dargestellt ist, werden danach die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode in der Form von Mustern gebildet, die der Source-Verdrah­ tung 111 oder 122 und der Drain-Elektrode 114 oder 124 in Fig. 1 oder Fig. 2 entsprechen.

Wie aus der vorhergehenden Beschreibung deutlich wird, läßt sich aufgrund einer einfachen Bauweise ein Dünn­ film-Transistor mit hoher Fertigungsausbeute auf effiziente Weise in großem Maßstab zu niedrigen Kosten herstellen.

Claims (12)

1. Dünnfilm-Transistor mit einem isolierenden Substrat (131) sowie einer Gate-Elektrode (132), einem Gate- Isolierfilm (133), einem Halbleiter-Film (134), einer Source-Elektrode (111, 122) und einer Drain-Elektrode (114, 124), die sämtlich in der aufgeführten Reihen­ folge in Form eines Musters auf das isolierende Sub­ strat auflaminiert sind, wobei die Gate-Elektrode (132) aus Tantal besteht, der Gate-Isolierfilm (133) in Form einer Doppelschicht-Anordnung aus einem Film aus anodi­ siertem Tantal und einem Siliciumnitrid-Film gebildet ist und der Halbleiter-Film (134) an jeder Schnittstel­ le zwischen der Gate-Elektrode (132) und der Source- Elektrode (111, 122) aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Elektrode (111, 122) auf der Gate-Elektrode (132) so ausgebildet ist, daß sie auf Kantenteilen der Gate-Elektrode (132) nicht überlagert ist.

2. Dünnfilm-Transistor nach Anspruch 1, mit einem isolierenden Substrat (131),
einer auf der Oberseite des Substrats (131) im wesent­ lichen entlang einer ersten Richtung angeordneten Gate- Elektrode (132),
einem auf der Oberseite der Gate-Elektrode (132) ange­ ordneten Gate-Isolierfilm (133),
einem auf der Oberseite des Gate-Isolierfilms (133) an­ geordneten Halbleiter-Film (134),
einer auf der Oberseite des Halbleiter-Films (134) ange­ ordneten und sich im wesentlichen entlang einer zweiten Richtung erstreckenden Source-Elektrode (111, 122) und einer Drain-Elektrode (114, 124), die auf der Oberseite des Halbleiter-Films (134) angeordnet ist, ohne die Source-Elektrode (111, 122) zu durchschneiden,
dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Elektrode (111, 122) einen Verzweigungsteil aufweist, der im wesentli­ chen parallel zu der ersten Richtung verläuft und sich über einen ersten Teil des Halbleiter-Films (134) hinweg in solcher Weise erstreckt, daß der Zweig sich vollstän­ dig über der Gate-Elektrode (132) befindet und kein Teil des Zweigs über eine Kante der Gate-Elektrode (132) hin­ ausreicht.

3. Dünnfilm-Transistor nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Halbleiter-Film (134) ein Dünnfilm aus amorphem Silicium ist.

4. Dünnfilm-Transistor nach Anspruch 1, mit einem isolierenden Substrat (131),
einer Gate-Elektrode (132), die auf der Oberseite des Substrats (131) im wesentlichen entlang einer ersten Richtung angeordnet ist und einen Verzweigungsteil aufweist, der sich in einer zweiten Richtung in bezug auf diese erste Richtung erstreckt, wobei der Verzwei­ gungsteil wenigstens eine Kante hat,
einem auf der Oberseite der Gate-Elektrode (132) und des Verzweigungsteils angeordneten Gate-Isolierfilm (133),
einem auf dem Gate-Isolierfilm (133) angeordneten Halb­ leiter-Film (134),
einer auf der Oberseite des Halbleiter-Films (134) ange­ ordneten und sich im wesentlichen entlang einer zweiten Richtung erstreckenden Source-Elektrode (111, 122) und
einer Drain-Elektrode (114, 124), die auf der Oberseite des Halbleiter-Films (134) angeordnet ist, ohne die Source-Elektrode (111, 122) zu durchschneiden,
dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Elektrode (111, 122) eine Öffnung hat, die Drain-Elektrode (114, 124) sich über einen ersten Teil des Halbleiter-Films (134) hinweg erstreckt, der erste Teil des Halbleiter-Films (134) über einem ersten Teil des Verzweigungsteils der Gate-Elektrode (132) angeordnet ist,
die Source-Elektrode (111, 122) sich über einen zweiten Teil des Halbleiter-Films (134) hinweg erstreckt, der zweite Teil des Halbleiter-Films (134) über einem zweiten Teil des Verzweigungsteils der Gate-Elektrode (132) angeordnet ist,
und die Öffnung der Source-Elektrode (111, 122) über einem dritten Teil des Halbleiter-Films (134) angeordnet ist, wobei der dritte Teil des Halbleiter-Films (134) und die Öffnung der Source-Elektrode (111, 122) oberhalb der genannten einen Kante angeordnet sind und im wesentlichen die Gesamtheit dieser einen Kante umgeben.

5. Dünnfilm-Transistor nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Verzweigungsteil drei Kanten hat und die Source-Elektrode (111, 122) in solcher Weise ange­ ordnet ist, daß die Öffnung sich oberhalb einer ersten dieser Kanten befindet und die Source-Elektrode (111, 122) sich über den Verzweigungsteil hinweg zwischen dieser ersten Kante und einer zweiten Kante erstreckt, ohne über die erste Kante oder die zweite Kante hinaus­ zureichen.

6. Dünnfilm-Transistor nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die erste Kante und die zweite Kante in einer Richtung parallel zu der zweiten Richtung verlaufen.

7. Dünnfilm-Transistor nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die zweite Richtung rechtwinklig zu der ersten Richtung verläuft.

8. Dünnfilm-Transistor nach Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die erste Kante und die zweite Kante in einer Richtung parallel zu der zweiten Richtung ver­ laufen.

9. Dünnfilm-Transistor nach Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die erste Richtung rechtwinklig zu der zweiten Richtung verläuft und, daß die erste Kante und die zweite Kante in einer Richtung parallel zu der zweiten Richtung verlaufen.

10. Dünnfilm-Transistor nach Anspruch 1, mit einem isolierenden Substrat (131) ,
einer auf der Oberseite des Substrats (131) im wesent­ lichen entlang einer ersten Richtung angeordneten Gate- Elektrode (132),
einem auf der Oberseite der Gate-Elektrode (132) ange­ ordneten Gate-Isolierfilm (133),
einem auf der Oberseite des Gate-Isolierfilms (133) an­ geordneten Halbleiter-Film (134),
einer auf der Oberseite des Halbleiter-Films (134) ange­ ordneten und sich im wesentlichen entlang einer zweiten Richtung erstreckenden Source-Elektrode (111, 122) und
einer auf der Oberseite des Halbleiter-Films (134) ange­ ordneten Drain-Elektrode (114, 124),
dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Richtung recht­ winklig zu der ersten Richtung verläuft, eine der beiden Elektroden Source-Elektrode (111, 122) und Gate-Elektro­ de (132) einen Verzweigungsteil aufweist, der sich rechtwinklig dazu über einen Teil der anderen hinweg erstreckt, und die Drain-Elektrode (114, 124) parallel zu dem Verzweigungsteil verläuft und sich über die Gate- Elektrode (132) erstreckt, ohne die Source-Elektrode (111, 122) zu durchschneiden.

11. Dünnfilm-Transistor nach Anspruch 10, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Halbleiter-Film (134) ein Dünnfilm aus amorphem Silicium ist.

12. Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Transistor nach einem der Ansprüche 1 bis 11, umfassend die Schritte des Abscheidens einer ersten Schicht auf einem isolie­ renden Substrat (131),
des Formens der ersten Schicht zu einer Gate-Elektrode (132), wobei die Gate-Elektrode (132) eine erste Rich­ tung hat und einen sich in einer zweiten Richtung recht­ winklig zu der ersten Richtung erstreckenden Verzwei­ gungsteil mit zwei Kanten aufweist,
des Ausbildens eines Isolierfilms (133) auf der Gate- Elektrode (132),
des Abscheidens eines Halbleiter-Films (134) auf dem Isolierfilm (133) ,
des Abscheidens einer zweiten Schicht auf dem Halb­ leiter-Film,
des Formens der zweiten Schicht zu einer Source-Elek­ trode (111, 122) und einer Drain-Elektrode (114, 124), dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Elektrode so geformt wird, daß sie sich im wesentlichen längs der zweiten Richtung erstreckt und eine Öffnung enthält, wobei diese Öffnung oberhalb einer der beiden Kanten in solcher Weise angeordnet wird, daß die Source-Elektrode (111, 122) keine Überlappung mit den beiden Kanten des Verzweigungsteils aufweist.