JPS61116872A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
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- JPS61116872A JPS61116872A JP23965484A JP23965484A JPS61116872A JP S61116872 A JPS61116872 A JP S61116872A JP 23965484 A JP23965484 A JP 23965484A JP 23965484 A JP23965484 A JP 23965484A JP S61116872 A JPS61116872 A JP S61116872A
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、製造の歩留りの向上を図った構造を有する薄
膜トランジスタ(以下TPTと略す)に関する。
膜トランジスタ(以下TPTと略す)に関する。
(従来技術)
近年、液晶のアクティブマトリクス表示において、絶縁
性基板上にTPTをマトリクス状に形成したアクティブ
・マトリクス基板の研究が活発に行なわれている。半導
体材料として、ポリS1、a Si 、Te 、Cd
Se等がある。a−3i を用いたTPTの構造の一例
を第3図の部分断面図及び第4図の部分平面図に示す。
性基板上にTPTをマトリクス状に形成したアクティブ
・マトリクス基板の研究が活発に行なわれている。半導
体材料として、ポリS1、a Si 、Te 、Cd
Se等がある。a−3i を用いたTPTの構造の一例
を第3図の部分断面図及び第4図の部分平面図に示す。
第3図は、第4図のA−A線での断面を示す。ガラス基
板の上に、゛ゲート電極2,2.・・・を連結するゲー
ト配線3を膜厚2000−300OAのTa、Mo、T
i、A Q等の金属により形成する。ゲート配置3には
枝分れ部3aが設けられ、TFTは枝分れ部3aを中心
に形成される。ゲート絶縁膜4は、プラズマC■Dによ
って形成した膜厚11) 00〜2000人の窒化シリ
コン(以下SiNxと略す)膜である。(第4図におい
ては、図示しない。)a Si層5は、プラズマCV
Dによ+)膜厚1 (1(’l O〜30 fl t
l人に形成F7+、 ソース電ff1b + b 、
・・を連結するソース配fit7をゲート配線3に直ズ
して形成する。
板の上に、゛ゲート電極2,2.・・・を連結するゲー
ト配線3を膜厚2000−300OAのTa、Mo、T
i、A Q等の金属により形成する。ゲート配置3には
枝分れ部3aが設けられ、TFTは枝分れ部3aを中心
に形成される。ゲート絶縁膜4は、プラズマC■Dによ
って形成した膜厚11) 00〜2000人の窒化シリ
コン(以下SiNxと略す)膜である。(第4図におい
ては、図示しない。)a Si層5は、プラズマCV
Dによ+)膜厚1 (1(’l O〜30 fl t
l人に形成F7+、 ソース電ff1b + b 、
・・を連結するソース配fit7をゲート配線3に直ズ
して形成する。
ソース電極6とドレイン電極8とは、ともに膜厚2 t
l 11 fl −1f) l) 11 (l入のTa
、 Mo+ Ti、 A /’等の金属により形成す
る。なお、ソース11歳6及びドレイン電極8とa−8
i膜5の間に、リンをドープした膜厚500−211
+)0人のa−6i膜9を介在させると、ソース電極6
、ドレイン電極8とa Si層5とのオーミックコン
タクトがとれ、好ましい。こうして、ゲート配線3とソ
ース配線7との又点毎にTFTが7レイ状に形成される
6さらに、図示しないが、各TPTに対応する絵素電極
が、ドレイン電極8に接して形成される。
l 11 fl −1f) l) 11 (l入のTa
、 Mo+ Ti、 A /’等の金属により形成す
る。なお、ソース11歳6及びドレイン電極8とa−8
i膜5の間に、リンをドープした膜厚500−211
+)0人のa−6i膜9を介在させると、ソース電極6
、ドレイン電極8とa Si層5とのオーミックコン
タクトがとれ、好ましい。こうして、ゲート配線3とソ
ース配線7との又点毎にTFTが7レイ状に形成される
6さらに、図示しないが、各TPTに対応する絵素電極
が、ドレイン電極8に接して形成される。
(発明の解決すべき問題点)
T P Tを用いたアクティブ・マトリクス基板におい
ては、各2点は線順次方式で駆動される。すな澹〕も、
走査される一本のゲート配線から走査信、
;e″hl−・8′−″配置゛′
″sf’ FIN号81”)[する。ゲート配線とソ
ース配線とのZ点は多数存在する1例えば250X2S
Uマトリクスにおいては、6251) 11ケ所存在す
る。二の多数のZ、r、■:のうち1ケ所でもY−ト・
ソース間にリークが生じると必然的に該当するゲート配
線と・ノース配線での十字型のライン欠陥が発生し、実
用に耐えない表示となり、アクティブ・マトリクス基板
の歩留りはゼロとなる。ゲート配線とソース配線の数が
増すにつれ、ゲート・ソース間の絶縁の確実性が一層要
求される。
ては、各2点は線順次方式で駆動される。すな澹〕も、
走査される一本のゲート配線から走査信、
;e″hl−・8′−″配置゛′
″sf’ FIN号81”)[する。ゲート配線とソ
ース配線とのZ点は多数存在する1例えば250X2S
Uマトリクスにおいては、6251) 11ケ所存在す
る。二の多数のZ、r、■:のうち1ケ所でもY−ト・
ソース間にリークが生じると必然的に該当するゲート配
線と・ノース配線での十字型のライン欠陥が発生し、実
用に耐えない表示となり、アクティブ・マトリクス基板
の歩留りはゼロとなる。ゲート配線とソース配線の数が
増すにつれ、ゲート・ソース間の絶縁の確実性が一層要
求される。
第3図と第4図とに示したTPTのようにゲート絶縁膜
を一層のみの薄H4によって形成した場合には、異物、
ピンホール等の原因によって発生するゲート・ソース間
のリークをゼロ(こすることは極めて困難である。この
対策として、ゲート絶縁膜としてデーY金属の陽極酸化
膜とプラズマCVDによる5iNxlllとの二層膜を
用いる方法がある。タンタルを陽極酸化して得られる五
酸化タンタル膜は、化学的、物理的にきわめて安定であ
り、かつ、誘電率がシリコン系のものに比べて大きいこ
とが特徴である。また、陽極酸化膜は溶液中の反応によ
って生成するので、ゲート金属にピンホール、クラック
、異物などがある場合でも、その品分が陽極酸化されて
絶縁物に覆われるという利点がある。
を一層のみの薄H4によって形成した場合には、異物、
ピンホール等の原因によって発生するゲート・ソース間
のリークをゼロ(こすることは極めて困難である。この
対策として、ゲート絶縁膜としてデーY金属の陽極酸化
膜とプラズマCVDによる5iNxlllとの二層膜を
用いる方法がある。タンタルを陽極酸化して得られる五
酸化タンタル膜は、化学的、物理的にきわめて安定であ
り、かつ、誘電率がシリコン系のものに比べて大きいこ
とが特徴である。また、陽極酸化膜は溶液中の反応によ
って生成するので、ゲート金属にピンホール、クラック
、異物などがある場合でも、その品分が陽極酸化されて
絶縁物に覆われるという利点がある。
第5図に、ゲート金属にタンタルを用い、ゲート絶縁膜
として陽極酸化によって形成した五酸化タンタル膜とプ
ラズマCVDにより形成した5INxJllとの二MM
4を用いたTPTの一例を示す。
として陽極酸化によって形成した五酸化タンタル膜とプ
ラズマCVDにより形成した5INxJllとの二MM
4を用いたTPTの一例を示す。
ここで、11はタンタルによるゲート電極、12は陽極
酸化タンタル膜、13はプラズマCVDによるSiNx
膜、14は半導体膜、15はソース配線、16はドレイ
ン電極である。この構造のTPTにおいて、ゲート・ソ
ース間のリークは、第3図の構造のTPTに比べて大幅
に減少している。
酸化タンタル膜、13はプラズマCVDによるSiNx
膜、14は半導体膜、15はソース配線、16はドレイ
ン電極である。この構造のTPTにおいて、ゲート・ソ
ース間のリークは、第3図の構造のTPTに比べて大幅
に減少している。
しかし、この構造のTPTにおいても生産レベルの歩留
りはよくない0本発明者らは、この原因をカッパー・テ
゛コレーシaン法によって調べた結果、ゲート・ソース
間のリークはゲート電極2のニックとソース電極とが文
トる部分(第4図における斜線部分)に多発する二と、
及び、ゲート電極とソース電極の開に半導体膜が介在す
る箇所ではリーク発生の程度が半導体膜が介在しない箇
所上りらはるかに少ないことを見い出した。これは、第
6図に示すように、タンタル膜2Iの陽極酸化膜22が
等方的に1&長するので、ゲート電極21の二フッがか
なり急峻な角度を有し、この上に積層する5iNxli
23がこの二ツノ部分で極めて薄くなっているためと思
われる。
りはよくない0本発明者らは、この原因をカッパー・テ
゛コレーシaン法によって調べた結果、ゲート・ソース
間のリークはゲート電極2のニックとソース電極とが文
トる部分(第4図における斜線部分)に多発する二と、
及び、ゲート電極とソース電極の開に半導体膜が介在す
る箇所ではリーク発生の程度が半導体膜が介在しない箇
所上りらはるかに少ないことを見い出した。これは、第
6図に示すように、タンタル膜2Iの陽極酸化膜22が
等方的に1&長するので、ゲート電極21の二フッがか
なり急峻な角度を有し、この上に積層する5iNxli
23がこの二ツノ部分で極めて薄くなっているためと思
われる。
本発明の目的は、製造の歩留りの向上を図れる構造を有
するTPTを提供することである。
するTPTを提供することである。
(問題点を解決するための手段)
本発明に係る薄膜トランジスタは、絶縁性基板上にゲー
ト電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース電極・ドレイ
ン電極の順に積層して7レイ状に形IIL8れる薄膜ト
ランジスタにおいて、上記のゲート電極がタンタルがら
なり、上記のゲート絶縁膜が陽極酸化タンタル膜とSi
Nx膜との二層構造がちなり、がっ、上記のデー)?!
[とソース電極との交差部分にはすべて上記の半導体膜
を介在させたことを特徴とする特 fiV用及び発明の効果) 本発明は、ゲートtiのニックとソース電極とが2aす
る部分(上記のエッソ部分りに半導体膜を介在させるこ
とによりエツノ部分における1圧を高めるとともに、こ
の部分のSiNx膜が半導体膜をエツチングするエッチ
ャ/トによって浸食されることを防ぐことによってゲー
ト・ソース間のり−クの発生が抑11rされ、TPTの
歩留りを向上させる。
ト電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース電極・ドレイ
ン電極の順に積層して7レイ状に形IIL8れる薄膜ト
ランジスタにおいて、上記のゲート電極がタンタルがら
なり、上記のゲート絶縁膜が陽極酸化タンタル膜とSi
Nx膜との二層構造がちなり、がっ、上記のデー)?!
[とソース電極との交差部分にはすべて上記の半導体膜
を介在させたことを特徴とする特 fiV用及び発明の効果) 本発明は、ゲートtiのニックとソース電極とが2aす
る部分(上記のエッソ部分りに半導体膜を介在させるこ
とによりエツノ部分における1圧を高めるとともに、こ
の部分のSiNx膜が半導体膜をエツチングするエッチ
ャ/トによって浸食されることを防ぐことによってゲー
ト・ソース間のり−クの発生が抑11rされ、TPTの
歩留りを向上させる。
(実施例)
本発明の詳細を第1図のTPTの平面図によって′説明
する。ゲート配線32には、枝分れ部32aが設けられ
、TPTは、この枝分れ部32aを中心に形成される。
する。ゲート配線32には、枝分れ部32aが設けられ
、TPTは、この枝分れ部32aを中心に形成される。
第1図に示すように、ゲート配線32とソース配線39
の2差部分にはすべて半導体膜35を介在させる。この
ため、デーFとソースとの開にゲート絶縁膜しか存在し
ないという領域はない。なお40はドレイン電極である
。
の2差部分にはすべて半導体膜35を介在させる。この
ため、デーFとソースとの開にゲート絶縁膜しか存在し
ないという領域はない。なお40はドレイン電極である
。
概 尚、陽極酸化膜
を用いず、ゲート絶縁膜としてSiNx膜のみを用い、
ゲート配線とソース配線との交差部分すべてに半導体膜
を介在させる措逍のTPTは、すでに報告されている(
池田、武自、波圧、mm、電気通信学会予稿集43 (
1983) )。
を用いず、ゲート絶縁膜としてSiNx膜のみを用い、
ゲート配線とソース配線との交差部分すべてに半導体膜
を介在させる措逍のTPTは、すでに報告されている(
池田、武自、波圧、mm、電気通信学会予稿集43 (
1983) )。
しかし、本発明のごとくゲート絶縁膜として陽極酸化膜
とSiNx膜とを組み合せた二層膜を用いない場合には
、ゲート・ソース間のリークは十分には少なくならない
ことを本発明者らは実験的に見い出している。このこと
は、?8?Il中の反応によって形成する陽極酸化膜が
ゲート金属上の異物、ピンホール、クラック等によって
生じるゲート・ソース間のリークの抑止に対して有効で
あることを示している。
とSiNx膜とを組み合せた二層膜を用いない場合には
、ゲート・ソース間のリークは十分には少なくならない
ことを本発明者らは実験的に見い出している。このこと
は、?8?Il中の反応によって形成する陽極酸化膜が
ゲート金属上の異物、ピンホール、クラック等によって
生じるゲート・ソース間のリークの抑止に対して有効で
あることを示している。
次に、第1図に示した実権例の製造を、第2図(、)〜
(c)の断面図及び第1図の平面Mを用いて説明する。
(c)の断面図及び第1図の平面Mを用いて説明する。
(a) fラス基板31上にスバ7夕によりタンタル
層2000人を全面t:彼被着、ホトエツチングにより
第2図(、)のようにパターン化してゲート電極32と
する。(b)次に、タンタル層を陽極酸化して酸化タン
タルM33を形成する。ブラズvCVDによりSiNx
膜34を1s t+ 1) A、ひきつづきa Si
層を1500人全面に被着する。ホトエツチングによっ
てasilを第2図(b)のように島状35にパターン
1ヒする。(C)次に、プラズマCVDによりリンをド
ープしたa−81層36を1000人、ひ軽つづき真空
蒸着1こよりTi層37を1000人、へρ層38を2
000人被着する。次:こ、ホトエツチングlこより第
2図(C)のようにパターン化して、ソース電極39お
よびドレイン電極40とする。
層2000人を全面t:彼被着、ホトエツチングにより
第2図(、)のようにパターン化してゲート電極32と
する。(b)次に、タンタル層を陽極酸化して酸化タン
タルM33を形成する。ブラズvCVDによりSiNx
膜34を1s t+ 1) A、ひきつづきa Si
層を1500人全面に被着する。ホトエツチングによっ
てasilを第2図(b)のように島状35にパターン
1ヒする。(C)次に、プラズマCVDによりリンをド
ープしたa−81層36を1000人、ひ軽つづき真空
蒸着1こよりTi層37を1000人、へρ層38を2
000人被着する。次:こ、ホトエツチングlこより第
2図(C)のようにパターン化して、ソース電極39お
よびドレイン電極40とする。
本実施例においては、ゲート電極32とソース電極39
の交差部分には常にa−3i層35が介在しておりゲー
ト・ソース間のリークを防いでいる。’rFTをこの構
造にすることによりデーF・ソース間のリークを大幅に
減少させる二とができた。
の交差部分には常にa−3i層35が介在しておりゲー
ト・ソース間のリークを防いでいる。’rFTをこの構
造にすることによりデーF・ソース間のリークを大幅に
減少させる二とができた。
f51図は、本発明の実施例の図式的な部分平面し1で
ある6 第2し1(a)〜(c)は、本発明の実施例の製造にお
ける各工程を説明するための図式的な部分断面図である
。 第3図と第4図は、それぞれ、従来のa 5iTFT
の図式的な部分断面図と部分平面図である。 第5図は、二層構造のゲート絶縁膜を有する従来のaS
iTFTの図式的な部分断面図である、:B6図は、陽
極酸化膜の形状とSiNx膜の被覆性を説明するための
部分断面図である6■・・・絶縁性基板、 2
・・・ゲート電極、3・・・ゲート配線、 4・
・・ゲート絶縁膜、5・・・半導体膜、 6
・・・ソース電極、7・・・ソース配線、 8
・・・ドレイン電極、11・・・タンタル膜、 12
・・五酸化タンタル膜、13・・・SiNx膜、
14・・半導体膜、15・・・ソース電極、 1
6・・・ドレイン電極、21・・タンタル膜、 22
・・・五酸化タンタル膜、23・・・SiNx膜、
31・・・絶縁性基板、32・・・ゲート配線、 3
3・・・五酸化タンタル層、34“=SiNx層、
35・・・半導体膜、39・・・ソース電極、 4
0・・ドレイン電隊。 第1 図 第3図
ある6 第2し1(a)〜(c)は、本発明の実施例の製造にお
ける各工程を説明するための図式的な部分断面図である
。 第3図と第4図は、それぞれ、従来のa 5iTFT
の図式的な部分断面図と部分平面図である。 第5図は、二層構造のゲート絶縁膜を有する従来のaS
iTFTの図式的な部分断面図である、:B6図は、陽
極酸化膜の形状とSiNx膜の被覆性を説明するための
部分断面図である6■・・・絶縁性基板、 2
・・・ゲート電極、3・・・ゲート配線、 4・
・・ゲート絶縁膜、5・・・半導体膜、 6
・・・ソース電極、7・・・ソース配線、 8
・・・ドレイン電極、11・・・タンタル膜、 12
・・五酸化タンタル膜、13・・・SiNx膜、
14・・半導体膜、15・・・ソース電極、 1
6・・・ドレイン電極、21・・タンタル膜、 22
・・・五酸化タンタル膜、23・・・SiNx膜、
31・・・絶縁性基板、32・・・ゲート配線、 3
3・・・五酸化タンタル層、34“=SiNx層、
35・・・半導体膜、39・・・ソース電極、 4
0・・ドレイン電隊。 第1 図 第3図
Claims (2)
- (1)絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導
体膜、ソース電極・ドレイン電極の順に積層してアレイ
状に形成される薄膜トランジスタにおいて、 上記のゲート電極がタンタルからなり、上記のゲート絶
縁膜が陽極酸化タンタル膜と窒化シリコン膜との二層構
造からなり、かつ、上記のゲート電極とソース電極との
交差部分にはすべて上記の半導体膜を介在させたことを
特徴とする薄膜トランジスタ。 - (2)特許請求の範囲第1項に記載された薄膜トランジ
スタにおいて、 上記の半導体膜がアモルファスシリコン薄膜であること
を特徴とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23965484A JPS61116872A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 薄膜トランジスタ |
GB08527474A GB2169746B (en) | 1984-11-13 | 1985-11-07 | Thin film transistor |
DE19853539794 DE3539794A1 (de) | 1984-11-13 | 1985-11-09 | Duennfilm-transistor |
US07/235,728 US4843438A (en) | 1984-11-13 | 1988-08-19 | Thin film transistor |
US07/304,278 US4918494A (en) | 1984-11-13 | 1989-01-31 | Thin film transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23965484A JPS61116872A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 薄膜トランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61116872A true JPS61116872A (ja) | 1986-06-04 |
Family
ID=17047915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23965484A Pending JPS61116872A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61116872A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03149883A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58190042A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-05 | Toshiba Corp | 薄膜半導体装置 |
JPS596578A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 電界効果型トランジスタアレイ |
JPS599941A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP23965484A patent/JPS61116872A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58190042A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-05 | Toshiba Corp | 薄膜半導体装置 |
JPS596578A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 電界効果型トランジスタアレイ |
JPS599941A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03149883A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
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