DE3523509C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3523509C2 DE3523509C2 DE3523509A DE3523509A DE3523509C2 DE 3523509 C2 DE3523509 C2 DE 3523509C2 DE 3523509 A DE3523509 A DE 3523509A DE 3523509 A DE3523509 A DE 3523509A DE 3523509 C2 DE3523509 C2 DE 3523509C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chemicals
- spray
- substrate
- rays
- substrate surfaces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F25/00—Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
- B01F25/20—Jet mixers, i.e. mixers using high-speed fluid streams
- B01F25/23—Mixing by intersecting jets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
- B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
- B05B7/08—Spray pistols; Apparatus for discharge with separate outlet orifices, e.g. to form parallel jets, i.e. the axis of the jets being parallel, to form intersecting jets, i.e. the axis of the jets converging but not necessarily intersecting at a point
- B05B7/0807—Spray pistols; Apparatus for discharge with separate outlet orifices, e.g. to form parallel jets, i.e. the axis of the jets being parallel, to form intersecting jets, i.e. the axis of the jets converging but not necessarily intersecting at a point to form intersecting jets
- B05B7/0846—Spray pistols; Apparatus for discharge with separate outlet orifices, e.g. to form parallel jets, i.e. the axis of the jets being parallel, to form intersecting jets, i.e. the axis of the jets converging but not necessarily intersecting at a point to form intersecting jets with jets being only jets constituted by a liquid or a mixture containing a liquid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum
gleichzeitigen Aufsprühen verschiedener, flüssiger
Chemikalien nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie
eine Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens.
Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise aus der
DE-PS 2 49 678 bekannt, die einen Farbstoff und eine
weitere Chemikalie aus getrennten Zerstäubungsapparaten
gleichzeitig auf eine Stoffbahn aufträgt. Hierbei
handelt es sich um ein offenes System, bei dem keine
gefährlichen und schon gar nicht hochreaktionsfähigen
Chemikalien eingesetzt werden.
Aus der Lehre der DE-OS 29 50 421 läßt sich entnehmen,
daß mehrere Sprühdüsen einen einheitlichen Beschichtungs
lack versprühen und jeweils einzeln in einer Haube
angeordnet sind.
Bei der Herstellung elektronischer Vorrichtungen, z. B.
integrierten Schaltkreischips, wird ein saures
Bearbeitungssystem verwendet, um die Substratflächen,
z. B. die Silicium-Wafer, zu bearbeiten. Die
Bearbeitung solcher Substratflächen ist ein vielstufiges
Verfahren, wobei in Abhängigkeit von den tatsächlich
ausgeführten Verfahrensschritten eine Anzahl
verschiedener Chemikalien aufeinander folgend durch
Aufsprühen auf die Substratflächen aufgetragen wird;
und wobei jede chemische Bearbeitungsstufe durch einen
Spül- oder Waschvorgang begonnen und abgeschlossen wird,
wobei eine Spülflüssigkeit, z. B. Wasser, verwendet wird.
Bei gewissen Verarbeitungsstufen, bei denen flüssige
Chemikalien auf die Substratflächen oder Plättchen
aufgetragen werden, werden zwei oder mehrere unterschied
liche flüssige Chemikalien gleichzeitig auf die Sub
stratflächen aufgetragen. Bei den bekannten Verfahren
erfordern die Arbeitsvorgänge, daß man die flüssigen
Chemikalien vermischt, z. B. in einer Mischkammer, die
entlang der Beschickungsleitungen angeordnet ist, die
die Chemikalien zu den Sprühvorrichtungen liefern,
welche die flüssigen Chemikalien auf die Substratflächen
in der Bearbeitungskammer richten.
Einige der Chemikalien, die miteinander vermischt werden
und bei solchen chemischen Verarbeitungsstufen für
solche Substratflächen verwendet werden, sind hochaktiv
und in der Handhabung gefährlich, insbesondere wenn sie
mit anderen hochaktiven Chemikalien vermischt werden. So
muß z. B. Ammoniumhydroxid mit Salpetersäure in gewissen
Stufen vermischt werden, die bei der Bearbeitung solcher
Substrate auftreten. Bei anderen Bearbeitungsstufen wird
konzentrierte Salzsäure mit Wasserstoffperoxid ver
mischt. Diese Gemische hochaktiver Chemikalien sind
typisch für diejenigen, die gefährliche Bedingungen
während des Vermischens solcher Chemikalien erzeugen,
während sie zur Verarbeitungskammer zum Aufsprühen auf
die Substratflächen geliefert werden.
Andere Chemikalien, die miteinander bei gewissen Ver
arbeitungsstufen miteinander vermischt werden müssen,
werden von Natur aus sehr schnell abgebaut und verlieren
ihre Wirksamkeit kurz nachdem sie miteinander vermischt
worden sind. Wird z. B. Ammoniumhydroxid mit Wasserstoff
peroxid bei gewissen Bearbeitungsstufen vermischt und,
falls dieses chemische Gemisch nicht unmittelbar nach
dem Vermischen auf die Substratflächen aufgetragen wird,
beginnt es abzubauen und wird weniger wirksam, wodurch
das ausgeführte Verfahren beeinträchtigt wird.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, das
eingangs genannte Verfahren derart zu verbessern, daß
die volle Stärke der Chemikalien an den Substratflächen
sichergestellt wird, ohne daß gefährliche Arbeitsbe
dingungen auftreten.
Diese Aufgabe wird durch das im Anspruch 1 gekennzeich
nete Verfahren gelöst.
Ein erfindungsgemäßes Merkmal liegt im Vermischen nicht
irgendwelcher, sondern hochreaktionsfähiger Chemikalien
in einer geschlossenen Bearbeitungskammer, in der eine
Vielzahl zu bearbeitender Substratflächen entsprechend
ausgerichtet sind und besprüht werden. Die beiden ge
trennten Chemikalien, die gleichzeitig versprüht und von
den beiden getrennten Sprühapparaten zerstäubt werden,
werden gründlich miteinander vermischt, während sie
direkt auf die Substratflächen aufgetragen werden.
Aufgrund des gründlichen Durchmischens der zerstäubten
Chemikalien, die aus unterschiedlichen Winkeln auf die
Substratflächen gesprüht werden, werden die Chemikalien
gründlich vermischt und ihre vollständige Stärke wird
aufrechterhalten bis zum tatsächlichen Auftragen dieser
Chemikalien auf die Vielzahl der Substratflächen
selbst. Insbesondere sind die Sprühvorrichtungen auf der
Umfangswand der Bearbeitungs- bzw. Verfahrenskammer
angeordnet und die Strahlen der zerstäubten flüssigen
Chemikalien werden in spitzen Winkeln zueinander aus
gerichtet, so daß die Strahlen der Chemikalien einander
an den Flächen der Plättchen durchkreuzen, wodurch die
gründliche Vermischung erreicht wird.
Das Vermischen der hochreaktionsfähigen Chemikalien an
der Fläche der Substrate oder Plättchen, während die
Chemikalien auf die Substrate aufgetragen werden, schafft
einen wesentlichen Vorteil, der darin liegt, daß die
Reaktionsfähigkeit des chemischen Gemisches die Beseiti
gung von Verunreinigungen oder anderen chemischen Schichten
von den Substratflächen verbessert. Das Vermischen
dieser hochaktiven Chemikalien in der Bearbeitungskammer
reduziert die Gefahr jeglicher heftigen Reaktion zwi
schen den Chemikalien, da die Bearbeitungskammer be
lüftet bzw. entgast ist und die Bildung jeglicher über
mäßiger Drucke oder Temperaturen während des Vermischens
der hochaktiven Chemikalien verhindert. Zusätzlich
bewirkt das Vermischen der Chemikalien, während sie
zerstäubt sind und aus getrennten Sprühvorrichtungen auf
die Substrate gesprüht werden, daß die Chemikalien
miteinander mit letztmöglichem Moment vermischt werden,
während sie auf die Substratflächen aufgetragen werden,
wodurch die höchste Stärke und Wirksamkeit der Chemi
kalien beibehalten wird, um die gewünschte Bearbeitung
der Substrate zu erzielen.
Im folgenden werden zwei Ausführungsbeispiele der
vorliegenden Erfindung anhand der Figuren näher
erläutert.
Es zeigt:
Fig. 1 eine Draufsicht auf die Bearbeitungs-
bzw. Verfahrenskammer, bei der die Ab
deckung entfernt ist, um die vorliegende
Erfindung besser zu zeigen,
Fig. 2 eine Schnittansicht im Detail entlang der
Linie 2-2 der Fig. 1 mit der Abdeckung an
ihrem Platz,
Fig. 3 eine vergrößerte Seitenansicht im Detail
von einer der Sprühvorrichtungen und
ihren Rohrverbindungen,
Fig. 4 eine Seitenansicht im Detail von der Spül-
Sprühvorrichtung und ihren
Rohrverbindungen,
Fig. 5 eine vergrößerte Schnittansicht im Detail
etwa entlang der Linie 5-5 der Fig. 3,
Fig. 6 eine Draufsicht mit Blick in die Bearbei
tungskammer, welche eine modifizierte Form
der Erfindung zeigt, wobei die Ansicht im
wesentlichen entlang der Linie 6-6 der
Fig. 7 verläuft,
Fig. 7 eine Querschnittsansicht etwa entlang der
Linie 7-7 der Fig. 6 mit geschlossener
Abdeckung,
Fig. 8 ein schematisches Diagramm der Strömungs-
und Rohrverbindungen, die die flüssigen
Chemikalien und das Spülwasser zu den
Sprühvorrichtungen der Bearbeitungskammer
liefern.
Eine Ausführungsform der Erfindung wird in den Fig. 1
bis 5 gezeigt, zusammen mit der schematischen Zeichnung
der Fig. 8, während eine zweite modifizierte
Ausführungsform in Verbindung mit den Fig. 6 und 7
aufgezeigt wird.
Ein rostfreier Stahlkessel oder Gehäuse 10 besitzt eine
Abdeckung 11, die aufgeschwenkt werden kann, und ins
gesamt die Bearbeitungs- bzw. Verfahrenskammer 13 zur
Ausführung der sauren Verarbeitung der Substrate 14
bildet, die beabstandet voneinander in einem Träger 15
im Zentrum der Kammer 13 angeordnet sind. Als Substrat
flächen werden in den meisten Fällen Silicium-Wafer
verwendet, welche in einer sauren Verarbeitung während
der Herstellung von integrierten Schaltkreischips be
handelt werden, die schließlich aus den Plättchen 14
gebildet werden. Die Wafer bzw. Plättchen werden in
beabstandeter, gegenüberliegender Form zueinander aus
gerichtet, im wesentlichen konzentrisch zur Drehachse,
um die sie gedreht werden, wie dieses durch den Pfeil a
angedeutet ist. Der Träger 15 ist ein offener Rahmen mit
Abstandsrippen zwischen den einzelnen Wafern bzw.
Plättchen 14. Eine Halterungsstange 15.1
durchquert die offene Seite des Trägers, um die
Plättchen im Träger während des Drehvorgangs zu halten.
In Fig. 2 wird die Drehungsachse der Plättchen und des
Trägers 15 gezeigt und ist durch das Bezugszeichen 16
angedeutet. Der Kessel 10 besitzt ein Belüftungsrohr 17,
das durch die Seitenwand 10.1 dessen offen ist; der
Kessel besitzt ebenfalls einen Abfluß 10.2, der durch
den Boden 10.3 offen ist und durch den sämtliche in die
Kammer 13 gesprühten Flüssigkeiten gesammelt und
abgeführt werden.
Eine Vielzahl von Sprühvorrichtungen oder -köpfen 18, 19
und 20 sind in schlitzähnlichen Öffnungen in der Seiten
wand 10.1 des Kessels befestigt und sind voneinander um
den Außenumfang des Kessels herum beabstandet. Die
Sprühvorrichtungen 18 und 19 sind dafür vorgesehen, die
flüssigen Chemikalien in die Bearbeitungskammer 13
einzuspritzen, quer über und auf die Plättchen 14. Es
ist wichtig, daß die flüssigen Chemikalien = Sprühvor
richtungen 18 und 19 weit voneinander um den Außenumfang
des Kessels herum beabstandet sind, so daß die allge
meine Richtung der beiden Sprühmuster 21 und 22, die
daraus herrühren bzw. ausströmen, einen spitzen Winkel
zueinander bilden. Der Winkel zwischen der allgemeinen
Richtung der Sprühmuster 21 hat sich für den
erfindungsgemäßen Zweck erfolgreich als 45° ergeben,
obwohl dieser nicht besonders kritisch ist. Der Winkel
zwischen den Sprühmustern kann sich über einen breiten
Bereich, z. B. von 20 bis 120° oder mehr verändern. Es
ist wichtig, daß die beiden Sprühmuster 21 und 22 von
den getrennten Sprühvorrichtungen 18 und 19 der
flüssigen Chemikalien einander durchkreuzen bzw.
durchdringen, während sie über die Flächen der Plättchen
14 streichen. Wegen dieser sich durchkreuzenden Pro
jektion der beiden Sprühmuster 21 und 22 relativ zu
einander, werden die beiden flüssigen Chemikalien von
den getrennten Sprühvorrichtungen 18 und 19 gründlich
miteinander vermischt, während sie auf die Plättchen 14
aufgetragen werden.
Die beiden getrennten flüssigen Chemikalien werden zu
den Sprühvorrichtungen 18 und 19 über die Beschickungslei
tungen oder -rohre 23 bzw. 24 geliefert. Die Sprühdüsen
18 und 19 üben ebenfalls eine zerstäubende Funktion aus,
wobei ein Inertgas, wie z. B. unter Druck stehender
Stickstoff, verwendet wird und zu den Sprühvorrichtungen
18 und 19 über die Beschickungsleitungen oder -rohre 25
bzw. 16 geliefert wird, um die Sprühpartikel der flüs
sigen Chemikalien aufzubrechen und wirksam die flüssigen
Chemikalienstrahlen bzw. -sprays zu zerstäuben, die
unter erheblicher Intensität und mit der angegebenen
Richtung ausströmen, um die Sprühmuster 21 und 22 der
zerstäubten Strahlen zu erzeugen, der fast nebelartig
ist, jedoch ein hohes Ausmaß an Intensität und Ausrich
tung besitzt.
Als Ergebnis der in den Mustern 21 und 22 von den ent
sprechenden Sprühvorrichtungen 18 und 19 austretenden
Strahlen werden die zerstäubten flüssigen Chemikalien
sprays gründlich miteinander und mit Turbulenz durch
mischt, während die zerstäubten Sprays über die Flächen
der Plättchen streichen und diese berühren, um sämtliche
Teile der Flächen der getrennten Plättchen zu bear
beiten.
Die Sprayvorrichtung 20 ist dazu gedacht, Spülwasser auf
die Substrate zwischen den einzelnen Verarbeitungsstufen
des Gesamtverfahrens zu sprühen, wobei die Strahlen bzw.
Sprays von den Düsen 18 und 19 zum Zweck der Reinigung
der chemischen Sprühvorrichtungen, der Beschickungs
leitungen und zum Wechseln auf andere Chemikalien be
schränkt sind. Spülwasser wird zur Spülvorrichtung 20 in
der Beschickungsleitung 27 geliefert, während Inertgas,
wie z. B. unter Druck stehender Stickstoff, durch die
Beschickungsleitung oder das Rohr 28 zur Sprühvorrich
tung 20 geliefert wird, um das Spülwasser zu zerstäuben,
um eine gründliche Einweichung und Wäsche der zu
bearbeitenden Substrate zu erreichen.
Insbesondere im Hinblick auf die Sprühvorrichtungen 18,
19 und 20, sind sämtliche Sprühvorrichtungen im wesent
lichen gleich, so daß deshalb das Verständnis von einer
Sprühvorrichtung ausreicht, um sämtliche Sprühvorrich
tungen zu verstehen. Es werden lediglich die äußeren
Rohre und Verbindungen zwischen den Sprühvorrichtungen
für die flüssigen Chemikalien 18, 19 und der Sprühvor
richtung 20 für das Spülwasser verändert. Die Sprüh
vorrichtung 18 besitzt Befestigungshalterungen 29 zum
Anbringen der Sprühvorrichtung an der Schalen- bzw.
Kesselwand 10.1. Ein vorderer Befestigungsflansch 30
liegt zusammen mit einem Dichtungsring 30.1 gegen die
Innenfläche der Kesselwand 10.1, und der hintere Teil 31
der Sprühvorrichtung ragt durch die Kesselwand hindurch
und nimmt die Befestigung der Beschickungsleitungen
außerhalb der Verfahrenskammer 13 auf.
Die Sprühvorrichtung 18 ist aus einem inerten Kunststoff
gebildet, der hochresistent gegen die hochaktiven Chemi
kalien ist, die durch sie versprüht werden und es hat
sich als erfolgreich erwiesen, die Sprühvorrichtung 18
aus einem bekannten Kunststoff, nämlich Tetrafluorethy
len, ein Fluorkohlenstoffmaterial, herzustellen. Die
Vorderfläche 32 der Sprühvorrichtung 18 besitzt drei
Öffnungssätze 33, 34 und 35, die dort hindurch verlaufen.
Die Öffnungen 33 und 35 führen die flüssige Chemikalie
und werden von den Rohrleitungen 36 und 37 versorgt, die
sich in der Gesamtlänge des Sprühvorrichtungskörpers 31
erstrecken. Die Rohrleitungen kreuzen sich und kommuni
zieren mit den Öffnungen 33 und 35, sowie ebenfalls mit
den Beschickungskanälen 38 und 39, die in die Öffnung 40
hineinführen, welche sowohl an den oberen als auch
unteren Enden des Sprühvorrichtungskörpers angeordnet
sind und zwischen seinen Enden verlaufen, in welche
Fittings 41, 42 und 43 eingeschraubt sind. Die oberen
und unteren Fittings 42 und 43 sind entsprechend mit den
Abflußrohren 44 und 45 verbunden, die ein hubmagnet
gesteuertes Abflußventil 46 beliefern, welches mit einem
offenen Abfluß 47 verbunden ist, um den Abfluß der
Rohrleitungen 36 und 37 und der Beschickungsleitung 23
aufzunehmen. Der Sprühvorrichtungskörper besitzt eben
falls eine Gasleitung 48, die über die Länge des Sprüh
vorrichtungskörpers verläuft und sich mit den Gassprüh
öffnungen 34 trifft, wobei die Gasleitung 48 einen
Fitting 49 in seinem oberen Ende zur Verbindung mit der
Beschickungsleitung 28 aufnimmt.
In der Spülwassersprühvorrichtung 20 ist das Beschickungs
fitting 41 mit der Abwasserbeschickungsleitung 27 ver
bunden; und in der Abwassersprühvorrichtung sind die
anderen Öffnungen 40 durch Stopfen 49.1 verschlossen.
In sämtlichen Sprühvorrichtungen 18, 19 und 20 sind die
unteren Enden der Gasleitungen 48 durch Stopfen 50
verschlossen.
Aus dem schematischen Diagramm der Fig. 8 wird deutlich,
daß jede der chemischen Beschickungsleitungen 23 und 24
mit einer Anzahl von Leitungen 51 und 52 der chemischen
Quellen verbunden sind, wobei jede durch ein An-Aus-
Ventil 53, 54 gesteuert wird, so daß drei verschiedene
chemische Quellen wahlweise mit der Beschickungsleitung
23 verbunden werden können, während drei oder mehrere
chemische Quellen mit der Beschickungsleitung 24 ver
bunden werden können. Die miteinander zu vermischenden
Chemikalien werden, während sie über die Substratflächen
14 in der Kammer streichen, durch getrennte Beschickungs
leitungen 23 und 24 geliefert. Wenn z. B. Ammonium
hydroxid und Salpetersäure miteinander vermischt werden,
während sie auf die Substratflächen aufgetragen werden,
wird das Ammoniumhydroxid mit einer der Quelleitungen 51
zur Lieferung über die chemische Beschickungsleitung 23
zur Sprühvorrichtung 18 verbunden, während die Salpe
tersäure mit einer der Quelleitungen 52 verbunden wird,
die durch eines der Ventile 54 zur Lieferung durch die
chemische Beschickungsleitung 24 zur Sprühvorrichtung
19 gesteuert wird.
In gleicher Weise wird, falls Salzsäure mit Wasserstoff
peroxid gemischt werden soll, während sie über die
Substratflächen 14 verteilt und auf ihnen aufgebracht
werden, die Salzsäure mit einer der Quelleitungen 53
verbunden und durch das bestimmte Ventil 53 gesteuert;
während Wasserstoffperoxid durch eine der Quelleitungen
52 geliefert wird, was durch das entsprechende Ventil 54
gesteuert wird.
Die Beschickung mit Stickstoff zu den einzelnen
Beschickungsleitungen 25, 26 und 28 wird durch getrennte
Ventile 25.1, 26.1, und 28.1 gesteuert. Der Nachschub
des Spülwassers zur Spülwasserbeschickungsleitung 27
wird durch ein An-Aus-Ventil 27.1 gesteuert.
Die Rohrleitung 55 verbindet die beiden chemischen
Beschickungsleitungen 23, 24 , wobei Kontrollventile 56
dazwischen vorgesehen sind, um einen umgekehrten Fluß
der Chemikalien zu verhindern. Eine Leitung 57 der
Gasquelle, gesteuert durch das Gasventil 58, liefert
Inertgas, z. B. Stickstoff, in die Rohrleitung 55 und die
Beschickungsleitungen 23, 24, um sie während des Spül
zyklus zu reinigen bzw. zu klären. Eine Spülwasser
quelleitung 59 wird ebenfalls mit der Rohrleitung 55
durch ein Nadelventil oder eine Strömungsbeschränkung 60
verbunden und wird durch ein An-Aus-Wasserventil 61
gesteuert, Spülwasser zu den Beschickungsleitungen 23,
24 und zu den Sprühvorrichtungen 18 und 19 zu liefern.
Eine zentrale Verfahrenssteuerung 62 steuert sämtliche
Ventile im System, bei denen es sich sämtlich um Hub
magnetventile handelt, die elektrisch gesteuert werden
können, außer das Nadelventil 60, das manuell zur Re
gulierung des Stromes des Spülwassers betätigt wird.
In der in den Fig. 6 und 7 gezeigten modifizierten
Ausführungsform wird eine einzige Substratfläche oder
Plättchen 63 in der Verfahrens- bzw. Bearbeitungskammer
64 eingeschlossen, die durch ein Gehäuse 65 ausgebildet
ist und wird auf einem Befestigungssockel 66 getragen
und auf einem drehbaren Vakuumspannfutter 67 gehalten,
so daß es, wie durch den Pfeil b gezeigt, gedreht werden
kann. Das Gehäuse 65 besitzt getrennte chemische Sprüh
vorrichtungen oder -köpfe 18′, 19′ sowie eine Spülwasser
sprühvorrichtung oder -kopf 20′, die jeweils mit
entsprechenden Flüssigkeitsbeschickungsleitungen und
Gasbeschickungsleitungen verbunden sind, wie es in
Verbindung mit den Fig. 1 bis 5 beschrieben worden ist.
Obwohl lediglich eine Substratfläche in der Kammer 64
bearbeitet wird, strömen die Sprühmuster 21′ und 22′ aus
den Quellen aus, die um den Außenumfang der Kammerwand
voneinander beabstandet angeordnet sind, wobei die
Richtung der Sprühmuster 21′ und 22′ im spitzen Winkel
zueinander angeordnet ist, wie es in Verbindung mit Fig.
1 beschrieben worden ist. Die Sprühmuster überstreichen
das Plättchen 63 und durchkreuzen bzw. durchdringen
einander, wobei sie miteinander gründlich vermischt
werden, während sie auf das einzige Plättchen 63
aufgetragen werden.
Es dürfte einleuchten, daß die vorliegende Erfindung
chemische Plättchen in einer Verfahrenskammer zur Be
arbeitung ihrer Substratflächen anordnet und einzelne
Chemikalien getrennten Sprühvorrichtungen in der Kammer
zuführt, um solche einzelnen Chemikalien gegen, auf und
quer über die Substratflächen, die bearbeitet werden
sollen, zu richten, wobei die Sprühmuster einander
spitzwinklig durchdringen, wodurch die getrennten Che
mikalien sich miteinander deutlich vermischen. Als
Ergebnis dessen erhöht die Reaktionsfähigkeit der Chemi
kalien die Beseitigung von Verunreinigungen und anderen
chemischen Schichten, insbesondere von den Oberflächen
der Substrate. Da die Chemikalien miteinander im letzt
möglichen Moment vermischt werden, während sie auf die
Substratflächen aufgetragen werden, wird die Gefahr der
Reaktion beim Vermischen der beiden Chemikalien mini
miert, da das Vermischen erst im letzten Moment und in
einer belüfteten Kammer auftritt. Ferner liegt nur eine
minimale Wahrscheinlichkeit des Abbaus der Chemikalien
vor, der durch Vermischen in einigen Fällen auftreten
kann.
Claims (8)
1. Verfahren zum gleichzeitigen Aufsprühen ver
schiedener flüssiger Chemikalien aus voneinander ge
trennten Sprühapparaten (18, 19) auf eine Substratfläche
(14) derart, daß sich die Chemikalien erst nach Ver
lassen der Sprühdüse vereinigen, dadurch gekennzeichnet,
daß miteinander hochreaktionsfähige Chemikalien eines
Säurebearbeitungssystems in einer geschlossenen, jedoch
belüfteten Bearbeitungskammer auf eine Vielzahl von
Substratflächen, die beabstandet voneinander zueinander
gegenüberliegend ausgerichtet sind, aufgesprüht werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat sowie die ersten und zweiten ausgerich
teten Strahlen relativ zueinander ausgerichtet werden,
damit die ausgerichteten Strahlen quer über eine Fläche
des Substrats streichen.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die ersten und zweiten Strahlen quer über den Sub
stratflächenaußenrand und quer über den Durchmesser der
runden Substratfläche ausgerichtet sind, der sich quer
zur Richtung der Strahlen erstreckt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Vielzahl an zusätzlichen Substraten in der
Kammer eingeschlossen wird, die gegenseitig zueinander
in beabstandeter, ausgerichteter Beziehung stehen, wobei
die ersten und zweiten Strahlen auf die Vielzahl der
Substratflächen gerichtet sind und sich dort vermischen.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß als Substratfläche ein Silicium-Wafer verwendet
wird.
6. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach
Anspruch 1, gekennzeichnet durch:
ein Gehäuse, das eine belüftete Bearbeitungskammer (13) umfaßt und ein Halterungsmittel zum Tragen der Substrat flächen besitzt;
ein Sprühvorrichtungspaar für die flüssigen Chemikalien am Gehäuse, die beabstandet voneinander und unterschiedlich ausgerichtet sind, um Strahlen in unterschiedlichen Richtungen gegen die Halterungsmittel und auf die Substratflächen zu richten, wobei sich die Strahlen unter gründlicher Vermischung der flüssigen Chemikalien durchkreuzen, während die Strahlen oder Sprays auf die Substratflächen aufgetragen werden; und
Beschickungsmittel, die mit den Sprühvorrichtungen verbunden sind und gleichzeitig die getrennten flüssigen Chemikalien zu den entsprechenden Sprühvorrichtungen liefern.
ein Gehäuse, das eine belüftete Bearbeitungskammer (13) umfaßt und ein Halterungsmittel zum Tragen der Substrat flächen besitzt;
ein Sprühvorrichtungspaar für die flüssigen Chemikalien am Gehäuse, die beabstandet voneinander und unterschiedlich ausgerichtet sind, um Strahlen in unterschiedlichen Richtungen gegen die Halterungsmittel und auf die Substratflächen zu richten, wobei sich die Strahlen unter gründlicher Vermischung der flüssigen Chemikalien durchkreuzen, während die Strahlen oder Sprays auf die Substratflächen aufgetragen werden; und
Beschickungsmittel, die mit den Sprühvorrichtungen verbunden sind und gleichzeitig die getrennten flüssigen Chemikalien zu den entsprechenden Sprühvorrichtungen liefern.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß das Gehäuse eine Außenwand besitzt,
an der die Sprühvorrichtungen befestigt sind.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeich
net, daß die Beschickungsmittel ebenfalls Inertgas zu
beiden Sprühvorrichtungen liefern, wobei die Sprühvor
richtungen Düsenmittel besitzen, die Inertgas empfangen
und diese in die flüssigen Strahlen einspritzen, um die
gegen die Substratfläche gerichteten und sich auf ihr
vermischenden Strahlen zu zerstäuben.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/626,640 US4609575A (en) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | Method of apparatus for applying chemicals to substrates in an acid processing system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3523509A1 DE3523509A1 (de) | 1986-02-27 |
DE3523509C2 true DE3523509C2 (de) | 1993-05-19 |
Family
ID=24511227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853523509 Granted DE3523509A1 (de) | 1984-07-02 | 1985-07-01 | Verfahreen zum vermischen hochaktiver chemikalien und vorrichtung zum auftragen von bearbeitungschemikalien auf substratflaechen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4609575A (de) |
JP (1) | JPS6129131A (de) |
DE (1) | DE3523509A1 (de) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3735676C1 (de) * | 1987-10-22 | 1988-12-22 | Draegerwerk Ag | Stroemungspruefer |
DE8804860U1 (de) * | 1988-04-13 | 1988-06-16 | Bäurle, Heinz | Vorrichtung zur Aufnahme mit Hochdruck-Wasser- bzw. -Dampfstrahl zu reinigender Teile |
US5041229A (en) * | 1988-12-21 | 1991-08-20 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Aerosol jet etching |
US4973379A (en) * | 1988-12-21 | 1990-11-27 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method of aerosol jet etching |
DE3903607A1 (de) * | 1989-02-08 | 1990-08-09 | Leybold Ag | Vorrichtung zum reinigen, pruefen und einordnen von werkstuecken |
JP2670835B2 (ja) * | 1989-02-10 | 1997-10-29 | 日本シイエムケイ株式会社 | 微細パターン形成用エッチング方法とエッチング装置 |
US4900395A (en) * | 1989-04-07 | 1990-02-13 | Fsi International, Inc. | HF gas etching of wafers in an acid processor |
US5087323A (en) * | 1990-07-12 | 1992-02-11 | Idaho Research Foundation, Inc. | Fine line pattern formation by aerosol centrifuge etching technique |
DE9013668U1 (de) * | 1990-09-29 | 1992-01-30 | HAMATECH Halbleiter-Maschinenbau und Technologie GmbH, 7137 Sternenfels | Vorrichtung für die Halbleitertechnik |
US5232328A (en) * | 1991-03-05 | 1993-08-03 | Semitool, Inc. | Robot loadable centrifugal semiconductor processor with extendible rotor |
DE9103494U1 (de) * | 1991-03-21 | 1992-07-16 | HAMATECH Halbleiter-Maschinenbau und Technologie GmbH, 7137 Sternenfels | Vorrichtung zur Belackung von Substraten |
US5316035A (en) * | 1993-02-19 | 1994-05-31 | Fluoroware, Inc. | Capacitive proximity monitoring device for corrosive atmosphere environment |
US6065424A (en) * | 1995-12-19 | 2000-05-23 | Cornell Research Foundation, Inc. | Electroless deposition of metal films with spray processor |
US5861064A (en) * | 1997-03-17 | 1999-01-19 | Fsi Int Inc | Process for enhanced photoresist removal in conjunction with various methods and chemistries |
US6265020B1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-07-24 | Shipley Company, L.L.C. | Fluid delivery systems for electronic device manufacture |
US6340395B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-01-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Salsa clean process |
JP3662484B2 (ja) * | 2000-08-09 | 2005-06-22 | エム・エフエスアイ株式会社 | ウェット処理方法及びウェット処理装置 |
DE10115376B4 (de) * | 2001-03-28 | 2006-03-16 | EISENMANN Fördertechnik GmbH & Co. KG | Anlage zum Pulverlackieren von Gegenständen |
US6589595B2 (en) * | 2001-04-13 | 2003-07-08 | Chemtek, Inc. | Method and apparatus for preventing asphalt from sticking to paving equipment |
US6685815B2 (en) | 2002-01-14 | 2004-02-03 | Applied Materials Inc. | Electroplating of semiconductor wafers |
JP4459565B2 (ja) * | 2003-07-07 | 2010-04-28 | 日清紡ホールディングス株式会社 | 静電塗装装置 |
US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
US7371022B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-05-13 | Sokudo Co., Ltd. | Developer endpoint detection in a track lithography system |
US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
WO2006107550A2 (en) | 2005-04-01 | 2006-10-12 | Fsi International, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US8387635B2 (en) | 2006-07-07 | 2013-03-05 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
CN101495248A (zh) * | 2006-07-07 | 2009-07-29 | Fsi国际公司 | 液体气溶胶颗粒去除方法 |
WO2009020524A1 (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Fsi International, Inc. | Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses |
KR20110005699A (ko) | 2008-05-09 | 2011-01-18 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 공구 및 방법 |
US11244841B2 (en) | 2017-12-01 | 2022-02-08 | Elemental Scientific, Inc. | Systems for integrated decomposition and scanning of a semiconducting wafer |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE249678C (de) * | ||||
US2249205A (en) * | 1934-05-12 | 1941-07-15 | American Anode Inc | Method and apparatus for applying temporary protective coatings to articles |
US3027869A (en) * | 1957-01-11 | 1962-04-03 | Cleanola Company | Spray apparatus for applying coatings |
US2956900A (en) * | 1958-07-25 | 1960-10-18 | Alpha Metal Lab Inc | Nickel coating composition and method of coating |
GB1278268A (en) * | 1968-08-05 | 1972-06-21 | Colin Clayton Mayers | Method and apparatus for polishing glassware |
US4161356A (en) * | 1977-01-21 | 1979-07-17 | Burchard John S | Apparatus for in-situ processing of photoplates |
JPS53146574A (en) * | 1977-05-27 | 1978-12-20 | Hitachi Ltd | Etching method for semiconductor element |
JPS585107B2 (ja) * | 1978-12-27 | 1983-01-29 | ワイケイケイ株式会社 | 小物品の塗装装置 |
US4286541A (en) * | 1979-07-26 | 1981-09-01 | Fsi Corporation | Applying photoresist onto silicon wafers |
US4425868A (en) * | 1981-12-28 | 1984-01-17 | Thatcher Glass Corporation | Coating hood |
-
1984
- 1984-07-02 US US06/626,640 patent/US4609575A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-06-27 JP JP14146185A patent/JPS6129131A/ja active Granted
- 1985-07-01 DE DE19853523509 patent/DE3523509A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4609575A (en) | 1986-09-02 |
JPH0234168B2 (de) | 1990-08-01 |
JPS6129131A (ja) | 1986-02-10 |
DE3523509A1 (de) | 1986-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3523509C2 (de) | ||
DE19758979B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Photomaske unter Verwendung einer Reinigungsvorrichtung, diese umfassend eine Zweifluid-Reinigungsstrahldüse | |
DE2950216C2 (de) | ||
DE3514287A1 (de) | Druckluft-betriebene spruehduese | |
DE19544353A1 (de) | Waschvorrichtung und Waschverfahren | |
DE2422868C3 (de) | Mehrköpfige Spritzpistole | |
DE4031234C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von bandförmigem Behandlungsgut | |
DE19541436C2 (de) | Anlage zur Behandlung von Gegenständen in einem Prozeßtank | |
DE3909161A1 (de) | Vorrichtung zur gaszufuehrung und -ableitung fuer die gasphasenbearbeitung von werkstuecken | |
DE2251123C2 (de) | Einer Behandlungszone nachgeschaltete Vorrichtung zum Abblasen einer Behandlungsflüssigkeit von der Oberfläche flacher Gegenstände und deren Verwendung | |
EP1145290A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten | |
DE1920214A1 (de) | Verfahren zur Reinigung der Innenwaende einer Behaelteranlage sowie Vorrichtung zur Ausfuehrung des Verfahrens | |
DE1642516A1 (de) | Ausflockungsbecken | |
DE3722277C1 (en) | Process and device for cleaning earth which has been contaminated, in particular by hydrocarbons | |
DE1099487B (de) | Ringduese | |
DE4219913A1 (de) | Schutzgas-Lötanlage mit spezieller Lötkammer | |
WO2019233839A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum mattieren einer oberfläche | |
DE2449735A1 (de) | Verfahren zur elektrolytischen abscheidung von metallen auf zylinderfoermigen gegenstaenden und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE69106792T2 (de) | Verfahren und Sprühkopf zum Zerstäuben einer konzentrierten Flüssigkeit. | |
DE3600920A1 (de) | Spruehkopf | |
DE3209792A1 (de) | Vorrichtung zum aufbringen von duennen schichten | |
DE3211886C2 (de) | Vorrichtung zum Einführen unterschiedlicher Spülflüssigkeiten in eine Trommel | |
DE3523521A1 (de) | Spruehvorrichtung | |
DE2604264A1 (de) | Spruehduese | |
DD282414A5 (de) | Strahlduese zur oberflaechenbehandlung schwer zugaengiger bauteile |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |