DE3909161A1 - Vorrichtung zur gaszufuehrung und -ableitung fuer die gasphasenbearbeitung von werkstuecken - Google Patents
Vorrichtung zur gaszufuehrung und -ableitung fuer die gasphasenbearbeitung von werkstueckenInfo
- Publication number
- DE3909161A1 DE3909161A1 DE19893909161 DE3909161A DE3909161A1 DE 3909161 A1 DE3909161 A1 DE 3909161A1 DE 19893909161 DE19893909161 DE 19893909161 DE 3909161 A DE3909161 A DE 3909161A DE 3909161 A1 DE3909161 A1 DE 3909161A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gas
- base body
- opening
- gas supply
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45572—Cooled nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Gaszuführung
und -ableitung für die Gasphasenbearbeitung von Werkstücken,
insbesondere zur Zuführung von Prozeßgas in einen Reaktionsraum
zur Gasphasenbearbeitung von Halbleitersubstraten sowie
zur Ableitung von verbrauchtem Prozeßgas aus dem Reaktionsraum.
Die Vorrichtung ist für die Herstellung mikroelektronischer
Bauelemente einsetzbar.
Die Gasphasenbearbeitung von Halbleitersubstraten erfolgt
überwiegend in geeigneten Reaktoren, in denen unter anderem
exakte Bedingungen für die Zuführung von Prozeßgasen sowie
deren Ableitung aus dem Reaktor nach der Reaktion der Prozeßgase
mit den Halbleitersubstraten hergestellt werden
müssen. In zunehmendem Maße werden diese Reaktoren für die
individuelle Substratbearbeitung ausgelegt, bei der die
Halbleitersubstrate auch einzeln in einem derartigen Reaktor
der direkten Einwirkung dem entsprechenden Prozeßgas
ausgesetzt werden. Die Gaszuführung erfolgt zu diesem Zweck
überwiegend so, daß die zu bearbeitende Substratoberfläche
mit einer definierten Menge an frischem Prozeßgas gleichmäßig
versorgt wird, die nach der Reaktion als verbrauchtes
Prozeßgas mit Anteilen von anderen Reaktionsprodukten
ebenso gleichmäßig aus dem Substratbereich und möglichst
auf dem kürzesten Wege aus dem Reaktor entfernt werden muß.
Erforderlich bei derartigen Bearbeitungsprozessen ist des
weiteren, daß das Prozeßgas gleichmäßig über die gesamte
zu bearbeitende Substratoberfläche verteilt werden muß,
um beispielsweise unterschiedliche Schichtdicken zu vermeiden
und Verunreinigungen der Substratoberfläche weitgehend
auszuschließen.
Zur Gaszuführung ist eine Lösung bekannt, mit der eine vertikale
Anströmung der Substratoberfläche realisiert wird.
Dazu ist eine dem Substrat gegenüberliegende Gasbrause eingesetzt,
bei der das Reaktionsgas durch eine Zuführung in
einen sich ganzflächig über die gesamte Austrittsfläche erstreckenden
Füllhohlraum eintritt, durch eine Anzahl sehr
kleiner Bohrungen in den Reaktionsraum ausströmt und auf
das Substrat direkt auftrifft. Die Gase strömen danach
über das Substrat radial zu desen Peripherie und werden
dort oder zentral hinter dem Substrat abgesaugt.
Der Nachteil dieser Lösung besteht darin, daß die im Zentrum
und die an der Peripherie der Substrate liegenden Flächenbereiche
unterschiedlich mit Reaktionsgas versorgt bzw.
von verbrauchtem Reaktionsgas entsorgt werden, wodurch eine
inhomogene Substratbearbeitung erfolgt. Des weiteren hat
der großflächige Fühlhohlraum bei der Anwendung plasmachemischer
Prozesse das Brennen parasitärer Hohlkatodenentladungen
zur Folge, so daß diese Variante der Gaszuführung
nur in einem sehr eingeschränkten Bereich von Arbeitsparametern
einsetzbar ist. Ebenso ist eine zusätzliche
Kühlung der Gasaustrittsstellen zur Vermeidung vorzeitiger
Reaktionen des Reaktionsgases außerhalb des unmittelbaren
Substratraumes bei einer derartigen Lösung nur schwer
realisierbar.
In einer anderen Lösung wird die Gaszufuhr zu einem zu bearbeitenden
Substrat durch eine diesem gegenüberliegende
Elektrode derart realisiert, daß in der Elektrode sowohl
Bohrungen für die Gaszufuhr als auch separat neben diesen
Bohrungen für die Absaugung des verbrauchten Prozeßgases
angeordnet sind. Bei dieser Lösung ist ebenfalls nach dem
Zünden eines Plasmas zwischen der Elektrode und dem Substrat
eine intensive Hohlkatodenentladung vorhanden, die
in den notwendigerweise relativ großen Absaugbohrungen
brennt. Dadurch wird wiederum der mögliche Bereich der Betriebsparameter
sehr stark eingeschränkt, oder die vorzeitig
eintretende Reaktion der Prozeßgase außerhalb des Substratbereiches
beeinträchtigt die Qualität der Substratbearbeitung.
Das Ziel der Erfindung besteht darin, eine homogene Prozeßgasverteilung
auf der Oberfläche von Halbleitersubstraten
zur qualitativ hochwertigen Substratbearbeitung in Verbindung
mit der Ableitung des verbrauchten Prozeßgases zu erzielen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine kühlbare Vorrichtung
zur Gaszuführung und -ableitung zu schaffen, die es
ermöglicht, alle Oberflächenbereiche eines in einem Reaktor
zu bearbeitenden Halbleitersubstrate gleichmäßig mit frischem
Reaktionsgas zu beaufschlagen und verbrauchtes Reaktionsgas
ebenso gleichmäßig von der Substratoberfläche und
auf kürzestem Weg aus dem Reaktor abzuleiten.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß im
Grundkörper einer flächenförmigen Gasverteilung Mittel zur
Gaszuführung und -ableitung sowie zur Kühlung angeordnet
sind, wobei die Gaszuführung und -ableitung aus einem in der
Oberfläche des Grundkörpers enthaltenden System von in Ausnehmungen
axial-symmetrisch angeordneten Kanülen besteht. Die
Kanülen sind zur Gaszuführung mit einem im Grundkörper über
eine Ringnut und Verbindungen sowie radial angeordnete Bohrungen
mit einer oder mehreren Prozeßgaszuführungsleitungen
verbunden. Andererseits sind die Ausnehmungen über ein zweites
abstandweise zu dem ersten angeordneten System radialer
Bohrungen und einen diese Bohrungen zusammenfassenden Absaugkanal
mit einer Absaugeinrichtung verbunden. Des weiteren
ist im der Gasaustrittsfläche gegenüberliegenden Bereich
des Grundkörpers ein Kühlkanal vorhanden, der seinerseits
Anschlüsse zum Zu- und Abfluß eines Kühlmediums aufweist.
In einer Ausgestaltung der Erfindung ist innerhalb der Ausnehmungen
ein zweites Rohr oder Rohrstück axial-symmetrisch
vorgesehen, dessen Durchmesser größer als der der Kanüle ist.
Die freie Öffnung dieses Rohres oder Rohrstückes, die einen
Ringspalt bildet, schließt mit der Oberfläche des Grundkörpers
ab, die andere Öffnung ist mit einem dritten System von
radial im Grundkörper angeordneten Bohrungen über eine weitere,
ringförmig ausgebildete und die Bohrungen verbindende
Gasverteilung mit einer Prozeßgaszuführungsleitung verbunden.
Die Fläche der freien Öffnung des Rohres oder Rohrstückes ist
gegenüber der Fläche der Öffnung der Kanülen gleich oder um
einen definierten Betrag größer gewählt. Vorteilhaft ist es,
wenn das Verhältnis der ebenfalls als Ringspalt ausgebildeten
Fläche der Ausnehmungen für die Ableitung des verbrauchten
Prozeßgases zur Fläche der freien Öffnungen der Kanülen
bzw. zur Fläche der freien Öffnungen der Kanülen und der
Rohre oder Rohrstücke größer als 1 ist.
Die Beaufschlagung der Prozeßgaszuführungsleitungen mit
einem für einen Bearbeitungsvorgang im Reaktor vorgesehenen
Prozeßgas mit einem definierten Druck bewirkt, daß das Prozeßgas,
wenn nur Ausnehmungen mit Kanülen vorhanden sind,
über die Ringnut und die Verteilungen in das erste System
radialer Bohrungen gelangt und von dort durch die Kanülen
auf die Oberfläche eines dem Grundkörper gegenüber in definiertem
Abstand angeordneten Halbleitersubstrates geführt
wird. Gleichzeitig mit der Beaufschlagung mit Frischgas wird
die dem Reaktor zugehörige Absaugeinrichtung in Betrieb gesetzt
oder befindet sich zur Erzielung eines definierten
Arbeitsdruckes in Betrieb, wodurch das durch die Reaktion
mit der Substratoberfläche verbrauchte Prozeßgas jeweils
im unmittelbaren Bereich der Gaszuführung durch die Ringspalte
abgesaugt wird. Durch die große Anzahl der Kanülen
und Ausnehmungen erfolgt eine gleichmäßige Gasverteilung
und entsprechend gleichmäßige Bearbeitung der Substratoberfläche.
Bei einem zusätzlichen Einsatz der Rohre oder Rohrstücke
in die Ausnehmungen und deren Verbindung mit einem zweiten
Gaszuführungssystem ist es möglich, unterschiedliche Prozeßgase
bis vor den Reaktionsraum getrennt zu führen und
erst unmittelbar vor der Reaktion derselben an der Substratoberfläche
zu vermischen.
Die Erfindung wird anhand eines Ausführungsbeispiels und
anhand dreier Zeichnungen näher erläutert.
In den zugehörigen Zeichnungen zeigt
Fig. 1den Schnitt durch den Grundkörper einer erfindungsgemäßen
Vorrichtung und
Fig. 2 eine Detaildarstellung der Kanülenausbildung innerhalb
der Ausnehmung mit Prozeßgaszuführungs- und
-ableitungsbohrungen und
Fig. 3 eine Detaildarstellung der Ausnehmung gem. Fig. 2
mit Kanüle und Rohr oder Rohrstück.
Gemäß der Fig. 1 besteht die Vorrichtung zur Gaszuführung
und -ableitung der CVD-Prozesse aus einem Grundkörper 1,
der im wesentlichen in seiner Größe einem nicht dargestellten
und zu bearbeitenden Halbleitersubstrat entspricht.
In dem Grundkörper 1 ist im zeichnungsgemäß oberen Teil ein
erstes System von im wesentlichen gleichmäßig verteilten
und radial angeordneten Bohrungen 3 eingebracht, die ihrerseits
mehrere senkrecht zu deren Achse vorgesehene Ausnehmungen
6 aufweisen, die eine Verbindung von der Oberfläche
des Grundkörpers 1 mit den Bohrungen 3 ergeben. An der
Peripherie des Grundkörpers 1 ist in der Höhe der Öffnungen
der Bohrungen 3 ringförmig ein Absaugkanal 8 vorgesehen,
der mit einer nicht dargestellten Absaugeinrichtung über
entsprechende Verbindungselemente und Medienleitungen in
Wirkverbindung steht.
In einem Abstand unterhalb des ersten Systems von radialen
Bohrungen 3 ist gemäß der Zeichnung zu diesem kongruent im
Grundkörper 1 ein zweites System von radial angeordneten
Bohrungen 2 angeordnet, deren Öffnungen an der Peripherie
des Grundkörpers 1 mittels geeigneter Verschlußeinrichtungen
4 abgedichtet sind.
Das zeichnungsgemäß untere System radialer Bohrungen 2 ist
ebenfalls mit der Oberfläche des Grundkörpers 1 verbunden,
wozu die Ausnehmungen 6 in ihrer axialen Richtung mit einem
gegenüber diesen einen geringeren Durchmesser aufweisenden
Bohrungen 5.3 derart verlängert sind, daß ein freier Durchgang
von den Bohrungen 2 zur Oberfläche des Grundkörpers 1
entsteht.
In den Bohrungen 5.3 sind Kanülen mediendicht eingesetzt,
wobei deren Öffnung 5.2 im Bereich der radialen Bohrung 2
angeordnet ist, während die zeichnungsgemäß obere Öffnung
5.1 der Kanülen 5 mit der Oberfläche des Grundkörpers 1
abschließt und so die Ausnehmungen 6 ringspaltförmig ausbildet.
Das zeichnungsgemäß untere System von radialen Bohrungen 2
ist es weiteren mit einer oder mehreren Gaszuführungsleitungen
7 verbunden, wozu an der zeichnungsgemäß unteren
Fläche des Gehäuses 1 entsprechende Anschlußstellen vorgesehen
sind, die mit wenigstens einem nach außen mediendicht
verschlossenen, ringförmig ausgebildeten Kanal 12
verbunden sind, der seinerseits Verbindungen 13 zum unteren
System radialer Bohrungen 2 in mindestens der Anzahl aufweist,
die der Anzahl der radialen Bohrungen 2 entspricht.
Weiterhin sind im unteren Bereich des Grundkörpers 1 Kühlkanäle
9 vorgesehen, die mit einem Kühlmedienzufluß 10 bzw.
-abfluß 11 verbunden sind.
In der Fig. 2 ist eine vergrößerte Darstellung der Anordnung
der Kanülen 5 innerhalb der Systeme der radialen Bohrungen
2, 3 mit den Verbindungen 13 abgebildet.
Der lichte Durchmesser d₁ der Kanülen 5 ist vorzugsweise
0,7 mm, der Außendurchmesser d₂ ist vorzugsweise 1 mm gewählt,
der Durchmesser d₃ beträgt 2,5 mm.
Die Fig. 3 zeigt eine Ausgestaltung der Lösung gemäß Fig. 2,
wobei ein Rohr oder Rohrstück 14 in der Ausnehmung 6 axial-
symmetrisch angeordnet ist. Die Austrittsöffnung 14.1 des
Rohres oder Rohrstückes 14 schließt plan mit der Obefläche
des Grundkörpers 1 ab, während die zeichnungsgemäß untere
Öffnung 14.2 mit einem dritten System von im Grundkörper 1
angeordneten radialen Bohrungen 15 mediendicht verbunden
ist, die ihrerseits wiederum an der Peripherie des Grundkörpers
mittels eines Gasverteilungskanals 16 zusammengefaßt
sind.
Der Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung beteht darin,
daß die Durchmesser der Kanülen 5 und der Ausnehmungen 6 so
gewählt werden können, daß parasitäre Hohlkatodenladungen
vermieden und trotzdem große Absaugquerschnitte realisiert
werden können. Der Durchmesser der Absaugung 6 ist ein für
parasitäre Entladungen in einem vorgegebenen Arbeitsdruckbereich
entscheidender Parameter. Durch die konzentrische
Anordnung der Kanülen 5 wird der kritische Parameter auf den
Wert reduziert. Dadurch ist eine Erweiterung des Arbeitsdruckbereiches
ohne parasitäre Entladungen in den Ausnehmungen
6 möglich. Für eine Vielzahl von Prozessen wird
dadurch das optimale Prinzip der denzentralen gleichmäßigen
Prozeßgasversorgung und Abgasabsaugung überhaupt erst einsetzbar.
Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht
darin, daß dadurch, daß unmittelbar um den Ort der
Gaszuführung die Abgasabsaugung kreisringförmig angeordnet
ist, die Möglichkeit besteht, durch Regelung der Intensität
der Gaseinspeisung und der Abgasabsaugung die Härte des Auftreffens
der Prozeßgasstrahlen auf dem Substrat eingestellt
werden kann. Wenn dadurch der Umkehrpunkt der Strömung
aus den Gaskanülen zu den Absaugringspalten in die Nähe der
Substratoberfläche gelegt wird, entsteht dort eine Strahlverbreiterung
und ein weiches Auftreffen der Prozeßgase
auf die Substratoberfläche, wodurch eine einstellbare homogene
Substratbearbeitung bewirkt wird.
Für den Betrieb der Vorrichtung ist es des weiteren von Vorteil,
daß das Gas auf seinem Weg vom Verlassen der Kanülen
bis zum Wiedereintritt in die Absaugringspalte nur einen
kurzen Weg zurückzulegen hat und mit keinem anderen Reaktorbauteil
- wie z. B. dessen Wänden - in Berührung kommt.
Damit ist eine Verschmutzung des Reaktors mit Reaktionsnebenprodukten
weitgehend zurückgedrängt, und die verfügbare
Betriebszeit zwischen zwei Reinigungszyklen erhöht
sich wesentlich.
Schließlich besteht ein Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung
darin, daß dadurch, daß die Gaszu- und -abführung
zu bzw. von den Kanülen bzw. Ringspalten nicht durch großräumige,
die Wärmeleitung behindernde Füllhohlräume, sondern
durch radial verlaufende Bohrungen erfolgt, eine sehr
effektive Kühlung der dem Substrat zugewandten Oberfläche
der Vorrichtung - auch bei Anordnung der Kühlkanäle auf
der entgegengesetzten Seite der Vorrichtung - erreicht
wird.
Aufstellung der Bezugszeichen zur Patentanmeldung
"Vorrichtung zur Gaszuführung und -ableitung für die
Gasphasenbearbeitung von Werkstücken"
1 Grundkörper
2 radiale Bohrung, oben (1. System)
3 radiale Bohrung, unten (2. System)
4 Verschlußeinrichtung
5 Kanüle
5.1 obere Öffnung der Kanüle 5
5.2 untere Öffnung der Kanüle 5
5.3 Bohrung
6 Ausnehmung
6.1 Ringspalt
7 Prozeßgaszuführungsleitung
8 Absaugkanal
9 Kühlkanal
10 Zufluß: Kühlmedium
11 Abfluß: Kühlmedium
12 Ringnut
13 Verbindung
14 Rohr, Rohrstück
14.1 Austrittsöffnung
14.2 Öffnung
15 radiale Bohrung, mittig
16 Gasverteilungskanal
17 Prozeßgaszuführungsleitung
2 radiale Bohrung, oben (1. System)
3 radiale Bohrung, unten (2. System)
4 Verschlußeinrichtung
5 Kanüle
5.1 obere Öffnung der Kanüle 5
5.2 untere Öffnung der Kanüle 5
5.3 Bohrung
6 Ausnehmung
6.1 Ringspalt
7 Prozeßgaszuführungsleitung
8 Absaugkanal
9 Kühlkanal
10 Zufluß: Kühlmedium
11 Abfluß: Kühlmedium
12 Ringnut
13 Verbindung
14 Rohr, Rohrstück
14.1 Austrittsöffnung
14.2 Öffnung
15 radiale Bohrung, mittig
16 Gasverteilungskanal
17 Prozeßgaszuführungsleitung
d₁ Durchmesser der Kanüle 5, innen
d₂ Durchmesser der Kanüle 5, außen
d₃ Durchmesser der Ausnehmung 6
d₂ Durchmesser der Kanüle 5, außen
d₃ Durchmesser der Ausnehmung 6
Claims (3)
1. Vorrichtung zur Gaszuführung und -ableitung für die
Gasphasenbearbeitung von Werkstücken, insbesondere zur
Zuführung von Prozeßgas in einen Reaktionsraum zur Bearbeitung
von Halbleitersubstraten sowie zur Ableitung
von verbrauchtem Prozeßgas aus dem Reaktionsraum, bestehend
im wesentlichen aus einer flächenförmigen Gasverteilung,
gekennzeichnet dadurch, daß die Gasverteilung
aus einem plattenförmigen Grundkörper (1) mit
Mitteln zur Gaszuführung und -ableitung sowie zur Kühlung
besteht, wobei die Gaszuführung und -ableitung
aus einem in der Oberfläche des plattenförmigen Grundkörpers
(1) enthaltenen System von in Ausnehmungen (6)
axial-symmetrisch angeordneten und als Gaszuführung
ausgebildeten Kanülen (5) besteht, deren eine Öffnung
(5.1) jeweils mit der Oberfläche des Grundkörpers (1)
abschließt und deren andere Öffnung (5.2) jeweils mit
einem im Grundkörper (1) über eine Ringnut (12) sowie
Verbindungen (13) zusammengefaßten ersten System von
radial angeordneten Bohrungen (2) und einer oder mehreren
Prozeßgaszuführungsleitungen (7) verbunden sind
und daß die Ausnehmungen (6) über ein zweites System
von abstandweise radial angeordneten Bohrungen (3)
und einen Absaugkanal (8) mit einer Absaugeinrichtung
verbunden sind und daß das ferner die der Gasaustrittsfläche
gegenüberliegende Seite des Grundkörpers
(1) einen Kühlkanal (9) mit Zufluß (10) und Abfluß
(11) aufweist.
2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch,
daß die Kanülen (5) innerhalb der Ausnehmungen (6)
jeweils von einem zweiten Rohr (14) axial-symmetrisch
umgeben sind, dessen eine Öffnung (14.1) mit der Oberfläche
des Grundkörpers (1) abschließt und eine gegenüber
der Öffnung (5.1) der Kanülen (5) gleiche oder
definiert größere Austrittsfläche aufweist und dessen
andere Öffnung (14.2) über ein drittes System von radial
im Grundkörper (1) angeordneten Bohrungen (15) über eine
ringförmige Gasverteilung (16) mit einer Prozeßgaszuführungsleitung
(17) in Verbindung steht.
3. Vorrichtung gemäß Anspruch 1 und 2, gekennzeichnet dadurch,
daß das Verhältnis der freien Querschnittfläche
des zwischen der Wandung der Ausnehmung (6) und der
Kanüle (5) beziehungsweise des Rohres (14) gebildeten
Ringspaltes (6.1) zur freien Querschnittsfläche der
Öffnung (5.1) der Kanüle (5) beziehungsweise der Öffnung
(14.1) des Rohres (14) und der Öffnung (5.1) der
Kanüle (5) größer als 1 ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD31544788A DD271776A1 (de) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | Vorrichtung zur gaszufuehrung und -ableitung fuer die gasphasenbearbeitung von werkstuecken |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3909161A1 true DE3909161A1 (de) | 1989-11-16 |
Family
ID=5598988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19893909161 Withdrawn DE3909161A1 (de) | 1988-05-06 | 1989-03-21 | Vorrichtung zur gaszufuehrung und -ableitung fuer die gasphasenbearbeitung von werkstuecken |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0230127A (de) |
DD (1) | DD271776A1 (de) |
DE (1) | DE3909161A1 (de) |
FR (1) | FR2631164B3 (de) |
GB (1) | GB2219311B (de) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4006411C2 (de) * | 1990-03-01 | 1997-05-28 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat |
CA2060917A1 (en) * | 1991-03-12 | 1992-09-13 | Milam Pender | Plasma enhanced chemical vapor deposition device |
US5647911A (en) * | 1993-12-14 | 1997-07-15 | Sony Corporation | Gas diffuser plate assembly and RF electrode |
GB9411911D0 (en) * | 1994-06-14 | 1994-08-03 | Swan Thomas & Co Ltd | Improvements in or relating to chemical vapour deposition |
FR2727693A1 (fr) * | 1994-12-06 | 1996-06-07 | Centre Nat Rech Scient | Reacteur pour le depot de couches minces en phase vapeur (cvd) |
JP3380091B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2003-02-24 | 株式会社荏原製作所 | 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置 |
US5614026A (en) * | 1996-03-29 | 1997-03-25 | Lam Research Corporation | Showerhead for uniform distribution of process gas |
GB9712400D0 (en) * | 1997-06-16 | 1997-08-13 | Trikon Equip Ltd | Shower head |
US20090095221A1 (en) * | 2007-10-16 | 2009-04-16 | Alexander Tam | Multi-gas concentric injection showerhead |
KR100936059B1 (ko) * | 2009-07-20 | 2010-01-08 | (주)네오세라 | 반도체 웨이퍼 증착장비용 개스 인젝터 제조방법 및 개스 인젝터 |
US20110256692A1 (en) | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor concentric delivery showerhead |
TWI534291B (zh) | 2011-03-18 | 2016-05-21 | 應用材料股份有限公司 | 噴淋頭組件 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3757733A (en) * | 1971-10-27 | 1973-09-11 | Texas Instruments Inc | Radial flow reactor |
US4209357A (en) * | 1979-05-18 | 1980-06-24 | Tegal Corporation | Plasma reactor apparatus |
-
1988
- 1988-05-06 DD DD31544788A patent/DD271776A1/de not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-03-21 DE DE19893909161 patent/DE3909161A1/de not_active Withdrawn
- 1989-04-24 FR FR8905397A patent/FR2631164B3/fr not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-02 JP JP11228289A patent/JPH0230127A/ja active Pending
- 1989-05-04 GB GB8910236A patent/GB2219311B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2219311B (en) | 1992-04-08 |
DD271776A1 (de) | 1989-09-13 |
FR2631164B3 (fr) | 1990-04-27 |
FR2631164A3 (fr) | 1989-11-10 |
JPH0230127A (ja) | 1990-01-31 |
GB2219311A (en) | 1989-12-06 |
GB8910236D0 (en) | 1989-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69728982T2 (de) | Gaszulieferungssystem für behandlung mittels eines geladenen teilchenstrahls | |
DE4011933C1 (de) | ||
DE69730349T2 (de) | Drehbare und verschiebbare sprühdüse | |
DE102015105047B4 (de) | Reduziermuffe mit Kühlmitteldurchfluss und eine Schneidevorrichtung, die eine solche Reduziermuffe verwendet | |
DE3102174A1 (de) | Plasmareaktionsvorrichtung zur behandlung von halbleitern u.dgl. | |
DE3909161A1 (de) | Vorrichtung zur gaszufuehrung und -ableitung fuer die gasphasenbearbeitung von werkstuecken | |
EP1020894A2 (de) | Vorrichtung zur Ätzbehandlung eines scheibenförmigen Gegenstandes | |
DE3523509A1 (de) | Verfahreen zum vermischen hochaktiver chemikalien und vorrichtung zum auftragen von bearbeitungschemikalien auf substratflaechen | |
DE102005055252A1 (de) | CVD-Reaktor mit gleitgelagerten Suszeptorhalter | |
WO1998028085A1 (de) | Vorrichtung zur aerosolerzeugung | |
DE3338158A1 (de) | Verfahren zur reinigung einer maschinell bearbeiteten oberflaeche sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE10392996T5 (de) | Verbesserungen für Duschköpfe | |
DE102005048635A1 (de) | Vorrichtung zur Kühlmitteleinspeisung in einen Schaft eines Rundlaufwerkzeugs sowie ein Rundlaufwerkzeug, insbesondere Bohrer | |
DE102018130139A1 (de) | Gaseinlassvorrichtung für einen CVD-Reaktor | |
DE1183600B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Teilen der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers von Halbleiterbauelementen durch einen Fluessigkeitsstrahl | |
DE3607844A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von vertiefungen und/oder ausnehmungen mit abgeschraegten aussenkanten an der oberflaeche von werkstuecken aus halbleitendem material und/oder daran aufgebrachten duennen schichten durch aetzen | |
EP1787755A1 (de) | Düsenkopf | |
DE112016000177T5 (de) | WIG-Schweissbrenner mit Verengungsdüse | |
EP0953205A1 (de) | Vorrichtung zum behandeln von substraten | |
EP1145290A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten | |
DE19541436C2 (de) | Anlage zur Behandlung von Gegenständen in einem Prozeßtank | |
DE3620214A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur schaffung eines chemisch aktiven milieus fuer plasmochemische reaktionen, vor allem fuer die abscheidung duenner schichten | |
DE10203146A1 (de) | Einspannfutteranordnung eines Ätzgerätes zum Verhindern von Nebenprodukten | |
DE3616467A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum entgraten von werkstuecken | |
DE2143085A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Bohren eines von einem Kanal abzweigenden Seitenkanals |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8141 | Disposal/no request for examination |