DE3439371C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine elektrostatische
Aufspannvorrichtung und befaßt sich insbesondere
mit einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung, die in
der Lage ist, einen aufzuspannenden oder anzuziehenden
Gegenstand fest und sicher in einer ebenen Konfiguration
zu halten. Bei dem aufzuspannenden Gegenstand handelt es
sich vorzugsweise um eine Halbleiter-Scheibe
oder ein Halbleiter-Plättchen, das aufgrund seiner Natur
eine nach oben oder unten gerichtete Biegung oder Wölbung
aufweist.
Fig. 1 zeigt eine herkömmliche elektrostatische
Aufspannvorrichtung. Diese Aufspannvorrichtung enthält
eine ebene plattenförmige Elektrode 1, auf deren Oberfläche
ein dünner isolierender dielektrischer Film 2
aufgetragen ist. Ein dünnes Halbleiter-Plättchen 3 wird
dadurch auf der Oberfläche des dielektrischen Films 2
festgehalten, daß zwischen das Plättchen 3 und die Elektrode
1 eine hohe Gleichspannung einer Spannungsquelle 4
gelegt ist. Auf diese Weise wird das Plättchen 3 durch
elektrostatische Anziehungskraft gegen die Oberfläche
des dielektrischen Films 2 gezogen.
Es ist kürzlich gelungen, einen Siliciumstab durch
Anwendung eines Dampfphasenaufwachsverfahrens epitaxial
wachsen zu lassen. Durch Abtrennen oder Abschneiden von
dem Siliciumstab und anschließendes Polieren kann man
dünne Silicium-Plättchen herstellen. Da ein derartiges
Plättchen sehr dünn ist und einen Durchmesser von beispielsweise
10 cm oder mehr hat, ist das Plättchen nicht
vollkommen eben. Im allgemeinen ist es mehr oder weniger
nach oben oder nach unten gewölbt oder gebogen. Das
Plättchen ist somit konkav oder konvex. Es besteht nun
die Schwierigkeit, ein solches konkaves oder konvexes
Plättchen so gegen die Oberfläche des dielektrischen
Films zu ziehen, daß es einen vollständig planen oder
ebenen Zustand einnimmt. Die von der elektrostatischen
Aufspannvorrichtung ausgeübte Anziehungskraft kann
durch die folgende Gleichung dargestellt werden:
Dabei ist K eine Konstante, n die Dielektrizitätskonstante
des dielektrischen Films 2, V die der Elektrode 1
und dem Plättchen 3 aufgedrückte Spannung, a die Dicke
des dielektrischen Films 2 und b der zwischen dem dielektrischen
Film 2 und dem Plättchen 3 vorhandene Spalt.
Der obigen Gleichung kann man entnehmen, daß die
Anziehungskraft f bei abnehmendem Spalt b zunimmt. Ist
das Plättchen 3 konkav, wie es in Fig. 2 dargestellt
ist, treten keine Schwierigkeiten auf. Hat jedoch das
Plättchen 3 eine entsprechend der Darstellung nach
Fig. 3 konvexe Form oder ist, wiederum entsprechend
der Darstellung nach Fig. 3, sein Mittenabschnitt gegenüber
seinem Randabschnitt nach oben durchgebogen oder gewölbt,
wird der Randabschnitt des Plättchens vor seinem
Mittenabschnitt angezogen und verankert, weil der Randabschnitt
in einer engeren oder direkten Berührung mit
der Oberfläche des dielektrischen Films 2 steht. Man
kann leicht erkennen, daß bei dem Anziehungsvorgang
der Randabschnitt des Plättchens infolge der nach oben
gerichteten Wölbung des Mittenabschnitts nach außen
gleiten muß. Da aber der Randabschnitt bereits fest angezogen
und verankert ist, kann er nicht mehr nach
außen gleiten. Die Folge davon ist, daß der gewölbte
Mittenabschnitt des Plättchens in keinen festen Kontakt
mit dem dielektrischen Film 2 kommt, so daß das gesamte
Plättchen den gewünschten ebenen oder planen Zustand
nicht einnimmt. Es ist somit unmöglich, die Wölbung
oder Durchbiegung des Plättchens 3 zu korrigieren.
Umfangreiche vom Erfinder durchgeführte Versuche
haben ergeben, daß bei einem konvexen Plättchen entsprechend
der Darstellung nach Fig. 1 die nach oben
gerichtete Biegung oder Wölbung des Plättchens dadurch
beseitigt werden kann, daß man entsprechend der Darstellung
nach Fig. 3 eine Elektrode 1′ verwendet, die
lediglich dem Mittenabschnitt des Plättchens 3 gegenüberliegt.
Es hat sich allerdings gezeigt, daß es mit
der Elektrode 1′ nicht möglich ist, ein konkaves
Plättchen 3 entsprechend der Darstellung nach Fig. 4
in einen ebenen oder planen Zustand zu bringen. Bei den
in Fig. 3 und 4 dargestellten Bauformen einer elektrostatischen
Aufspannvorrichtung ist die Elektrode 1′ in
ein Isoliersubstrat 4 eingebettet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine
elektrostatische Aufspannvorrichtung der gattungsgemäßen
Art so weiterzubilden, daß sie in der Lage ist,
das aufzuspannende Plättchen unabhängig davon, ob es
nach oben oder nach unten durchgebogen oder gewölbt ist,
in einen ebenen oder planen Zustand zu ziehen und in diesem
Zustand fest und sicher zu halten.
Ausgehend von einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung
einer Bauart, die eine mit einem isolierenden
dielektrischen Bauteil bedeckte Elektrode aufweist
und bei der ein elektrostatisch anzuziehender Gegenstand
auf dem dielektrischen Bauteil angeordnet und eine Potentialdifferenz
zwischen den Gegenstand und die Elektrode
gelegt wird, zeichnet sich die erfindungsgemäße
Lösung prinzipiell dadurch aus, daß aufgrund einer ausgesuchten
Form, Gestalt oder Konfiguration für die Elektrode
die Verteilung einer auf den Gegenstand ausgeübten
elektrostatischen Anziehungskraft über die gesamte
Anziehungsoberfläche der elektrostatischen Aufspannvorrichtung
nicht gleichförmig ist.
Dieser Zweck, nämlich die Erzielung einer ungleichförmigen
Verteilung der Anziehungskraft über die gesamte
Oberfläche der Aufspannvorrichtung, kann auf verschiedene
Weise erreicht werden. So ist es bei einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung die Elektrode aus einer Vielzahl
voneinander beabstandeter konzentrischer Teilelektroden
gebildet. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel
der Erfindung weist die Elektrode eine Vielzahl in Umfangsrichtung
voneinander beabstandeter in Radialrichtung
verlaufender Abschnitte auf. Bei einem anderen bevorzugten
Ausführungsbeispiel hat das dielektrische
Bauteil eine sich quer zu seiner Flächenausdehnung
ändernde Dicke. Das Ausführungsbeispiel, bei dem die
Elektrode in Teilelektroden unterteilt ist, weist vorzugsweise
veränderbare Widerstände auf, so daß den Teilelektroden
unterschiedlich hohe Gleichspannungen zugeführt
werden können. Die Widerstände können noch mit
Schaltern kombiniert sein, so daß es möglich ist, die
verschiedenen Teilelektroden zu unterschiedlichen Zeitpunkten
zur Wirkung zu bringen.
Ausführungsbeispiele nach der Erfindung werden im folgenden an Hand von Zeichnungen
beispielshalber erläutert. Es zeigen
Fig. 1 und 2 jeweils einen Querschnitt durch
eine herkömmliche elektrostatische Aufspannvorrichtung,
wobei das aufzuspannende Plättchen unterschiedlich gerichtete
Durchbiegungen oder Wölbungen aufweist,
Fig. 3 und 4 jeweils einen Querschnitt durch
eine vom Erfinder bei ausgeführten Experimenten in Betracht
gezogene elektrostatische Aufspannvorrichtung,
wobei das aufzuspannende Plättchen bei den beiden gezeigten
Beispielen unterschiedlich durchgebogen oder
gewölbt ist,
Fig. 5 eine Ansicht von oben auf ein Ausführungsbeispiel
für das Muster der Elektrode in einer
nach der Erfindung ausgebildeten elektrostatischen
Aufspannvorrichtung,
Fig. 6 einen Querschnitt längs der Linie VI-VI
nach Fig. 5 zum Aufzeigen der Beziehung zwischen der
erfindungsgemäßen elektrostatischen Aufspannvorrichtung
und dem anzuziehenden Plättchen,
Fig. 7, 8 und 9 jeweils Ansichten von oben auf
verschiedene bevorzugte Elektrodenmuster der erfindungsgemäßen
elektrostatischen Aufspannvorrichtung,
Fig. 10, 11 und 12 jeweils Querschnitte durch
die erfindungsgemäße elektrostatische Aufspannvorrichtung
und das anzuziehende Plättchen, wobei bei den dargestellten
Ausführungsbeispielen das isolierende dielektrische
Bauteil und die Elektrode jeweils eine sich quer
zu ihrer Flächenausdehnung ändernde Querausdehnung und
somit einen sich ändernden Querschnitt haben, und
Fig. 13 eine Abwandlung des Ausführungsbeispiels
nach Fig. 12, bei dem die die Gesamtelektrode bildenden
Teilelektroden mit Gleichspannungen beaufschlagt werden
können, die sich entsprechend einem vorbestimmten Muster
ändern.
Eine nach der Erfindung ausgebildete Elektrode 11
ist in Fig. 5 gezeigt. Die Elektrode 11 enthält einen
kreisförmigen Mittenabschnitt 11 a, zwei mit dem Mittenabschnitt
konzentrische kreisförmige Ringe 11 b und 11 c
sowie radial verlaufende Verbindungsabschnitte 11 d, die
den Mittenabschnitt mit den kreisförmigen Ringen verbinden.
Die Elektrode 11 mit dem in Fig. 5 gezeigten Muster
ist auf der Oberseite eines Keramiksubstrats 14 angebracht.
Ein beispielsweise aus Glas hergestelltes dielektrisches
Bauteil 12 ist mit der Oberseite der Elektrode
11 verbunden. Zum Anlegen einer Gleichspannung ist
ein Leitungsdraht 15 vorgesehen, der an die Elektrode 11
angeschlossen ist.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform hat die
Elektrode 11 einen Außendurchmesser D = 120 mm, der
kreisförmige Mittenabschnitt 11 a hat einen Durchmesser
d = 30 mm, und die kreisförmigen Ringe 11 b und 11 c
sowie die elektrodenmaterialfreien Bereiche A zwischen
diesen Ringen haben in Radialrichtung gemessen jeweils
gleiche Breiten l, wie es aus Fig. 5 hervorgeht.
Bei einem Experiment wurde ein Halbleiterplättchen
13 mit einem Durchmesser von 125 mm auf der Oberfläche
des dielektrischen Bauteils 12 der elektrostatischen
Aufspannvorrichtung mit der in Fig. 5 gezeigten
Elektrode 11 angeordnet, und es wurde eine Gleichspannung
von 400 V zwischen die Elektrode 11 und das
Plättchen 13 gelegt. Hierbei konnte ein Halbleiterplättchen
mit einem Mittenabschnitt, der etwa 30 µm
höher als sein Außenabschnitt war, vollkommen eben und
plan aufgespannt werden, so daß die Wölbung oder Durchbiegung
des Plättchens korrigiert wurde. In einem Fall,
bei dem sich die Elektrode 11 über die gesamte Oberfläche
der Aufspannvorrichtung erstreckte, betrug die
Differenz in der Höhe etwa 15 µm.
Mit der nach der Erfindung ausgebildeten elektrostatischen
Aufspannvorrichtung kann ein Plättchen, das
in einer der Darstellung nach Fig. 6 entgegengesetzten
Richtung durchgebogen oder gewölbt ist, noch besser und
leichter in einen ebenen oder planen Zustand gezogen
werden.
Weitere erfindungsgemäße Elektrodenmuster sind in
Fig. 7 bis 9 gezeigt. Eine in Fig. 7 dargestellte Elektrode
21 besteht aus einem kreisförmigen Mittenabschnitt
21 a und drei kreisförmigen Ringen 21 b, 21 c und 21 d, die
konzentrisch zueinander und zu dem kreisförmigen Mittenabschnitt
sind. Der kreisförmige Mittenabschnitt
und die dazu konzentrischen kreisförmigen Ringe sind
im Gegensatz zum Ausführungsbeispiel nach Fig. 5 elektrisch
nicht miteinander verbunden. In Fig. 8 und 9
sind Elektroden 31 und 41 dargestellt, die jeweils aus
einer Vielzahl von Elektrodenabschnitten 31 a und 41 a
bestehen, die sich in der Radialrichtung erstrecken.
Die Elektrodenabschnitte 31 a haben eine Breite, die
ausgehend vom Mittenabschnitt zunimmt. Demgegenüber
bleibt die Breite der Elektrodenabschnitte 41 a konstant.
Mit dem Elektrodenmuster nach Fig. 9, bei dem
der Mittenbereich der Elektrode relativ groß ist und
zum Rand hin die Elektrodenbereiche im Vergleich zu
den elektrodenfreien Bereichen abnehmen, kann ein
Plättchen, das entsprechend der Darstellung nach
Fig. 6 in seinem Mittenbereich einen relativ hohen Abstand
von der Aufspannvorrichtung hat, vollkommen eben
und plan gezogen und aufgespannt werden.
Weitere erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele sind
in Fig. 10, 11 und 12 dargestellt. Bei diesen Ausführungsbeispielen
ändert sich der Abstand zwischen der
Oberfläche eines dielektrischen Films oder dielektrischen
Bauteils und der Oberfläche der Elektrode, wobei
die Konstruktion so getroffen ist, daß ein gebogenes
Plättchen besser in einen ebenen Zustand gezogen werden
kann. Durch die Auswahl einer geeigneten Oberflächenkonfiguration
für die Elektrode kann man die Verteilung
der Anziehungskraft festlegen, und zwar wie es gemäß
der Veränderung des genannten Abstands gewünscht ist.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 10 ist die obere
Oberfläche einer Elektrode 50 sphärisch ausgebildet, so
daß ein gebogenes Plättchen 53 unter der Einwirkung
einer elektrostatischen Kraft fest und plan gegen die
Oberfläche 52 a eines dielektrischen Bauteils 52 gezogen
wird. Die elektrostatische Kraft wird hierbei durch
eine Gleichspannung erzeugt, die von einer Gleichspannungsquelle
54 stammt und zwischen die Elektrode 50
und das Plättchen 53 gelegt wird. Die sphärische Oberfläche
51 a der Elektrode 50 ist so gestaltet, daß der
Abstand zwischen der Elektrodenoberfläche 51 a und der
oberen Oberfläche 52 a des dielektrischen Bauteils 52 in
der Mitte am kleinsten ist und dann in Richtung auf den
Rand allmählich zunimmt. Das bedeutet, daß die Dicke
des dielektrischen Bauteils 12 ebenfalls in der Mitte
am kleinsten ist und in Richtung auf den Rand anwächst.
Die Dickenverteilung des dielektrischen Bauteils
52 ist derart festgelegt, daß die gemäß der obigen
Gleichung berechnete Anziehungskraft f im wesentlichen
gleichförmig auf die verschiedenen Bereiche des Plättchens
53 einwirkt, wobei das Ausmaß der Durchbiegung
oder Wölbung des Plättchens im voraus aufgrund von Erfahrung
und entsprechende Experimente in Betracht gezogen
wird. Dies bedeutet, daß die Dickenverteilung in
einer solchen Weise bestimmt oder festgelegt wird, daß
die Oberflächengestalt der Elektrode 50 im wesentlichen
mit der erwarteten Durchbiegung oder Wölbung des aufzuspannenden
Plättchens 53 zusammenfällt. Dies bedeutet,
daß eine relativ starke Anziehungskraft auf den Mittenbereich
des Plättchens ausgeübt wird oder daß die relative
Größe der Anziehungskraft im Mittenbereich zu derjenigen
im Randbereich so gewählt ist, daß der Rand des
Plättchens auf der Oberfläche 52 a des dielektrischen Bauteils
52 gleiten kann, wenn der Mittenbereich des Plättchens
in Berührung mit dem dielektrischen Bauteil 52 gezogen
wird.
Da bei dem betrachteten Ausführungsbeispiel nach
Fig. 10 die Oberseite der Elektrode zwecks Erzielung
einer Übereinstimmung mit der unteren Oberfläche eines
gebogenen Plättchens sphärisch ist, kann man den Abstandsunterschied
zwischen dem Plättchen und der Elektrode über
die gesamte innere Oberfläche des Plättchens im wesentlichen
konstant machen. Auf diese Weise wird vermieden, daß
zunächst die Randabschnitte des Plättchens so stark angezogen
werden, daß der Mittenabschnitt des Plättchens
nicht mehr plangezogen werden kann. Anders ausgedrückt
bedeutet dies, daß das Plättchen über seine Gesamtoberfläche
in einer solchen Weise angezogen wird, daß die
Durchbiegung oder Wölbung des Plättchens vollständig
korrigiert wird.
In Fig. 11 ist ein weiteres erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel
gezeigt, bei dem die Oberseite 51 a der
Elektrode 50 geneigt ist und dementsprechend die Unterseite
des dielektrischen Bauteils 52 ebenfalls schräg
verläuft. Die Elektrode 50 und das Bauteil 52 haben somit
beide eine keilförmige Gestalt. Mit dieser Konstruktion
wird zunächst das in der Darstellung rechte Ende
des Plättchens 53 angezogen. Dort hat nämlich das dielektrische
Bauteil seine geringste Dicke. Das schwächer angezogene
linke Ende des Plättchens kann dann während des
Aufspannvorgangs über die Oberseite 52 a des dielektrischen
Bauteils 52 gleiten. Bei den Ausführungsbeispielen nach
Fig. 10 und 11 kann zusätzlich nach der Erfindung die
zwischen das Plättchen und die Elektrode gelegte Gleichspannung
allmählich erhöht werden. Auf diese Weise ist
es möglich, den Aufspannvorgang noch besser zu steuern.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel zeigt Fig. 12.
Dort ist die Oberseite einer Elektrodenanordnung 61
im allgemeinen sphärisch ausgebildet, wie es bereits in
Fig. 10 gezeigt ist. Die durch die Elektrodenanordnung
61 gebildete Elektrode besteht jedoch aus einer Mittenelektrode
61 A und zwei Außenelektroden 61 B und 61 C, die
die Mittenelektrode 61 A konzentrisch umgeben. Die
Außenelektroden können ringförmig oder aber auch vieleckig
sein. Eine Alternative besteht darin, daß diese
Elektroden von einer Vielzahl paralleler leitender
Streifen gebildet sein können. Um benachbarte Elektroden
gegeneinander zu isolieren und in geeigneter Weise
zu unterstützen, sind sie vorteilhafterweise in einen
Isolierkörper 68 eingebettet. Die Elektroden 61 A, 61 B
und 61 C sind über jeweils veränderbare Widerstände 65,
66 und 67 mit einer gemeinsamen Gleichspannungsquelle
54 verbunden. Die Widerstände werden vorzugsweise so
eingestellt, daß zu Beginn des Aufspannvorgangs allen
Elektroden die gleiche Spannung zugeführt wird. Nach
dem damit verbundenen Anziehungsvorgang wird die Spannung
erhöht, und zwar ausgehend von der Mittenelektrode
61 A in Richtung auf die äußerste Außenelektrode 61 C
fortschreitend.
Fig. 13 zeigt eine Modifikation des Ausführungsbeispiels
nach Fig. 12. Bei dem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel
nach Fig. 13 sind Schalter S₁, S₂ und
S₃ vorgesehen, die dazu dienen, den voneinander getrennten
Teilelektroden 61 A bis 61 C die Gleichspannung in
einer noch zu beschreibenden Weise zuzuführen. Da bei
dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 13 das dielektrische
Bauteil 52 und auch die Teilelektroden 61 A bis 61 C eine
gleichförmige Dicke haben, ist das Verfahren zum Anlegen
der Gleichspannung an die Elektroden verschieden gegenüber
dem beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 12 praktizierten
Verfahren. So wird beim Ausführungsbeispiel nach
Fig. 13 vorzugsweise zunächst die Gleichspannung nur an
die Mittenelektrode 61 A gelegt. Zu diesem Zweck wird der
Schalter S₁ geschlossen, so daß dann zunächst nur der
gebogene Mittenbereich des Plättchens 53 angezogen
wird. Da zu diesem Zeitpunkt die Außenelektroden 61 B
und 61 C mit einer Spannung noch nicht beaufschlagt sind,
kann der Randabschnitt des Plättchens auf der Oberseite
des dielektrischen Bauteils 52 nach außen gleiten. Dadurch
wird sichergestellt, daß das Plättchen in einen
planen oder ebenen Zustand gezogen wird. Im Anschluß
daran werden die mittlere Außenelektrode 61 B und die
äußere Außenelektrode 61 C aufeinanderfolgend durch
aufeinanderfolgendes Schließen der Schalter S₂ und
S₃ mit Spannung beaufschlagt. Die Widerstände 65 bis
67 sind vorzugsweise so eingestellt, daß die höchste
Spannung stets an der Mittenelektrode 61 A liegt und
daß die Spannung in Richtung auf den Rand abnimmt.
Auf diese Weise ist es leichter möglich, das Plättchen
nach unten zu ziehen und in einen planen und
ebenen Zustand aufzuspannen.
Claims (14)
1. Elektrostatische Aufspannvorrichtung einer Bauart,
die eine mit einem isolierenden dielektrischen Bauteil
bedeckte Elektrode aufweist und bei der ein elektrostatisch
anzuziehender Gegenstand auf dem dielektrischen
Bauteil angeordnet und eine Potentialdifferenz zwischen
den Gegenstand und die Elektrode gelegt wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Elektrode (11; 21; 31; 41; 50; 61) eine derartige
Konfiguration hat, daß die Verteilung einer
auf den Gegenstand (13, 53) ausgeübten elektrostatischen
Anziehungskraft über die gesamte Anziehungsoberfläche
der elektrostatischen Aufspannvorrichtung ungleichförmig
ist.
2. Aufspannvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die elektrostatische Anziehungskraft relativ stark
bei einem Mittenabschnitt der Anziehungsoberfläche und
relativ schwach bei einem Randabschnitt der Anziehungsoberfläche
ist.
3. Aufspannvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der elektrostatisch anzuziehende Gegenstand ein gebogenes
Plättchen (13; 53) aus einem Halbleitermaterial
aufweist.
4. Aufspannvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die elektrostatische Anziehungskraft relativ stark
auf einer Seite der Anziehungsoberfläche, jedoch relativ
schwach auf der anderen Seite der Anziehungsoberfläche
ist.
5. Aufspannvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Elektrode (11; 21; 31; 41) freie Bereiche (A)
hat, die für eine ungleichförmige Verteilung der elektrostatischen
Anziehungskraft sorgen.
6. Aufspannvorrichtung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Elektrode (11; 21) eine Vielzahl voneinander
beabstandeter ringförmiger Abschnitte (11 a, 11 b, 11 c;
21 a, 21 b, 21 c, 21 d) aufweist.
7. Aufspannvorrichtung nach Anspruch 5 oder 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Elektrode (11; 31; 41) eine Vielzahl in Umfangsrichtung
voneinander beabstandeter radial verlaufende
Abschnitte (11 d; 31 a; 41 a) aufweist.
8. Aufspannvorrichtung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die in Umfangsrichtung gemessene Breite jedes der
radial verlaufenden Abschnitte (31 a) in Richtung auf
den Rand zunimmt.
9. Aufspannvorrichtung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die in Umfangsrichtung gemessene Breite jedes radial
verlaufenden Abschnitts (41 a) konstant ist.
10. Aufspannvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Dicke des isolierenden dielektrischen Bauteils
(52 in Fig. 10, 11 und 12) nicht gleichförmig ist.
11. Aufspannvorrichtung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Dicke des isolierenden dielektrischen Bauteils
(52 in Fig. 11) an einem Ende relativ klein ist und in
Richtung auf das andere Ende allmählich zunimmt.
12. Aufspannvorrichtung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine in Berührung mit der Elektrode (50; 61) stehende
Oberfläche des isolierenden dielektrischn Bauteils
(52 in Fig. 10 und 12) im wesentlichen sphärisch
ist.
13. Aufspannvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Elektrode (61) eine Vielzahl elektrisch isolierter
Teilelektroden (61 A, 61 B, 61 C) enthält und daß die
Aufspannvorrichtung ferner eine Einrichtung (65, 66, 67)
zum Anlegen unterschiedlicher Gleichspannungen an die
Teilelektroden aufweist.
14. Aufspannvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Elektrode (61) eine Vielzahl elektrisch isolierter
Teilelektroden (61 A, 61 B, 61 C) enthält und daß die
Aufspannvorrichtung ferner eine Schalteinrichtung (S₁,
S₂, S₃) zum Anlegen von Gleichspannungen zu unterschiedlichen
Zeiten an die Teilelektroden aufweist.
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---|---|---|---|
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---|---|
US (1) | US4692836A (de) |
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FR (1) | FR2554288B1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3942931A1 (de) * | 1988-12-26 | 1990-06-28 | Toshiba Ceramics Co | Aufnehmer |
DE19712556A1 (de) * | 1996-03-27 | 1997-11-06 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren und Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Halbleiterwafers |
Families Citing this family (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4884026A (en) * | 1987-06-24 | 1989-11-28 | Tokyo Electron Limited | Electrical characteristic measuring apparatus |
JP2665242B2 (ja) * | 1988-09-19 | 1997-10-22 | 東陶機器株式会社 | 静電チャック |
US5001594A (en) * | 1989-09-06 | 1991-03-19 | Mcnc | Electrostatic handling device |
JP3129452B2 (ja) * | 1990-03-13 | 2001-01-29 | 富士電機株式会社 | 静電チャック |
US5179498A (en) * | 1990-05-17 | 1993-01-12 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck device |
US5452177A (en) * | 1990-06-08 | 1995-09-19 | Varian Associates, Inc. | Electrostatic wafer clamp |
US5099571A (en) * | 1990-09-07 | 1992-03-31 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating a split-ring electrostatic chuck |
US5055964A (en) * | 1990-09-07 | 1991-10-08 | International Business Machines Corporation | Electrostatic chuck having tapered electrodes |
US5191506A (en) * | 1991-05-02 | 1993-03-02 | International Business Machines Corporation | Ceramic electrostatic chuck |
US5155652A (en) * | 1991-05-02 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | Temperature cycling ceramic electrostatic chuck |
JP2938679B2 (ja) * | 1992-06-26 | 1999-08-23 | 信越化学工業株式会社 | セラミックス製静電チャック |
US5600530A (en) * | 1992-08-04 | 1997-02-04 | The Morgan Crucible Company Plc | Electrostatic chuck |
US5436790A (en) * | 1993-01-15 | 1995-07-25 | Eaton Corporation | Wafer sensing and clamping monitor |
US5384681A (en) * | 1993-03-01 | 1995-01-24 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
US5463526A (en) * | 1994-01-21 | 1995-10-31 | Lam Research Corporation | Hybrid electrostatic chuck |
TW288253B (de) * | 1994-02-03 | 1996-10-11 | Aneruba Kk | |
US5531835A (en) * | 1994-05-18 | 1996-07-02 | Applied Materials, Inc. | Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber |
US5671116A (en) * | 1995-03-10 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof |
US5670066A (en) * | 1995-03-17 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processing wherein workpiece position is detected prior to chuck being activated |
US6042686A (en) * | 1995-06-30 | 2000-03-28 | Lam Research Corporation | Power segmented electrode |
EP0764979A3 (de) * | 1995-09-20 | 1998-07-15 | Hitachi, Ltd. | Elektrostatische Anziehungselektrode und Herstellungsverfahren dafür |
US5835333A (en) * | 1995-10-30 | 1998-11-10 | Lam Research Corporation | Negative offset bipolar electrostatic chucks |
US5805408A (en) * | 1995-12-22 | 1998-09-08 | Lam Research Corporation | Electrostatic clamp with lip seal for clamping substrates |
US5838529A (en) * | 1995-12-22 | 1998-11-17 | Lam Research Corporation | Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates |
US5841623A (en) * | 1995-12-22 | 1998-11-24 | Lam Research Corporation | Chuck for substrate processing and method for depositing a film in a radio frequency biased plasma chemical depositing system |
US5812361A (en) * | 1996-03-29 | 1998-09-22 | Lam Research Corporation | Dynamic feedback electrostatic wafer chuck |
US5708250A (en) * | 1996-03-29 | 1998-01-13 | Lam Resarch Corporation | Voltage controller for electrostatic chuck of vacuum plasma processors |
US5761023A (en) * | 1996-04-25 | 1998-06-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback |
US5820723A (en) * | 1996-06-05 | 1998-10-13 | Lam Research Corporation | Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support |
US5948704A (en) * | 1996-06-05 | 1999-09-07 | Lam Research Corporation | High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support |
US5798904A (en) * | 1996-06-28 | 1998-08-25 | Lam Research Corporation | High power electrostatic chuck contact |
US5864459A (en) * | 1996-08-14 | 1999-01-26 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Process for providing a glass dielectric layer on an electrically conductive substrate and electrostatic chucks made by the process |
US5751538A (en) * | 1996-09-26 | 1998-05-12 | Nikon Corporation | Mask holding device and method for holding mask |
US5885428A (en) * | 1996-12-04 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for both mechanically and electrostatically clamping a wafer to a pedestal within a semiconductor wafer processing system |
US5835335A (en) * | 1997-03-26 | 1998-11-10 | Lam Research Corporation | Unbalanced bipolar electrostatic chuck power supplies and methods thereof |
US5880923A (en) * | 1997-06-09 | 1999-03-09 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for improved retention of a semiconductor wafer within a semiconductor wafer processing system |
US5969934A (en) * | 1998-04-10 | 1999-10-19 | Varian Semiconductor Equipment Associats, Inc. | Electrostatic wafer clamp having low particulate contamination of wafers |
US6430022B2 (en) * | 1999-04-19 | 2002-08-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling chucking force in an electrostatic |
DE10050413A1 (de) * | 1999-10-14 | 2001-04-19 | Schlumberger Technologies Inc | Elektrostatische Spannvorrichtung |
US6538873B1 (en) | 1999-11-02 | 2003-03-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Active electrostatic seal and electrostatic vacuum pump |
US6362946B1 (en) | 1999-11-02 | 2002-03-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Electrostatic wafer clamp having electrostatic seal for retaining gas |
JP2001144168A (ja) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Nikon Corp | 静電チャック、それを有する荷電粒子線露光装置、ウエハ保持方法及びそれを用いたデバイス製造方法 |
US6377437B1 (en) | 1999-12-22 | 2002-04-23 | Lam Research Corporation | High temperature electrostatic chuck |
US6375549B1 (en) * | 2000-03-17 | 2002-04-23 | Motorola, Inc. | Polishing head for wafer, and method for polishing |
US6731496B2 (en) * | 2000-05-10 | 2004-05-04 | Ibiden Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
EP1304717A4 (de) * | 2000-07-27 | 2009-12-09 | Ebara Corp | Sheet-beam-testvorrichtung |
US7479456B2 (en) | 2004-08-26 | 2009-01-20 | Applied Materials, Inc. | Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck |
US6475336B1 (en) | 2000-10-06 | 2002-11-05 | Lam Research Corporation | Electrostatically clamped edge ring for plasma processing |
GB0029570D0 (en) * | 2000-12-05 | 2001-01-17 | Trikon Holdings Ltd | Electrostatic clamp |
US6669783B2 (en) | 2001-06-28 | 2003-12-30 | Lam Research Corporation | High temperature electrostatic chuck |
JP2003115442A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置におけるレチクル又はウエハの静電チャック方法 |
US6865065B1 (en) * | 2002-01-22 | 2005-03-08 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Semiconductor processing chamber substrate holder method and structure |
KR100511854B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2005-09-02 | 아네르바 가부시키가이샤 | 정전 흡착 장치 |
US20040066601A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Electrode configuration for retaining cooling gas on electrostatic wafer clamp |
US7430104B2 (en) * | 2003-03-11 | 2008-09-30 | Appiled Materials, Inc. | Electrostatic chuck for wafer metrology and inspection equipment |
SG125948A1 (en) * | 2003-03-31 | 2006-10-30 | Asml Netherlands Bv | Supporting structure for use in a lithographic apparatus |
EP1500984B1 (de) * | 2003-07-23 | 2014-02-26 | ASML Netherlands B.V. | Artikelhalter für einen lithographischen Apparat |
US7199994B1 (en) * | 2004-01-12 | 2007-04-03 | Advanced Micro Devices Inc. | Method and system for flattening a reticle within a lithography system |
JP2005285825A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Advantest Corp | 静電チャック及び静電チャックによる基板固定方法 |
US7666464B2 (en) | 2004-10-23 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor |
CN101278385B (zh) * | 2004-11-04 | 2011-10-12 | 株式会社爱发科 | 静电吸盘装置 |
DE202005011367U1 (de) | 2005-07-18 | 2005-09-29 | Retzlaff, Udo, Dr. | Transfer-ESC auf Wafer-Basis |
CN100362644C (zh) * | 2005-12-07 | 2008-01-16 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 静电卡盘 |
JP4815298B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2011-11-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
WO2008082978A2 (en) | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Electrostatic chuck and method of forming |
WO2008082977A2 (en) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Electrostatic chuck and method of forming |
US8497980B2 (en) * | 2007-03-19 | 2013-07-30 | Nikon Corporation | Holding apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US7580238B2 (en) * | 2007-05-18 | 2009-08-25 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Electrostatic chuck structure for semiconductor manufacturing apparatus |
US20090236214A1 (en) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Karthik Janakiraman | Tunable ground planes in plasma chambers |
US8408262B2 (en) * | 2009-10-08 | 2013-04-02 | International Business Machines Corporation | Adaptive chuck for planar bonding between substrates |
US10388493B2 (en) * | 2011-09-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields |
EP2839506B1 (de) * | 2012-02-29 | 2016-08-24 | ASML Netherlands B.V. | Elektrostatische klemme |
US10593521B2 (en) * | 2013-03-12 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for plasma etch operations |
US9633885B2 (en) * | 2014-02-12 | 2017-04-25 | Axcelis Technologies, Inc. | Variable electrode pattern for versatile electrostatic clamp operation |
CN105448794B (zh) * | 2014-08-13 | 2019-07-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种托盘及承载装置 |
CN104992920B (zh) * | 2015-05-27 | 2017-12-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种控制静电吸盘吸力的方法 |
US9673025B2 (en) * | 2015-07-27 | 2017-06-06 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck including embedded faraday cage for RF delivery and associated methods for operation, monitoring, and control |
US10790181B2 (en) * | 2015-08-14 | 2020-09-29 | M Cubed Technologies, Inc. | Wafer chuck featuring reduced friction support surface |
US11289355B2 (en) * | 2017-06-02 | 2022-03-29 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck for use in semiconductor processing |
US11990360B2 (en) | 2018-01-31 | 2024-05-21 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck (ESC) pedestal voltage isolation |
US11086233B2 (en) | 2018-03-20 | 2021-08-10 | Lam Research Corporation | Protective coating for electrostatic chucks |
JP7101029B2 (ja) | 2018-04-12 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック、基板処理装置、及び、基板保持方法 |
KR20210142804A (ko) * | 2020-05-18 | 2021-11-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전척 |
US11830754B2 (en) * | 2021-03-26 | 2023-11-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor processing method and apparatus |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE930315C (de) * | 1951-11-22 | 1955-07-14 | Wilhelm Binder K G Maschinen U | Elektromagnetischer Spanntisch |
DE1097054B (de) * | 1954-10-14 | 1961-01-12 | Deutsche Edelstahlwerke Ag | Dauermagnetisch erregte Haftvorrichtung |
DE2706555A1 (de) * | 1977-02-16 | 1978-08-17 | Sachs Systemtechnik Gmbh | Arbeitshilfe |
US4184188A (en) * | 1978-01-16 | 1980-01-15 | Veeco Instruments Inc. | Substrate clamping technique in IC fabrication processes |
JPS55160440A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-13 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Device for fixing thin plate |
US4384918A (en) * | 1980-09-30 | 1983-05-24 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein |
US4412133A (en) * | 1982-01-05 | 1983-10-25 | The Perkin-Elmer Corp. | Electrostatic cassette |
JPS5929435A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-02-16 | Hitachi Ltd | 試料支持装置 |
-
1984
- 1984-10-24 US US06/664,408 patent/US4692836A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-10-27 DE DE19843439371 patent/DE3439371A1/de active Granted
- 1984-10-31 FR FR848416701A patent/FR2554288B1/fr not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3942931A1 (de) * | 1988-12-26 | 1990-06-28 | Toshiba Ceramics Co | Aufnehmer |
DE19712556A1 (de) * | 1996-03-27 | 1997-11-06 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren und Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Halbleiterwafers |
DE19712556B4 (de) * | 1996-03-27 | 2004-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | Verfahren und Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Halbleiterwafers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2554288A1 (fr) | 1985-05-03 |
FR2554288B1 (fr) | 1989-12-15 |
DE3439371A1 (de) | 1985-05-23 |
US4692836A (en) | 1987-09-08 |
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---|---|---|
DE3439371C2 (de) | ||
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