DE3340583A1 - Verfahren zum herstellen einer isolierschicht und halbleiterbauelement - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer isolierschicht und halbleiterbauelement

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5665620A (en) * 1994-08-01 1997-09-09 Motorola, Inc. Method for forming concurrent top oxides using reoxidized silicon in an EPROM
US5712177A (en) * 1994-08-01 1998-01-27 Motorola, Inc. Method for forming a reverse dielectric stack

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4814291A (en) * 1986-02-25 1989-03-21 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method of making devices having thin dielectric layers
US4874716A (en) * 1986-04-01 1989-10-17 Texas Instrument Incorporated Process for fabricating integrated circuit structure with extremely smooth polysilicone dielectric interface
EP0281233A1 (en) * 1987-01-30 1988-09-07 AT&T Corp. Improved formation of dielectric on deposited silicon
US5851871A (en) * 1987-12-23 1998-12-22 Sgs-Thomson Microelectronics, S.R.L. Process for manufacturing integrated capacitors in MOS technology
DE69030775T2 (de) * 1989-02-14 1997-11-13 Seiko Epson Corp Herstelllungsverfahren einer Halbleitervorrichtung
EP0545585A3 (en) * 1991-12-03 1996-11-06 American Telephone & Telegraph Integrated circuit fabrication comprising a locos process
EP1192647B1 (en) * 1999-06-25 2010-10-20 Massachusetts Institute Of Technology Oxidation of silicon on germanium
CN112992672B (zh) * 2019-12-16 2022-10-14 山东有研半导体材料有限公司 一种硅基二氧化硅背封薄膜的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3900345A (en) * 1973-08-02 1975-08-19 Motorola Inc Thin low temperature epi regions by conversion of an amorphous layer
US4358326A (en) * 1980-11-03 1982-11-09 International Business Machines Corporation Epitaxially extended polycrystalline structures utilizing a predeposit of amorphous silicon with subsequent annealing
US4479831A (en) * 1980-09-15 1984-10-30 Burroughs Corporation Method of making low resistance polysilicon gate transistors and low resistance interconnections therefor via gas deposited in-situ doped amorphous layer and heat-treatment

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5910060B2 (ja) * 1976-03-01 1984-03-06 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
IT1089298B (it) * 1977-01-17 1985-06-18 Mostek Corp Procedimento per fabbricare un dispositivo semiconduttore
US4166919A (en) * 1978-09-25 1979-09-04 Rca Corporation Amorphous silicon solar cell allowing infrared transmission
JPS55115341A (en) * 1979-02-28 1980-09-05 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Manufacture of semiconductor device
JPS5676537A (en) * 1979-11-27 1981-06-24 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
US4441249A (en) * 1982-05-26 1984-04-10 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Semiconductor integrated circuit capacitor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3900345A (en) * 1973-08-02 1975-08-19 Motorola Inc Thin low temperature epi regions by conversion of an amorphous layer
US4479831A (en) * 1980-09-15 1984-10-30 Burroughs Corporation Method of making low resistance polysilicon gate transistors and low resistance interconnections therefor via gas deposited in-situ doped amorphous layer and heat-treatment
US4358326A (en) * 1980-11-03 1982-11-09 International Business Machines Corporation Epitaxially extended polycrystalline structures utilizing a predeposit of amorphous silicon with subsequent annealing

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Barnes, J. et al.: Low Temperature Differential Oxidation for Double Polysilicon VLSE Devices. In: J. Electrochem. Soc.: Solid-State-Science and Technology, Vol. 126, No. 10, Oct. 1979, pp. 1779-1785 *
Irene, E. A. et. al.: Silicon Oxidation Studies: Morphological Aspects.. In: J. Electrochem. Soc.: Solid-State-Science and Technology, Vol. 127, No. 3, March 1980, pp. 705-713 *
Kamins, T. I. *
Structure and Stability of Low Pressure Chemical Vapor-Deposited Silicon Films. In: J. Electrochem. Soc.: Solid-State-Science and Technology, Vol. 125, No. 6, June 1978, pp. 927-932 *
Sunami, H. et al.: Intermediate Oxide Formation in Double-Polysilicon Gate MOS Structure. In: J. Electrochem. Soc.: Solid-State-Science and Technology, Vol. 127, No. 11, Nov. 1980, pp. 2499-2506 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5665620A (en) * 1994-08-01 1997-09-09 Motorola, Inc. Method for forming concurrent top oxides using reoxidized silicon in an EPROM
US5712177A (en) * 1994-08-01 1998-01-27 Motorola, Inc. Method for forming a reverse dielectric stack
EP0697716A3 (en) * 1994-08-01 1998-06-24 Motorola, Inc. Method for forming concurrent top oxides using reoxidized silicon

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Publication number Publication date
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GB8329380D0 (en) 1983-12-07
GB2131407A (en) 1984-06-20
SE8306071L (sv) 1984-05-13
GB2131407B (en) 1987-02-04
IT1171798B (it) 1987-06-10
IT8323691A0 (it) 1983-11-11
DE3340583C2 (enExample) 1993-04-29
FR2536208B1 (fr) 1987-03-20
JPS59103347A (ja) 1984-06-14
SE500975C2 (sv) 1994-10-10
SE8306071D0 (sv) 1983-11-04
JPH06101466B2 (ja) 1994-12-12

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