DE3315395C2 - - Google Patents
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- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
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Description
Die Erfindung betrifft eine verbesserte Entwicklungslösung
für lichtempfindliche Druckplatten mit einer o-Chinondiazid-
haltigen lichtempfindlichen Schicht, die eine wäßrige Lösung
eines Alkalisilicats enthält, sowie ein Verfahren zur Entwicklung
einer bildweise belichteten lichtempfindlichen
Druckplatte mit einer o-Chinondiazid-haltigen lichtempfindlichen
Schicht, das unter Verwendung der vorgenannten Entwicklungslösung
durchgeführt wird.
Bekanntlich wird die Diazogruppe von o-Chinondiazidverbindungen
durch Bestrahlen mit aktinischem Licht zersetzt unter
Bildung von Verbindungen mit einer Carboxylgruppe. Die
lichtempfindlichen Schichten lichtempfindlicher Druckplatten,
die eine o-Chinondiazidverbindung enthalten, können auf
diese Weise nach der bildmäßigen Belichtung mit einer wäßrigen
alkalischen Entwicklungslösung entwickelt werden, wobei
die belichteten Flächen entfernt werden und die unbelichteten
Flächen zurückbleiben unter Erzeugung eines Bildes. Die derzeit
verwendeten positiv arbeitenden lichtempfindlichen
Druckplatten enthalten daher eine o-Chinondiazidverbindung
im Gemisch mit einem Harz, das in einer wäßrigen alkalischen
Lösung löslich ist. Lichtempfindliche Schichten, die eine
o-Chinondiazidverbindung im Gemisch mit einem Phenol-Formaldehyd-
Kondensatharz vom Novolak-Typ oder ein Kresol-Formaldehyd-
Kondensatharz enthalten, sind die am häufigsten verwendeten
lichtempfindlichen Schichten von Druckplatten oder
vorsensibilisierten Platten.
Geeignete Entwicklungslösungen für derartige lichtempfindliche
Schichten, die o-Chinondiazidverbindungen enthalten,
sind wäßrige Lösungen, die Natrium-tert-phosphat, Natriumhydroxid,
Kaliumhydroxid, Natriumsilicat, Kaliumsilicat oder
Ammoniumsilicat allein oder in Kombination enthalten. Eine
wäßrige Lösung, die nur Natrium-tert-phosphat, Natriumhydroxid
oder Kaliumhydroxid enthält, ist jedoch für die Entwicklung
einer lichtempfindlichen Druckplatte mit einem Aluminiumträger
ungünstig, da sie den Aluminiumträger zu stark
ätzt. Darüber hinaus nimmt bei wiederholter Verwendung ihr
Entwicklungsvermögen stark ab und eine solche Entwicklungslösung
ermöglicht nur einen sehr geringen Durchsatz bei der
Entwicklung lichtempfindlicher Druckplatten.
In jüngster Zeit ist man daher dazu übergegangen, für
lichtempfindliche Druckplatten mit einer lichtempfindlichen
Schicht, die eine o-Chinondiazidverbindung enthalten,
Entwicklungslösungen zu verwenden, die ein Alkalisilicat enthalten,
da sie eine geringere Ätzwirkung auf den Aluminiumträger
haben und ihr Entwicklungsvermögen durch Einstellung
des Verhältnisses von Siliciumdioxid (SiO₂) zu
Alkalioxid (M₂O) und dessen Konzentration steuerbar ist.
Bei steigendem Gehalt an SiO₂ nimmt nämlich ihr Entwicklungsvermögen
ab bei gleichzeitiger Erhöhung der Stabilität des
entwickelten Bildes, während bei steigendem Gehalt an M₂O
ihr Entwicklungsvermögen zunimmt bei gleichzeitig geringerer
Stabilität des entwickelten Bildes.
Aus der DE-OS 28 46 256 ist eine derartige Entwicklungslösung
für die Entwicklung positiv arbeitender lichtempfindlicher
Druckplatten aus einem Aluminiumträger und einer
darauf aufgebrachten lichtempfindlichen Schicht, die eine
o-Chinondiazidverbindung enthält, bei der es sich
um eine wäßrige Lösung eines Alkalisalzes mit einem SiO₂/M-
Verhältnis von 0,5 bis 0,75 und einer SiO₂-Konzentration
von 1 bis 4 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Entwicklungslösung
handelt, bekannt. Diese bekannten Entwicklungslösungen
haben jedoch den Nachteil, daß sie sehr empfindlich
gegenüber Calcium- oder Magnesiumionen sind, die in
dem zur Verdünnung verwendeten Leitungswasser oder Brunnenwasser
enthalten sind. In der Praxis hat sich nämlich gezeigt,
daß die Calcium- oder Magnesiumionen, die in dem
zur Verdünnung verwendeten Wasser enthalten sind, mit dem
Alkalisilicat reagieren unter Bildung unlöslicher Niederschläge,
die sich am Boden des Behälters in der Entwicklungsvorrichtung
oder in den Sprührohren oder Sprühdüsen ablagern,
wodurch der Ablauf einer automatischen Entwicklung
empfindlich gestört wird.
Aufgabe der Erfindung war es daher, eine Entwicklungslösung
für lichtempfindliche Druckplatten mit einer o-Chinondiazidverbindungen
enthaltenden lichtempfindlichen Schicht bereitzustellen,
bei der die vorstehend geschilderten Nachteile
nicht auftreten.
Es wurde nun gefunden, daß diese Aufgabe erfindungsgemäß
dadurch gelöst werden kann, daß der eine wäßrige Lösung eines
Alkalisilicats enthaltenden Entwicklungslösung für lichtempfindliche
Druckplatten mit einer o-Chinondiazid-haltigen
lichtempfindlichen Schicht eine organische Phosphonsäure
als Chelatkomplexbildner zugesetzt wird.
Aus der US-PS 43 14 022 ist zwar bereits die Verwendung von
Chelatkomplexbildnern in stark alkalischen Entwicklungslösungen
bekannt, welche die Aufgabe haben, die Aluminiumionenkonzentration
auf einem möglichst niedrigen Niveau
konstant zu halten, die der Erfindung zugrunde liegende
Aufgabe ist jedoch völlig anderer Art, und die erfindungsgemäß
vorgeschlagene Lösung dieser Aufgabe ist daraus nicht
zu entnehmen.
Gegenstand der Erfindung ist eine Entwicklungslösug für
lichtempfindliche Druckplatten mit einer o-Chinondiazid-
haltigen lichtempfindlichen Schicht, die eine wäßrige Lösung
eines Alkalisilicats enthält und dadurch gekennzeichnet ist,
daß sie wenigstens eine organische Phosphonsäure als Chelatkomplexbildner
enthält.
Mit der erfindungsgemäßen Entwicklungslösung für lichtempfindliche
Druckplatten mit einer o-Chinondiazid-haltigen
lichtempfindlichen Schicht ist es möglich, die bisher
auftretenden Probleme, die insbesondere im Zusammenhang stehen
mit der Verdünung konzentrierter Entwicklungslösungen mit
Calcium- und Magnesiumionen enthaltendem Leitungs- oder
Brunnenwasser, die zur Bildung unlöslicher Niederschläge in
automatischen Entwicklungsvorrichtungen und demzufolge zu
Betriebsstörungen führen, zu lösen. Durch Verwendung der
erfindungsgemäß eingesetzten speziellen Chelatkomplexbildner
ist es möglich, die Gebrauchsdauer der Entwicklungslösungen
erheblich zu verlängern und ihr Entwicklungsvermögen deutlich
zu verbessern sowohl gegenüber Entwicklungslösungen, die
keinen Phosphonsäure-Chelatkomplexbildner enthalten, als
auch gegenüber solchen Entwicklungslösungen, die andere
Komplexbildner, z. B. einen Aminopolycarbonsäure-Komplexbildner,
enthalten (vgl. die weiter unten folgenden Beispiele
und Vergleichsbeispiele).
Der erfindungsgemäß verwendete Chelatkomplexbildner ist
vorzugsweise in einer Menge von 0,01 bis 1 Gew.-%, insbesondere
in einer Menge von 0,02 bis 0,1 Gew.-%, in der Entwicklungslösung
enthalten.
Als Alkalisilicat wird in der erfindungsgemäßen Entwicklungslösung
vorzugsweise eine Verbindung aus der Gruppe Natriumsilicat,
Kaliumsilicat und Ammoniumsilicat verwendet. Das
Molverhältnis von Siliciumdioxid zu Alkalioxid in dem Alkalisilicat
liegt vorzugsweise innerhalb des Bereiches von 1,0
bis 2,0.
Das Alkalisilicat ist in der erfindungsgemäßen Entwicklungslösung
vorzugsweise in einer Menge innerhalb des Bereiches
von 0,1 bis 20 Gew.-% enthalten.
Ein besonders bevorzugt verwendetes Alkalisilicat ist Kaliumsilicat
mit einem Molverhältnis SiO₂/K₂O von 1,0 bis 2,0,
das vorzugsweise in einer Menge von 2 bis 10 Gew.-% in der
Entwicklungslösung enthalten ist.
Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren zur Entwicklung
einer bildmäßig belichteten lichtempfindlichen
Druckplatte mit einer o-Chinondiazid-haltigen lichtempfindlichen
Schicht, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man die
Druckplatte mit einer erfindungsgemäßen Entwicklungslösung
der vorstehend angegebenen Zusammensetzung entwickelt.
Die Erfindung wird nachstehend näher erläutert.
Brauchbare Alkalisilicate, die erfindungsgemäß verwendet werden
können, umfassen Natriumsilicat, Kaliumsilicat und Ammoniumsilicat.
Das Molverhältnis von Siliciumoxid zu Alkalioxid in
dem Alkalisilicat, d. h. SiO₂/M₂O (M: einwertiges Alkali),
beträgt zweckmäßig 1 : 1 bis 2,0 : 1, und die Konzentration an
Alkalisilicat in der Entwicklungslösung bei der Verwendung
beträgt zweckmäßig 2 bis 20 Gew.-%.
Die Konzentration an Alkalisilicat und das Molverhältnis
SiO₂/M₂O variieren in Abhängigkeit von der Löslichkeit der
o-Chinondiazid-haltigen lichtempfindlichen Schicht in der
alkalischen Lösung, von gegebenenfalls der Entwicklungslösung
zur Stabilisierung zugesetzten Entwicklungsstabilisatoren
und anderen wahlfreien Zusätzen. Ein bevorzugtes Alkalisilicat
ist Kaliumsilicat, dessen Molverhältnis SiO₂/K₂O
vorzugsweise 1,0 bis 2,0 beträgt, und die Konzentration an
Kaliumsilicat in der Entwicklungslösung liegt zweckmäßig im
Bereich von 2 bis 10 Gew.-%.
Andere spezielle wäßrige Lösungen von Alkalisilicaten, die
erfindungsgemäß verwendet werden können, umfassen z. B. eine
alkalische wäßrige Lösung, wie sie in JP-OS 51 324/75
beschrieben ist, die ein oberflächenaktives Mittel enthält,
eine alkalische wäßrige Lösung, wie sie in JP-OS 14 25 528/81
beschrieben ist, die einen wasserlöslichen amphoteren hochmolekularen
Elektrolyten enthält, eine alkalische wäßrige
Lösung, wie sie in JP-OS 95 946/80 beschrieben ist, die ein
wasserlösliches kationisches Polymeres enthält, eine alkalische
wäßrige Lösung, beschrieben in JP-OS 91 221/74, die
Benzylalkohol enthält, eine alkalische wäßrige Lösung,
beschrieben in JP-OS 25 100/80, die eine ionisierbare Verbindung
eines Elements der Gruppe IIa, IIIa oder IIIb des
Periodensystems der Elemente enthält, und eine wäßrige Lösung,
wie sie in der US-PS 42 59 434 beschrieben ist, worin M in
SiO₂/M₂O zumindest 20% beträgt.
Der der wäßrigen Alkalisilicat-Lösung zuzusetzende Chelatkomplexbildner
ist in der alkalischen wäßrigen Lösung löslich
und zeigt ein Maskierungsvermögen für Calciumionen von 50%
oder mehr in einer wäßrigen Lösung mit einem pH-Wert von
12 oder mehr. Geeignete Chelatkomplexbildner sind organische
Phosphonsäuren oder Phosphonotricarbonsäuren wie 2-Phosphonobutantricarbonsäure-
1,2,4 und ihr Kalium- oder Natriumsalz,
2-Phosphonobutantricarbonsäure-2,3,4 und ihr Kalium- oder
Natriumsalz, 1-Phosphonoethantricarbonsäure-1,2,2 und ihr
Kalium- oder Natriumsalz, 1-Hydroxyethan-1,1-diphosphonsäure
und ihr Kalium- oder Natriumsalz, Aminotri(methylenphosphonsäure)
und ihr Kalium- oder Natriumsalz. Organische
Aminsalze der vorstehend beschriebenen Chelatkomplexbildner
sind ebenfalls wie die vorstehend beschriebenen Natrium-
oder Kaliumsalze wirksam. Diese Chelatkomplexbildner sind
stabil in der wäßrigen Alkalisilicat-Lösung und inhibieren
die Entwicklung nicht. Sie werden der wäßrigen Alkalisilicat-
Lösung in Mengen von 0,01 bis 1 Gew.-%, vorzugsweise von
0,02 bis 0,1 Gew.-%, zugesetzt.
Die o-Chinondiazid-haltige lichtempfindliche Schicht, auf die
die erfindungsgemäße Entwicklungslösung angewendet wird, ist
eine lichtempfindliche Kopierschicht, die als lichtempfindlichen
Bestandteil eine o-Chinondiazidverbindung enthält, die eine
erhöhte Löslichkeit in einer alkalischen wäßrigen Lösung,
bestrahlt mit aktinischem Licht, aufweist. Geeignete lichtempfindliche
Kopierschichten umfassen solche, die o-Chinondiazidverbindungen
allein oder in Kombination mit einem
in alkalischer Lösung löslichen Harz enthalten, wie beschrieben
in der US-PS 42 59 434, Spalte 3, Zeile 2, bis Spalte 6,
Zeile 14. Besonders bevorzugte lichtempfindliche Schichten
enthalten ein Gemisch eines o-Chinondiazid-sulfonsäureesters
einer aromatischen Polyhydroxyverbindung mit einem in alkalischer
Lösung löslichen Harz (z. B. Phenolharz, Cresolharz oder
Styrol/Maleinsäureanhydrid-Copolymeres). Die zur Beschichtung
der lichtempfindlichen Kopierschicht zur Herstellung
einer Druckplatte verwendete Trägerplatte kann eine Aluminiumplatte
sein, die hydrophil gemacht wurde, wie in der
US-PS 42 59 434, Spalte 4, Zeilen 2 bis 38, beschrieben.
Die Verwendung der erfindungsgemäßen Entwicklungslösung zum
Entwickeln belichteter lichtempfindlicher Druckplatten mit
einer o-Chinondiazid-haltigen lichtempfindlichen Schicht
verringert die Bildung von unlöslichem Material in automatischen
Entwicklungsvorrichtungen. Dementsprechend trägt die
Verwendung der Lösung dazu bei, das abnormale Funktionieren
von Vorrichtungen durch Abscheidungen von unlöslichem Material
in den Sprühröhren und -düsen der Vorrichtungen zu überwinden.
Darüber hinaus kann die erfindungsgemäße Entwicklerlösung
gut verwendet werden, ohne die Entwicklungsfähigkeit nachteilig
zu beeinflussen.
Die erfindungsgemäße Entwicklungslösung wird bereitgestellt
als direkt brauchbare Lösung, oder als eine bis auf die
20fache Konzentration konzentrierte Lösung, solange die
Bestandteile nicht ausfallen. Die konzentrierte Lösung wird vor
der Verwendung mit Stadt- bzw. Leitungswasser oder Brunnenwasser
verdünnt.
In den folgenden Beispielen sind bevorzugte Ausführungsformen
der Erfindung näher beschrieben. Die Mengenangaben in "%"
beziehen sich jeweils auf das Gewicht.
0,85 Gewichtsteile Naphthochinon-1,2-diazid-5-sulfonsäureester
einer Polyhydroxyphenyl-Verbindung (hergestellt durch
Polykondensation von Aceton und Pyrogallol gemäß Beispiel
der US-PS 36 35 709), 2,25 Gewichtsteile Cresol-Formaldehyd-
Harz, 0,05 Gewichtsteile p-Octylphenol-Formaldehyd-Harz,
0,04 Gewichtsteile Naphthochinon-1,2-diazid-4-sulfonylchlorid,
0,03 Gewichtsteile p-Toluolsulfonsäuresalz von
Kristallviolett und 0,15 Gewichtsteile Tetrahydrophthalsäureanhydrid
wurden in 20 Gewichtsteilen 2-Methoxyethylacetat
und 20 Gewichtsteilen Methylethylketon zur Herstellung einer
lichtempfindlichen Lösung gelöst.
Eine 0,3 mm dicke, gekörte Aluminiumplatte wurde in
Schwefelsäure anodisch behandelt, um darauf einen Oxidfilm von
etwa 3 g/m² zu bilden, gut mit Wasser gewaschen, und
getrocknet. Anschließend wurde die vorstehend beschriebene
lichtempfindliche Lösung darauf aufgebracht und getrocknet
unter Bildung einer lichtempfindlichen Druckplatte mit
einer lichtempfindlichen Schicht einer Dicke entsprechend
etwa 2,5 g/m².
21 l einer Entwicklungslösung, hergestellt durch Verdünnen
der folgenden konzentrierten Entwicklungslösung auf das
7fache (bezogen auf das Volumen) mit Brunnenwasser, das
etwa 20 ppm Calciumionen enthielt, wurden in den Behälter
einer automatischen Entwicklungsvorrichtung, wie sie
in der Fig. 2 der US-PS 42 59 434 beschrieben ist, eingeführt.
Konzentrierte Entwicklungslösung | |
Natriumsilicat (SiO₂/Na₂O Molverhältnis = 3,0, 40% wäßrige Lösung)|50 kg | |
50% Kaliumhydroxid, wäßrige Lösung | 27 kg |
50% wäßrige Lösung von 2-Phosphonobutantricarbonsäure-1,2,3, Kaliumsalz | 0,5 kg |
Ionen-ausgetauschtes Wasser | 76 kg |
Die vorstehend beschriebenen, in Bildform belichteten
lichtempfindlichen Platten wurden kontinuierlich mit einer
Geschwindigkeit von 50 m²/Tag während 14 Tagen entwickelt.
Die Aktivität der Lösung wurde immer auf dem gleichen Niveau
wie die ursprüngliche Lösung gehalten durch Zusatz eines
ergänzenden Materials, hergestellt durch Verdünnen der
vorstehend beschriebenen konzentrierten Entwicklungslösung
auf das 3fache mit Brunnenwasser, das etwa 20 ppm
Calciumionen enthielt.
Die automatische Entwicklungsvorrichtung funktionierte normal
während der 14tägigen Entwicklung, ohne daß ein Verstopfen
der Sprühdüse auftrat. Nach 14tägiger Entwicklung wurde die
Bildung von unlöslichem Material durch Entfernen der
Entwicklungslösung untersucht und es zeigte sich, daß fast
kein unlösliches Material gebildet worden war.
Zu Vergleichszwecken wurde genau die gleiche 14tägige
Entwicklung wie vorstehend beschrieben durchgeführt,
unter Verwendung der gleichen konzentrierten Entwicklungslösung,
wie vorstehend beschrieben, wobei jedoch der Chelatkomplexbildner
weggelassen wurde. Es zeigte sich, daß ein
Verstopfen der Sprühdüse am 12. Tag auftrat. Wenn die
Entwicklungslösung nach 14tägiger Entwicklung entfernt wurde,
um die Bildung von unlöslichem Material zu bewerten, so
zeigte sich, daß viel unlösliches Material an dem Sprührohr
abgelagert war.
21 l einer Entwicklungslösung, hergestellt durch 11faches
Verdünnen der folgenden konzentrierten Entwicklungslösung
mit einem Verdünnungswasser, enthaltend Calciumionen und
Chlorionen, wie in der nachstehenden Tabelle gezeigt, wurden
in den Behälter der automatischen Entwicklungsmaschine, wie
sie in Beispiel 1 verwendet wurde, eingebracht.
Konzentrierte Entwicklungslösung | |
Kaliumsilicat (50%ige wäßrige Lösung von SiO₂/K₂O = 2,0 Mol-%)|70,0 kg | |
50%ige wäßrige Kaliumhydroxidlösung | 29,0 kg |
chelatbildendes Mittel (wie in der folgenden Tabelle angegeben) | 0,5 Mol |
Ionen-ausgetauschtes Wasser | 39,0 kg |
Die bildweise belichteten lichtempfindlichen Druckplatten,
wie sie in Beispiel 1 verwendet wurden, wurden kontinuierlich
mit einer Geschwindigkeit von 100 m²/Tag während 20 Tagen
entwickelt. Die Aktivität der Lösung wurde immer auf dem
gleichen Niveau wie die ursprüngliche Lösung gehalten durch
Zusatz eines Auffüllmittels, hergestellt durch Verdünnen
der vorstehend genannten konzentrierten Entwicklungslösung
auf das 6fache mit dem vorstehend genannten Verdünnungswasser.
Der Verstopfungsgrad der Sprühdüse der automatischen
Entwicklungsvorrichtung und der Grad des Belags, der auf dem
Boden des Behälters der automatischen Entwicklungsvorrichtung
abgeschieden wurde, wurden durch die folgenden
Standards bewertet und sind in der nachstehenden Tabelle
angegeben.
A: keine Verstopfung
B: eine Verstopfung trat am 18. bis 20. Tag auf
C: eine Verstopfung trat am 10. Tag auf
D: eine Verstopfung trat am 7. Tag auf
E: eine Verstopfung trat am 5. Tag auf
B: eine Verstopfung trat am 18. bis 20. Tag auf
C: eine Verstopfung trat am 10. Tag auf
D: eine Verstopfung trat am 7. Tag auf
E: eine Verstopfung trat am 5. Tag auf
A: keine Bildung eines Belages
B: es bildete sich ein leichter Belag am 20. Tag
C: es bildete sich ein Belag am 15. Tag
D: es bildete sich ein Belag am 10. Tag
E: es bildete sich ein Belag am 5. Tag
B: es bildete sich ein leichter Belag am 20. Tag
C: es bildete sich ein Belag am 15. Tag
D: es bildete sich ein Belag am 10. Tag
E: es bildete sich ein Belag am 5. Tag
Claims (8)
1. Entwicklungslösung für lichtempfindliche Druckplatten
mit einer o-Chinondiazid-haltigen lichtempfindlichen
Schicht, enthaltend eine wäßrige Lösung eines Alkalisilicats,
dadurch gekennzeichnet, daß sie
wenigstens eine organische Phosphonsäure als Chelatkomplexbildner
enthält.
2. Entwicklungslösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Alkalisilicat aus der Gruppe Natriumsilicat,
Kaliumsilicat und Ammoniumsilicat gewählt wird.
3. Entwicklungslösung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß das Molverhältnis von Siliciumoxid zu
Alkalioxid in dem Alkalisilicat im Bereich von 1,0 bis
2,0 liegt.
4. Entwicklungslösung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß das Alkalisilicat in einer
Menge von 1 bis 20 Gew.-% in der Entwicklunglösung enthalten
ist.
5. Entwicklungslösung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß das Alkalisilicat Kaliumsilicat
mit einem Molverhältnis SiO₂/K₂O von 1,0 bis 2,0
ist und das Kaliumsilicat in einer Menge von 2 bis 10
Gew.-% in der Entwicklungslösung enthalten ist.
6. Entwicklungslösung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß der Chelatkomplexbildner in
einer Menge von 0,01 bis 1 Gew.-% in der Entwicklungslösung
enthalten ist.
7. Entwicklungslösung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß der Chelatkomplexbildner in einer Menge von
0,02 bis 0,1 Gew.-% in der Entwicklungslösung enthalten ist.
8. Verfahren zur Entwicklung einer bildweise belichteten
lichtempfindlichen Druckplatte mit einer o-Chinondiazid-
haltigen lichtempfindlichen Schicht, dadurch gekennzeichnet,
daß man die Platte mit einer Entwicklungslösung nach einem
der Ansprüche 1 bis 7 entwickelt.
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Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59121336A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版の現像液 |
DE3569703D1 (en) * | 1984-01-17 | 1989-06-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Presensitized plate having an anodized aluminum base with an improved hydrophilic layer |
JPS622254A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光材料の現像方法 |
JPS6259961A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光材料現像装置 |
JPS63158552A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製造方法 |
JP2516022B2 (ja) * | 1987-07-17 | 1996-07-10 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性平版印刷版自動現像装置の現像補充液補充方法 |
DE3938108A1 (de) * | 1989-11-16 | 1991-05-23 | Hoechst Ag | Entwicklerkonzentrat und daraus hergestellter entwickler fuer belichtete negativ arbeitende reproduktionsschichten mit deckschicht sowie verfahren zur herstellung von druckformen |
DE3938107A1 (de) * | 1989-11-16 | 1991-05-23 | Hoechst Ag | Entwicklerkonzentrat und daraus hergestellter entwickler fuer belichtete negativ arbeitende reproduktionsschichten sowie verfahren zur herstellung von druckformen |
JP2698228B2 (ja) * | 1991-02-13 | 1998-01-19 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂用現像液 |
JP2920410B2 (ja) * | 1990-07-11 | 1999-07-19 | コニカ株式会社 | 感光性平版印刷版の現像処理装置 |
DE4445820A1 (de) | 1994-12-21 | 1996-06-27 | Hoechst Ag | Verfahren zum Entwickeln bestrahlter, strahlungsempfindlicher Aufzeichnungsmaterialien |
US5942368A (en) * | 1996-04-23 | 1999-08-24 | Konica Corporation | Pigment dispersion composition |
US5766826A (en) * | 1996-10-11 | 1998-06-16 | Eastman Kodak Company | Alkaline developing composition and method of use to process lithographic printing plates |
US5897985A (en) * | 1996-10-11 | 1999-04-27 | Kodak Polychrome Graphics, Llc | Potassium silicate developing composition and method of use to process lithographic printing plates |
US6083662A (en) * | 1997-05-30 | 2000-07-04 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Methods of imaging and printing with a positive-working infrared radiation sensitive printing plate |
US5811221A (en) * | 1997-05-30 | 1998-09-22 | Kodak Polychrome Graphics, Llc | Alkaline developing composition and method of use to process lithographic printing plates |
DE69901642T3 (de) | 1998-03-14 | 2019-03-21 | Agfa Nv | Verfahren zur Herstellung einer positiv arbeitenden Druckplatte aus einem wärmeempfindlichem Bildaufzeichnungsmaterial |
US6143479A (en) * | 1999-08-31 | 2000-11-07 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Developing system for alkaline-developable lithographic printing plates |
US6511790B2 (en) | 2000-08-25 | 2003-01-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Alkaline liquid developer for lithographic printing plate and method for preparing lithographic printing plate |
US6391530B1 (en) | 2000-11-03 | 2002-05-21 | Kodak Polychrome Graphics, Llc | Process for developing exposed radiation-sensitive printing plate precursors |
JP2003315987A (ja) | 2002-02-21 | 2003-11-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製版方法 |
EP2354854B2 (de) | 2002-09-20 | 2016-04-06 | FUJIFILM Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Flachdruckplatte |
EP1649322A4 (de) | 2003-07-17 | 2007-09-19 | Honeywell Int Inc | Planarisierungsfilme für fortschrittliche mikroelektronsiche anwendungen und einrichtungen und herstellungsverfahren dafür |
JP2005321763A (ja) | 2004-04-06 | 2005-11-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版自動現像機の現像補充液補充方法 |
US20080299491A1 (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Miller Gary R | Highly alkaline developer composition and methods of use |
US7883833B2 (en) | 2007-06-20 | 2011-02-08 | Eastman Kodak Company | Use of highly alkaline developer regenerator composition |
EP3879346A1 (de) * | 2017-02-28 | 2021-09-15 | FUJIFILM Corporation | Verfahren zur herstellung einer lithografiedruckplatte |
CN108303861A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-07-20 | 江苏乐彩印刷材料有限公司 | 一种阳图型ps版用显影液及其制备方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL267572A (de) * | 1960-07-29 | |||
DE1572153B2 (de) * | 1966-06-27 | 1971-07-22 | E I Du Pont de Nemours and Co , Wilmington, Del (V St A ) | Fotopolymerisierbares aufzeichnungsmaterial |
US3615480A (en) * | 1969-02-24 | 1971-10-26 | Du Pont | Developer solutions for photopolymerized layers |
DE2236941C3 (de) * | 1972-07-27 | 1982-03-25 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial |
US4123279A (en) * | 1974-03-25 | 1978-10-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-sensitive o-quinonediazide containing planographic printing plate |
DE2846256A1 (de) * | 1977-10-24 | 1979-04-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | Verfahren zur entwicklung positiv wirkender lichtempfindlicher planographischer druckplatten |
US4259434A (en) * | 1977-10-24 | 1981-03-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for developing positive acting light-sensitive planographic printing plate |
DE2834958A1 (de) * | 1978-08-10 | 1980-02-21 | Hoechst Ag | Verfahren zum entwickeln von belichteten lichtempfindlichen druckplatten |
US4314022A (en) * | 1980-05-05 | 1982-02-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photoresist developers and process |
JPS5752053A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Manufacture of photosensitive resin plate |
US4374920A (en) * | 1981-07-27 | 1983-02-22 | American Hoechst Corporation | Positive developer containing non-ionic surfactants |
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