DE3347338C2 - - Google Patents
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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Description
Die Erfindung betrifft eine verbesserte Entwicklerlösung
zum Entwickeln lichtempfindlicher Flachdruckplatten, die
eine o-Chinondiazidverbindung als lichtempfindliche Komponente
enthalten (im folgenden werden diese Formen als "PS-
Platten" bezeichnet).
Bei Bestrahlung von o-Chinondiazidverbindungen mit aktinischem
Licht erfolgt bekanntlich eine Zersetzung der Diazogruppe
und es entstehen Carboxylgruppen- enthaltende Verbindungen.
Bei der bildmäßigen Belichtung und Verarbeitung mit
einer alkalischen Entwicklerlösung wird deshalb die
o-Chinondiazidverbindungen enthaltende lichtempfindliche
Schicht in den belichteten Bereichen entfernt. Entsprechend
bleiben die nicht-belichteten Bereiche unter Erzeugung eines
Bildes zurück. Aus diesem Grund sind o-Chinondiazidverbindungen
in jüngster Zeit vielfach als sogenannte positiv arbeitende,
lichtempfindliche Komponenten in lichtempfindlichen
PS-Platten oder in Photoresist-Zusammensetzungen für
das Photoätzen eingesetzt worden. Zusammensetzungen, hergestellt
durch Vermischen einer o-Chinondiazidverbindung mit
einem alkalilöslichen Harz, sind aus wirtschaftlicher und
praktischer Sicht besonders vorteilhaft zum Einsatz gekommen.
Vor allem sind Zusammensetzungen aus einer o-Chinondiazidverbindung
und einem Phenol-Formaldehyd-Novolak oder
einem Kresol-Formaldehydkondensat in großem Umfang eingesetzt
worden.
Geeignete Entwickler zum Entwickeln von diesen o-Chinondiazide
enthaltenden lichtempfindlichen Schichten sind z. B.
wäßrige Lösungen von tertiärem Natriumphosphat, Natriumhydroxid,
Natriumsilikat, Kaliumsilikat, Ammoniumsilikat
allein oder in Kombination. Wäßrige Lösungen von Natriumhydroxid,
tertiärem Natriumphosphat oder dergl. üben jedoch
abhängig von der Entwicklungszeit eine starke Ätzwirkung
auf das Metall, z. B. Aluminium, aus und sind deshalb zur
Entwicklung lichtempfindlicher Materialien auf einem Metallträger
ungünstig. Außerdem ergeben solche wäßrigen Lösungen
extrem unterschiedliche Entwicklungsergebnisse und in Extremfällen
können die Bilder schon bei geringfügiger Überschreitung
der Entwicklungszeit entfernt werden. Da die Entwicklungsfähigkeit
dieser wäßrigen Lösungen bei wiederholter
Verwendung stark beeinträchtigt wird, kann mit einem bestimmten
Volumen dieser Lösungen nur eine beschränkte Menge
an lichtempfindlichen Materialien entwickelt werden (geringe
Verarbeitungskapazität). Dementsprechend sind in jüngster
Zeit wäßrige Lösungen von Natriumsilikat oder Kaliumsilikat
mit vergleichsweise vorteilhafter Wirkung eingesetzt worden.
Der Grund dafür ist, daß sie nur eine geringe Ätzwirkung auf
Metalle ausüben und außerdem kann gleichzeitig ihre Entwicklungsfähigkeit
im gewissen Umfang durch Einstellen des
Verhältnisses von Siliciumoxid (SiO₂) zu Natriumoxid (Na₂O)
oder Kaliumoxid (K₂O) (im allgemeinen ausgedrückt als Molverhältnis
SiO₂/Na₂O oder SiO₂/K₂O), wobei die Siliciumoxide
Bestandteile von Natriumsilikat oder Kaliumsilikat sind,
und durch Einstellen deren Konzentration geregelt werden.
Das heißt, mit zunehmendem SiO₂-Gehalt wird die Entwicklungsfähigkeit
gebremst, jedoch nimmt die Entwicklungsstabilität
zu, während mit zunehmendem Gehalt an Na₂O oder K₂O die Entwicklungsfähigkeit
zunimmt, während die Entwicklungsstabilität
abnimmt. Unter dem hier verwendeten Ausdruck "Entwicklungsstabilität"
wird die Stabilität des Bildes, bezogen auf
die Entwicklungszeit, verstanden. Erhöht man nur den Gehalt
an Na₂O oder K₂O, besteht die Gefahr, daß das Bild nach
kurzer Zeit entfernt wird.
Die Verarbeitungskapazität eines bestimmten Volumens der
Entwicklerlösung nimmt mit dem Gehalt an Na₂O oder K₂O zu.
Deshalb läßt sich eine mäßige Verarbeitungskapaziät zusammen
mit einer gewissen Entwicklungsfähgigkeit und Entwicklungsstabilität
erzielen, indem man die Gesamtkonzentration
erhöht, während man das SiO₂/Na₂O oder SiO₂/K₂O-Verhältnis
unter Berücksichtigung der Entwicklungsfähigkeit und Entwickungsstabilität
einstellt. Dies reicht jedoch immer
noch nicht aus, um beide Erfordernisse zu erfüllen: Wenn
die Entwicklungsfähigkeit zufriedenstellend ist, denn resultiert
eine ungenügende Stabilität, und wenn die Stabilität
zufriedenstellend ist, dann hat dies eine unzureichende Entwicklungsfähigkeit
und Verarbeitungskapazität zur Folge.
Da außerdem relativ hohe Konzentrationen angewandt werden,
bilden sich leicht Niederschläge und zur Neutralisation
der verbrauchten Flüssigkeit ist eine große Säuremenge erforderlich.
Die Probleme, die mit den oben beschriebenen
Entwicklerlösungen, die Natriumhydroxid, tertiäres Natriumphosphat,
Natriumsilikat, Kaliumsilikat oder dergl. enthalten,
auftreten, können wie folgt zusammengefaßt werden:
Erhöhte Basenstärke führt zu einer ungenügenden Entwicklungsstabilität,
obwohl die Entwicklungsfähigkeit und die
Verarbeitungskapazität zunehmen. Um aber eine ausreichende
Stabilität zu erzielen, muß die Alkalikonzentration herabgesetzt
werden, was eine ungenügende Verarbeitungskapazität
zur Folge hat. Wenn daher eine ausreichende Entwicklungsstabilität
bei hoher Basenstärke erzielt wird, liegt eine
Entwicklerlösung mit ausgezeichneter Entwicklungsfähigkeit
und Verarbeitungskapazität vor.
Die JP-OS 51 324/75 beschreibt ein Verfahren zur Erzielung
ausreichender Entwicklungstabilität bei hoher Basenstärke,
indem ein anionisches oder amphoteres Tensid der Entwicklerlösung
zugesetzt wird; in der JP-OS 95 946/80 ist
die Zugabe eines wasserlöslichen, kationischen Polymeren beschrieben
und die JP-OS 1 42 528/81 beschreibt die Zugabe
eines wasserlöslichen, amphoteren Hochpolymer-Elektrolyten.
Diese Entwicklerlösungen haben jedoch den Nachteil, daß bei
der Entwicklung in einer automatischen Entwicklungsmaschine
die Entwicklerlösungen zur Schaumbildung neigen.
Weiterhin ist in der DE-OS 28 34 958
der Zusatz einer ionischen Verbindung
eines Übergangselements der Gruppe IIA, IIIA oder IIIB des
Periodensystems beschrieben. Obwohl dieser Zusatz ein Anätzen
des anodisierten Aluminiumträgers durch die starke
Base unterdrückt, wird dadurch keine Entwicklungsstabilität
erreicht.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Entwicklerlösung
mit ausgezeichnetem Auflösungsvermögen und ausgezeichneter
Entwicklungsstabilität, Verarbeitungskapazität und Anpassungsfähigkeit
für automatische Entwicklungsmaschinen bereitzustellen.
Als Ergebnis intensiver Forschung zur Lösung der oben
genannten Aufgabe haben die Erfinder nun gefunden, daß man
eine zum Entwickeln von lichtempfindlichen Schichten aus
o-Chinondiazid fähige Entwicklerlösung erhalten kann, indem
man einer wäßrigen Alkalisilikatlösung mindestens eine in
wäßriger Alkalilösung lösliche Verbindung eines Metalls aus
der Gruppe Zinn, Blei, Eisen, Kobalt und Nickel einverleibt.
Beispiele für erfindungsgemäß verwendbare Alkalisilikate
sind Natriumsilikat, Kaliumsilikat, Lithiumsilikat und
Ammoniumsilikat oder Kombinationen derselben.
Als Alkalisilikate werden bevorzugt Natriumsilikat und
Kaliumsilikat und besonders bevorzugt Kaliumsilikat eingesetzt.
Das SiO₂/M₂O-Molverhältnis des Alkalisilikats
(M: Alkalimetall oder Ammonium) liegt bevorzugt im Bereich
von 0,5 bis 3,0, insbesondere von 1,0 bis 2,0. Steigt das
oben erwähnte Molverhältnis über 3,0 an, nimmt die Entwicklungsfähigkeit
ab, und fällt es unter 0,5, nimmt die Basenstärke
so zu, daß Probleme hinsichtlich des Ätzens der
Aluminiumplatte oder ähnlichem Material, das als Träger für
die vorsensibilisierte Flachdruckform eingesetzt wird, auftreten.
Die Konzentration des Alkalisilikats in der Entwicklerlösung
liegt vorzugsweise im Bereich von 1 bis 10 Gewichtsprozent,
insbesondere von 1,5 bis 7 Gewichtsprozent.
Wenn die Konzentration über 10 Gewichtsprozent ansteigt,
besteht die Gefahr, daß sich Niederschläge oder Kristalle
bilden und Gelierung eintritt, wenn die verbrauchte Flüssigkeit
neutralisiert wird.
Als Metallverbindungen aus der Gruppe Zinn, Blei, Eisen,
Kobalt und Nickel, die als erfindungswesentlichste Bestandteile
zum Einsatz kommen, können beliebige in wäßriger
Alkalilösung lösliche Verbindungen verwendet werden. Bevorzugte
Verbindungen sind Komplexe der Metalle. Liganden
solcher Komplexe sind z. B. einzählige Liganden, wie
NH₃, OH₂, NO-, NO₂-, NO₃-, CN-, SCN-, BR-, Cl-, F-, J-, CO₂,
CO und mehrzählige Liganden, wie Ethylendiamin, C₂O₄2-,
HONC(CH₃) = C(CH₃)NO,OC(NH₂)₂, NH₂CH₂COO-, Ethylendiamintetraessigsäure,
Diethylentriamin, Triethylentetramin,
Bipyridin, 1,10-Phenanthrolin, Diethylentriaminpentaessigsäure,
Triethylentetraminhexaessigsäure, Hydroxyethylethylendiamintriessigsäure,
Nitrilotriessigsäure, 1,2-Diaminocyclohexantetraessigsäure, 1,3-Diaminocyclohexantetraessigsäure,
1,3-Diamino-2-propanoltetraessigsäure und
organische Phosphonsäuren (z. B. 2-Phosphonobutan-1,2,4-
tricarbonsäure, Aminotri(methylenphosphonsäure), 1-Hydroxyethyliden-
1,1-diphosphonsäure, 3,3-Diphosphonopimelinsäure,
(PO₃H₂)NCH₂CH₂N-(CH₂PO₃H₂)₂, N(CH₂PO₃H₂)₃, usw..). Spezielle
Beispiele dieser Komplexe sind z. B. [Co(NH₃)₆]Cl₃,
[Fe(NH₃)₆]J₂, [Ni(NH₃)₆]Cl₂, [Co(H₂NCH₂CH₂NH₂)₃]Cl₃,
[Co(NH₃)₆]PO₄, [Co(NH₃)₆](H₂PO₄)₃, [Fe(NH₃)₆](HPO₄)₂,
[Ni(NH₃)₅Cl]Cl, [Co(CN)(NH₃)₅]Cl₂, [Co(SCN)(NH₃)₅]Cl₂,
[Co(NH₃)(NH₃)₅]Cl₂, [Co(SO₃)(NH₃)₅]Cl, [Co(NO₂)(NH₃)₅]Cl₂,
[Co(OH₂)(NH₃)₅]Cl₃ K₃[Co(CN)₆], [Co(NH₃)₄Cl₂]Cl,
[Fe(NH₃)₅NO₂]Cl₂, [Co(CH₃COO)₂] · 4H₂O, K[Co(EDTA)],
Na[Co(EDTA)], (NH₄)[Co(EDTA)], K₃[CoCl₆], Na₃[CoBr₆],
K[Co(H₂NCH₂CH₂NH₂)(NO₂)₄], K₃[Ni(C₂O₄)₃], K₂[Ni(EDTA)],
Na₂[Ni(EDTA)], K₂[Fe(EDTA)], Na[Fe(EDTA)], (NH₄)[Fe(EDTA)],
K₃[Fe(C₂O₄)₃], Na₃[Fe(C₂O₄)₃], PbCl₄, K₂[PbCl₆],
Pb(CH₃COO)₄, Pb(EDTA), [Pb₆O(OH)₆]Cl₄ usw.
Aminopolycarbonsäure und Co sind besonders bevorzugt
zur
Bildung der Komplexe. Bei diesen speziellen Beispielen
steht "EDTA" für den Ethylendiamintetraessigsäuretest.
Diese beispielhaften Verbindungen können durch bekannte
Syntheseverfahren hergestellt werden oder sind im Handel
erhältlich.
Die oben beschriebenen, in wäßriger Alkalilösung löslichen
Metallverbindungen werden geeigneterweise in einer Menge
von 0,005 bis 0,2 Gewichtsprozent, vorzugsweise 0,01 bis
0,1 Gewichtsprozent, bezogen auf das Gesamtgewicht der
Entwicklerlösung, in die Entwicklerlösung einverleibt.
Die PS-Platte, die mit der erfindungsgemäßen Entwicklerlösung
behandelt wird, umfaßt einen Träger mit einer hydrophilen
Oberfläche, auf der sich eine lichtempfindliche
Schicht, die eine o-Chinondiazidverbindung enthält, befindet.
Bevorzugte Beispiele für den Träger sind z. B.
Platten aus Reinaluminium oder Aluminiumlegierungen und
Kunststoffolien mit auflaminiertem oder aufgedampftem
Aluminium. Die Oberfläche der Aluminiumplatte wurde vorzugsweise
einer Oberflächenbehandlung unterzogen, wie z. B.
einer Körnungsbehandlung, einer Eintauchbehandlung in eine
wäßrige Lösung von Natriumsilikat, Kaliumfluorozirkonat,
Phosphorsäuresalz oder dergl. oder einer anodisierenden
Behandlung. Geeignet sind auch Aluminiumplatten, die gekörnt
und dann in eine wäßrige Natriumsilikatlösung getaucht
werden (US-PS 27 14 066) und Aluminiumplatten, die
anodisiert und dann in eine wäßrige Alkalimetallsilikatlösung
getaucht wurden (US-PS 31 81 461). Die oben beschriebene
anodisiert Behandlung wird durchgeführt, indem man
einen Strom durch eine wäßrige oder nicht-wäßrige Lösung
anorganischer Säuren, wie z. B. Phosphorsäure, Chromsäure,
Schwefelsäure, Borsäure, oder organischer Säuren, wie z. B.
Oxalsäure, Sulfaminsäure oder deren Salzen, allein oder in
Kombination aus zwei oder mehreren leitet und die Aluminiumplatte
als Anode verwendet.
Auch die in der US-PS 35 58 662 beschriebene galvanische
Abscheidung von Silikat ist wirksam.
Auch die Aluminiumplatten, die wie oben beschrieben, anodisiert
wurden, nachdem sie elektrolytisch gekörnt worden
sind, wie dies in der US-PS 40 87 341, der JA-PS 27 481/71
(US-PS 41 15 128) und der JP-OS 30 503/77 beschrieben ist,
sind geeignet. Weitere bevorzugte Aluminiumplatten sind
solche, die gekörnt, chemisch geätzt und dann anodisiert
wurden, wie in der US-PS 38 34 998 beschrieben.
Diese Behandlungen zum Hydrophilieren der Aluminiumoberfläche
dienen verschiedenen Zwecken, wie z. B. Verhinderung
einer schädlichen Reaktion mit der darauf aufzubringenden
lichtempfindlichen Zusammensetzung, Verbesserung der Haftung
der lichtempfindlichen Schicht und Hydrophilierung
der Trägeroberfläche.
Eine auf der hydrophilen Oberfläche des Trägers aufzubringende
lichtempfindliche Schicht enthält eine o-Chinondiazidverbindung.
Besonders bevorzugte o-Chinondiazidverbindungen
sind o-Naphthochinondiazidverbindungen, die in vielen
Veröffentlichungen beschrieben sind, wie z. B. US-PS
30 46 110, 30 46 111, 30 46 121, 30 46 115, 30 46 118,
30 46 119, 30 46 120, 30 46 121, 30 46 122,
30 46 123, 30 61 430, 31 02 809, 31 06 465, 36 35 709 und
36 49 443. Von diesen werden o-Naphthochinondiazidosulfonsäureester
oder o-Naphthochinondiazidocarbonsäureester
aromatischer Hydroxyverbindungen und o-Naphthochinondiazidosulfonsäureamide
oder o-Naphthochinondiazidocarbonsäureamide
aromatischer Aminoverbindungen bevorzugt. Als ausgezeichnet
hervorzuheben sind dabei: Ein Veresterungsprodukt
der o-Naphthochinondiazidosulfonsäure mit einem Pyrogallolacetonkondensat,
wie in der US-PS 36 35 709 beschrieben,
ein Veresterungsprodukt der o-Naphthochinondiazidosulfonsäure
oder der o-Naphthochinondiazidocarbonsäure und einem Polyester
mit terminalen Hydroxygruppen, wie in der US-PS
40 28 111 beschrieben, ein Veresterungsprodukt der o-Naphthochinondiazidosulfonsäure
oder o-Naphthochinondiazidocarbonsäure
mit einem p-Hydroxystyrol-Homopolymer oder einem
Copolymer aus p-Hydroxystyrol und anderen copolymerisierbaren
Monomeren, wie in der GB-PS 14 94 043 beschrieben,
und ein Amidierungs-Reaktionsprodukt aus o-Naphthochinondiazidosulfonsäure
oder o-Naphthochinondiazidocarbonsäure
mit einem Copolymer aus p-Aminostyrol und anderen copolymerisierbaren
Monomeren.
Diese o-Chinondiazidverbindungen können unabhängig verwendet
werden, bevorzut gelangen sie aber in Kombination mit
einem alkalilöslichen Harz unter Bildung einer lichtempfindlichen
Schicht zur Verwendung. Bevorzugte alkalilösliche
Harze sind z. B. Phenol-Novolakharze, insbesondere
Phenol-Formaldehydharz, o-Kresol-Formaldehydharz und
m-Kresol-Formaldehydharz. Wie in der JA-OS 12 58 806/75
(entsprechend der US-PS 41 23 279) beschrieben ist, wird
weiterhin die kombinierte Verwendung eines Kondensats aus
Phenol oder Kresol, das durch eine Alkylgruppe mit 3 bis
8 C-Atomen substituiert ist, und Formaldehyd, wie z.B.
t-Butylphenol-Formaldehydharz, und das oben beschriebene
Phenolharz noch stärker bevorzugt. Das alkalilösliche
Harz wird in einer Menge von ungefähr 50 bis ungefähr
85 Gewichtsprozent, vorzugsweise 60 bis 80 Gewichtsprozent,
bezogen auf das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen
Schicht, einverleibt.
Falls notwendig, kann die lichtempfindliche Schicht, die
die o-Chinondiazidverbindung enthält, Farbstoffe, Weichmacher
und Verbindungen, die eine Ausdruck-Fähigkeit verleihen,
enthalten.
Farbstoffe werden verwendet, um auf der PS-Platte dem
Bildbereich nach der bildmäßigen Belichtung und anschließenden
Entwicklung Kontrast gegenüber dem Nichtbildbereich
(der Trägeroberfläche) zu verleihen. Bevorzugte Farbstoffe
sind alkohollösliche Farbstoffe, wie C. I. 26 105
(Ölrot RR), C. I. 21 260 (Ölscharlach Nr. 308), C. I. 74 350
(Ölblau), C. I. 52 015 (Methylenblau) und C. I. 42 555
(Kristallviolett). Diese Farbstoffe werden in Mengen
verwendet, die notwendig sind, um einen klaren
Kontrast zwischen der Farbe der hydrophilen Oberfläche, die
durch die bildmäßige Belichtung und anschließende Entwicklung
der lichtempfindlichen Platte bloßgelegt wird, und
der Farbe der zurückbleibenden Bereiche der lichtempfindlichen
Schicht herzustellen, und im allgemeinen werden sie
in einer Menge, die 7 Gewichtsprozent, bezogen auf das Gesamtgewicht
der lichtempfindlichen Zusammensetzung, nicht
übersteigt, zugegeben.
Weichmacher geben der auf dem Träger befindlichen lichtempfindlichen
Schicht die gewünschte Flexibilität. Wirksam
sind z. B. Phthalate, wie Dimethylphthalat, Diethylphthalat,
Dibutylphthalat, Diisobutylphthalat, Dioctylphthalat,
Octylcaprylphthalat, Dicyclohexylphthalat, Ditridecylphthalat,
Butylbenzylphthalat, Diisodecylphthalat,
Diarylphthalat, und Glykolester, wie Dimethylglykolphthalat,
Ethylphthalylethylglykolat, Methylphthalylethylglykolat,
Butylphthalylbutylglykolat, Triethylenglykoldicaprylat und
Phosphate, wie Tricresylphosphat, Triphenylphosphat und
aliphatische zweibasische Säureester, wie Diisobutyladipat,
Dioctyladipat, Dimethylsebacat, Dibutylsebacat, Dioctylazelat,
Dibutylmaleat und Polyglycidylmethacrylat, Triethylcitrat,
Glycerintriacetylester und Butyllaurat.
Diese Weichmacher werden mit einem Gehalt von ungefähr
5 Gewichtsprozent oder weniger, bezogen auf das Gesamtgewicht
der lichtempfindlichen Zusammensetzung, einverleibt.
Ausdruckmaterialien sind solche, die unmittelbar nach der
bildmäßigen Belichtung einer PS-Platte ein sichtbares Bild
ermöglichen. Beispiele dafür sind in der
GB-PS 10 41 463 beschriebenen pH-Indikatoren, die in der
US-PS 39 69 118 beschriebene Kombination von o-Naphthochinondiazid-
4-sulfonylchlorid mit einem Farbstoff und
die in der JP-AS 6413/69 beschriebene photochrome Verbindung.
Wie in der JP-OS 80 022/77 (entsprechend der
US-PS 41 15 128) beschrieben, kann die Empfindlichkeit gesteigert
werden, indem man ein cyclisches Säureanhydrid
der lichtempfindlichen Schicht zusetzt.
Die o-Naphthochinondiazid enthaltende lichtempfindliche
Zusammensetzung wird auf dem Träger als Lösung in einem
geeigneten Lösungsmittel aufgetragen. Verwendbare Lösungsmittel
sind z. B. Glykolether, wie Ethylenglykolmonomethylether,
Ethylenglykolmonoethylether und 2-Methoxyethylacetat,
Ketone, wie Aceton, Methylethylketon und Cyclohexanon, sowie
chlorierte Kohlenwasserstoffe, wie Ethylendichlorid.
Die die o-Chinondiazidverbindung enthaltende lichtempfindliche
Schicht wird auf den Träger in einer Überzugsmenge
von ungefähr 0,5 bis ungefähr 7 g/m², vorzugsweise von 1,5
bis 3 g/m², aufgetagen.
Belichtet man die so erhaltende PS-Platte durch ein Diapositiv
mit aktinischem Licht aus einer Kohlebogen-, Quecksilber-,
Metallhalogenid-, Xenon- oder Wolframlampe oder
dergl., so werden die vom Licht betroffenen Bereiche alkalilöslich.
Wenn die belichtete Platte deshalb mit der
erfindungsgemäßen Entwicklerlösung behandelt wird, werden
die belichteten Bereiche der lichtempfindlichen Schicht weggewaschen
und legen so die hydrophile Oberfläche des Trägers
frei, wodurch man eine Flachdruckform erhält.
Durch die Verwendung der erfindungsgemäßen Entwicklerlösung
werden die folgenden Vorteile erzielt:
Sie erhöht die Entwicklungsstabilität derart, daß eine
leichte Kontrolle der Entwicklungsbedingungen möglich ist.
Die Verarbeitungskapazität wird erhöht, so daß viele PS-Platten
mit einer kleinen Menge der Entwicklerlösung entwickelt
werden können. Die Menge an verbrauchter Flüssigkeit ist
daher so gering, daß die Aufbereitung der verbrauchten
Flüssigkeit keine Schwierigkeiten bereitet.
Deshalb ist die erfindungsgemäße Entwicklerlösung besonders
vorteilhaft, wenn sie zur Entwicklung vieler PS-Platten
verwendet wird, weil das mühsame Auffüllen der Entwicklerlösung,
wie in der US-PS 42 57 434, der
GB-OS 20 46 931 A und der PCT-OS WO 82/01086 beschrieben,
weniger oft vorgenommen werden muß.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung. Alle Teile
und Prozente beziehen sich auf das Gewicht, sofern nichts
anderes angegeben ist.
0,8 Teil eines Naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonsäure-
polyhydroxyphenylesters, der durch Polykondensation von
Aceton und Pyrogallol erhalten wurde (JP-AS 28 403/68;
US-PS 36 35 709), 2,2 Teile eines m- und p-Kresol-Formaldehyd-
Novolakharzes, 0,02 Teil eines Octylphenol-Novolakharzes,
0,08 Teil Phthalsäureanhydrid, 0,04 Teil 2-Trichlormethyl-
5-(p-n-butoxystyryl)-1,3,4-oxadiazol und 0,03 Teil
Kristallviolett-p-toluolsulfonat werden in einem Gemisch
aus 20 Teilen Methylcellosolveacetat und 8 Teilen Methylethylketon
zu einer lichtempfindlichen Lösung vermischt.
Eine 0,3 mm dicke, mit einer Nylonbürste gekörnte Aluminiumplatte
wird mit Alkali geätzt, dann elektrolytisch in wäßriger
Salpetersäure gekörnt, in wäßriger Schwefelsäure
anodisiert (Menge des Oxidfilms: 2,7 g/m²), mit einer wäßrigen
Zinkacetatlösung von 70°C behandelt und gründlich
gewaschen und getrocknet. Auf die so behandelte Aluminiumplatte
wird mit einer Schleuderscheibe die oben beschriebene
lichtempfindliche Lösung aufgetragen, wodurch man eine
PS-Platte mit einer lichtempfindlichen Schicht in einer
Menge von ungefähr 2,0 g/m² erhält. Diese PS-Platte wird
durch einen Stufenkeil mit einer Dichtedifferenz von
0,15 und einen Halbtonkeit unter Verwendung einer 2 kW-
Metallhalogenidlampe belichtet.
Getrennt davon werden Entwicklerlösungen hergestellt, die
die in Tabelle I genannten Verbindungen in den ebenfalls
angegebenen Mengen pro Liter einer 2prozentigen wäßrigen
Natriumsilikatlösung mit einem SiO₂/Na₂O-Molverhältnis von
etwa 1,1 enthalten.
Zwei belichtete PS-Platten werden in jede der Entwicklerlösungen,
die auf 25°C gehalten werden, getaucht und eine
Platte wird nach 1 Minute und die andere Platte nach 5 Minuten
entnommen und dann mit Wasser gewaschen.
Tabelle II zeigt die Zahl der Stufen der aufgelösten Stufenkeile
und die Ergebnisse der Halbtonpunkt-Reproduzierbarkeit
der Glanzlichtbereiche des Halbtonpunktkeils.
Wie die Ergebnisse der Tabelle II zeigen, zeigen die Entwicklerlösungen
der Beispiele 1 bis 4 äußerst gute Entwicklungsstabilität
im Vergleich zum Vergleichsbeispiel 1,
wo eine wäßrige Natriumsilikatlösung unabhängig verwendet
wird. Hinsichtlich der Entwicklungsverarbeitungskapazität
behalten die Entwickerlösungen der Beispiele 1 und 1 und 2
eine ausreichende Entwicklungsfähigkeit sogar nach der Entwicklung
von 3 m² PS-Platten pro Liter.
Dieselben PS-Platten wie in Beispiel 1 werden
in gleicher Weise wie in Beispiel 1 entwickelt, mit der Ausnahme,
daß Entwickler verwendet werden, die die in Tabelle
III angegebenen Verbindungen in den dort angegebenen
Mengen pro Liter einer 2,5prozentigen wäßrigen Kaliumsilikatlösung
mit einem SiO₂/K₂O-Molverhältnis von 1,2 enthalten.
Die so erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle IV
zusammengefaßt.
Aus den Ergebnissen in Tabelle IV ist ersichtlich, daß im
Vergleich zum Vergleichsbeispiel 2, wo unabhängig eine
wäßrige Kaliumsilikatlösung verwendet wird, die Entwicklungsfähigkeit
der erfindungsgemäßen Entwicklerlösungen,
die die Komplex- oder Chelatverbindung enthalten, äußerst
stabil sind. Wird weiter die verbrauchte Flüssigkeit einer
jeder dieser angewendeten Entwicklungslösungen mit derselben
Menge Wasser verdünnt und mit Salzsäure neutralisiert,
tritt keine Gelierung auf, wodurch sich die Durchführung
der Neutralisierung sehr einfach gestaltet.
Verwendet man eine PS-Platte, die anstatt der in Beispiel 1
verwendeten Naphthochinondiazidverbindung Bisphenol A-
Naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonsäureester enthält, werden
dieselben Ergebnisse wie in Beispiel 1 erzielt.
Claims (11)
1. Entwicklerlösung zum Entwickeln von lichtempfindlichen
Flachdruckplatten mit einer eine o-Chinondiazidverbindung
enthaltenden lichtempfindlichen Schicht, in Form
einer wäßrigen Lösung eines Alkalisilikats und einer in
wäßriger Alkalilösung löslichen Verbindung
von Zinn, Blei, Blei, Eisen, Kobalt oder Nickel.
2. Entwicklerlösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die in wäßriger Alkalilösung lösliche Verbindung
eine Komplexverbindung ist.
3. Entwicklerlösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die in wäßriger Alkalilösung lösliche Verbindung
eine Metall-Chelatkomplexverbindung ist.
4. Entwicklerlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die o-Chinondiazidverbindung
eine o-Naphthochinondiazidverbindung ist.
5. Entwicklerlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das Alkalisilikat ein SiO₂/
M₂O-Molverhältnis von 0,5 bis 3,0 hat, wobei M ein
Alkalimetall oder Ammonium darstellt.
6. Entwicklerlösung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß das Alkalisilikat ein SiO₂/M₂O-Molverhältnis
von 1,0 bis 2,0 hat.
7. Entwicklerlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Konzentration des Alkalisilikats
in der Entwicklerlösung 1 bis 10 Gewichtsprozent
beträgt.
8. Entwicklerlösung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Konzentration des Alkalisilikats in der
Entwicklerlösung 1,5 bis 7 Gewichtsprozent beträgt.
9. Entwicklerlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die in wäßriger Alkalilösung
lösliche Verbindung in der wäßrigen Lösung in einer Menge
von 0,005 bis 0,2 Gewichtsprozent, bezogen auf das
Gesamtgewicht der Entwicklerlösung, vorhanden ist.
10. Entwicklerlösung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die in wäßriger Alkalilösung lösliche Verbindung
in der Lösung in einer Menge von 0,01 bis 0,1 Gewichtsprozent,
bezogen auf das Gesamtgewicht der Entwicklerlösung,
vorhanden ist.
11. Verwendung der Entwicklerlösung nach einem der Ansprüche
1 bis 10 zum Entwickeln einer bildmäßig belichteten
lichtempfindlichen Druckplatte mit einer ein o-Chinondiazid
enthaltenden lichtempfindlichen Schicht.
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