DE3347338A1

DE3347338A1 - Entwicklerloesung zum entwickeln von lichtempfindlichen flachdruckformen

Info

Publication number: DE3347338A1
Application number: DE19833347338
Authority: DE
Inventors: Hitoshi Shizuoka Hagiwara; Nobuyuki Kita; Hiroshi Matsumoto
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1982-12-28
Filing date: 1983-12-28
Publication date: 1984-06-28
Also published as: DE3347338C2; US4606995A; JPS59121336A; JPH0130139B2

Description

PATENTANWÄLTE

dr. V. SCHMIED-KOWARZIK · dr. P. WEINHOLD · dr. P. BARZ · München DIPL.-ING. G. DANNENBERG · dr. D. GUDEL · dipl.-ing. S. SCHUBERT · Frankfurt

ZUGELASSENE VERTRETER BEIM EUROPÄISCHEN PATENTAMT

SIEGFRIEDSTRASSE β βΟΟΟ MÖNCHEN

TELEFON: (069) 335024 + 335025 TELEGRAMME: WIRPATENTE TELEX: 5215679

F2A-33379/RT

Fuji Photo Film Co., Ltd.
No. 210, Nakanuma,
Minami Ashigara-Shi,
Kanagawa,
Japan

ENTWICKLERLÖSUNG ZUM ENTWICKELN VON LICHTEMPFINDLICHEN FLACHDRUCKFORMEN

jf-

s Entwicklerlösung zum Entwickeln von lichtempfindlichen Flachdruckformen

Die Erfindung betrifft eine verbesserte Entwicklerlösung zum Entwickeln lichtempfindlicher Flachdruckformen, die eine o-Chinondiazidverbindung als lichtempfindliche Komponenten enthalten(im folgenden werden diese Formen als "PS- j Platten" bezeichnet).

Bei Bestrahlung von o-Chinondiazidverbindungen mit aktinischem Licht erfolgt bekanntlich eine Zersetzung der Diazogruppe und es entstehen Carboxylgruppen- enthaltende Verbindungen. Bei der bildmäßigen Belichtung und Verarbeitung mit einer alkalischen Entwicklerlösung wird deshalb die o-Chinondiazidverbindungen enthaltende lichtempfindliche Schicht in den belichteten Bereichen entfernt. Entsprechend bleiben die nicht-belichteten Bereiche unter Erzeugung eines Bildes zurück. Aus diesem Grund sind o-Chinondiazidverbindungen in jüngster Zeit vielfach als sogenannte positiv arbeitende, lichtempfindliche Komponenten in lichtempfindlichen PS-Platten oder in Photoresist-Zusammensetzungen für das Photoätzen eingesetzt worden. Zusammensetzungen, hergestellt durch Vermischen einer o-Chinondiazidverbindung mit einem alkalilöslichen Harz, sind aus wirtschaftlicher und praktischer Sicht besonders vorteilhaft zum Einsatz gekommen. Vor allem sind Zusammensetzungen aus einer o-Chinondiazidverbindung und einem Phenol-Formaldehyd-Novolak oder einem Kresol-Formaldehydkondensat in großem Umfang eingesetzt worden.

Geeignete Entwickler zum Entwickeln von diese o-Chinondiazide enthaltenden lichtempfindlichen Schichten sind z.B. wäßrige Lösungen von tertiärem Natriumphosphat, Natrium-

hydroxid, Natriumsilikat, Kaliumsilikat, Ammoniumsilikat allein oder in Kombination. Wäßrige Lösungen von Natriumhydroxid, tertiärem Natriumphosphat oder dergl. üben jedoch abhängig von der Entwicklungszeit eine starke Ätzwirkung auf das Metall, z.B. Aluminium, aus und sind deshalb zur Entwicklung lichtempfindlicher Materialien auf einem Metallträger ungünstig. Außerdem ergeben.solche wäßrigen Lösungen extrem unterschiedliche Entwicklungsergebnisse und in Extremfällen können die Bilder schon bei geringfügiger Überschreitung der Entwicklungszeit entfernt werden. Da die Entwicklungsfähigkeit dieser wäßrigen Lösungen bei wiederholter Verwendung stark beeinträchtigt wird, kann mit einem bestimmten Volumen dieser Lösungen nur eine beschränkte Menge an lichtempfindlichen Materialien entwickelt werden (geringe Verarbeitungskapazität). Dementsprechend sind in jüngster!

Zeit wäßrige Lösungen von Natriumsilikat oder Kaliumsilikat mit vergleichsweise vorteilhafter Wirkung eingesetzt worden. Der Grund dafür ist, daß sie nur eine geringe Ätzwirkung auf Metalle ausüben und außerdem kann gleichzeitig ihre Entwicklungsfähigkeit im gewissen Umfang durch Einstellen des Verhältnisses von Siliciumoxid (SiO₀) zu Natriumoxid (Na₉O) oder Kaliumoxid (K₃O)(im allgemeinen ausgedrückt als Molverhältnis SiO₂/Na₂O oder SiO₂/K_O), wobei die Siliciumoxide Bestandteile von Natriumsilikat oder Kaliumsilikat sind, und durch Einstellen deren Konzentration geregelt werden.

Das heißt, mit zunehmendem SiO₂~Gehalt wird die Entwicklungs fähigkeit gebremst, jedoch nimmt die Entwicklungsstabilität zu, während mit zunehmendem Gehalt an Na₃O oder K₃O die Entwicklungsfähigkeit zunimmt, während die EntwicklungsStabilität abnimmt. Unter dem hier verwendeten Ausdruck "Entwick- lungsstabilität" wird die Stabilität des Bildes, bezogen auf die Entwicklungszeit, verstanden. Erhöht man nur den Gehalt an Na₃O oder K₃O, besteht die Gefahr, daß das Bild nach kurzer Zeit entfernt wird.

Die Verarbeitungskapazität eines bestimmten Volumens der Entwicklerlösung nimmt mit dem Gehalt an Na₃O oder K„0 zu. Deshalb läßt sich eine mäßige Verarbeitungskapazität zusammen mit einer gewissen Entwicklungsfähigkeit und Entwicklungsstabilität erzielen, in-dem man die Gesamtkonzentration erhöht, während man das Si0₉/Na„0 oder SiO₉/K O-Verhältnis unter Berücksichtigung der Entwicklungsfähigkeit und Entwicklungsstabilität einstellt. Dies reicht jedoch immer noch nicht aus, um beide Erfordernisse zu erfüllen: Wenn die Entwicklungsfähigkeit zufriedenstellend ist, dann resultiert eine ungenügende Stabilität, und wenn die Stabilität zufriedenstellend ist, dann hat dies eine unzureichende Ent Wicklungsfähigkeit und Verarbeitungskapazität zur Folge. Da außerdem relativ hohe Konzentrationen angewandt werden, bilden sich leicht Niederschläge und zur Neutralisation der verbrauchten Flüssigkeit ist eine große Säuremenge erforderlich. Die Probleme, die mit den oben beschriebenen Entwicklerlösungen, die Natriumhydroxid, tertiäres Natriumphosphat, Natriumsilikat, Kaliumsilikat oder dergl. enthalten, auftreten, können wie folgt zusammengefaßt werden: Erhöhte Basenstärke führt zu einer ungenügenden Entwicklungsstabilität, obwohl die Entwicklungsfähigkeit und die Verarbeitungskapazität zunehmen. Um aber eine ausreichende Stabilität zu erzielen, muß die Alkalikonzentration herabgesetzt werden, was eine ungenügende Verarbeitungskapazität zur Folge hat. Wenn daher eine ausreichende Entwicklungsstabilität bei hoher Basenstärke erzielt wird, liegt eine Entwicklerlösung mit ausgezeichneter Entwicklungsfähigkeit und Verarbeitungskapazität vor.

Die JP-OS 51 324/75 beschreibt ein Verfahren zur Erzielung ausreichender Entwicklungsstabilität bei hoher Basenstärke, in-dem ein anionisches oder amphoteres Tensid der Entwicklerlösung zugesetzt wird; in der JP-OS 95 946/80 ist

y ;;. ; 334733s •3.

die Zugabe eines wasserlöslichen, kationischen Polymeren beschrieben und die JP-OS 142 528/81 beschreibt die Zugabe eines wasserlöslichen, amphoteren Hochpolymer-Elektrolyten. Diese Entwicklerlösungen haben jedoch den Nachteil, daß bei der Entwicklung in einer automatischen Entwicklungsmaschine die Entwicklerlösungen zur Schaumbildung neigen.

Weiterhin ist in der JP-OS 25 100/80, die der CA-PS 1 145 190 entspricht, der Zusatz einer ionischen Verbindung eines Übergangselements der Gruppe HA, IHA oder HiB des is Periodensystems beschrieben. Obwohl dieser Zusatz ein Anätzen des anodisierten Aluminiumträgers durch die starke Base unterdrückt, wird dadurch keine Entwicklungsstabilität erreicht.

j 20 Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Entwicklerlösung j mit ausgezeichnetem Auflösungsvermögen und ausgezeichneter Entwicklungsstabilität, Verarbeitungskapazität und Anpassungsfähigkeit für automatische Entwicklungsmaschinen bereitzustellen.

Als Ergebnis intensiver Forschung zur Lösung der oben genannten Aufgabe haben die Erfinder nun gefunden, daß man eine zum Entwickeln von lichtempfindlichen Schichten aus o-Chinondiazid fähige Entwicklerlösung erhalten kann, indem man einer wäßrigen Alkalisilikatlösung mindestens eine in wäßriger Alkalilösung lösliche Verbindung eines Metalls aus der Gruppe Zinn, Blei, Eisen, Kobalt und Nickel einverleibt.

Beispiele für erfindungsgemäß verwendbare Alkalisilikate sind Natriumsilikat, Kaliumsilikat, Lithiumsilikat und Ammoniumsilikat oder Kombinationen derselben.

Als Alkalisilikate werden bevorzugt Natriumsilikat und Kaliumsilikat und besonders bevorzugt Kaliumsilikat eingesetzt. Das SiO₂/M₂O- Molverhältnis des Alkalisilikats (M: Alkalimetall oder Ammonium) liegt bevorzugt im Bereich von 0,5 bis 3,0, insbesondere von 1,0 bis 2,0. Steigt das oben erwähnte Molverhältnis über 3,0 an, nimmt die Entwicklungsfähigkeit ab, und fällt es unter 0,5, nimmt die Basenstärke so zu, daß Probleme hinsichtlich des Ätzens der Aluminiumplatte oder ähnlichem Material, das als Träger für die vorsensibilisierte Flachdruckform eingesetzt wird, auftreten. Die Konzentration des Alkalisilikats in der Entwicklerlösung liegt vorzugsweise im Bereich von 1 bis 10 Gewichtsprozent, insbesondere von 1,5 bis 7 Gewichtsprozent. Wenn die Konzentration über 10 Gewichtsprozent ansteigt, besteht die Gefahr, daß sich Niederschläge oder Kristalle bilden und Gelierung eintritt, wenn die verbrauchte Flüssigkeit neutralisiert wird.

Als Metallverbindungen aus der Gruppe Zinn, Blei, Eisen, Kobalt und Nickel, die als erfindungswesentlichste Bestandteile zum Einsatz kommen, können beliebige in wäßriger Alkalilösung lösliche Verbindungen verwendet werden. Bevorzugte Verbindungen sind Komplexe der Metalle. Liganden solcher Komplexe sind z.B. einzähnige Liganden, wie NH₃, OH₂, NO", NO₂", NO ", CN~, SCN",Br", Cl", F~, j", CO , CO und mehrzähnige Liganden, wie Ethylendiamin, C^O.

HONC(CH₃)=C(CH₃) NO, OC(NH₃J₂, NH₂CH₂COO", Ethylendiamintetraessigsäure, Diethylentriamin, Triethylentetramin, Bipyridin, 1,1O-Phenanthrolin, Diethylentriaminpentaessigsäure, Triethylentetraminhexaessigsäure, Hydroxyethyl-

ethylendiamintriessigsäure, Nitrilotriessigsäure, 1,2-Diaminocyclohexantetraessigsäure, 1,3-Diaminocyclohexantetraessigsäure, 1,3-Diamino-2-propanoltetraessigsäure und

organische Phosphonsäuren (z.B. 2-Phosphonobutan-1,2,4-tricarbonsäure, Aminotri(methylenphosphonsäure), 1-Hydroxyethyliden-1,1-diphosphonsäure, 3,3-Diphosphonopimelinsäure, (PO₃H₂)NCH₂CH₂N-(CH₂PO₃H₂J₂, N(CH₂PO₃H₂)₃, usw.). Spezielle Beispiele dieser Komplexe sind z.B. [Co(NH-)^]Cl ,

₃J₆U₂, [Ni (NH₃) ₆] Cl₂, [Co (H₂NCH₂CH₂NH₂) ₃] Cl₃, [Co (NH₃)₆1PO₄, [Co(NH₃)₆] (H₂PO₄)₃, [Fe (NH₃)_g] (HPO₄)₂, [Ni (NH₃)₅C1]Cl, [Co(CN)(NH₃J₅]Cl₂, [Co(SCN) (NH₃)₅]Cl₂,

[Co(NO₃) (NH₃J₅]Cl₂, [Co(SO₃)(NH₃J₅]Cl, [Co(NO₂) (NH₃J₅]Cl₂, [Co(OH₂)(NH₃)₅]Cl₃ K₃[Co(CN)₆], [CO(NH₃J₄Cl₂]Cl, ■ [Fe(NH₃J₅NO₂]Cl₂, [Co(CH₃COO)₂]-4H₂O, K[CO(EDTA)], Na[Co(EDTA)], (NHJ[Co(EDTA)], K_[CoCl_c], Na₀[CoBrJ,"

4 JDJD

K[Co(H₂NCH₂CH₂NH₂) (NO₂) ₄] , K₃ [Ni (C₃O₄) ₃] , K₂[Ni(EDTA)], Na₂[Ni(EDTA)], K₂[Fe(EDTA)], Na[Fe(EDTA)], (NH₄)[Fe(EDTA)], K₃[Fe(C₃O₄J₃], Na₃[Fe(C₃O₄J₃], PbCl₄, K₂[PbCIg], Pb(CH-COO)., Pb(EDTA), [Pb.,0 (OH) J Cl. usw.

j 4 D O 4

Aminopolycarbonsäuren und Co sind die am meisten bevorzug-20

ten Liganden bzw. das am meisten bevorzugte Metall zur

Bildung der Komplexe. Bei diesen speziellen Beispielen steht "EDTA" für den Ethylendiamintetraessigsäuretest. Diese beispielhaften Verbindungen können durch bekannte Syntheseverfahren hergestellt werden oder sind im Handel

erhältlich.

Die oben beschriebenen, in wäßriger Alkalilösung löslichen Metallverbindungen werden geeigneterweise in einer Menge von 0,005 bis 0,2 Gewichtsprozent, vorzugsweise 0,01 bis

0,1 Gewichtsprozent, bezogen auf das Gesamtgewicht der Entwicklerlösung, in die Entwicklerlösung einverleibt.

Die PS-Platte, die mit der erfindungsgemäßen Entwicklerlösung behandelt wird, umfaßt einen Träger mit einer hydro-35

philen Oberfläche, auf der sich eine lichtempfindliche

Schicht, die eine o-Chinondiazidverbindung enthält, be-

befindet. Bevorzugte Beispiele für den Träger sind z.B. Platten aus Reinaluminium oder Aluminiumlegierungen und Kunststoffolien mit auflaminiertem oder aufgedampftem Aluminium. Die Oberfläche der Aluminiumplatte wurde vorzugsweise einer Oberflächenbehandlung unterzogen, wie z.B.

einer Körnungsbehandlung, einer Eintauchbehandlung in eine wäßrige Lösung von Natriumsilikat, Kaliumfluorocirkonat, Phosphorsäuresalz oder dergl. oder einer anodisierenden Behandlung. Geeignet sind auch Aluminiumplattten, die gekörnt und dann in eine wäßrige Natriumsilikatlösung getaucht werden (US-PS 2714 066) und Aluminiumplatten, die anodisiert und dann in eine wäßrige Alkalimetallsilikatlösung getaucht wurden (US-PS 3 181 461). Die oben beschriebene anodisierende Behandlung wird durchgeführt, indem man einen Strom durch eine wäßrige oder nicht-wäßrige Lösung anorganischer Säuren, wie z.B. Phosphorsäure, Chromsäure, Schwefelsäure, Borsäure, oder organischer Säuren, wie z.B. Oxalsäure, Sulfaminsäure oder deren Salzen, allein oder in Kombination aus zwei oder mehreren leitet und die Aluminiumplatte als Anode verwendet.

Auch die in der US-PS 3 658 662 beschriebene galvanische Abscheidung von Silikat ist wirksam.

Auch die Aluminiumplatten, die wie oben beschrieben, ano-

disiert wurden, nachdem sie elektrolytisch gekörnt worden sind, wie dies in der US-PS 4 087 341, der JA-PS 27 481/71 (US-PS 4 115 128) und der JP-OS 30 503/77 beschrieben ist, sind geeignet. Weitere bevorzugte Aluminiumplatten sind solche, die gekörnt, chemisch geätzt und dann anodisiert

wurden, wie in US-PS 3 834 998 beschrieben.

Diese Behandlungen zum Hydrophilmachen der Aluminiumoberfläche dienen verschiedenen Zwecken, wie z.B. Verhinderung

-χΓ-

einer schädlichen Reaktion mit der derauf aufzubringenden lichtempfindlichen Zusammensetzung, Verbesserung der Haftung der lichtempfindlichen Schicht und Hydrophilisierung der Trägeroberfläche.

Eine auf der hydrophilen Oberfläche des Trägers aufzubringende lichtempfindliche Schicht enthält eine o-Chinondiazidverbindung. Besonders bevorzugte o-Chinondiazidverbindungen sind o-Naphthochinondiazidverbindungen, die in vielen Veröffentlichungen beschrieben sind, wie z.B. US-PS 15 3 046 110, 3 046 111, 3 046 121, 3 046 115, 3 046 118, 3 046 119, 3 046 120, 3 046 121, 3 046 122, 3 046 123, 3 061 430, 3 102 809, 3 106 465, 3 635 709 und

3 649 443. Von diesen werden o-Naphthochinondiazidosulfonsäureester oder o-Naphthochinondiazidocarbonsäureester aromatischer Hydroxyverbindungen und o-Naphthochinondiazidosulfonsäureamide oder o-Naphthochinondiazidocarbonsäureamide aromatischer Aminoverbindungen bevorzugt, als ausgezeichnet hervorzuheben sind dabei: ein Veresterungsprodukt der o-Naphthochinondiazidosulfonsäure mit einem Pyrogallolacetonkondensat, wie in US-PS 3 635 709 beschrieben, ein Veresterungsprodukt der o-Naphthochinondiazidosulfonsäure oder der o-Naphthochinondiazidocarbonsöure und einem Polyester mit terminalen Hydroxygruppen, wie in der US-PS

4 028 111 beschrieben,ein Veresterungsprodukt der o-Naphthochinondiazidosulfonsäure oder o-Naphthochinondiazidocarbonsäure mit einem p-Hydroxystyrol-Homopolymer oder einem Copolymer aus p-Hydroxystyrol und anderen copolymerisierbaren Monomeren, wie in der GB-PS 1 494 043 beschrieben, und ein Amidierungs-Reaktionsprodukt aus o-Naphthochinondiazidosulfonsäure oder o-Naphthochinondiazidocarbonsäure mit einem Copolymer aus p-Aminostyrol und· anderen copolymerisierbaren Monomeren.

Diese o-Chinondiazidverbindungen können unabhängig verwendet werden, bevorzugt gelangen sie aber in Kombination mit >■ einem alkalilöslichen Harz unter Bildung einer lichtempfindlichen Schicht zur Verwendung. Bevorzugte alkalilösliche Harze sind z.B. Phenol-Novolakharze, insbesondere Phenol-Formaldehydharz, o-Kresol-Formaldehydharz und

m-Kresol-Formaldehydharz. Wie in der JA-OS 125 806/75 { (entsprechend der US-PS 4 123 279) beschrieben ist, wird weiterhin die kombinierte Verwendung eines Kondensats aus j Phenol oder Kresol, das durch eine Alkylgruppe mit 3 bis 8 C-Atomen substituiert ist, und Formaldehyd, wie z.B. t-Butylphenol-Formaldehydharz, und das oben beschriebene Phenolharz noch stärker bevorzugt. Das alkalilösliche Harz wird in einer Menge von ungefähr 50 bis ungefähr 85 Gewichtsprozent, vorzugsweise 60 bis 80 Gewichtsprozent, bezogen auf das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen Schicht, einverleibt.

Falls notwendig, kann die lichtempfindliche Schicht, die die o-Chinondiazidverbindung enthält, Farbstoffe, Weich— maeher und Verbindungen, die eine Ausdruck-Fähigkeit verleihen, enthalten.

Farbstoffe werden verwendet, um auf der PS-Platte dem Bildbereich nach der bildmäßigen Belichtung und anschliessenden Entwicklung Kontrast gegenüber dem Nichtbildbereich (der Trägeroberfläche) zu verleihen. Bevorzugte Farbstoffe sind alkohollösliche Farbstoffe, wie CI. 26 105 (ölrot RR), CI. 21 260 (ölscharlach Nr. 308), CI. 74 350 (ölblau), CI. 52 015 (Methylenblau) und CI. 42 555 (Kristallviolett) · Diese Farbstoffe werden in ,Mengen verwendet, die notwendig sind, um einen klaren

Kontrast zwischen der Farbe der hydrophilen Oberfläche, die durch die bildmäßige Belichtung und anschließende Entwicklung der lichtempfindlichen Platte bloßgelegt wird, und der Farbe der zurückbleibenden Bereiche der lichtempfindlichen Schicht herzustellen, und im allgemeinen werden sie in einer Menge, die 7 Gewichtsprozent, bezogen auf das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen Zusammensetzung, nicht übersteigt, zugegeben.

Weichmacher geben der auf dem Träger befindlichen lichtempfindlichen Schicht die gewünschte Flexibilität. Wirksam sind z.B. Phthalate, wie Dimethylphthalat, Diethylphthalat, Dibutylphthalat, Diisobutylphthalat, Dioctylphthalat, Octylcaprylphthalat, Dicyclohexylphthalat, Ditridecylphthalat, Butylbenzylphthalat, Diisodecylphthalat, Diarylphthalat und Glykolester, wie Dimethylglykolphthalat, Ethylphthalylethylglykolat, Methylphthalylethylglykolat, Butylphthalylbutylglukolat, Triethylenglykoldicaprylat und Phosphate, wie Tricresylphosphat, Triphenylphosphat und aliphatische zweibasische Säureester, wie Diisobutyladipat, Dioctyladipat, Dimethylsebacat, Dibutylsebacat, Dioctylazelat, Dibutylmaleat und Polyglycidylmethacrylat, Tr iethylcitrat, Glycerintriacetylester und Butyllaurat.

Diese Weichmacher werden mit einem Gehalt von ungefähr 5 Gewichtsprozent oder weniger, bezogen auf das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen Zusammensetzung, einverleibt.

Ausdruckmaterialien sind solche, die unmittelbar nach der bildmäßigen Belichtung einer PS-Platte ein sichtbares Bild ermöglichen. Beispiele dafür sind die in der GB-PS 1 041 463 beschriebenen pH-Indikatoren, die in der

334733&J

- yt-

US-PS 3 969 118 beschriebene Kombination von o-Naphthochinondiazid-4-sulfonylchlorid mit einem Farbstoff und die in der JP-AS 6413/69 beschriebene photochrome Verbindung. Wie in der JP-OS 80 022/77 (entsprechend der US-PS 4 115 128) beschrieben, kann die Empfindlichkeit gesteigert werden, indem man ein cyclisches Säureanhydrid der lichtempfindlichen Schicht zusetzt.

Die o-Naphthochinondiazid enthaltende lichtempfindliche Zusammensetzung wird auf dem Träger als Lösung in einem geeigneten Lösungsmittel aufgetragen. Verwendbare Lösungsmittel sind z.B. Glykolether, wie Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether und 2-Methoxyethylacetat, Ketone, wie Aceton, Methylethylketon und Cyclohexanon, sowie chlorierte Kohlenwasserstoffe, wie Ethylendichlorid.

Die die o-Chinondiazidverbindung enthaltende lichtempfindliche Schicht wird auf den Träger in einer Überzugsmenge von ungefähr 0,5 bis ungefähr 7 g/m², vorzugsweise von 1,5 bis 3 g/m², aufgetragen.

Belichtet man die so erhaltene PS-Platte durch ein Diapositiv mit aktinischem Licht aus einer Kohlebogen-, Quecksilber-, Metallhalogenid-, Xenon- oder Wolframlampe oder dergl., so werden die vom Licht betroffenen Bereiche alkalilöslich. Wenn die belichtete Platte deshalb mit der erfindungsgemäßen Entwicklerlösung behandelt wird, werden die belichteten Bereiche der lichtempfindlichen Schicht weggewaschen und legen so die hydrophile Oberfläche des Trägers frei, wodurch man eine Flachdruckform erhält.

Durch die Verwendung der erfindungsgemäßen Entwicklerlösung werden die folgenden Vorteile erzielt:

Sie erhöht die Entwicklungsstabilität derart, daß eine leichte Kontrolle der Entwicklungsbedingungen möglich ist.

Die Verarbeitungskapazität wird erhöht, so daß viele PS-Platten mit einer kleinen Menge der Entwicklerlösung entwickelt werden können. Die Menge an verbrauchter Flüssigkeit ist daher so gering, daß die Aufbereitung der verbrauchten Flüssigkeit keine Schwierigkeiten bereitet.

Deshalb ist die erfindungsgemäße Entwicklerlösung besonders vorteilhaft, wenn sie zur Entwicklung vieler PS-Platten verwendet wird, weil das mühsame Auffüllen der Entwicklerlösung, wie in der ÜS-PS 4 257 434, der GB-OS 2 046 931A und der PCT-OS WO82/01086 beschrieben, weniger oft vorgenommen werden muß.

j 20 Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung. Alle Teile \ und Prozente beziehen sich auf das Gewicht, sofern nichts anderes angegeben ist.

Beispiele 1 bis 4

0,8 Teil eines Naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonsäurepolyhydroxyphenylesters, der durch Polykondensation von Aceton und Pyrogallol erhalten wurde (JP-AS 28 403/68; US-PS 3 635 709), 2,2 Teile eines m- und p-Kresol-Formaldehyd-Novolakharzes, 0,02 Teil eines Octylphenol-Novolakharzes, 0,08 Teil Phthalsäureanhydrid, 0,04 Teil 2-Trichlormethyl-5-(p-n-butoxystyryl)-1,3,4-oxadiazol und 0,03 Teil Kristallviolett-p-toluolsulfonat werden in einem Gemisch aus 20 Teilen Methylcellosolveacetat und 8 Teilen Mdthylethylketon zu einer lichtempfindlichen Lösung vermischt.

Eine 0,3 mm dicke, mit einer Nylonbürste gekörnte Aluminiumplatte wird mit Alkali geätzt, dann elektrolytisch in wäßriger Salpetersäure gekörnt, in wäßriger Schwefelsäure anodisiert (Menge des Oxidfilms: 2,7 g/m²), mit einer wäßrigen Zinkacetatlösung von 70⁰C behandelt und gründlich J 10 gewaschen und getrocknet. Auf die so behandelte Aluminiumplatte wird mit einer Schleuderscheibe die oben beschriebene lichtempfindliche Lösung aufgetragen, wodurch man eine PS-Platte mit einer lichtempfindlichen Schicht in einer Menge von ungefähr 2,0 g/m² erhält. Diese PS-Platte wird durch einen Stufenkeil mit einer Dichtedifferenz von 0,15 und einen Halbtonkeil unter Verwendung einer 2 kW-Metallhalogenidlampe belichtet.

Getrennt davon werden Entwicklerlösungen hergestellt, die die in Tabelle I genannten Verbindungen in den ebenfalls angegebenen Mengen pro Liter einer 2prozentigen wäßrigen

! Natriumsilikatlösung mit einem SiO„/Na„0-Molverhältnis von ; zz

etwa 1,1 enthalten.

Tabelle I

Beispiel	(0,014)	Zugesetzte Verbindung (Menge (g))
¹	CoCl .6H O (0,03)
2	Co (CH COO)	Tetranatriumethylendiamin- tetraacetat.4H O (0,10)
3	.4HO Tetranatriumethylendiamin- tetraacetat.4HO (0,10)

4 /Co (NO ) (NH ) /Cl N(CH COONa) £ i 5 Δ Ζ

(0,008) (0,08)

Vergleichsbeispiel
1

Zwei belichtete PS-Platten werden in jede der Entwicklerlösungen, die auf 25⁰C gehalten werden, getaucht und eine Platte wird nach 1 Minute und die andere Platte nach 5 Minuten entnommen und dann mit Wasser gewaschen.

Tabelle II zeigt die Zahl der Stufen der aufgelösten Stufenkeile und die Ergebnisse der Halbtonpunkt-Reproduzierbar- '■ keit der Glanzlichtbereiche des Halbtonpunktkeils.

Tabelle II

Stufenzahl des Stufenkeils

Beispiel

1 minütige Entwicklung

5 minütige Entwicklung

Halbtonpunktkeil

2 3 4

Vergleichs beispiel 1

3 4 3 6

13

Wie die Ergebnisse der Tabelle II zeigen, zeigen die Entwicklerlösungen der Beispiele 1 bis 4 äußerst gute Entwicklungsstabilität im Vergleich zum Vergleichsbeispiel 1 , wo eine wäßrige Natriumsilikatlösung unabhängig verwendet wird. Hinsichtlich der Entwicklungsverarbeitungskapazität behalten die Entwicklerlösungen der Beispiele 1 und 1 und eine ausreichende Entwicklungsfähigkeit sogar nach der Entwicklung von 3 m² PS-Platten pro Liter.

150 Linien/2,54cm, 2 % Halb- | tonpunkte werden bei 5minütiger Entwicklung reproduziert

dto. !

dto.

150 Linien/2,54 cm, 5% Halbtonpunkte werden bei 5minütiger Entwicklung nicht reproduziert

5 Beispiele5 bis

Dieselben PS-Platten wie in Beispiel 1 werden in gleicher Weise wie in Beispiel 1 entwickelt, mit der Ausnahme, daß Entwickler verwendet werden, die die in Tabel-I 10 Ie III angegebenen Verbindungen in den dort angegebenen j Mengen pro Liter einer 2,5prozentigen wäßrigen Kaliumj silikatlösung mit einem SiO^/K-O-Molverhältnis von 1,2 ent-j

halten. Die so erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle IV i zusammengefaßt, ί 15

Beispiel
5

10

11

12

13

14

15

Tabelle III zugegebene Verbindung (Menge g)

(0,01)

(0,035)

(0,02) PbCl₂

(0,02) NiCl₂-6H₃O

(0,035) CoCl .6HO

(0,02) CoCl₂-6H₃O

(0,04)

/Ni (NH ) 7(HPO )

(0,1)

/Co (NH₂CH₂CH₂NH₂ (0,12)

Tetranatriumethylendiamin-

tetraacetat.4H O

(0,175)

Tetranatriumethylendiamintetraacetat .4HO (0,12) ²

Tetranatriumethylendiamintetraacetat . 4HO (0,12)

Tetranatriumethylendiamintetraacetat.4HO (0,21)

Natrium-trans-cyclohexan-l,2-diamintetraacetat (0,10)

Natriumdiethylentriaminpentaacetat
(0,28)

Tetranatriumethylendiamin« tetraacetat.4HO

(1,0) 2
Tetranatriumethylendiamintetraacetat.4H„0 (2,0)

Vergleichsbeispiel 1

5	ι	15	Beispiel	Stufenzahl	Tabelle IV	i	Halbtonpunktkeil
			5	1-minütige Entwicklung	des Stufenkeils		150 Linien/2,54cm, 2% Halb tonpunkte werden bei 5minüti- ger Entwicklung reproduziert
			6	3	5-minütige Entwicklung	dto.
10		7	3	4	dto.
		8	4	4	dto.
20	9	3	5	dto.
	10	4	4	dto.
	11	4	5	dto.
	12	3	5	dto.
13	3	4	dto.
14	3	4	dto.
15	3	4	dto.
Vergleichs beispiel 2	3	4	150 Linien/2,54cm, 2,5% Halb tonpunkte werden bei 5minüti- ger Entwicklung nicht re produziert.
	6	4
12

Aus den Ergebnissen in Tabelle IV ist ersichtlich, daß im Vergleich zum Vergleichsbeispiel 2, wo unabhängig eine wäßrige Kaliumsilikatlösung verwendet wird, die Entwicklungsfähigkeit der erfindungsgemäßen Entwicklerlösungen, die die Komplex- oder Chelatverbindung enthalten, äußerst stabil sind. Wird weiter die verbrauchte Flüssigkeit einer jeder dieser angewendeten Entwicklungslösungen mit derselben Menge Wasser verdünnt und mit Salzsäure neutralisiert, tritt keine Gelierung auf, wodurch sich die Durchführung der Neutralisierung sehr einfach gestaltet.

₅ Beispiel

Verwendet man eine PS-Platte, die anstatt der in Beispiel 1 verwendeten Naphthochinondiazidverbindung Bisphenol A-Naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonsäureester enthält, wer-₁₀ den dieselben Ergebnisse wie in Beispiel 1 erzielt.

Claims

Patentansprüche

Entwicklerlösung zum Entwickeln von lichtempfindlichen Flachdruckformen mit einer eine o-Chinondiazidverbindung enthaltenden lichtempfindlichen Schicht, enthaltend eine wäßrige Lösung, die ein Alkalisilikat und eine in wäßriger Alkalilösung lösliche Verbindung eines Metalls aus der Gruppe Zinn, Blei, Eisen, Kobalt und Nickel ent-l hält.
2. Entwicklerlösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in wäßriger Alkalilösung lösliche Verbindung ein Komplex ist.
3. Entwicklerlösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in wäßriger Alkalilösung lösliche Verbindung eine Metall-Chelatverbindung ist.
4. Entwicklerlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die o-Chinondiazidverbindung eine o-Naphthochinondiazidverbindung ist.
5. Entwicklerlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Alkalisilikat ein SiO₂/ M₂O-Mo!verhältnis von 0,5 bis 3,0 hat, wobei M ein Alkalimetall oder Ammonium darstellt.
Entwicklerlösung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Alkalisilikat ein Si0₂/M₂0-Molverhältnis von 1,0 bis 2,0 hat.
7. Entwicklerlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Alkalisilikats in der Entwicklerlösung 1 bis 10 Gewichtsprozent beträgt.
8. Entwicklerlösung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Alkalisilikats in der
Entwicklerlösung 1,5 bis 7 Gewichtsprozent beträgt.
9. Entwicklerlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die in wäßriger Alkalilösung lösliche Verbindung in der wäßrigen Lösung in einer Menge von 0,005 bis 0,2 Gewichtsprozent* bezogen auf das
Gesamtgewicht der Entwicklerlösung, vorhanden ist.
10. Entwicklerlösung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die in wäßriger Alkalilösung lösliche Verbindung in der Lösung in einer Menge von 0,01 bis 0,1 Gewichtsprozent, bezogen auf das Gesamtgewicht der Entwick-· lerlösung, vorhanden ist.
11. Verwendung ""der Entwickler lösung nach einem der Ansprüche 1 bis 10 zum Entwickeln einer bildmäßig belichteten lichtempfindlichen Druckform mit einer ein o-Chinondiazid enthaltenden lichtempfindlichen Schicht.