DE3241976A1 - Monolithisch integrierbare steuerschaltung zum schalten induktiver lasten - Google Patents

Monolithisch integrierbare steuerschaltung zum schalten induktiver lasten

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DE3241976A1 DE19823241976 DE3241976A DE3241976A1 DE 3241976 A1 DE3241976 A1 DE 3241976A1 DE 19823241976 DE19823241976 DE 19823241976 DE 3241976 A DE3241976 A DE 3241976A DE 3241976 A1 DE3241976 A1 DE 3241976A1
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Description

■ 2- :■ ': : ι
Beschreibung j
Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierbare Steuerschaltung gum Schalten induktiver Lasten, die verwendbar ist in Chopper-Spannungsversprgurigsgeräten und in Schnelldruckern -zum Treiben " der Elektromagneten für die Druckorgane. . " : ■ . ■'
Derartige Steuerschaltungen mi| Umschaltung haben einen Leistungsendtransistor, der in Reihe mit der induktiven Last zwischen die beiden Pole eines Speisespannungsgenerators geschaltet ist und durch ein Steuersignal an der Basis alternativ von einem Zustand hoher Spannung und niedrigem Strom zu einem Zustand niedriger Spannung und hohem Strom gesteuert werden kann»
Im ersten Zustand ist der Transistor zwischen den Emitter- und Kollektor-Anschlüssen virtuell ein offener Kreis (ausgeschaltete oder "off"-Zustand), und im zweiten Zustand ein Kurzschluß (leitender Zustand oder "on"-Zustand), so ■ daß er jeweils .verhindert bzw. zuläßt, daß Strom durch die induktive Last fließt* . - : -
Die Funktionsweise des Transistors, die sich dicht an die Funktion eines idealen Schalters annähert, ist die, in der der Transistor, im geschlossenen Zustand in der Sättigung arbeitet und im offenen Zustand gesperrt ist. In diesem Fall ist die maximal mögliche Umsehaltfrequenz des Leistungsendtransistors i. w. beschränkt durch die während der Phase des Übergangs von der Sättigung zum Sperrzusta'nd ( "turn-rof f") auftretenden Wirkungen der Ladungsspeicherung, die während der leitenden Phase auftritt. ■'■-"■"■
Wie bekannt, haben Leistüngstrarisistören im allgemeinen eine dicke Kollektorzone mit hohem spezifischem Widerstand, was erforderlich ist, um einer hohen Sperrschälturig zu "widerstehen.. .
Diese Kollektorzone ; weist einen Ausschalte/Übergang der zusammengesetzt ist aus einer ersten Phase, in der der Transistor weiterhin in Sättigung ist, aus einer zweiten Phase einer "Halb-Sättigung11,. in der die Kollektor-Emitter-Spannung anzusteigen beginnt, der Kollektorstrom jedoch konstant bleibt, und aus einer:Endphase, in der die Kollektor-Emitter-Spannung schnell ansteigt, während der Kollektorstrom auf Null zurückgeht.
Die Phase der Halb-Sättigung ist insbesondere diejenige, in der der Transistor die meiste Energie verbraucht.
Daher wäre eine Verringerung der Äusschaltzeit vorteilhaft sowohl zur Erhöhung der maximal möglichen Umsehaltfrequenz als auch zur Verbesserung der Effektivität der Steuerschaltung hinsichtlich der Energie, wozu die leiten verringert werden, in denen Sieh diö Funktion des Leistungsendtransistors von derjenigen eines idealen Schalters unterscheidet ο
Eine bekannte schaltungstechnische Lösung dieses Problems wird dadurch erhalten, daß mit der Basis des Leistungsendtransistors eine Schaltung niedriger Impedanz ver- -- . bunden wird ,die beim Ausschalten des Transistors ein rasches Abfließen der im Transistor gespeicherten Ladungsträger gestattet, beispielsweise eine Schaltung, die einen geeignet dimensionierten Transistor aufweist, der mit .der Basis
des Endtransistors verbunden ist und in Gegenphase zu diesem arbeitet, wodurch die gespeicherte Ladung.abgezogen wird, um dadurch das Ausschalten des findtransistors zu be- μ schleunigen.
Derartige schaltungstechnische Lösungen sind beispielsweise in den britischen Patentanmeldungen 2053606 und 1560354 besehrieben, ; . -
Allerdings hat auch der Transistor für das Abziehen der Ladung eine wenn auch .kleine Ausschaltzeit, so daß er, da er in Gegenphase zu dem Endleistungsverstärker arbeitet, eine Verzögerung··, beim Wiedereinschalten dieses Transistors bewirkt, die nicht vernachlässigt werden kann, wenn eine maximale Umschaltgeschwindigkeit erreicht werden soll. Andererseits kann auch nicht die unnütze Aufnahme von Speisestrom vernachlässigt werden, der den ladungsabziehenden Transistor aktiv hält, wenn der Endtransistor bereits vollständig abgeschaltet ist, ■-.;.■■- . - ■ ' ;
Wenn jetzt das Basdssteuersignal über einen zweiten Transistor zu dem damit verbundenen Leistungsendtransistor übertragen wird, hängt die Funktionsgeschwindigkeit der Steuerschaltung auch von der maximalen Umschaltgeschwindigkeit dieses zweiten Transistors ab, welche von den bereits erwähnten Wirkungen der Ladungsspeicherungen in der Basis abhängt, wenn dieser im leitenden Zustand im Sättigungsgebiet arbeitet.
In diesem Fall können die daraus entstehenden Geschwindigkeitsbeschränkungen beachtlich sein, insbesondere bei monolithisch integrierbaren Steuerschaltungen, die einen PNP-Transistor zum Treiben , des Leistungsendtransistors
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aufweisen (welcher aus Integrierungsgründen, die dem Fachmann bekannt sind, im allgemeinen ein NPN-Transistor ist), auch wenn dieser im leitenden Zustand in der aktiven Zone seines Funktionsfeldes arbeitet, denn die integrierten PNP-Transistoren haben eine längere Abschaltphase als die NPN-Transistoren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine monolithisch integrierbare Steuerschaltung zur Umschaltung induktiver Lasten "einen PNP-Transistor zur Steuerung des Leistungsendtransistors zu schaffen, die trotzdem eine sehr hohe Umschaltgeschwindigkeit und eine gute Effektivität aufweist und die Aufnahme von Speisestrom auf das unbedingt erforderliche Maß begrenzt.
Diese Aufgabe wird bei einer gattungsgemäßen Steuerschaltung durch das Kennzeichen des Patentanspruchs 1 gelöst-
Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Erfindung ist nachstehend an einem Ausführungsbeispiel erläutert, das in der Zeichnung dargestellt ist.
Es zeigen :
Figur 1 das teilweise in Blockdarstelluhg wiedergegebene Schaltschema einer Steuerschaltung gemäß der Erfindung und
Figur 2 das Schaltschema einer abgeänderten Ausführungsform der Erfindung.
In den Figuren werden für einander entsprechende Teile gleiche Bezugszeichen verwendet, .
Die in Figur 1 gezeigte Umschaltsteuerschaltung enthält eine Umsehaltsignalquelle, die durch den Block SW dargestellt ist und mit einer durch den Block C dargestellten Steuerschaltung verbunden ist, sowie ein Paar bipolarer Transistoren T- und T„, von denen der erste ein PNP-und der zweite ein NPN-Transistor ist. Die Basis, der Emitter und der Kollektor von T1 sind mit der Steuerschaltung C, dem positiven Pol +V eines Speisespannungsgenerators bzw, mit der Basis des Transistors T0 verbunden, dessen Kollektor mit +V und dessen Emit-
et -. CC
ter über eine induktive Last, die durch einen Widerstand PL und eine in Reihe damit verbundenen Induktivität L gebildet ist, mit dem negativen Pol -V des Speisespannungs-
. cc -
generators verbunden sind. Parallel zu Rr und L ist eine Diode Dg geschaltet, deren Kathode mit dem Emitter
von T0 und deren Anode mit -V verbunden ist. Die Ba-2 .-"■■-. cc
sis und der Emitter von T„ sind über einen Widerstand R miteinander verbunden.
Die Schaltung gemäß Figur 1 weist auch- eine^%ifcitlich gesteuerte .Freigabeschaltung TA auf, die im folgenden der Einfachheit halber Taktgeber, genannt wird und die über eine doppelte Verbindung c und a an die Steuerschaltung C an geschlossen ist; ferner weist die Schaltung zwei bipolare PNP.Transistoren T3 und T, sowie einen bipolaren NPN-Transistor Tn. auf.
Die Basis von T sowie die Basis von T. sind beide mit der Steuerschaltung G und mit der Kathode einer Diode
.324T976-
Dw verbunden, deren Anode an +V angeschlossen ist»
Die Emitter von T^ und T1, sind an +V angeschlossen. Der Kollektor von T- ist mit der Basis von T. und der Kollektor von Tw mit der Basis von T^ sowie mit der Anode einer Diode D1- verbunden.
Der Emitter von Tj- und die Kathode von D1- sind mit dem Emitter von Tp verbunden, während der Kollektor von T^ mit der Basis von T„ gekoppelt ist.
In Figur 2 ist eine andere Ausführungsform der Schaltung gemäß der Erfindung gezeigt, die wie die Schaltung der Figur 1 ebenfalls zwei Dioden Dp und D7 und zwei bipolare Transistoren aufweist, nämlich einen PNP-Transistof Tg und einen NPN-Transistor T7.
Die Basis von Tg ist ebenfalls mit der Kathode von D1+ sowie mit der Steuerschaltung verbunden. Der Emitter und der Kollektor von Tc sind an +V bzw. an die Anode
D . cc : -.
von D7 angeschlossen, mit der auch die Basis von T7 verbunden ist. Die Kathode von D7 und der Emitter von T7 sind beide mit -V verbunden}und der Kollektor von T7 ist mit der Kathode von D„ verbunden, deren Anode ebenfalls an die Basis von Tp angeschlossen ist.
In der Schaltung gemäß Figur 2 ist ferner ein& besondere Schaltungsausführung der Blöcke C und TA der Figur Ϊ <?e~ zeigt.
Die in Figur 1 mit dem Block C gekennzeichnete Steuerschaltung hat drei bipolare NPN-Transistoren Tg, Tg und
T ·
Die Basen von Th und T„ sind beide mit der Umschaltsignalquelle SW und mit der Anode einer Diode D« verbunden, deren Kathode an .-V" angeschlossen ist. Der Emitter von Tg ist an. ,--VG angeschlossen, während der Kollektor von Tg mit der Basis von T.. und der Kathode einer Diode D1 verbunden ist, deren Anode an +V an-
I. ■ ■ - CG
geschlossen ist. Der Kollektor von Tq ist mit der Basis von T10, über einen Konstantstromgenerator A.. mit +V_ sowie mit der Anode einer Diode D10 verbunden. Die Emitter von Tq ,und T-Q sowie die Kathode von D10 sind an -V angeschlossen. Der Kollektor yon T^0 ist mit den Basen von T-,, T1, und Tg sowie mit der Kathode der Diode D1, verbunden.
Der Taktgeber hat zwei bipolare PNP-Transistören T.- und T12 sowie einen bipdhren NPN-Transistor T1-,. Die Basis von T11 ist mit der Kathode der Diode D1 und mit dem Kollektor des Transistors Tg verbunden. Der Emitter'und der Kollektor von T11 sind an +V bzw. an die Basis -von T12 angeschlossen, welche ihrerseits mit der Kathode einer Diode D12 verbunden ist, deren Anode an +V angeschlossen ist; der Kollektor von T1.. ist ferner über einen Konstantstromgenerator A11 an -V angeschlossen.
Der Emitter von T^2 ist mit.+V verbunden, während der Kollektor an die Basis von T1-, und an die Anode einer Diode D1-, a
hunden ist.
Diode D1-, angeschlossen ist,'deren Kathode mit -V ver-
Der Emitter und der. Kollektor von T1-. sind an -V bzw.
'.--■■■■- 13 ..-.■■ C9
an den Kollektor von Tq angeschlossen.
Nachstehend wird die Punktionsweise der in Figur 1 gezeigten Schaltung untersucht.
Die Diode D1, bildet mit TJ, eine erste Stromspiegelschaltung sowie gleichzeitig, zusammen mit Tj,, D,- und T,-, eine komplexere, zweite Stromspiegelschaltung.
Die Verbindung zwischen der. Diode D^. und der Steuerschaltung C ist der gemeinsame Eingang für beide Stromspiegelsehaltungen; die Verbindung zwischen dem Kollektor von T^ und der Basis von T1 sowie die Verbindung zwischen dem Kollektor T5 und der Basis von Tp sind die voneinander verschiedenen Ausgänge der beiden Stromspiegelschaltungen. Der Eingangsstrom wird an den Ausgängen mit bestimmten Stromübertragungsfaktoren gespiegelt=
Die Steuerschaltung C aktiviert gleichzeiti;*ifdie erste und die zweite Stromspiegelschaltung, wenn sie bei einem bestimmten Umschaltsignal, das von der Signalquelle SW erzeugt wird, die Abschaltung von T1 und damit auch von T~ steuert.
Auf diese Weise wird ein Strom zum Abziehen von Ladungen von der Basis von T1.festgelegt und ferner ein Strom, der einerseits zum Absoriierai von Ladungen vom Kollektor von T^ in der Abschaltphase,und andererseits zum Abziehen von Ladungen von der Basis von Tp dient; diese Ströme sind, wie bereits erwähnt, proportional zu dem von der Steuerschaltung aufgeprägten Strom.
Der Taktgeber TA erfaßt über die Verbindung σ mit der
:;, 32/.1976
■ Ab-
Steuerschaltung C die Äbschaltsteuerung für T1 und T2 und versetzt die Steuerschaltung C in die Lage, für eine vorbestimmte Zeit die Stromspiegel aktiv zu halten.
Wenn innerhalb dieser Zeit ein neues Umsehaltsignal von SW kommt, steuert C die Wiedereinschaltung von T. und Tp, die Entaktivierung der Stromspiegelschaltungen und die Wiederaufnahme der Anfangsbedingungen von TA. Andernfalls steuert am Ende dieser vorbestimmten Zeit" spanne TA über die Verbindung a die Steuerschaltung C so daß diese die Stromspiegelschaltungen entaktiviert, ohne jedoch den Zustand von T1 und T2 zu ändern.
Die Betriebsweise einer Steuerschaltung mit Umschaltung gemäß der Erfindung wird deutlich, wenn die in Figur gezeigten Schaltungen betrachtet werden.
Im Unterschied zur Schaltung der Figur 1 hat die Schaltung gemäß Figur 2 auch eine dritte Stromspiegelschaltung, die aus D1,, Tg, D7, T7 und D mit zugehörigen Verbindungen besteht. Ihr Eingang stimmt mit dem gemeinsamen Eingang der ersten und der zweiten Stromspiegelschaltung überein, und ihr Ausgang, der sich von den Ausgängen der ersten beiden Stromspiegelschaltungen unterscheidet, ist ebenfalls mit der Basis von T2 verbunden und erlaubt ein· wirkungsvolleres Abziehen von Ladungen aus diesem Transistor, wenn dieser in der Abschaltphase ist.
Die dritte Stromspiegelschaltung wird gleichzeitig mit der ersten und der zweiten Stromspiegelschaltung aktiviert.
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Zu Beginn ist die Kollektor-Emitter-Spannung von T7 größer als diejenige von T5, welche gleich der Basis-Emitter-Spannung von Tp im leitenden Zustand ist, weil der Emitter von T7 mit dem negativen PoI-V verbunden ist. Dadurch ist der Kollektorstrom von T7 hoher als derjenige von T1-, so daß die Hinzufügung der dritten Stromspiegelschaltung ein wesentlich rascheres Abschalten von Tp gestattet.
Damit kann die Sperrung von Tp bereits erfolgen, wenn der Kollektorstrom von T1 noch nicht wesentlich abgenommen hat.
Da der Emitter des Endtransistors Tp mit der induktiven Last verbunden ist, wird in dieser beim Abschalten eine gegenelektromotorische .Kraft;induziert, die eine Absenkung des Emitterpotentials von Tp unter den Bezugspegel von -V bewirkt." Da auch das Basispotential von Tp verringert wird und der Transistor T7 inSperrichtang vorgespannt wird, wird seine Aktivität" zum.-Abziehen der Ladungen beendet.
Um eine mögliche Stromrezirkulation Von dem Kollektor von T7 in diesen Vorspannzuständen zu verhindern, ist zwischen den Kollektor ■
Diode Dp eingeschaltet.
zwischen den Kollektor von T7 und die Basis von Tp die
Der Transistor T1-, dessen Emitter mit dem Emitter von T„ verbunden ist und der daher in jedem Fall dasselbe Potential wie dieser aufweist, wird jedoch in einem Zustand der Durchlaßleitung, gehalten, wobei der Kollektorstrom von T. in der Abschaltphase absorbiert und da-
* * • ·
t · *
durch verhindert wird, daß dieser Strom den Transistor Tp wieder einschaltet.
Wenn auch T1 gesperrt ist, werden die Stromspiegelschaltungen entaktiviert, weil ihre Wirkung nicht mehr erforderlich ist.
Nachstehend werden die. Funktionsweisen der Steuerschaltung und des Taktgebers näher untersucht.
Es sei angenommen, daß zu Beginn T1, Tp und Tg,der diese steuert,im leitenden Zustand sind. Das von SW erzeugte Umschaltsignal zur Steuerung der Abschaltung des Endstufentransxstors bewirkt die (gleichzeitige) Sperrung von T8 und T9.
Die Sperrung von To bewirkt den Beginn der Abschaltphase von T1 und T2, und die Sperrung von Tg bewirkt, daß der von A1 aufgeprägte Konstantstrom, der vollständig von T„ aufgenommen wird,wenn dieser im leiten-* den Zustand ist, zur Basis von T1n fließen kann, welcher zunächst gesperrt war, so daß dieser augenblicklich in den leitenden Zustand überführt wird. Der Transistor T10 aktiviert die zuerst genannten Stromspiegelschaltungen, worauf T^, T5 und T„ beginnen, die Ladungen aus den noch leitenden Transistoren T1 und Tp abzuziehen.
Im Fall des Transistors T wird auch das Umschalten des Transistors T11 vom Transistor Tg gesteuert; T11 und A11 sind so dimensioniert, daß A11 dem Transistor T" einen Kollektorstrom aufprägt, der kleiner ist als der-
jenige, welcher durch die Vorspannungsbedingungen von T11 aufgeprägt wird, bis der Kollektorstrom von T- eine solche Größe hat, ' daß er T2 im leitenden Zustand hält: unter diesen Bedingungen befindet sich T11 im Sättigungszustand und sind die Transistoren T1? und T>~ gesperrt.
Wenn T1 einen Strom leitet, der kleiner ist als der Schwellenwert für das Leiten von Tp, neigt der KoI-lektorstrom von T11 zu einem Wert, der kleiner ist als der von A11 aufgeprägte, so daß T1 nicht länger gesättigt ist." ' Zu diesem Zeitpunkt beginnen T12 und T^ zu leiten, wobei sie die Funktion der aktiven Abschaltung beenden; T1 und Tp können nun erneut und ohne Verzögerungen in den leitenden Zustand gebracht werden.
Wenn jedoch vor Ende der in dieser Weise bestimmten Aktivierungsperiode ein Signal zum erneuten, leitenden Schalten von T1 und Tp zu der Steuerschaltung gelangt, beginnen die Transistoren Tn und Tq sofort wieder zu leiten, so daß außer T1 und Tp auch T11 in den leitenden Zustand gelangen, was die Sperrung von T12 und T,_ zur Folge hat, während Tq erneut von A den ganzen Strom aufnimmt und dadurch T^0 abschaltet.
Die Entaktivierung der EinrichtungzumÄbziehen der Ladungen erfolgt damit gleichzeitig mit dem Einschalten des Endtransistors, und der Taktgeber wird in seinen Anfangszu^ stand zurückversetzt.
Die Steuerschaltung gemäß der Erfindung eignet sich insbesondere dazu, mittels bekannter Techniken in einen monolithischen Halbleiterblock integriert zu werden.
• iO · " ' '
Obwohl nur ein mögliches Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben und dargestellt ist, bestehen selbstverständlich zahlreiche Möglichkeiten für Abänderungen innerhalb des Rahmens der Erfindung.
So können beispielsweise die in den Schaltungen der Figuren 1 und 2 enthaltenen Stromgpiegelschaltungen durch geeignete Schaltungsänderungen, die dem Durchschnittsfachmann geläufig sind, durch kompliziertere Stromspiegelschaltungen ersetzt werden, die so ausgebildet sind, daß sie unemepfindlich für Änderungen der Temperatur oder der Speisespannung sind. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, die Dioden Dj- und D7 durch geeignete Widerstände zu ersetzen, um die Stromverstärkung der Transistoren T^ und L zu erhöhen und deren Abschaltzeiten zu verringern, um auf diese Weise die im Vergleich zu den Diodenströmen geringere Genauigkeit der Werte für die Kollektorströme von Tj- und T7 auszugleichen. - _
Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann der Taktgeber durch eine monostabile Schaltung mit genau konstanten Freigabezeiten, , die beliebig bestimmbar sind, ersetzt werden.
Die Erfindung macht also eine monolithisch integrierbare Steuerschaltung zum Umschalten induktiver Lasten verfügbar, die in Schnelldruckern und im Spannungsversorgungsgeräten für Zerhacker verwendbar ist. Die Schaltung hat einen Leistungsendtransistor, dessen Umschaltung durch
einen mit seinem Steueranschluß gekoppelten Transistor gesteuert wird.
Mit den Steueranschlüssen beider Transistoren ist eine Schaltung zum Abziehen von Ladungen verbunden, um das Abschalten dieser Transistoren zu beschleunigen, und zwar durch die Verringerung von deren Entleerungszeit. Diese Schaltung wird nur für eine bestimmte Zeit vom Beginn des Abschaltens der Transistoren an in den Zustand zum Abziehen von Ladungsträgern versetzt, um Verzögerungen bei dem nachfolgenden erneuten Einschalten der Transistoren zu vermeiden.

Claims (1)

13„ November 1981, Nr. 25054 A/81, Italien
Titels ;
Monolithisch integrierbare Steuerschaltung zum Schalten induktiver Lasten
Patentansprüche
1. Monolithisch integrierbare Steuerschaltung zum Schalten induktiver Lasten, umfassen eine Steuerschaltung (C)t die mit einer Umschaltsignalquelle (SW) Verbunden ist, welche elektrische Impulse erzeugt, die
POSTSCHECKKONTO: MÖNCHEN 501 75 - 803 · BANKKONTO: DEUTSCHE BANK A.G. MÖNCHEN, LEOPOLDSTRASSE 71. KONTO-NR, 60/3S 794
durch das Signal bestimmt sind und die eine vordere Flanke und eine hintere Flanke haben, sowie einen ersten Transistor (T1) und einen zweiten Transistor (Tp), die beide einen ersten und einen zweiten An- : Schluß und einen Steueranschluß haben, wobei der , erste oder der zweite Anschluß des ersten Transistors (T1) mit einem der beiden Pole £+V_Q, -^00) eines Speisespannungsgenerators verbunden ist, während der andere Anschluß und der Steueranschluß mit dem Steueransehluß des zweiten Transistors (Tp) bzw. der' Steuerschaltung (C) verbunden ist, und der erste Transistor (T-) von den durch die Steuerschaltung erzeugten Impulsen in den leitenden Zustand versetzt wird, wobei ferner der zweite Transistor (T-) mittels des ersten und - des zweiten Anschlusses in Reihe mit einer induktiven Last (R1, L) zwischen die beiden Pole (+Vn, -V) des
4-1 - CCGG
Speisespannungsgeneratois geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet , daß eine Schaltung zum Abziehen von Ladungen vorgesehen sind, die mit dem Steueranschluß wenigstens eines der beiden Transistoren (T-, Tp) verbunden und mit der Steuerschaltung (C) gekoppelt ist, welche deren Aktivierung im Bereich der hinteren Flanke jedes der Impulse, die den ersten Transistor (T.) in den leitenden Zustand bringen, steuert, .und daß ferner eine zeitlich gesteuerte -Freigabeschaltung (TA) vorgesehen ist, die ebenfalls;mit der Steuerschaltung (C) verbunden ist, welche durch die Freigabeschaltung befähigt wird, die Schaltung zum Abziehen der Ladungen für eine vorbestimmte Zeitdauer aktiv zu halten, maximal bis zu einer Zeit, die zwischen der hinteren Flanke jedes der Impulse und der vorderen Flanke des folgenden Impulses abläuft.
BAD ORIGINAL
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2o Steuerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der erste Transistor (TO und der zweite Transistor (Tp) einander entgegengesetzte Leitfähigkeit haben, wobei der erste
.und der zweite Anschluß des ersten Transistors (T.)
mit dem ersten Pol (+V- ) des Speisespannungsgenerators bzw. dem Steueranschluß des zweiten Transistors (Tp) verbunden ist und der erste und der zweite Anschluß
des zweiten Transistors (T?) über die induktive Last (Rj, L) mit dem zweiten Pol (-V ) bzw. mit dem ersten Pol (+V) des Speisespannungsgerierators verbunden ist.
cc - -
3 - Steuerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung
zum Abziehen der Ladungen einen dritten Transistor
(TO, einen vierten Transistor (TO und einen fünften Transistor (T1-) aufweist, von denen jeder einen ersten und einen zweiten Anschluß sowie einen Steueranschluß hat und von denen der dritte und der vierte Transistor vcsm Leitfähigkeitstvp des ersten Transistors CT1)
ist, während der fünfte Transistor, vom Leitfähigkeitstyp des zweiten Transistors (T2) ist, wobei die- Steueranschlüsse des dritten Transistors (TJ und des
vierten Transistors (T1.) beide mit der Kathode einer ersten Diode (DO und der Steia-schaltung (C) verbunden sind, die Anode der ersten Diode (DJ und der
erste Anschluß des dritten Transistors (T-,) und des
vierten Transistors (TO mit dem ersten Pol (+V )
des Speisespannungsgenerators verbunden sind, der
zweite Anschluß des dritten Transistors (TO mit dem Steueranschluß des ersten Transistors (TO verbunden
■ Λ
-4-
ist, der zweite Anschluß des vierten Transistors (T1.) mit dem Steueranschluß des fünften Transistors (T5) verbunden ist, dessen erster Anschluß .sowohl- ■<■ über ein erstes Widerstandselement (D5) - mit dem eigenen Steueranschluß als auch mit dem ersten Anschluß des zweiten Transistors (T2) verbunden ist und der zweite Anschluß des fünften Transistors (Tr-) mit dem Steuerahschluß des zweiten Transistors (Tp) verbunden ist.
4. Steuerschaltung nach Anspruch 3, dadurch ge-· kennzeichnet ,. daß die Schaltung zum Abziehen von Ladungen einen sechsten Transistor (Tg) vom Leitfähigkeitstyp des ersten Transistors (T1) sowie einen siebten Transistor (T7) vom Leitfähigkeitstyp des zweiten Transistors (T2) aufweist, von denen jeder einen ersten Anschluß, einen zweiten Anschluß und einen Steueranschluß . hat, wobei der Steueranschluß des sechsten Transistors (T/) ebenfalls mit der Kathode der ersten Diode "(D^-) sowie mit der Steuerschaltung (Q) verbunden ist, der erste Anschluß und der zweite Anschluß dieses Transistors (T/-) mit dem ersten Pol (+V) des Speisespannungsgenerators bzw.
CG - ' ■
mit dem Steueransehluß des siebten Transistors (T7) verbunden ist, dessen erster Anschluß mit dem zweiten Pol "(-V ) des Speisespannungsgenerators, an den aueh der Steueransehluß dieses Transistors (T7) über ein zweites Widerstandselement (D7) angeschlossen ist, verbunden ist, während der zweite Anschluß des siebten Transistors (T7) an die Kathode einer zweiten Diode (Dp) angeschlossen ist, deren Anode mit dem Steueransehluß des zweiten Transistors (T2) verbunden ist.
5= Steuerschaltung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet > daß die Widerstandselemente Widerstände sind.
'6. Steuerschaltung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Widerstandselemente Dioden sind.
7 = Steuerschaltung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Steuerschaltung (C) einen achten Transistor (Tg), einen neunten Transistor (T„) und einen zehnten Transistor (T10) vom Leitfähigkeitstyp des zweiten Transistors (T2) aufweist,, von denen jeder einen ersten Anschluß, einen zweiten Anschluß und einen Steueranschluß hat, wobei die Steueranschlüsse des achten Transistors (Tg) und des neunten Transistors (Tq) mit der Umschältsignalquelle (SW), die den achten und den neunten Transistor steuert, und mit der Anode einer dritten Diode (Dq) verbunden sind, deren Kathode an den zweiten Pol (-V0) des Speisespannungsgenerators angeschlossen ist, der erste Anschluß und der zweite Anschluß des achten Transistors (To) mit dem zweiten Pol (-V) des Speise-Spannungsgenerators bzw. sowohl mit dem Steueranschluß des ersten Transistors (T1) als auch mit der Kathode einer vierten Diode (D1) verbunden ist, deren Anode an den ersten Pol (+V ) des Speisespannungsgenerators angeschlossen ist, der zweite Anschluß des neunten Transistors (TQ) mit dem Steueranschluß des zehnten Transistors (T10), über einen ersten Konstantstromgenerator (A.) mit dem ersten Pol (+V GG) des Speise-* Spannungsgenerators und-außerdem mit der Anode einer
fünften Diode (D-trO verbunden ist, der erste Anschluß des neunten Transistors (Tq) und des zehnten Transistors (T10) und die Kathode der fünften Diode (D1n) mit dem zweiten Pol (-V) des Speisespannungs-
I U CC
generators verbunden sind, der zweite Anschluß des zehnten Transistors (T-n) mit den Steueranschlüssen des dritten Transistors (T.,), des vierten Transistors (T^) und des sechsten Transistors (Tg) sowie der Kathode der ersten Diode (DJ verbunden ist, und daß die ■ Freigabeschalt.ung (TA)einen elften Transistor (T^) und einen zwölften Transistor (T12) ·"■'jeweils' vom Leitfähigkeitstyp des ersten Transistors (T1) sowie einen dreizehnten Transistor (T1-,) vom Leitfähigkeitstyp des zweiten Transistors (T„) aufweist, welche Transistoren einen ersten Anschluß, einen zweiten Anschluß und einen Steueranschluß haben, wobei der Steueranschluß des elften Transistors (T11) mit dem zweiten Anschluß des achten Transistors (Tg) und der Kathode der vierten Diode (D1) verbunden ist, der erste Anschluß des elften Transistors mit dem positiven Pol (+V ) des Speisespannungsgenerators ver-
C* C
bunden ist, der zweite Anschluß des elften Transistors mit dem Steueranschluß des zwölften Transistors (T12) sowie über einen zweiten Konstantstromgenerator (A11) mit dem zweiten Pol (-V) des Speisespannungsgenera-
C C
tors verbunden ist, der Steueranschluß des zwölften Transistors (T12) mit der Kathode der sechsten Diode (D12) verbunden ist, deren Anode an den ersten Pol (+V ) des Speisespannungsgenerators angeschlossen ist,
an den auch der erste Anschluß des zwölften Transistors (T12) angeschlossen ist, dessen zweiter Anschluß mit dem Steueranschluß des dreizehnten Transistors (T1O
sowie der Anode einer siebten Diode (D1^) verbunden ist, deren Kathode zusammen mit dem ersten Anschluß des dreizehnten Transistors (T.,-,) mit dem zweiten Pol (-V) des Speisespannungsgenerators verbunden ist, und viobei der zweite Anschluß des dreizehnten Transistors (T-ο) ebenfalls an den zweiten Anschluß des neunten Transistors (Tq) angeschlossen ist=
8. Steuerschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß die physikalischen und elektrischen Eigenschaften des elften Transistors (T.J mit denjenigen des ersten Transistors (T1) übereinstimmen. .
9. Steuerschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß die darin enthaltenen Transistoren bipolare Transistoren sind, von denen der erste Anschluß, der Steueranschluß und der zweite Anschluß der Emitter, die Basis bzw. der Kollektor sind.
10. Steuerschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß diese in einem monolithischen Halbleiterblock integriert ist.
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