DE2249645C3 - Stromverstärker - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung mit einer konstanten Stromverstärkung, insbesondere zur Anwendung in einer Stromstabilisatorschaltungsanordnung mit einem Eingängsstromkreis, in den die Hauptstrombahn eines ersten Transistors von einem ersten Leitfähigkeitstyp aufgenommen ist und mit einem Ausgangsstromkreis, in den die Hauptstrombahn eines zweiten Transistors von diesem ersten Leitfähigkeitstyp aufgenommen ist, wobei die Basis-Elektroden des ersten und des zweiten Transistors miteinander verbunden sind und die für diese Transistoren benötigten Basisströme von einem dritten Transistor geliefert werden, dessen Steuerelektrode mit der Eingangsklemme

ίο der Schaltung verbunden ist

Eine derartige Schaltung ist z. B. aus »International Solid-State Circuits Conference«, Februar 1970, S. 156 bekannt Fig. 1 auf der genannten Seite zeigt z. B. einen in einen Operationsverstärker aufgenommenen Stromverstärker, wobei die Basis-Emitter-Strecken des ersten und des zweiten Transistors parallel geschaltet sind, wodurch die auftretende Stromverstärkung, d. h. das Verhältnis zwischen dem Ausgangsstrom an der Ausgangsklemme und dem Eingangsstrom an der Eingangsklemme, völlig durch das gegenseitige Verhältnis der Emitteroberflächen der beiden Transistoren bestimmt wird.

Die für diese beiden Transistoren benötigten Basisströme werden von dem dritten Transistor geliefert, der vom gleichen Leitfähigkeitstyp ist und dessen Emitter mit den Basis-Elektroden des ersten und des zweiten Transistors verbunden ist, während seine Basis mit der Eingangsklemme des Stromverstärkers verbunden ist. Der Kollektor dieses dritten Transistors ist in der dargestellten Schaltung mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden.

Durch diesen Aufbau des Stromverstärkers wird erreicht, daß die Abweichung von der gewünschten Stromverstärkung infolge der Basisströme des ersten und des zweiten Transistors sehr gering wird. Der Einfluß dieser Basisströme auf den Strom durch den Eingangsstromkreis wird ja infolge des Stromverstärkungsfaktors zwischen der Basis und dem Emitter des dritten Transistors herabgesetzt Wenn dieser Stromverstärkungsfaktor groß ist, wird der der Eingangsklemme entnommene Basisstrom für den dritten Transistor in bezug auf diesen Eingangsstrom nur sehr klein sein, so daß die Stromverstärkung mit großer Genauigkeit durch das Verhältnis der Emitteroberflächen des ersten und des zweiten Transistors bestimmt wird.

Die benötigte Speisespannung beträgt etwa zweimal die Basis-Emitter-Spannung der Transistoren, weil zwischen der Eingangsklemme und den Emittern des ersten und des zweiten Transistors die Reihenschaltung

so zweier Basis-Emitter-Strecken, und zwar der Basis-Emitter-Strecke des dritten Transistors und der parallel geschalteten Basis-Emitter-Strecken des ersten und des zweiten Transistors, angebracht ist
Die Erfindung bezweckt, eine Schaltung der eingangs erwähnten Art zu schaffen, mit deren Hilfe ebenfalls eine sehr genau bestimmte Stromverstärkung erhalten werden kann, aber die mit einer beträchtlich kleineren Speisespannung als die bekannte Schaltung betrieben werden kann.

Die Schaltung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Transistor in an sich bekannter Weise vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp ist und daß der Steuerelektrode dieses dritten Transistors ein Steuersignal zugeführt wird, das von der Ausgangselektrode eines vierten Transistors von dem ersten Leitfähigkeitstyp in gemeinsamer Hauptelektrodenschaltung herrührt, dessen Steuerelektrode mit dem Eingangsstromkreis verbunden ist.

Das Merkmal, daß der dritte Transistor vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp ist, ist zum Beispiel aus der DE-OS 19 44 627 bekannt

Wenn nun z. B. die Basis-Emitter Strecken des ersten und des zweiten Transistors wieder parakel geschaltet > sind, ist wieder ein Stromverstärker erhalten, dessen Verstärkung durch das gegenseitige Verhältnis der Emitteroberflächen dieser Transistoren bestimmt wird. Der Einfluß der Basisströme dieser Transistoren auf den Eingangsstrom ist wieder gering, weil der Einfluß dieser ι« Basisströme nicht nur infolge des Stromverstärkungsfaktors des dritten Transistors, sondern auch noch infolge des Stromverstärkungsfaktors des vierten Transistors geschwächt wird. Die Schaltung nach der Erfindung kann jedoch mit einer kleineren Speisespannung als die bekannte Schaltung, nämlich mit einer Basis-Emitter-Spannung plus einer Kollektor-Emitter-Kniespannung, also etwa 03 V, betrieben werden, welche Spannung niedriger als die Klemmenspannung einer einzigen Spannungszelle ist

Es sei bemerkt, daß ein Stromverstärker, der mit einer noch kleineren Speisespannung betrieben werden kann, an sich auch bekannt ist Bei diesem Stromverstärker werden die benötigten Basisströme des ersten und des zweiten Transistors jedoch durch Kurzschluß der Kollektor-Basis-Strecke des ersten Transistors erhalten, was zur Folge hat, daß die benötigten Basisströme der Transistoren in ungeschwächter Form das gewünschte Verhältnis zwischen dem Eingangs- und dem Ausgangsstrom stören. Bei Anwendung von Transistoren mit einem großen Stromverstärkungsfaktor wird diese Störung des gewünschten Stromverhältnisses noch verhältnismäßig gering sein. Wenn jedoch laterale pnp-Transistoren verwendet werden, wird die Störung beträchtlich, weil diese Transistoren, vor allem bei niedrigen Strömen, einen kleinen Stromverstärkungsfaktor aufweisen.

Bei Anwendung lateraler pnp-Transistoren ergibt sich neben einer kleinen Speisespannung in bezug auf die eingangs erwähnte bekannte Schaltung noch ein Vorteil der Schaltung nach der Erfindung. Wie bereits erwähnt wurde, weisen diese lateralen pnp-Transistoren einen kleinen Stromverstärkungsfaktor auf, wodurch bei der bekannten Schaltung die durch die Basisströme herbeigeführte Abweichung in dem gewünschten Verhältnis zwischen Eingangs- und Ausgangsstrom beträchtlich sein wird, weil dabei alle Transistoren vom pnp-Typ sind. Bed der Schaltung nach der Erfindung ist in diesem Falle der dritte Transistor aber vom npn-Typ und kann also einen großen Stromverstärkungsfaktor aufweisen, wodurch die Abweichung von der gewünschten Stromverstärkung erheblich kleiner als bei der bekannten Schaltung sein kana

Die Schaltung nach der Erfindung weist weiter noch den Vorteil auf, daß es möglich ist, sehr große Eingangssignale zuzulassen, indem in die Kollektorleitung des vierten Transistors eine Stromquelle aufgenommen wird.

Die Schaltung läßt sich besonders vorteilhaft bei der Realisierung eines Stromstabilisators verwenden. Dabei werden zwei miteinander gekoppelte Stromverstärker verwendet, wodurch ein oder eine Anzahl Ströme erhalten werden können, deren Größe genau bestimmt ist und von Speisespannungsänderungen pratctisch unabhängig ist Durch passende Anwendung der Schaltung nach der Erfindung kann ein genauer Stromstabilisator erhalten werden, der eine Vielzahl von Stromquellen steuern kann, der nur eine kleine Speisespannung benötigt und bei dem überdies die sich bei solchen Stromstabilisatoren ergebenden Einschwingprobleme größtenteils eliminiert sind.

Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigt

F i g. 1 die bekannte Stromverstärkerschaltung,

Fig.2, 3 und 4 drei Ausführungsformen der Stromverstärkerschaltung nach der Erfindung und

F i g. 5 eine Stromstabilisatorschaltungsanordnung, in der die erfindungsgemäße Stromverstärkerschaitung auf geeignete Weise angewandt wird.

F i g. 1 zeigt eine bekannte Stromverstärkerschaltung, die zwei npn-Transistoren Ty und Tz mit parallel geschalteten Basis-Emitter-Strecken enthält Der Kollektor des Transistors 7) ist mit einer Eingangsklemme A verbunden, der ein Eingangsstrom zugeführt wird. Der Kollektor des Transistors Ti ist mit einer Ausgangsklemme B verbunden, der der Ausgangsstrom entnommen wird. Zur Aussteuerung dieser beiden Transistoren Γι und T₂ ist ein npn-Transistor T₃ vorgesehen, dessen Emitter mit den Basis-Elektroden der Transistoren Ti und Ti verbunden ist, während seine Basis mit der Eingangsklemme A und sein Kollektor mit einem Punkt konstanten Potentials, z. B. der positiven Klemme + Vb der Speisespannungsquelle, verbunden ist

Die Stromverstärkung der Schaltung, also das Verhältnis zwischen dem Eingangs- und dem Ausgangsstrom, wird durch das gegenseitige Verhältnis der Emitteroberflächen der Transistoren Γι und T₂ bestimmt Wenn z. B. angenommen wird, daß die Emitteroberflächen dieser Transistoren einander gleich sind, sind ihre Emitterströme stets mit großer Genauigkeit einander gleich. Bei gleichen Stromverstärkungsfaktoren der Transistoren Γι und Ti werden dann auch die Kollektorströme dieser Transistoren 71 und Ti einander gleich und z. B. gleich / sein. Der Ausgangsstrom an der Klemme B ist gleich dem Kollektorstrom des Transistors T₂, so daß die Gleichheit des Eingangsund des Ausgangsstromes nur durch den Basisstrom fa des Transistors T₃ gestört wird, so daß der Eingangsstrom /ι = /+ h ist Wenn angenommen wird, daß die drei Transistoren denselben Stromverstärkungsfaktor ß_n zwischen Basis und Kollektor aufweisen, folgt daraus für den Basisstrom des Transistors T₃:

Ih = —7

2/

Daraus ist deutlich ersichtlich, daß bei Anwendung von Transistoren mit einem großen Stromverstärkungsfaktor die durch diese Basisströme herbeigeführte Abweichung sehr klein ist, so daß die gewünschte Stromverstärkung mit großer Genauigkeit erzielt wird. Die für den dargestellten Stromverstärker benötigte minimale Speisespannung wird durch die benötigte Spannung zwischen der Eingangsklemme A und den Emittern der Transistoren Ti und T₂ gegeben. Wie aus der Figur deutlich ersichtlich ist, befindet sich zwischen diesen beiden Punkten die Reihenanordnung zweier Basis-Emitter-Strecken, und zwar der Basis-Emitter-Strecke des Transistors T₃ und der parallel geschalteten Basis-Emitter-Strecken der Transistoren T\ und T₂, was bedeutet, daß eine Spannung mindestens gleich dem Zweifachen der Basis-Emitter-Spannung eines leitenden Transistors benötigt wird. Bei Anwendung von Si-Tran-

sistoren bedeutet dies ζ. B., daß die Speisespannung mindestens etwa 1,2 V betragen muß.

F i g. 2 zeigt eine erste Ausführungsform des Stromverstärkers nach der Erfindung. Die Schaltung enthält wieder zwei npn-Transistoren 7Ί und Ti mit parallel geschalteten Basis-Emitter-Strecken, deren Kollektoren wieder mit der Eingangsklemme A und der Ausgangsklemme B verbunden sind. Zur Aussteuerung dieser beiden Transistoren sind nun jedoch zwei Transistoren vorgesehen, und zwar ein pnp-Transistor T3 und ein npn-Transistor Ti. Der Kollektor des Transistors T₃ ist mit den Basis-Elektroden der Transistoren Ti und Ti und sein Emitter ist mit einem Punkt konstanten Potentials, z. B. der positiven Klemme + V_B der Speisequelle, verbunden. Seine Basis ist mit dem Kollektor des Transistors Ti verbunden, dessen Basis mit der Eingangsklemme und dessen Emitter z. B. mit den Emittern der Transistoren Ti und Ti verbunden ist

Es läßt sich wieder einfach erkennen, daß die Stromverstärkung durch das gegenseitige Verhältnis der Emitteroberflächen der Transistoren Tl und Ti bestimmt wird und daß eine Abweichung von der gewünschten Stromverstärkung infolge des Basisstromes Ib des Transistors Γ₄ auftritt Wenn z. B. wieder angenommen wird, daß die Emitteroberflächen der Transistoren Γι und Ti einander gleich sind, sind ihre Kollektorströme einander gleich und z. B. gleich / und wird für den Eingangsstrom /1 = /+ h gefunden, entsprechend F i g. 1. Für /*gilt nun aber:

lh =

2/

(2)

wobei JS_n den Stromverstärkungsfaktor der npn-Transistoren und ß_p den Stromverstärkungsfaktor des pnp-Transistors T₃ darstellt Ein Vergleich zwischen dem Ausdrück (2) und dem Ausdruck (1) ergibt, daß die durch den Basisstrom h herbeigeführte Abweichung annähernd um einen Faktor ß_p kleiner sein wird.

Ein wesentlicher Vorteil der Schaltung nach F i g. 2 äußert sich bei der Betrachtung der benötigten Speisespannung. Die benötigte Spannung zwischen der Eingangsklemme A und den Emittern der Transistoren beträgt nur etwa 0,6 V (Si-Transistoren), und zwar die benötigte Basis-Emitter-Spannung des Transistors Ti. Zwischen dem Emitter des Transistors T₃ und den Emittern der Transistoren Γι und T₂ genügt eine Spannung von etwa 0,9 V, weil dazwischen nur eine einzige Basis-Emitter-Strecke eines Transistors und nur eine einzige Kollektor-Emitter-Strecke" eines weiteren Transistors vorhanden sind. Die Schaltung kann also völlig mit einer Speisespannung von etwa 03 V im Vergleich zu 1,2 V bei der bekannten Schaltung betrieben werden. Es ist einleuchtend, daß dies bei aus Batterien gespeisten Geräten von besonderer Bedeutung ist, weil man bei solchen Geräten möglichst wenige Batterien und vorzugsweise nur eine einzige Zelle verwendet

Fig.3 zeigt eine zweite Ausführungsform, deren Bauart der nach F i g. 2 völlig entspricht, aber bei der die Transistoren Γι, Tj und Ti nun vom pnp-Typ sind und der Transistor T3 vom npn-Typ ist In bezug auf die bekannte Schaltung nach F i g. 1, jedoch mit pnp-Transistoren bestückt, weist diese Schaltung zunächst wieder den Vorteil auf, daß die benötigte Speisespannung niedriger ist Außerdem ist nun aber die herbeigeführte Abweichung von der gewünschten Stromverstärkung verhältnismäßig viel kleiner. Für die Schaltung nach F i g. 1 mit pnp-Transistoren wird für den Basisstrom h des Transistors Γ3 wieder ein Ausdruck gefunden, der (1) entspricht, aber bei dem nun statt des Stromverstärkungsfaktors ß„ der npn-Transistoren der Stromverstärkungsfaktor ßp der pnp-Transistoren eingesetzt werden muß, also:

2/

In einer integrierten Schaltung sind diese pnp-Transistoren im allgemeinen als laterale Transistoren ausgebil-

n det und weisen demzufolge einen verhältnismäßig kleinen Stromversiärkungsfakiör ß_p auf. Dies hat zur Folge, daß der Basisstrom /4 verhältnismäßig groß und somit die durch diesen Basisstrom herbeigeführte Abweichung von der gewünschten Stromverstärkung

:n verhältnismäßig groß sein wird.

Für den Basisstrom h des Transistors Ti in der Schaltung nach F i g. 3 wird gefunden:

woraus direkt folgt, daß dieser Basisstrom infolge des Faktors ß„ sehr klein bleibt, welcher Faktor ß„ der

in Stromverstärkungsfaktor des vertikalen npn-Transistors Ti ist und sehr groß sein kann. Neben einer niedrigeren Speisespannung weist die Schaltung nach Fig.3 in bezug auf die bekannte mit lateralen pnp-Transistoren bestückte Schaltung also noch den Vorteil auf, daß die Abweichung von der gewünschten Stromverstärkung viel kleiner ist Indem für den pnp-Transistor ein künstlicher pnp-Transistor gewählt wird, läßt sich in dieser Hinsicht selbstverständlich noch eine weitere Verbesserung erzielen.

Fig.4 zeigt eine dritte Ausführungsform, die größtenteils der nach Fig.3 entspricht, aber bei der Mittel vorgesehen sind, um ein besseres Frequenzverhalten zu erzielen. Da die Transistoren T₃ und Γ« in F i g. 3 einen geringen Gleichstrom führen, wird ihre Grenzfrequenz niedrig sein. Um in dieser Hinsicht eine Verbesserung zu erzielen, kann zwischen den Emittern und den Basis-Elektroden der Transistoren Γι und Ti eine Diode oder ein als Diode geschalteter Transistor D angebracht werden, wodurch erreicht wird, daß der Transistor T₃ einen größeren Strom führt, wodurch seine Grenzfrequenz zugenommen hat Um auch für den Transistor Ti einen größeren Ruhestrom zu erhalten, kann z. B. in seiner Kollektorleitung eine Stromquelle / angebracht werden. Statt der Anbringung dieser Stromquelle /kann auch die Basis-Emitter-Strecke des Transistors T₃ durch eine Diode oder einen als Diode geschalteten Transistor überbrückt werden.

Die Anwendung einer Stromquelle / ist aber besonders vorteilhaft bei großen Eingangssignal«!- Bei einer großen Aussteuerung werden während einer negativen Spitze des Signals am Eingang die Ströme durch die Transistoren Ti — Ti sehr klein. Dies bedeutet jedoch, daß ihre Impedanzen sehr groß werden, wodurch die Eingangsimpedanz sehr groß wird. Dies hat zur Folge, daß die Streukapazitäten des Transistors Γι eine wichtige RoOe spielen werden und eine unerwünschte Phasenverschiebung des Signals herbeiführen. Bei Anwendung einer Stromquelle /wird dies

vermieden, weil der Transistor T₄ dann stets stark leitend bleibt und die Eingangsimpedanz nach wie vor niedrig ist, wodurch keine unerwünschte Phasenverschiebung des Signals stattfindet.

F i g. 5 zeigt schließlich an Hand eines Beispiels, wie die Stromverstärkerschaltung nach der Erfindung besonders vorteilhaft zum Erhalten einer Stromstabili -satorschaltungsanordnung verwendet werden kann. Mit Hilfe eines derartigen Stromstabilisators wird beabsichtigt, eine Anzahl Ströme zu liefern, die als Ruheströme für die Elemente einer integrierten Schaltung dienen können, welche Ströme genau bestimmt sind und von der Speisespannung in großem Maße unabhängig sind. Der Stromstabilisator nach F i g. 5 enthält zunächst eine Stromverstärkerschaltung S\ mit einer Eingangsklemme A und einer Ausgangsklenime B, welche Strornverstärkerschaltung in großem Maße der nach Fig.4 entspricht Der Emitter des Transistors Ti ist nun jedoch nicht direkt mit dem Emitter des Transistors Ti, sondern über einen Widerstand R mit diesem Emitter verbunden, während dieser Transistor T₂ eine größere Emitteroberfläche als der Transistor Ti aufweist, was zur Verdeutlichung durch die Parallelanordnung einer Anzahl Transistoren dargestellt ist. Um das Frequenzverhalten der Schaltung zu verbessern, sind die als Dioden geschalteten Transistoren Tr und Ta auf entsprechende Weise wie in Fig.4 angebracht, wodurch die Transistoren Ti und Ta größere Ströme führen.

Der Stromstabilisator enthält ferner eine zweite Stromverstärkerschaltung S₂, die aus den Transistoren Ts und T₆ besteht, die gleiche Emitteroberflächen aufweisen und deren Basis-Emitter-Strecken parallel geschaltet sind, während ferner der Transistor Ts als Diode geschaltet ist Die Eingangsklemme A' dieses zweiten Stromverstärkers S₂ ist mit der Ausgangsklemme B des ersten Stromverstärkers und die Ausgangsklemme B' dieses zweiten Stromverstärkers ist mit der Eingangsklemme A der ersten Stromverstärkerschaltung Si verbunden.

Die Ein- und Ausgangsströme des Stromverstärkers Si sind zwangsläufig einander gleich und dies trifft also auch für den Eingangs- und den Ausgangsstrom des Verstärkers Si zu. Unter Vernachlässigung des Basisstromes des Transistors T₄ werden also die Kollektorströme und in guter Annäherung auch die Emitterströme der Transistoren Ti und T₂ einander gleich sein. Dies hat zur Folge, daß die Größe dieser Ströme völlig bestimmt ist, weil die zu diesen Emitterströmen gehörige Basis-Emitter-Spannung des Transistors Tj gleich der Summe der zu diesem Strom gehörigen Basis-Emitter-Spannung des Transistors T₂ und der Spannung über dem Widerstand R sein solL Die Größe der Ströme ist demzufolge völlig durch die Größe des Widerstandes Ä und das Verhältnis der Emitteroberflächen der Transistoren Ti und T₂ bestimmt und ist von der Speisespannung praktisch unabhängig.

Mit Hilfe dieses Stromstabilisators kann eine Anzahl Stromquellen dadurch gesteuert werden, daß z. B. eine Anzahl Transistoren Toi - T₀* mit ihren Basis-Emitter-Strecken parallel zu der Basis-Emitter-Strecke des . Transistors Ti geschaltet wird, wodurch ihre Kollektorströme, also die Ströme an den Klemmen /01 — /04 völlig durch den Strom in den Kreisen des Stromstabilisators bestimmt sind. Die dargestellte Stromstabilisatorschaltungsanord nung hat zunächst den Vorteil, daß eine sehr niedrige Speisespannung genügt. Eine Gesamtspeisespannung von etwa 0,9 V ist bereits ausreichend, um die Schaltung betreiben zu können. Weiter ist die Genauigkeit der Schaltung besonders groß, weil die durch den ■> Basisstrom des Transistors T₄ herbeigeführte Stromabweicnung gering ist Der Stromstabilisator kann eine Vielzahl von Stromquellen steuern, weil die für diese Stromquellen benötigten Ströme, und zwar die Basisströme für die Transistoren Toi - T₀₄, ohne Bedenken

-'(ι vom Transistor T₃ geliefert werden können. Schließlich weist die Schaltung den Vorteil auf, daß die sich bei den bekannten Stromstabilisatoren dieser Art ergebenden Einschwingprobleme praktisch völlig beseitigt sind. Stromstabilisatoren dieser Art weisen grundsätzlich

r> einen stabilen Zustand auf, in dem die Ströme gleich Null sind, so daß besondere Maßnahmen getroffen werden müssen, um den Stromstabilisator aus diesem stabilen Zustand heraus und in den verlangten stabilen Zustand mit Strömen ungleich Null zu führen. Es hat sich

jo herausgestellt, daß bei einem mit einem erfindungsgemäßen Stromverstärker versehenen Stromstabilisator derartige besondere Maßnahmen nicht erforderlich sind, weil für den Fall, daß die Ströme gleich Null sind, die Schleifenverstärkung derartig ist, daß der Stromsta-

v> bilisator automatisch in den gewünschten stabilen Zustand gelangt.

Es ist einleuchtend, daß viele Abwandlungen des Stromstabilisators nach F i g. 5 möglich sind. So können z. B. für den Stromverstärker S₂ auch andere bekannte

•to Stromverstärker verwendet werden. Auch kann für diesen Verstärker ein Stromverstärker nach der Erfindung verwendet werden. Statt in dem Stromverstärker Si kann der Widerstand auch in dem Stromverstärker S₂ angebracht werden, wobei der zugehörige Transistor wieder in bezug auf seine Emitteroberfläche angepaßt werden solL Statt für gleiche Eingangs- und Ausgangsströme kann die Stromverstärkerschaltung auch für ungleiche Ströme entworfen werden. Es sind somit viele Abwandlungen möglich, denen aber ein

so Merkmal gemeinsam ist, und zwar daß wenigstens einer der Stromverstärker eine für die F i g. 2—5 beschriebene Steuerung der Transistoren mit parallel geschalteten Basis-Emitter-Strecken besitzt Ferner können, obgleich die Schaltung im Obenste henden stets Bipolartransistoren enthält, auch Unipolar transistoren verwendet werden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Schaltung mit einer konstanten Stromverstärkung, insbesondere zur Anwendung in einer Stromstabilisatorschaltungsanordnung, mit einem Eingangsstromkreis, in den die Hauptstrombahn eines ersten Transistors von einem ersten Leitfähigkeitstyp aufgenommen ist, und mit einem Ausgangsstromkreis, in den die Hauptstrombahn eines zweiten Transistors von diesem ersten Leitfähigkeitstyp aufgenommen ist, wobei die Steuerelektroden des ersten und des zweiten Transistors miteinander verbunden sind und die für die Steuerelektroden dieser Transistoren benötigten Ströme von einem dritten Transistor geliefert werden, dessen Steuerelektrode mit der Eingangsklemme der Schaltung verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Transistor (Ti) in an sich bekannter Weise vorn entgegengesetzten Leiifähigkeitstyp ist, und daß der Steuerelektrode dieses dritten Transistors ein Steuersignal zugeführt wird, das von der Ausgangselektrode eines vierten Transistors (T*) von dem ersten Leitfähigkeitstyp in gemeinsamer Hauptelektrodenschaltung herrührt, dessen Steuerelektrode mit dem Eingangsstromkreis verbunden ist

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe mit der Hauptstrombahn des vierten Transistors eine Stromquelle (J) angeordnet ist

3: Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch ihre Anwendung in einer Stromstabilisatorschaltungsanordnung in dem in Reihe mit dem Eingangsstromkreis einer ersten Stromverstärkerschaltung (Si) der Ausgangskreis einer zweiten Stromverstärkerschaltung (S₂) und in Reihe mit dem Ausgangsstromkreis dieser ersten Stromverstärkerschaltung der Eingangsstromkreis dieser zweiten Stromverstärkerschaltung (Sj) angeordet ist, welche einen fünften (Ts) und einen sechsten (Te) Transistor vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp enthält, deren Steuerelektroden miteinander verbunden sind, wobei die Hauptstrombahn des fünften Transistors (Ts) in den Eingangsstromkreis und die Hauptstrombahn des sechsten Transistors (T₆) in den Ausgangsstromkreis dieser zweiten Stromverstärkerschaltung aufgenommen ist, und wobei eine der Stromverstärkerschaltungen zur Lieferung zweier Ströme mit einem festen gegenseitigen Verhältnis an die andere Stromverstärkerschaltung eingerichtet ist, welche einen Widerstand f/y enthält, der in Reihe mit der Hauptstrombahn eines der Transistoren in dem Eingangs- oder Ausgangsstromkreis der betreffenden Stromverstärkerschaltung angeordnet ist

4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren vom ersten Leitfähigkeitstyp laterale pnp-Transistoren und die Transistoren vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp vertikale npn-Transistoren sind, und daß der fünfte Transistor (T₅, T₈) als Diode geschaltet ist