DE3019125A1

DE3019125A1 - Integrierter endverstaerker

Info

Publication number: DE3019125A1
Application number: DE19803019125
Authority: DE
Inventors: Martinus Joseph Van Bungelaar
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1979-05-21
Filing date: 1980-05-20
Publication date: 1980-12-04
Also published as: IT8022156A0; NL7903963A; IT1130603B; FR2457597A1; JPS55154811A; GB2050100A

Description

N.V. Philips'Gloeilampenfabrieken PHN 9458

Integrierter Endverstärker

Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Endverstärkerstufe mit einem ersten und einem zweiten Speisungsanschlußpunkt und einem Ausgangsanschlußpunkt, einem ersten Endtransistor, dessen Emitter mit dem Ausgangsanschlußpunkt und dessen Kollektor mit dem ersten Speisungsanschlußpunkt verbunden ist; einem zweiten Endtransistor, dessen Kollektor-Emitter-Strecke zwischen dem Ausgangsanschlußpunkt und dem zweiten Speisungsanschlußpunkt angeordnet ist; einer Ruhestromeinstellschaltung, die mit der Basis-Elektrode des ersten Endtransistors verbunden ist; und mit einer Stromquelle, die der Ruhestromeinstellschaltung Gleichstrom liefert und zwischen der Basis-Elektrode des ersten Endtransistors und dem ersten Speisungsanschlußpunkt angeordnet ist.

Eine derartige integrierte Endverstärkerstufe ist u.a. aus der US-PS 4,078,207 bekannt.

Es stellt sich heraus, daß im Gegensatz zu gut bemessenen Endverstärkerstufen, die mit diskreten Einzelteilen aufgebaut sind, integrierte Endverstärkerstufen bei Übersteuerung derartige Verzerrungen hervorrufen, daß Hochfrequenzstörungen auftreten, die bei Anwendung derartiger Endverstärkerstufen in Rundfunkempfängern über eine eingebaute Ferritantenne wieder auf den Eingang des Verstärkers gelangen können.

Nach einer der vorliegenden Erfindung zugrunde liegenden Einsicht ist dies der Tatsache zuzuschreiben, daß bei integrierten Verstärkern der Stromverstärkungsfaktor in erheb-

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lichem Maße".".einer Streuung ausgesetzt ist. Der Stromquelle, die der Ruhestromeinstellschaltung Strom liefert, wird der Basisstrom für den ersten Transistor entzogen. Dieser Basisstrom nimmt mit zunehmendem Ausgangsstrom zu und kann bei einem bestimmten Ausgangsstrom gleich dem Strom dieser Stromquelle werden. Die Aussteuerung, bei der der Strom der Stromquelle völlig von dem Basisstrom des ersten Transistors aufgenommen wird und bei der weitere Aussteuerung nicht mehr.möglich ist, muß bei einem guten Entwurf derart ; gewählt werden, daß die mit Rücksicht auf die Belastung ■ maximale Aussteuerung, bei der der erste Transistor annähernd die Speisespannung erreicht, erzielt werden kann, während mit Rücksicht auf eine minimale Verlustleistung der Strom, auf den die Stromquelle eingestellt ist, auch nicht größer gewählt werden darf als erforderlich ist, um diese maximale Aussteuerung zu ermöglichen. Die günstigste Situation |

.,.".ist,⁷ daß der Basisstrom des ersten Transistors gleich dem : von dieser Stromquelle gelieferten Strom ist, wenn der ' erste Transistor am Emitter die Speisespannung annähernd j erreicht bzw. in die Sättigung gerät. Diese optimale Ein- ■ stellung ist bei integrierten"Verstärkern in der Praxis nicht verwirklichbar. Beim Entwurf soll der erreichte MindeststromvefStärkungsfaktor des ersten Transistors und, wenn, um die Stromquelle auf einen sehr niedrigen Strom einstellen zu können, statt des ersten Transistors eine : Darlingtonkonfiguration gewählt wird, das Quadrat des j niedrigsten bei dem gewählten Integrationsvorgang auftretenden Stromverstärkungsfaktors berücksichtigt werden, um jedenfalls eine maximale Ausgangsleistung zu erzielen.

Dann ist, abhängig von dem endgültigen und für jeden integrierten Verstärker verschiedenen Stromverstärkungsfaktor, die Stromquelle auf einen Strom eingestellt, der manchmal bis zu einem Faktor 4 und bei Anwendung einer ³⁵Darlingtonkonfiguration sogar bis zu einem Faktor 16 zu hoch ist, wodurch beim Erreichen der Speisespannung durch

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den ersten Transistor die Stromquelle noch einen Stromüberschuß liefert. Darum enthält das Ausgangssignal eine viel größere Anzahl und stärkere Hochfrequenzkomponenten als bei einer optimalen Einstellung der Stromquelle der Fall gewesen wäre.

Die Erfindung hat die Aufgabe, eine integrierte Endverstärkerstufe der eingangs genannten Art anzugeben, bei der sich die genannten Probleme in viel geringerem Maße ergeben.

Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch gelöst,- daß parallel zu dem Basis-Emitter-Übergang des ersten Transistors ein erster Halbleiterübergang mit derselben Durchlaßrichtung wie der Basis-Emitter-Übergang des ersten Endtransistors angeordnet ist, und daß das Verhältnis zwischen den wirksamen Oberflächen des Transistors einerseits und des Halbleiterüberganges andererseits erheblich größer als 1 aber kleiner als der Stromverstärkungsfaktor des ersten '. Endtransistors gewählt ist.

Die Kombination des ersten Transistors und des ersten Halbleiterübergangs, der in der Praxis ..meistens durch einen I Transistor mit kurzgeschlossenem Kollektor-Basis-Übergang j gebildet wird, bildet einen Stromspiegel, dessen Stromver- | stärkungsfaMor durch ein Oberflächenverhältnis bestimmt i wird. Da Oberflächenverhältnisse in integrierten Schaltungen nahezu keiner Streuung ausgesetzt sind, kann durch Anwendung der erfindungsgemäßen Maßnahme die Stromstärke der ersten Stromquelle viel näher an der optimalen Einstellung gewählt werden. Die Tatsache, daß der so gebildete Stromspiegel einen Stromverstärkungsfaktor von viel mehr als 1 ; aufweisen soll,ergibt in diesem Falle gar kein Problem, weil der erste Transistor in der integrierten Schaltung allein schon vom Leistungsgesichtspunkt eine große Oberfläche beansprucht.

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Durch Anwendung der Maßnahme nach der Erfindung tritt ein zusätzlicher Effekt auf, der die genannten Störungen noch weiter herabsetzt. Es zejgjb sich nämlich, daß der innere Basiswiderstand des ersten Transistors bei großen Basisströmen einen nicht vernachlässigbaren Spannungsverlust herbeiführt. Infolge dieses SpannungsVerlustes nimmt der Stromverstärkungsfaktor der Kombination des ersten Halbleiterübergangs und des ersten Transistors bei hohen Ausgangsströmen ab, was einen günstigen Effekt auf die genannten Verzerrungen hat.

Eine integrierte Endverstärkerstufe nach der Erfindung, bei der zwischen der Stromquelle und der Basis-Elektrode des ersten Transistors der Basis-Emitter-Übergang eines dritten Transistors, der mit dem ersten Transistor in Darlingtonschaltung angeordnet ist, aufgenommen ist, ist dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu dem Basis-Emitter-Übergang des dritten Transistors ein zweiter Halbleiterübergang mit derselben Durchlaßrichtung wie der BsbLs-Emitter-Übergang des dritten Transistors angeordnet ist, wodurch der Stromverstärkungsfaltor der Kombination des dritten Transistors und des zweiten Halbleiterübergangs im wesentlichen durch das Verhältnis zwischen der wirksamen Basis-Emitter-Oberfläche' des dritten Transistors und der wirksamen Halbleiterübergangsoberfläche des zweiten Halbleiterübergangs erheblich größer als 1 aber kleiner als der Stromverstärkungsfaktor des dritten Transistors gewählt ist.

Eine andere Ausführungsform einer integrierten Endverstärkerstufe nach der Erfindung, bei der zwischen der Stromquelle und der Basis-Elektrode des ersten Transistors der Basis-Emitter-Übergang eines dritten Transistors, der mit dem ersten Transistor in Darlingtonschaltung angeordnet ist, aufgenommen ist, ist dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle einen vergrabenen Widerstand und Mittel zum Anlegen

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einer festen Spannung über diesem Widerstand enthält, so daß der von der Stromquelle gelieferte Strom den Widerstandswert des vergrabenen Widerstandes umgekehrt proportional ist, und daß der vergrabene Widerstand" durch eine Diffusionszone vom gleichen Typ wie die Basisdiffusionszone des dritten Transistors gebildet wird, über die eine Diffusion vom gleichen Typ wie die Emitterdiffusion des dritten Transistors angebracht ist.

Durch diese Maßnahme ergibt sich eine Änderung des von der Stromquelle gelieferten Stromes, der dem Widerstandswert dieses vergrabenen Widerstandes umgekehrt proportional ist, dessen Widerstandswert sich mit der Änderung des Stromverstärkungsfaktors des dritten Transistors infolge von Prozeßänderungen umgekehrt proportional zum Stromverstärkungsfaktor des dritten Transistors ändert, wodurch sich die Änderungen in bezug auf den Stromverstärkungsfaktor ausgleichen. Diese Maßnahme läßt sich nur zum Ausgleichen der Änderungen des Verstärkungsfaktors infolge von Prozeßänderungen eines einzigen Transistors anwenden. Bei einer integrierten Verstärkungsstufe der eingangs genannten Art kann als Alternative auch ein Ausgleich unter Anwendung dieser Möglich- ; keit dadurch erhalten werden, daß die Stromquelle einen vergrabenen Widerstand und Mittel zum Anlegen einer festen Spannung über diesem vergrabenen Widerstand enthält, so ; daß der von der Stromquelle gelieferte Strom dem Widerstandswert des vergrabenen Widerstandes umgekehrt proportional ist, und daß der vergrabene Widerstand durch eine Diffusionszone vom gleichen Typ wie die Basisdiffusionsζone des ersten Transistors gebildet wird, über der eine Diffusionszone vom gleichen Typ wie die Emitterdiffusionszone des ersten Transistors angebracht ist.

dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben.

Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestel]

Es zeigen

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Pig. 1 eine erste Ausführungsform einer integrierten End-

verstärkerstufe nach der Erfindung, Fig. 2 eine Abwandlung der Endverstärkerstufe nach Fig. 1,

bei der eine weitere Maßnahme nach der Erfindung angewandt wird, und
Fig. 3 eine schematische Darstellung eines integrierten vergrabenen Widerstandes und eines integrierten · Transistors.

Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform einer integrierten Endverstärkerstufe nach der Erfindung. Diese Stufe enthält einen ersten Endtransistor T^, dessen Kollektor-Elektrode mit einem Anschlußpunkt +V_ß für positive Speisespannung und dessen Emitter-Elektrode mit einem Ausgangsanschlußpunkt 1 verbunden ist« Die Basis-Elektrode des Transistors T^ ist mit der Emitter-Elektrode eines Transistors T, verbunden, der zusammen mit dem Transistor Ty. in Darlingtonkonfiguration geschaltet ist. Zwischen der Basis-Elektrode des Transistors Τ·, und dem Speisungsanschlußpunkt +V_B ist eine Rühestromeinstellströmquelle 3» die einen Strom I_Q führt, angeordnet. . - -'T-

Im vorliegenden Beispiel ist die Erfindung bei einer sogenannten quasi komplementären Endstufe angewandt, bei der der Ausgangsanschlußpunkt 1 über die Kollektor-Emitter-Strecke eines npn-Transistors T₂ mit einem Speisungsanschlußpunkt -V-D für negative Speisespannung verbunden wird. Die Basis-Elektrode des Transistors T₂ ist mit der Kollektor-Elektrode des pnp-Transistors T^ verbunden, dessen Emitter-Elektrode mit dem Ausgangsanschlußpunkt 1 verbunden ist. Die Endstufe wird dadurch auf Ruhestrom eingestellt, daß zwischen den Basis-Elektroden der Transistoren T* und T^, im vorliegenden Beispiel · drei Dioden Ώζς. D^ und D= angeordnet sind, durch die Ruhestrom fließt. Zwischen der Basis-Elektrode des Transistors T^ und dem negativen Speisungsanschlußpunkt -Vg ist die Kollektor-Emitter-Strecke

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des Steuertransistors T,-, dessen Basis-Elektrode mit einem Eingangsanschlußpunkt verbunden ist, angeordnet.

Wenn durch den Ausgangsanschlußpunkt 1 ein Strom Ia zu einem Belastungswider stand 2 mit einem Widerstandswert R₃. als Funktion der Steuerung am Eingang 4 fließt, gilt für den Höchstwert lA_max des Stromes 1^:

_ v_B

^I4max ⁼ Rj~~ *
10

Dieser Wert liegt bei einem bestimmten Entwurf fest, weil die Höchstausgangsleistung gegeben ist. Für den zugehörigen Höchstbasisstrom Ii_max des Transistors T, gilt dann:

¹IiHaX ⁼ ^max/^i h'

wobei /S₁ den Stromverstärkungsfaktor des Transistors T₁ und β ., den Stromverstärkungsfäkfcor des Transistors T, darstellt.

Der Strom I muß genügend groß sein, um diesen Basisstrom zu liefern. Da die Stromverstärkungsfaktoren β .. und β -, Prozeßänderungen ausgesetzt sind, muß daher giLten:

¹O ^ ^max^ ^1min ?3min'

wobei β -J_n.^ und ß-*_miri die Mindeststromverstärkungsfaktoren der Transistoren T₁ und T, darstellen. Die vorgenannte Streuung der Stromverstärkungsfaktoren bewirkt, daß die Stromstärke I_Q immer größer gewählt wird als erforderlich ; ist (erforderlich ist I_Q = I^_max/ P₁ $■$, wobei P₁ und β ^ die Istwerte der'Stromverstärkungsfaktoren darstellen), was beim Erreichen des Höchstausgangsstromes starke Verzerrungen mit sich bringt. Die in der Schaltung nach Fig. 1 angewandte Lösung nach der Erfindung besteht darin, daß parallel zu dem Basis-Emitter-Übergang des Transistors T₁ eine

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mit	5	den	Dioden	1	und

			*4
		¹T	= η

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Diode D₁ und parallel zu dem Basis-Emitter-Übergang des Transistors T, eine Diode D₂ angeordnet ist. Für den Stromverstärkungsfaktor der Transistoren T₁ und T, in Vereinigung

gilt dann:

m,

wobei η das Verhältnis zwischen der wirksamen Basis-Emitter-Oberfläche des Transistors T, und der wirksamen Diodenübergangsoberfläche der Diode D₂ und m das Verhältnis zwischen der wirksamen Basis-Emitter-Oberfläche des Transistors T₁ und deijwirksamen Diodenübergangsoberfläche der Diode D₁ darstellen. Diese Gleichung für I^/l-j gilt nur bei Vernachlässigung der Basisströme der Transistoren T₁ und T^, so daß sich sagen läßt, daß η und m kleiner als die Stromverstärkungsfaktoren der zugehörigen Transistoren selber sein müssen. Diese Oberflächenverhältnisse η und m sind in integrierten Schaltungen mit großer Genauigkeit erzielbar, insbesondere wenn für die Dioden D₁ und D₂ ähnliche Transistoren wie die Transistoren T₁ und T, mit einer Verbindung zwischen Kollektor- und Basis-Elektrode gewählt werden. Dadurch liegt der Höchstwert I4_max/n*m für den Strom I₀ sehr gut fest und ist nahezu keiner Streuung ausgesetzt. Für η

²⁵ist z.B. ein Wert 12 und für m - dank der verhältnismäßig großen benötigten Oberfläche für den Endtransistor T₁ ein Wert von z.B. 40 erzielbar.

Ein zusätzlicher Vorteil ist der, daß infolge des unvermeidliehen inneren BasiswiderStandes der Transistoren T₁ und Τ, der Stromverstärkungsfaktor n«m bei zunehmendem Ausgangsstrom I^ dadurch abnimmt, daß über diesen inneren Basiswiderständen ein Spannungsverlust auftritt. Diese Abnahme des Stromverstärkungsfaktors n-m bei zunehmendem Ausgangsstrom ³⁵I^ übt auch, wie gefunden wurde, einen günstigen Einfluß auf ; die Größe der bei Annäherung der Emitterpotentiale der

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Transistoren T₁ und T, an die Speisespannung auftretenden Verzerrungen aus.

Fig. 2 zeigt eine Abwandlung der Schaltung nach Fig. 1, bei der die Diode O^ weggelassen ist und die Stromquelle 3 dirch einen pnp-Transistor Tg gebildet wird, dessen Kollektor-Elektrode mit der Basis-Elektrode des Transistors T*, dessen Emitter-Elektrode mit dem positiven Speisespannungsanschlußpunkt Vg und dessen Basis-Elektrode mit der Kollektor-Elektrode eines Stromquellentransistors Ty verbunden ist. Zu dem Basis-Emitter-Übergang des Transistors Tg ist eine Diode Dg parallelgeschaltet. Die Basis-Elektrode des Transistors Ty ist mit einem an einer Bezugsspannung V_ref liegenden Punkt und die Emitter-Elektrode ist über einen Widerstand 5 mit einem Widerstandswert R, mit dem negativen Speisespannungsanschlußpunkt -Vg verbunden.

Der Kollektorstrom des Transistors Ty ist gleich V_ref/R_D, wenn man von der Basis-Emitterspannung des Transistors Ty absieht. Dieser Kollektorstrom wird über den durch die Diode Dg und den Transistor Tg"gebildeten Stromspiegel zu der Basis-Elektrode des Transistors T, gespiegelt, so daß der Strom I_Q zu R^ umgekehrt proportional ist. Für den Basisstrom I₁ des Transistors T, gilt:

I₁ = I₄/P₃.m,

so daß der Basisstrom des Transistors T, bei einem bestimmten Wert des Ausgangsstroms I^ dem Stromverstärkungsfaktor des Transistors T, umgekehrt proportional ist.

Wenn als Widerstand 5 ein vergrabener Widerstand verwendet wird, üben Prozeßänderungen auf den Widerstandswert R^ und somit auf den Strom I_Q denselben Einfluß aus wie auf den Stromverstärkungsfaktor β ^ und somit auf den Strom I₁. Dadurch ist der Einfluß von Prozeßänderungen auf den Strom-

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verstärkungsfatkro £-, bei der Wahl der Nennstromstärke des Stromes I eliminiert.

Bei den Schaltungen nach Fig. 1 bereitet die Erhaltung eines genügend großen Stromverstärkungsfaktors m(D₁,T₁) infolge der vom Leistungsgesichtspunkt notwendigen großen Oberfläche des Transistors T^ keine Schwierigkeiten. Dies kann bei der Erhaltung eines genügend großen Stromverstärkungsfaktors η ganz anders sein, wozu es in bestimmten Fällen notwendig ¹⁰sein kann, den Transistor T, größer zu wählen als unbedingt erforderlich ist. Darin liegt der Vorteil der Schaltung nach Fig. 2, in der der Transistor T, durch Anwendung des vergrabenen Widerstandes 5 nicht zu einem Stromspiegel erweitert zu werden braucht.

Fig. 3 zeigt schematisch den Aufbau eines vergrabenen Widerstandes neben einem Bipolartransistor. In einem z.B. p-leitenden Substrat 6 ist eine η-leitende epitaktische Schicht erzeugt, die durch Trenndiffusionsζonen 7 in besondere Gebiete 8 und 13 unterteilt ist. In den Gebieten 8 und 13 ist eine p^-leitende Diffusionszone 9 bzw. 10 mit darin einer η-leitenden Diffusionszone 11 bzw. 12 erzeugt. Das Gebiet 13, die Diffusionszone 10 bzw. die Diffusionsζone 12 bilden den Kollektor, die Basis bzw. den Emitter eines bipolaren npn-

²⁵Transistors. Die durch die Diffusionszone 11 und die epitaktische Schicht 8 begrenzte p-leitende Diffusion 9 bildet einen vergrabenen Widerstand, dessen Widerstandswert u.a. durch die Abmessungen der Diffusion 11 und den Abstand der Diffusionszone von der epitaktischen Schicht 8 bestimmt

³⁰wird. Auf ähnliche Weise wird der Stromverstärkungsfaktor des genannten Bipolartransistors durch die Abmessungen und die Lage der Emitterdiffusionszone 12 in bezug auf die epitaktische Schicht 13 mitbestimmt. Da der vergrabene Widerstand und der Bipolartransistor in denselben Verfahrensschritten gebildet werden, üben Prozeßänderungen nahezu denselben Einfluß auf den Widerstandswert und den Strom-

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l Ah ^{PHN 94}58 verstärkungsfaktor aus.

Die Erfindung beschränkt sich nicht auf die dargestellten Beispiele. So ist die Maßnahme nach der Erfindung auch bei Endstufen ohne Darlingtonkonfiguration anwendbar. Auch wenn die Leitungstypen der dargestellten Transistoren und Dioden sowie die Polarität der Speisespannung umgekehrt werden, bleibt die Maßnahme der Erfindung durchführbar. Auch bei anderen von der dargestellten scheinbar komplementären Endstufe verschiedenen Typen von Endstufen ist die Anwendung der erfindungsgemäßen Maßnahme(n) möglich.

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Claims

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PATENTANSPRÜCHE:

A. Integrierte Endverstärkerstufe mit einem ersten und einem zweiten Speisungsanschlußpunkt und einem Ausgangsanschlußpunkt, einem ersten Endtransistor, dessen Emitter mit dem Ausgangsanschlußpunkt und dessen Kollektor mit dem ersten Speisungsanschlußpunkt verbunden ist; einem zweiten Endtransistor, dessen Kollektor-Emitter-Strecke zwischen dem Ausgangsanschlüßpunkt und dem zweiten Speisungsanschlußpunkt angeordnet ist; einer Ruhestromeinstellschaltung, die mit" der Basis-Elektrode des ersten Endtransistors verbunden ist; und mit einer Stromquelle, die der Ruhestromeinstellschaltung Gleichstrom liefert und zwischen der Basis-Elektrode des ersten Endtransistors und dem ersten Speisungsanschlüßpunkt angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu dem Basis-Emitter-Übergang des ersten Transistors (T₁) ein erster Halbleiterübergang (D₁) mit derselben Durchlaßrichtung wie der Basis-Emitter-Übergang des ersten Endtransistors (T₁) angeordnet ist, und daß das Verhältnis (m) zwischen den wirksamen Oberflächendes Transistors (T₁) einerseits und des Halbleiterübergangs (D₁) andererseits erheblich

größer als 1 aber kleiner als der Stromverstärkungsfaktor (JS₁) des ersten Endtransistors (T₁) gewählt ist.
2. Integrierte Endverstärkerstufe nach Anspruch 1, bei der zwischen der Stromquelle und der Basis-Elektrode des

ersten Transistors der Basis-Emitter-Übergang eines dritten Transistors, der mit dem ersten Transistor in Darlingtonschaltung angeordnet ist, aufgenommen ist, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu dem Basis-Emitter-Übergang des dritten Transistors (T,) ein zweiter HalbleiterÜbergang

J

(Dp) mit derselben Durchlaßrichtung wie der Basis-Emitter-Übergang des dritten Transistors (T,) angeordnet ist, wodurch

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der Stromverstärkungsfaktor der Kombination des dritten Transistors und des zweiten Halbleiterübergangs im wesentlichen durch das Verhältnis zwischen der wirksamen Basis-Emitter-Oberfläche, des dritten Transistors (T,) und der wirksamen Halbleiterübergangsoberfläche des zweiten Halbleiterübergangs erheblich größer als 1 aber kleiner als der Stromverstärkungsfaktor (β ,) des dritten Transistors (T*) gewählt ist.
3. Integrierte Endverstärkerstufe nach Anspruch 1, bei der zwischen der Stromquelle und der Basis-Elektrode des ersten Transistors der Basis-Emitter-Übergang eines dritten Transistors, der mit dem ersten Transistor in Darlingtonschaltung angeordnet ist, aufgenommen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle einen vergrabenen Widerstand (5) und Mittel zum Anlegen einer festen Spannung (V_ref) über diesem Widerstand (5) enthält, so daß der von der Stromquelle gelieferte Strom dem Widerstandswert(R,) des vergrabenen Widerstandes umgekehrt proportional ist, und daß der vergrabene Widerstand (5) durch eine Diffusionszone vom gleichen Typ wie die Basisdiffuionszone des dritten Transistors (T,) gebildet wird, über die eine Diffusion vom gleichen Typ wie die Emitterdiffusion des dritten Transistors angebracht ist.

.
4. Integrierte Verstärkerstufe mit einem ersten und einem zweiten Speisungsanschlußpunkt und einem Ausgangsanschlußpunkt, wobei diese Stufe enthält: einen ersten Endtransistor, dessen Emitter mit dem Ausgangsanschlußpunkt und dessen Kollektor mit dem ersten Speisungsanschlußpunkt verbunden ist; einen zweiten Endtransistor, dessen Kollektor-Emitter-Strecke zwischen dem Ausgangsanschlußpunkt und dem zweiten Speisungsanschlußpunkt angeordnet ist; eine Ruhestromeinstellschaltung, die mit der Basis-Elektrode des ersten Transistors verbunden

ist, und eine Stromquelle, die der Ruhestromeinstellschaltung Gleichstrom liefert und zwischen der Basis-Elektrode

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des ersten Transistors und dem ersten Speisungsanschlußpunkt angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle einen vergrabenen Widerstand und Mittel zum Anlegen einer festen Spannung iY_ref) über diesem vergrabenen Widerstand enthält, so daß der von der Stromquelle gelieferte Strom dem Widerstandswert (B-O des vergrabenen Widerstandes umgekehrt proportional ist, und daß der vergrabene Widerstand durch eine Diffusionszone (9) vom gleichen Typ wie die Basisdiffusionszone (10) des ersten Transistors gebildet wird, über der eine Diffusionszone (11) vom gleichen Typ wie die Emitterdiffusionszone (12) des ersten Transistors angebracht ist.

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