DE2358471A1

DE2358471A1 - Stromaufhebungsschaltung

Info

Publication number: DE2358471A1
Application number: DE2358471A
Authority: DE
Inventors: Jun Michael James Callahan
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1972-11-24
Filing date: 1973-11-23
Publication date: 1974-05-30
Also published as: FR2208244A1; US3800239A; US3866138A; CA1000811A; JPS4984348A; FR2208244B1; GB1444811A; DE2257574B1; BE807680A; FR2208241A1; NL7315849A; GB1428720A; FR2208241B1; NL7310155A; JPS4984559A

Description

TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
13500 North Central Expressway
Dallas, Texas, V.St.A.

Stromaufhebungsschaltung

Die Erfindung bezieht sich auf eine an den Eingang einer Differenzstufe angeschlossene Stromaufhebungsschaltung und insbesondere auf eine Stromaufhebungsschaltung, in der ein Transistor mit mehreren Ausgangsanschlussen als Stromquelle verwendet wird.

Die ideale Differenzstufe weist eine unendlich große Eingangsimpedanz auf, so daß beim Anlegen eines Eingangssignals kein Eingangs strom erzeugt wird,. Die Eingangsimpedanz herkömmlicher Differenzstufen ist jedoch kleiner als unendlich, so •daß demzufolge ein Eingangsstrom fließt. Eingangsströme erzeugen" Spannungen, die zwischen den Eingangsklemmen der Differenzstufe zu unsymmetrischen Spannungsbedingungen führen.

Zum Empfang der Eingangssignale werden üblicherweise die Basis-Elektroden von bipolaren Transistoren und die Gate-Elektroden von Feldeffekttransistoren in den Differenzpaaren

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verwendet, da jedes dieser ' Bauelemente an diesen Elektroden eine relativ hohe Eingangsimpedanz aufweist. Die Ströme am Eingang der Differenzstufe stammen vom Basis-Vorspannungsstrom des bipolaren Transistors oder von den Gate-Restströmen der Feldeffekttransistoren. Herkömmliche gleichstromgekoppelte Differenzstufen weisen Eingangsvorspannungsströme auf,die in uner wünschter Weise Spannungsabfälle in den Eingangsschaltungen erzeugen. Die thermische Drift führtauch zu temperaturempfindlichen Eingangsfehlerspannungen, die die Fehlerkompensation erschweren.

In der Elektronik wurde die Verwirklichung einer idealen Differenzstufe lange angestrebt, da viele Schaltungen hohe Impedanzanordnungen erfordern, beispielsweise Wandlerverstärker und logarithmische Verstärker. In eher zur Erzielung verbesserter Eingangsstromeigenschaften verwendeten Schaltung werden Eingangstransistoren mit .einem extrem hohen Emitterschaltungs-Stromverstärkungsfaktor (Beta) angewendet. Bei einem anderen Verfahren wird eine Stromaufhebungsschaltung verwendet, die den notwendigaiVorstrom und Reststrom liefert, so daß das Eingangssignal einen Strom mit dem Wert Null ergibt. Eine allgemeine und genaue Erörterung der Stromaufhebung mit einer speziellen Schaltung findet sich in "Operational Amplifiers, Design and Applications" von Tobey und anderen, McGraw Hill, 1971, Seiten 67 bis Die dafür geeignete spezielle Stromaufhebungsschaltung ist in der US-PS 3 551 832 beschrieben.

Die oben erwähnte Stromaufhebungsschaltung weist mehrere Nachteile auf. Das Ausmaß der Stromaufhebung wird vom Absolutwert des Stromverstärkungsfaktors H~ des lateralen PNP-Transistors (ein Transistor, dessen Emitter und Kollektor auf derselben Halbleiterseite nebeneinander liegen)bestimmt. Hoch verstärkende laterale PNP-Transistoren sind bei Anwendung herkömmlicher Herstellungsverfahren schwierig herzustellen.

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Ferner müssen bei der in der oben genannten US-PS 3 552 832 beschriebenen Schaltung zwei Transistorpaare für jeden verwendeten Eingang hinsichtlich des Stromverstärkungsfaktors H~ angepaßt werden. Außerdem -wird ein Fehlerfaktor im Aufhebungsstrom erzeugt, der bei sperrschichtisolierten Bauelementen wegen der endlichen Sammlung von Minoritätsträgern bei dem in Sperrichtung vorgespannten Substrat des lateralen PNP-Transistors unvermeidbar ist. Ferner liegen an den Kollektor-Basis-Übergängen kritischer Bauelemente Vorspannungen, die einen verstärkten Abströmzustand erzeugen. Typischerweise ergibt sich bei der in der oben genannten .US-PS beschriebenen Schaltung ein Fehlerbeitrag von 3%, wenn Beta-Werte von 200 für NPN-Transistoren und 20 für PNP-Transistören verwendet werden. Der Fehlerbeitrag■kann bis zu ΙΟ/ό erreichen, wenn der Substratstromfehler einbezogen wird.

Mit Hilfe der Erfindung soll demnach eine Stromaufhebungsschaltung geschaffen werden, die nur minimal vom Absolutwert der Lateral-PNP-Transistor-H_fe-Anpassung abhängt. Ferner soll eine Schaltung geschaffen werden, bei der der Substratstrom mit Hilfe einer symmetrischen Schaltungsanordnung unwirksam gemacht wird, so daß der Substrätstrom keinen Fehlerbeitrag liefert. Bei der mit Hilfe der Erfindung zu schaffenden Schaltung soll nur ein Bauelementpaar für jeden verwendeten Eingang hinsichtlich des Beta-Werts angepaßt werden müssen. Bei der nach der Erfindung zu schaffenden Schaltung soll außerdem ein PNP-Transistor mit geteiltem Kollektor zur Erzielung gleicher Basisvorströme verwendet werden, damit die normalen Eingangsströme in einer Differenzstufe unwirksam gemacht werden.

Nach der Erfindung ist an einen Eingangstransistor eines Leitungstyps eines Differenzpaars eine Stromaufhebungsschaltung

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angeschlossen. Die Schaltung enthält einen zweiten . Transistor dieses einen Leitungstyps, der in einer Kaskodenschaltung mit dem Eingangstransistor verbunden ist und dessen Basis an einen Stromquellentransistor des anderen Leitungstyps angeschlossen ist, damit gleiche Vorstromwerte zu den Basiselektroden des Eingangstransistors und des zweiten Transistors erzeugt werden. In einer Ausführungsform enthält die Stromquelle einen PNP-Transistor mit geteiltem Kollektor, bei dem ein Kollektor seine Basis mit der Basis des zweiten Transistors verbindet, während der andere Kollektor an die Basis des Eingangstransistors angeschlossen ist. In einer bevorzugten Ausführungsform enthält die Stromquelle außerdem einen zweitenPNP-Transistor, der den PNP-Transistor mit geteiltem Kollektor mit dem zweiten NPN-Transistor verbindet, damit der Fehlerstrom verringert wird, der den Wert des zum Eingangstransistor fliessenden Vorspannungsstroms bestimmt.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt. Darin zeigen: ·

Fig.1 ein Schaltbild einer Grundschaltung eines Differenzpaars,

Fig.2 eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Stromaufhebungsschaltung,

Fig.3 eine zweite Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Stromaufhebungsschaltung,

Fig.4 ein verallgemeinertes Schaltbild eines Differenzpaars mit der Stromaufhebungsschaltung nach der Erfindung mit .optimaler Vorspannung und

Fig.5 ein Zwei-Transistor-Ersatzschaltbild des als Stromquelle verwendeten Mehrkollektorbauelements.

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In Fig.1 ist eine Grundschaltung eines Differenzpaars dargestellt. Eingangstransistoren T1 und T2 empfangen Eingangs signale I~* bzw. Ir>2> ^die ^ie Transistoren T1 und T2 selektiv betätigen. Eine Stromquelle 6 versorgt das Differenzpaar mit Betriebsstrom.' Verbraucher 5 können aus einem an eine Versorgungsquelle angeschlossenen Widerstand bestehen. Die spezielle Arbeitsweise solcher Schaltungen ist in der Technik bekannt. .

Fig.2 zeigt eine erfindungsgemäße Stromaufhebungsschaltung, wobei nur der Eingangsteil des Differenzpaars dargestellt ist. Der Transistor T5 ist mit dem Transistor 1 inKaskode geschaltet, so daß in beiden Kollektor-Emitter-Strecken zwischen den Stromquellen 5 und β gleiche Ströme fliessen. Unter der Annahme, daß die Beta-Werte der Transistoren T1 und T5 (ß-| bzw. ßc) im wesentlichen gleich sind, dann werden zum Ansteuern des jeweiligen Transistors gleiche Werte der BasisBtröme I₅^ und I₅₁- benötigt. Diese im wesentlichen •gleichen Basisansteuerströme werden vom Stromquellentransistor T8 geliefert, der ein Bauelement mit mehreren Ausgangsanschlussen ist. Vorzugsweise ist der Transistor T8 ein PNP-Transistor mit geteiltem Kollektor, dessen Basis gemeinsam mit der Basis des Transistors T5 und mit einem der Ausgangsansdlüsse C1 verbunden ist. Der andere Ausgangsanschluß C2 ist mit der Basis des Eingangstransistors T1 """ verbunden.

Die Erfindung läßt sich am besten aus einer kurzen Beschreibung der Wirkungsweise der Schaltung von Fig.2 erkennen. Es sei angenommen, daß die Stromverstärkungsfaktoren ß^ und ßc gleich sind, und. daß wegen der Serienschaltung der Kollektor-Emitter-Strecken der Transistoren T1 und T5 gleiche Ströme in diesen Transistoren fliessen; diese Transistoren werden von gleichen Basisströmen angesteuert. Der Transistor T8 liefert diesen Basisstrom zum Transistor T5 über den Kollek-

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3-i^!

tor C1. Ein Transistor mit geteiltem Kollektor kann geometrisch so aufgebaut werden, daß in jedem Kollektoranschluß gleiche Kollektorströme fliessen. Demnach wird der zum Ansteuern des Transistors T5 notwendige Strom vom zurückgeführten Kollektor C1 des Transistors T8 .geliefert, während der andere Kollektor C2 einen gleichen Stromwert zur Ansteuerung des Transistors T1 wie gewünscht liefert. ■ ·

Wegen der Kollektorrückführung hat die Schleifenverstärkung ■ des Transistors T8 etwa den Wert 1. Unter der Annahme von ß.j = Qc₉ ßg = 1 und unter Vernachlässigung des Substratstroms

Die Annahme Q^=Bc ist insbesondere in integrierten Schaltungen angebracht, bei denen sich der Transistor T1 sehr nahe beim Transistor T5 befindet und bei denen ein steuerbarer Vorgang eine wesentliche Anpassung angemessen gewährleistet. Auch die Annahme, daß der Substratstrom in den hier beschriebenen Schaltungen mit einer Differenzstromquelle vernachlässigt werden kann, ist angebracht, da selbst im Falle eines Substratreststroms die Wirkung dieses Stroms den in den Kollektoren C1 und C2 fliessenden Strom nicht unsymmetrisch macht. Der Fehlerbeitrag wird daher nicht erhöht. Das bedeutet, daß nur zwei Kollektorsegmente hinsichtlich des ' Substratstroms angepaßt werden müssen^ was durch Verwendung des Bauelements mit geteiltem Kollektor erzielt wird.

Das Einsetzen des typischen Beta-Werts von 200 für einen NPN-Transistor führt zu einer Anpassung von 200/201 oder 0,995. Tatsächlich ist die Schleifenverstärkung des Transistors T8 jedoch kleiner als 1,0. Eine genauere Darstellung für ßg ist ^ß8=^H£e(0L)/<^{1 + H}fe(OL)-^F>

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wobei F der Rückkopplungsfaktor ist, der .-etwa, den Wert 1 hat. Wenn.di.es in die Gleichung (i) eingesetzt wird, ergibt sich .. -

200 20 _{n Q}r f-z\ = °'⁹⁵ ■ ■ (3)

Bekannte Stromaufhebungsschaltungen ergaben im wesentlichen den gleichen Fehlerbeitrag von 5/4. Die hier beschriebene Ausführung mit einem PNP-Transistor mit geteiltem Kollektor ergibt jedoch gleiche Kollektorströme, ohne daß eine Anpassung . der Stromverstärkungsfaktoren mit einem Begleittransistor notwendig ist, der damit in Serie geschaltet ist. Wie oben bereits erwähnt wurde, ist auch der.Substratstrom kein Faktor mehr, wenn das Bauelement mit geteiltem Transistor entsprechend der Beschreibung verwendet wird.- - " .

In der Gleichung (2)wurde angenommen, daß der Rückkopplungsfaktor F den Wert 1 hat, was dann angebracht ist, wenn der Strom It₃O vernachlässigbar wäre. Der Transistor T8 erfordert jedoch einen endlichen Basisansteuerstrom,-der nicht vernachlässigt werden kann. Durch Herabsetzen des effektiven Basisansteuerstroms !-,g des Transistors TS (der den Ansteuerstrom für den Transistor T5 liefert), kann.der Fehlerbeitrag in der Gleichung (3) reduziert werden,.

Die Ausführungsform von Fig.3 zeigt eine Stromaufhebungsschaltung, bei der der Rückkopplungsfaktor 1 von Gleichung (2) weite an den Wert 1 angenähert ist. Das bedeutet, daß 'die Basis und der Emitter des Transistors T9 die Basis-Elektroden der Transistoren T8 und T5 so verbinden, daß der -BSsis des Transistors T5 von der Basis des Transistors T8 nur der Strom !^/(ßg+i). ..zugeführt wird, während der Rest des Stroms 1-^₈ durch den Transistor 19 zur Sciaaltungsmasse abgeleitet wird. Wenn die Gleichung 3 zur Berücksichtigung des PHP-Transistors T9 abgeändert wird, ergibt sich die Gleichung (4).

T /T ^ß1< ^Hfe8 >· % '

ß—-TT
⁵

409822/ 1 08 Φ

■ - 8 -

Wenn typische Beta-Werte fürNPN-Transistoren von 200 und Ep_e-Werte von 23und 70 für PNP-Lateraltransistoren bzw PNP-Lateralsubstrat-Transistoren eingesetzt werden, reduziert sich Gleichung (4) auf

Aus der Gleichung (5) ist zu erkennen,daß der Beta-Wert des NPN-Transistorpaars der wesentliche Fehlerbeitrag wird. Dies ist vorteilhaft, da der NPN-Stromverstärkungsfaktor EL>_e in Bezug auf den PNP-Stromverstärkungsfaktor EL> sehr hoch gemacht v/erden kann.

Durch Verwendung des Transistors T9 in Fig.3 ist der Betriebsstrom z.u seiner Kollektor-Emitter-Strecke, d.h. der Basistrom vom Transistor T8 relativ klein. Es ist vernünftigerweise beabsichtigt, daß ein Teil des Kollektorstroms des Transistors T8 zur Basis des Transistors T8 gekoppelt werden kann, indem beispielsweise für den Transistor T8 ein PNP-Transistor mit Dreifachkollektor verwendet wird, dessen zusätzlicher Ausgang zu seiner Basis' zurückgeführt ist.

In Fig.4 ist eine' bevorzugte Ausführungsform in einem Funktionsschaltbild eines mit einer Vorspannungsschaltung versehenen Differenzpaars dargestellt. Da die rechte Hälfte der Schaltung von Fig.4 ein Spiegelbild der linken Schaltungshälfte ist, beschränkt sich die Erläuterung auf die linke Hälfte. Dioden D2 bis D5 bewirken die Ankopplung von Stromquellen CS1 und CS2, die den Betriebsstrom liefern. Der Kollektor des Transistors T5 ist über Dioden D2 und D3 mit dem Emitter des Transistors T8 verbunden. Die Diode D1 verbindet die Basis des Eingangstransistors T1 mit einem der geteilten Kollektoren des Transistors T8. Der Vorteil

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der Vorspannung der Stromaufhebungsschaltung über die Dioden D1 bis D5 besteht darin, daß die Transistoren T1 unlT5 jeweils mit Kollektor-Basis-Übergängen ausgestattet werden, an ,denen keine Vorspannung anliegt. Dies reduziert den Sperrschich-treststrom, damit idealere Transistoreigenschaften gewährleistet werden,die in den Gleichungen 1 und notwendig sind. Unter der Annahme, daß an der Basis des Transistors T1 keine Spannung anliegt, dann kann leicht berechnet werden, daß auch am Kollektor dieses Transistors T1 keine Spannung liegt, was von der die Basis-Emitter-Strecke des -Transistors T1, die Dioden D5 bis D2 und die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren T8 , T9 und T5 gebildeten" Schaltung bestimmt wird. Ebenso ist zu erkennen, daß sich sowohl die Basis als auch der Kollektor des Transistors T5 .bei einer Spannung von 1V, über Schaltungsmasse befinden, so daß am Basis-Kollektor-Übergang kein Spannungsabfall auftritt. Dieser Schaltungsweg umfaßt die Basis-Emitter-Strecke des Transistors T1, und er führt über die Dioden D5 und d4 zum Kollektor des Transistors T5. Ebenso ist zu erkennen, daß die Diode D1 den Rückkopplungskollektor C1 auf einer Vorspannung von 1V-, über Null Volt hält,damit dieser Kollektor auf der gleichen Vorspannung wie der nicht rückgekoppelte Kollektor T2 gehalten wird, der mit der Basis des Transistors T5 verbunden ist,( an der ebenfalls eine Spannung V-_e über Null Volt liegt). Durch Aufrechterhaltung gleicher Spannungen an den Kollektoren C1 und C2 wird dazu beigetragen, daß in ihnen ein gleicher Ausgangsstrom fließt.

In Fig.5 sind zwei Transistoren mit jeweils drei Anschlüssen dargestellt, die angepaßte Beta-Werte aufweisen; diese Transistoren sind gemeinsam hinsichlich ihrer Funktion dem oben beschriebenen Mehrkollektorbauelement ähnlich. Das Transistorpaar hat miteinander verbundene Basis-Elektroden und miteinander verbundene Emitter-Elektroden,

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wobei der Kollektor eines Transistors zu den gemeinsamen Basis-Elektroden zurückgeführt ist. Dieser Kollektor C2 kann an die Basis des Eingangstransistors zur Stromaufhebung im Sinne der obigen Beschreibung angeschlossen werden.

Es ist zu erkennen, daß die Bauelemente D1 bis D5, die in Fig.4 zwar als Dioden dargestellt sind, lediglich stellvertretend für PNP-Übergänge sind. Folglich sollen damit auch Basis-Emitter-Übergänge von Transistoren erfaßt werden. Die bevorzugten Ausführungsformen sind zwar im Hinblick auf einen speziellen Transistorleitungstyp erläutert worden, doch liegt auch eine Doppeltransistoranordnung mit dem entgegengesetzten Leitungstyp im Rahmen der Erfindung. Ferner ist zu erkennen, daß die hier dargestelLtai bipolaren Transistoren auGh in geeigneter Weise durch Sperrschicht-Feldeffekttransistoren ersetzt werden können. Die hier beschriebenen Ausführungsformen eignen sich besonders für eine Anwendung in integrierten Schaltungen, und sie können in einfacher Weise durch dem Fachmann bekannte Verfahrenhergestellt v/erden. Im Rahmen der Erfindung können die vielfältigsten Abwandlungen vorgenommen werden. Das Mehrkollektorbauelement kann natürlich auch aus zwei Transistoren mit jeweils drei Anschlüssen gebildet sein, deren Emitter-Elektroden und Basis-Elektroden miteinander verbunden sind, während der Kollektor eines der Transistoren zu den gemeinsamen Basis-Elektroden zurückgeführt ist.

Patentansprüche

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Claims

Patentansprüche

'¹JI/. An den Eingangstransistor eines Leitungstyps einer Differenzverstärkerschaltung angeschlossene Stromaufhebungsschaltung, wobei der Eingangstransistor Eingangs-, Ausgangs- und Steueranschlüsse aufweist und an dem Steuer-? anschluß ein Eingangssignal zur Erzeugung eines in den Eingangsanschluß fliessenden Eingangsstroms empfängt, gekennzeichnet durch :

(a) einen zweiten Eingangs-Ausgangs-und Steuerelektroden aufweisenden zweiten Transistor des. einen Leitungstyps, dessBn Ausgangselektrode mit der Eingangselektrode des Eingangstransistors verbunden ist, dessen Eingangselektrode an eine Versorgungsquelle angeschliößbar ist und dessen Steuerelektrode einen Vorspannungsstrom empfängt, dessen Größe im wesentlichen gleich der Größe des Eingangsstroms ist, und

(b) eine Vorspannungsstrom-Erzeugimgsvorrichtung, die an den Eingangstransistor und an den zweiten Transistor zur Zuführung von Vorspannungsstrom zum zweiten Transistor und zur Zuführung von Vorspannungsstrom mit dieser Größe zur Eingangselektrode des Eingangstransistors angeschlossen ist und die einen Transistor, vom entgegengesetzten Leitungstyp enthält,, der zur Zuführung dieser Vorspannungsströme wenigstens zwei Ausgangselektroden aufweist. .

.2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangselektroden an die Steuerelektrode des zweiten Transistors und an die Steuerelektrode des Eingangstransistors angeschlossen sind.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren des einen Leitungstyps. ITPN-Transistoren • sind und daß der Transistor des entgegengesetzten Leitungstyps

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ein PNP-Transistor ist.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsanschlüsse der NPN-Transistoren Kollektor-Elektroden sind, daß die Ausgangsanschlüsse Emitter-Elektroden sind und daß die Steueranschlüsse Basis-Elektroden sind.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangselektrode des PNP-Transistors eine Emitter-Elektrode ist, daß die Steuerelektrode eine Basis-Elektrode ist und daß die Äusgangs-Elektroden Kollektor-Elektroden sind, und daß der PNP-Transistor ein Mehrkollektortransistor ist.

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannungsstrom-Erzeugungsvorrichtung einen zweiten Transistor des anderen Leitungstyps enthält, der zwischen den zweiten Transistor und den ersten Transistor des anderen Leitungstyps eingefügt ist.

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite-Transistor des anderen Leitungstyps eine Eingangselektrode aufweist, die mit der Steuerelektrode des zweiten Transistors des anderen Leitungstyps verbunden ist, und daß der zweite Transistor des anderen Leitungstyps eine Steuerelektrode aufweist, die gemeinsam an die Steuerelektrode des zweiten Transistors des einen Leitungstyps angeschlossen ist.

8. Schaltungsanordnung nach Anspruch ?, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren des einen Leitungstyps NPN-Transistorensind, und daß die Transistoren des anderen Leitungstyps PNP-Transistor en sind. -:

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9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch eine Diode, die einen der Ausgangsanschlüsse des ersten PNP-Transistors mit dem Einganganschluß des Eingangstransistors verbindet.

10.Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, gekennzeichnet.durch mehrere Diodenelemente, die die Emitter-Elektrode des Eingangstransistors, die Kollektor-Elektrode des zweiten Transistors und die Emitter-Elektrode des ersten PNP-Transistors miteinander verbinden, so daß an den Kollektor-Basis-Übergängen des zweiten PNP-Transistors und des Eingangstransistors im wesentlichen keine Vorspannung anliegt.

11. An einen Eingangstransistor einer Differenzstufe für einen Differenzverstärker der Klasse 1 mit zwei NPN-Eingangstransistoren zum Empfang erster und. zweiter Eingangssignale an ihren Basiselektroden angeschlossene Stromaufhebungsschaltung, gekennzeichnet durch :

(a) einen dritten NPN-Transistor , dessen Emitter-Elektrode an die Kollektor-Elektrode des einen Eingangstransistors angeschlossen ist und dessen Kollektor-Elektrode an eine Versorgungsquelle anschließbar ist,, und

(b) einen ersten. PNP-Transistor mit mehreren Eollektor-Elektroden, von-denen einer an die Basis des dritten NPN-Transistors angeschlossen ist, während die andere mit der Basis-Elektrode des einen Eingangstransistors verbunden ist.

42. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch einen zweiten PNP-Transistor mit einer an,die Basis-Elektrode des ersten PNP-Transistors angeschlossenen Emitter-Elektrode und mit einer an die Basis des zweiten NPN-Transistors angeschlossenen Basis-Elektrode.

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13· Schaltungsanordnung nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch eine Diode, die die andere Kollektor-Elektrode mit der Basis-Elektrode des Eingangstransistors verbindet.

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