DE2047417C3 - Widerstandsarmer Differenzverstärker - Google Patents
Widerstandsarmer DifferenzverstärkerInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/347—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only in integrated circuits
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- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
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- H03F3/45—Differential amplifiers
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen widerstandsarmen
Differenzverstärker, bei dem die Differenzsignalströme den Basis-Elektroden zweier Eingangstransistoren
mit einer gemeinsamen Emittcrimpcdanz zugeführt werden.
Insbesondere bezieht sich Ji? Erfindung auf einen solchen Verstärker zur Anwendung in integrierten
Schaltungen, bei denen die Anzahl benutzter Transistoren
und Dioden von geringerer Bedeutung ist als die Anzahl benutzter Widerstände und bei denen Induktivitäten
und Transformatoren völlig und Kondensatoren vorzugsweise zu vermeiden sind.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß als Emiltcrimpcdanz im gemeinsamen Emitterzweig der
Eingangslransislorcn wenigstens eine Diode verwendet wird, daß zu dem Emitterzweig zwei Stromzweige
parallel geschaltet sind, die die Basis-Emitter-Strecken zweier weilerer Transistoren, welche derart geschaltet
sind, daß die Kollektorströme gleich sind, und daß die Kollektoren der weiteren Transistoren mit den Basiselektroden
der Eingangstransistoren verbunden sind.
Die Erfindung bezweckt einen widerstandsarmen Differenzverstärker zu schaffen, der einen großen
Diskriminationsfaktor (Empfindlichkeit für Differenzsignale im Vergleich zu der Empfindlichkeit für
gleichphasige Signale) aufweist und außerdem große gleichphasige (commonmode) Signale verarbeiten kann.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die weiteren Transistoren nur den gleichphasigen Bestandteil
des Eingangssignalstroms aufnehmen können, wodurch einerseits zur Einstellung des Ruhestromes der
ersteren Transistoren keine besonderen Vorkehrungen benötigt werden, während andererseits ein großer
Diskriminationsfaktor erzielt wird
Die weiteren Transistoren und die Diode in der Emitterleitung der ersteren Transistoren weisen ja
zwangsweise die gleiche Basis-Emitter-Spannung auf. Wenn die weiteren Transistoren die gleiche Emitteroberfläche
aufweisen, nehmen sie den gleichen Strom, und zwar den gleichphasigen, den Eingangsklcmmcn
der Schaltung zugeführten Signalstrom, auf. Der Strom durch die Diode ist noch von der Größe der
Emitteroberfläche dieser Diode abhängig, aber ist stets um einen konstanten Faktor größer als der gleichphasige
Bestandteil des Eingangssignals. Dieser Diodenstrom kann also unmittelbar als Ruhestrom Für die Eingangsiransistoren
wirken, so daß eine zusätzliche Stromquelle mit den gegebenenfalls zugehörigen Widerständen
überflüssig wird.
Die Größe der Ruheströme kann durch die Wahl der Größe der Emiiteroberfläche der Diode eingestellt
werden. Dm einen großen Ruhestrom /u erhalten, kann eine Anzahl Dioden parallel geschaltet werden, wobei
die Emittcroberfläche jeder der Dioden wieder frei gewählt werden kann.
Die Differenzsignalsiröme, die den Eingangsklcmmen der Schaltung zugeführt werden, können nicht von den
weiteren Transistoren aufgenommen werden und wirken somit zwangsweise als ßasisströme für die
Eingangstransistoren. Diese Differenzsignalströme werden also um einen Faklor gleich der Stromverstärkung
der Eingangstransistorcn verstärkt. Der Diskriminationsfaktor
der Schaltung kann somit besonders groß sein.
Die Schaltung weist also einerseits den Vorteil auf, daß die Verwendung von Widerständen völlig vermieden
werden kann, weil zusätzliche Stromquellen entbehrlich sind, während sich andererseits der Vorteil
ergibt, daß ein großer Diskriminalionsfaktor erzielt werden kann.
Die Schaltung ist ferner für eine Erweiterung besonders geeignet, durch die die Bandbreite vergrößert
wird, wie in der Figurenbeschreibung näher erläutert wird. Außerdem ergibt sich der Vorteil, daß bei
hohen Frequenzen nur eine einzige Zcitkonstante eine
Rolle spielt.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher
beschrieben. F.s zeigt
Fig. 1 eine Ausführungsform der Schaltung nach der Erfindung und
F i g. 2 eine Erweiterung dieser Schaltung.
Der Gegentaktverstärker nach Fig. 1 enthält Transistoren
Ti und T2,deren Basis-Elektroden mit Eingangsklemmen / und deren Kollektoren mit Ausgangsklemmen
α verbunden sind. Der gemeinsame Emitter dieser Transistoren ist über einen als Diode geschalteten
Transistor T^ mit der Spciscquelle verbunden. Die
Basis-Emitter-Strecken zweier weiterer Transistoren Γι und Τ* sind zu dieser Diode parallel geschaltet,
wobei die Kollektoren dieser Transistoren mit den Basis-Elektroden der Transistoren T\ und T2 verbunden
sind.
Die Transistoren T\ und T* weisen infolge der
gemeinsamen Basis und des gemeinsamen Emitters die gleiche Basis-Emitter-Spannung auf. Bei gleicher
Emitteroberfläche dieser Transistoren führen sie also zwangsweise den gleichen Strom. Werden den Eingangsklemmen
der Schaltung Signalströme zugeführt, so nehmen diese Transistoren also nur den gleichphasigen
Bestandteil dieser Signalströmc auf.
Die Diode T 5 weist ebenfalls die gleiche Basis-Emitter-Spannung
wie die erwähnten Transistoren auf. Wenn die Emitteroberfläche dieser Diode gleich der der
Transistoren Tj und Ta ist, ist der Strom durch die
Diode somit ebenfalls gleich dem gleichphasigen Bestandteil der Eingangssignalströmc. Der Strom durch
diese Diode kann also chne weiteres zur Ruhestromein-
stellung der Transistoren T|iind Ti verwendet werden.
Dieser Ruhestrom kann auf jeden verlangten Wert durch die Wahl der Größe der Emitieroberfläche der
Diode Ti in bezug auf die der Transistoren Γ ι und T*
eingestellt werden. |e größer die Emiiteroberfläche der
Diode Ti ist, um so größer ist der Ruhestrom. Naturgemäß kann zur Vergrößerung des. Ruhestromes
statt der Diode T-, eine Parallelanordnung mehrerer Dioden verwendet werden, wobei wieder die Emiiteroberfläche
jeder der Dioden frei gewählt werden kann. ,
Dieser Ruhestrom der Transistoren T\ und 7">
kann auch dadurch eingestellt werden, daß ein Widerstand zwischen dem gemeinsamen Emitter der Transistoren
T ι und TΊ und der .Speisequelle und gegebenfalls ein
Widerstand in der Emitterleilung der Diode T', ι,
angeordnet wird. Bei Inlegraiion weist dieses Verfahren
jedoch Nachteile auf, und zwar die Anwesenheit der Widerstände und die Tatsache, daß nicht mehr von
einem gemeinsamen Emitter für die Transistoren Tj, 7%
und die Diode T\ ausgegangen werden kann. .<
Die Diffcren/signalströme.dieden Eingangsklemmen
zugeführt werden, können nicht von den Transistoren Γι und T* aufgenommen werden und wirken also
zwangsweise als Uasisströmc für die Transistoren 7Ί
und T2. Diese Diffcrcnzsignalströme werden also um ....
einen Faktor gleich der Stromverstärkung der betreffenden Transistoren verstärkt. Die Verstärkung des
Differenzsignals ist also viel größer als die des gleichphasigen .Signals, so daß ein sehr großer
Diskriminationsfukior erreicht ist.
Die .Schaltung ist für eine Erweiterung nach Fig.2
besonders geeignet. Dabei ist zwischen der Basis des Transistors Ti und dem Kollektor des Transistors Ti
bzw. zwischen der Basis des Transistors Ti und dem Kollektor des Transistors T^ eine Diode Th bzw. Tj
angeordnet, wobei die Emitter dieser Dioden über einen Kondensator C'miteinander verbunden sind.
Für niedrige Frequenzen, bei denen der Kondensator C noch eine große Impedanz aufweist, wirkt die
Schaltung auf gleiche Weise wie die nach Fig. 1. Bei hohen Frequenzen bildet sich aber über den Kondensator
fein möglicher Weg für die Differenzsignalströme, so daß diese dann nicht mehr als Basisströme für die
Transistoren Ti und T> wirken. Die Differenzströme
durchlaufen nun aber die Dioden Tt1 und Tj, die
zusammen mit den Transistoren Ti und T2 einen
Stromverstärker bilden, wobei der Verstärkungsfaktor durch den Quotienten der Einstellstrrr.e der Transistoren
und der Dioden bestimmt wird. Bei gleichen Einstellströmen ist die Stromverstärkung bei hohen
Frequenzen gleich 1. Das Verhalten der Schaltung bei hohen Frequenzen wird also durch die Größe des
Kondensators bestimmt. Außerdem spielt bei hohen Frequenzen nur eine einzige Zeitkonstante eine
wichtige Rolle. Die Frequenzabhängigkeit der Stromverstärkung von Ti und Ti ist beseitigt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Widerstandsarmer Differenzverstärker, bei dem
die Signalströme den Basis-Elektroden zweier Eingangstransistoren mit einer gemeinsamen
Emitterimpedanz zugeführt werden, dadurch
gekennzeichnet, daß als Emitterimpedanz im gemeinsamen Emitterzweig der Eingangstransistoren
wenigstens eine Diode (Τη verwendet wird, daß
zu dem Emitterzweig zwei .Stromzweige parallel geschaltet sind, die die Basis-Emitter-Slrecken
zweier weiterer Transistoren, welche derart geschaltet sind, daß die Kollektorströmc gleich sind, und
daß die Kollektoren der weiteren Transistoren mit den Basiselektroden der Eingangstransistoren (T \, ,
T >) verbunden sind.
2. Gegentaktverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektoren der weiteren
Transistoren (T \. Tt) über Dioden (Tb, Ti) mit den
Basis-Elektroden der Eingangstransistoren (T\, T>)
verbunden sind, während die Verbindungsleitungen zwischen diesen Kollektoren und diesen Dioden
über einen Kondensator (C) miteinander verbunden sind.
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