DE2200580A1

DE2200580A1 - Vergleichsverstaerker mit Einzelzufuehrung

Info

Publication number: DE2200580A1
Application number: DE19722200580
Authority: DE
Inventors: Frederiksen Thomas Marinus
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1971-01-07
Filing date: 1972-01-07
Publication date: 1972-09-07
Also published as: DE2200580B2; IT948098B; DE2200580C3; JPS5215353B1; SE380693B; US3649846A; GB1322450A; NL7117836A

Description

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DU-Jo. 5. Januar 1972

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•"-chneckenhofsir. 27 - Tel. 61 70 79

Motorola, Inc., 9^o1 West Grand Avenue, Franklin Park, 111., USA

Vergleichsverstärker mit Einzelzuführung

Die Erfindung bezieht sich auf einen monolithischen integrierten Vergleichsverstärkerschaltkreis, der Darlington- und modifizierte Darlington-verbundene PNP-Transistoren in einer differenziellen Schaltkonfiguration verwendet, um Eingangsspannungen zu vergleichen, die einen Spannungsbereich von gemeinsamer Art besitzen, der sich bis zu null Volt nach unten erstreckt. Der Vergleichsverstärker arbeitet mit einer einzigen Spannungsversorgung.

Integrierte Differenzialvergleichsverstärkerschaltkreise v/erden gegenwärtig in einer großen Zahl von Anwendungen benutzt, wo eine Ausgangsanzeige darüber gewünscht wird, welcher von zwei Signalpegeln größer ist. Viele dieser integrierten Vergleichsschaltkreise arbeiten mit sowohl positiven als auch negativen oder getrennten Leistungsversorgungen und sind daher in der Lage, Eingangssignale zu vergleichen, die gleich, größer als oder kleiner als null Volt betragen.

Schwierigkeiten ergeben sich jedoch, wenn nur eine einzige Spannungsversorgung erhältlich ist, wie im Falle einer B+ -Leistungnversorgung, bei der der negative Anschluß mit y.-ii-se verbunden ist. In einer derartigen Situation führt die Ve· "ndung von herkömmlichen monolithischen integrierten Schaltkr·... .vergleichern mit NPN-Transistoren zu einem Vergleicher, der nicht in der Lage ist, einen Vergleich unterhalb des Pegels zu erzeugen, der not-

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wendig ist, die Basisemitterverbindung der Vergleichstransistoren vorzuspannen. Bei vielen Fahrzeug- und industriellen Steuersystemen, die nur eine einzige B+ -Leistungsversorgung verwenden, ist diese Begrenzung nachteilig, da die niedrigere Vergleichsschwelle von den Eigenschaften des Vergleichers selbst bestimmt wird, anstelle des niedrigsten möglichen Pegels, der von den Vergleichereingängen angenommen werden kann. Es ist daher wünschenswert, einen monolithischen integrierten Vergleicherschaltkreis zu haben, der mit einer einzigen Spannungsversorgung arbeiten kann und der ebenfalls einen genauen Vergleich von zwei Eingangssignalpegeln in einem gleichartigen Spannungsbereich liefern kann, der sich bis zu tatsächlich null Volt erstrecken kann.

Es ist daher ein Ziel dieser Erfindung, eine verbesserte Vergleichsschaltung zu schaffen.

Es ist ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Ver« · gleichsschaltung zu liefern, die in der Lage ist, einen richtigen Vergleich in einem Spannungsbereich gleicher Art zu schaffen, der bis auf null Volt herabreicht.

Es ist ein weiteres Ziel dieser Erfindung, eine Vergleichsschaltung zu schaffen, die mit einer einzigen Versorgungsquelle arbeitet und in der Lage ist, Eingangssignale bis herunter zu null Volt zu vergleichen.

Es ist ein weiteres Ziel dieser Erfindung, eine verbesserte monolithische integrierte Vergleichsschaltung zu liefern, die mit einer einzigen Spannungsversorgung arbeitet.

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In Übereinstimmung mit einer vorzugsweisen Ausführungsform der Erfindung enthält eine Vergleichsschaltung einen ersten, zweiten, dritten und vierten Transistor des gleichen Leitfähigkeitstyps, die zu einem Differenzvergleichsverstärker zusammengeschaltet sind. Der erste und der dritte Transistor sind in einer Darlington-Kaskadenanordnung, und der zweite und vierte Transistor in ähnlicher Weise in einer Darlington-Kaskadenanordnung geschaltet, wobei der erste und zweite Transistor den Darlington-Ausgang bilden und die Transistoren als der Differenzialvergleichsteil der Schaltung miteinander verbunden sind. Eine Quelle von Betriebsgleichstrom ist mit dem Emitter des ersten und des zweiten Transistors verbunden, während die Kollektoren der Transistoren mit einem Punkt eines Vergleichspotentials verbunden sind, wobei der Kollektor des zweiten Transistors mittels einer Impedanz an den Punkt des Vergleichspotentials angeschlossen ist. Zu \rergleichende Eingangssignale werden der Basis des dritten bzw. vierten Transistors zugeführt, während die Ausgangssignale von dem Kollektor des zweiten Transistors erhalten wird.

Bei einer spezielleren Ausführungsform der Erfindung ist der Vergleichsverstärker ein monolithischer integrierter Schaltkreis, bei dem alle Transistoren PNP-Transistoren sind, so daß der Verstärker in der Lage ist, eine Ausgangsanzeige eines Vergleichs von zwei EingangsSpannungen zu bewirken, die sich bis herab zu null Volt oder bis zu einem Massenvergleichspotential erstrecken.

Weitere Vorteile, Merkmale und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung ergeben sich aus den beiliegenden Darstellungen von Ausführungsbeispielen sowie aus der folgenden Beschreibung.

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Es zeigen:

Fig. 1 ein ins einzelne gehende schematisches Diagramm einer vorzugsweisen Ausführungsform dieser Erfindung; und

Fig. 2 ein ins einzelne gehende Schaltdiagramm einer Veränderung der in Fig. 1 gezeigten Schaltung.

In den Zeichnungen bedeuten gleiche Bezugszahlen in beiden Figuren gleiche oder gleichartige Bestandteile. Es wiz"d eine Vergleichsschaltung gezeigt, die als ein monolithischer integrierter Schaltkreis aufgebaut ist, der aus einem einzelnen Chipoder Formstück gebildet sein kann, oder der als ein Teil eines größeren integrierten Schaltkreises einschließlich zusätzlicher Schaltkreise zur Durchführung weiterer Funktionen ausgebaut sein kann. Die in den Fig. 1 und 2 gezeigten Teile der Schaltkreise, die auf dem integrierten Schaltkreis sich befinden und einen Teil davon bilden, sind in gestrichelten Linien eingeschlossen, wobei Schaltelemente außerhalb des integrierten Schaltkreischips in der Zeichnung außerhalb der gestrichelten Linien gezeichnet sind.

In Fig. 1 enthält die grundlegende Vergleichsschaltung einen Differenzialverstärker 1o mit einem Paar von lateralen PNP-Transistoren 11 und 12, deren Emitter zusammen an einen gemeinsamen Anschluß mit einem ersten Kollektor 13 eines Doppelkollektorstromquellentransistors 14 verbunden sind, der den Betriebsstrom für die Differenzialverstärkertransistoren 11 und 12 liefert. Eine einzige B+ -Leistungsquelle ist für den Vergleichsschaltkreis auf einem Leistungsversorgungsverbindungsstück 16 geschaffen, der mit dem Emitter des Transistors 14 über einen Widerstand 19 und ebenso mit einem Spannungsteiler verbunden ist,

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einschließlich einem Paar von Dioden 17 und 18, die in Serie mit einem Widerstand 2o zu einem Masseverbindungsstück 22 verbunden sind. Der Stromquellentransistor 14 ist ein lateraler PNP-Transistor und wird in der Schaltung verwendet, um den der Vergleichsschaltung zugeführten Strom verhältnismäßig konstant und immun gegen Veränderungen der Spannungshöhe zu machen, die von der B+ -Leistungsversorgung dem Verbindungsstück 16 zugeführt wird.

Die Transistoren 11 und 12 bilden jeweils die Ausgangstransistoren des Darlington-Verstärkerschaltkreises oder des modifizierten Darlington-Verstärkerschaltkreises, einschließlich zusätzlicher PNP-Eingangstransistoren 24 bzw. 25, deren Emitter mit ,den Basen der Transistoren 11 und 12 verbunden sind. In der in Fig. 1 gezeigten Schaltung sind die Transistoren 11 und 24 in einer herkömmlichen Darlington-Verstärkeranordnung miteinander verbunden und die Kollektoren von beiden Transistoren sind mit dem Massenanschlußstück 22 verbunden. Die Transistoren 12 und 25 sind jedoch in einer modifizierten Darlington-Verstärkeranordnung miteinander verbunden, da der Kollektor des Transistors 12 über einen Pinchwiderstand 27 mit dem Massenverbindungsstück verbunden ist, während der Kollektor des Transistors 25 direkt mit dem Verbindungsstück 22 verbunden ist.

Der Pinchwiderstand 27 erlaubt, daß Ausgangssignale von dem Kollektor des Transistors 12 erhalten werden, während das· über dem Pinchwiderstand 27 erzeugte Potential der Basis eines NPN-Ausgangstransistors 29 zugeführt wird, dessen Emitter mit dem Massenverbindungsstück 22 verbunden ist, und dessen Kollektor Ausgangssignale der Vergleichsschaltung an das Ausgangsverbindungsstück 3o liefert.

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Die Vergleichsschaltung arbeitet in der Art, daß, wenn das der Basis des Transistors 24 zugeführte Potential höher (positiver) als das der Basis des Transistors 25 zugeführte Potential ist, der Ausgang des Transistors 12 leitend wird müder Transistor nichtleitend wird. Unter diesen Bedingungen fließt Strom durch den Transistor 12 und entwickelt ein Vorspannungspotential über dem Pinchwiderstand 27 an der Basis des NPN-Ausgangstransistors 29, wodurch der Ausgangstransistor 29 leitend wird. Wenn auf der anderen Seite das Potential an der Basis des Transistors 25 höher (positiver) ist als das Potential an der Basis des Transistors 24, wird der Transistor 11 des Differenzialverstärkers leitend, und der Transistor 12 ist nichtleitend. Unter diesen Arbeitsbedingungen ist der Ausgangstransistor 29 nicht leitend.

Zum Zwecke der Illustration sei angenommen, daß die Transistoren 25 und 12 des Vergleichsverstärkers die Bezugstransistoren des Verstärkers bilden, wobei ein GleichDpannungsbezugspotential der Basis des Transistors 25 zugeführt wird. Eine Möglichkeit, dieses Vergleichspotential zu erhalten, ist die Verwendung eines Spannungsteilers, der aus einem Widerstand 31 in Serie mit einem Potentiometer 32 zwischen dem B+ -Versorgungsanschluß und Masse gebildet wird. Ein einstellbarer Abgriff 33 auf dem Potentiometer 32 ist mit der Basis des Transistors 25 verbunden, um eine Veränderung des Gleichspannungspegels zu erlauben, der der Basis des Transistors 25 in einem Bereich zugeführt wird, der sich von Masse bis zum von den relativen Werten der Widerstände des Widerstandes 31 und des Potentiometers 32 erstreckt. Wenn sich der Abgriff 33 in seiner höchsten Stellung befindet, ist der volle Widerstand des Potentiometers 32 zwischen der Anzapfung und Masse angeschlossen. Der Widerstand 31 liefert eine obere Grenze für das Potential, das der Basis des Transistors 25 zuge-

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führt werden kann, wobei diese obere Grenze ein vorherbestimmter Wert ist, der niedriger als das dem Verbindungsstück 16 zugeführte B+ -Potential ist. Es sollte jedoch bemerkt werden, daß keine gleichartige Vorsorge getroffen wurde, um eine untere Grenze zu erreichen, und daß der Abgriff 33 direkt mit Masse verbunden werden kann, daß der unterste Verbindungspunkt ein Potentiometer 32 ist, wie in den Zeichnungen dargestellt.

Eine Art der Zuführung von EingangsSignalen an die Basis des Transistors 24 auf der anderen Seite der Vergleichsschaltung ist, eine zeitveränderliche Spannung zuzuführen, die von der sich steigernden Ladung gebildet wird, die in einem Ladungsspeicherkondensator 36 gespeichert wird, der zwischen der Basis des Transistors 24 und Masse angeschlossen ist. Der Ladungsstrom für den Kondensator 36 wird von einem zweiten Kollektor 37 eines PNP-Stromversorgungstransistors 14 erhalten, der einen vorherbestimmten Strom liefert, um die Kapazität 36 mit einer vorherbestimmten Rate zu laden, wie durch die Kurvenform 39 angedeutet ist.

Man nehme an, daß die Schaltkreistätigkeit bei völlig entlader nen Kondensator 36 beginnt, so daß das Potential an der Basis des Transistors 24 auf Massenpotential liegt. Während sich die Ladung in dem Kondensator in Übereinstimmung mit dem von dem Kollektor 37 des Stromversorgungstransistors 14 gelieferten Strom aufbaut, wird ein zunehmendes positives Potential der Basis des Transistors 24 zugeführt. Solange dieses Potential niedriger oder dem Massenpotential näher ist, als das Vergleichspotential, das der Basis des Transistors 25 zugeführt wird, sind ' die Transistoren 11 und 24 leitend und die Transistoren 25 und 12 nichtleitend. Daher ist der Ausgangstransistor 29 ebenfalls

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nichtleitend. Wenn das Potential an der Basis des Transistors 24 das der Basis des Transistors 25 zugeführte Potential überschreitet oder positiver ist, kehren sich diese Zustände um. Die Transistoren 11 und 24 werden nichtleitend, während die Transistoren 12 und 25 leitend werden, wodurch der Ausgangstransistor 29 leitet. Dies ist die normale Wirkungsweise eines Differenzialvergleichsverstärkers.

Bei den in den Zeichnungen dargestellten Schaltkreisen ist die Arbeitsweise des Vergleichsverstärkers 1o jedoch in der Lage, einen verläßlichen Ausgang sogar dann zu liefern, wenn das Vergleichspotential am Abgriff des Potentiometers 33 ganz unten an null Volt oder am Massenpotential liegt. Wenn der Abgriff des Potentiometers 33 am Massenpotential liegt, gleicht das am Emitter des PNP-Transistors 25 erscheinende Potential, wobei die Transistoren 12 und 25 leitend sind, gleicht einer Spannung von einem 0 (wobei 0 gleich V_ßp ist, dem Spannungsabfall, der über der Emitterbasisverbindung des Transistors 25 entsteht). Dies ermöglicht den Betrieb eines inneren lateralen PNP-Transistors 12 an einer Nullvolt-Kollektorbasisvorspannung, der dann dem Kollektor des Transistors 12 ebenfalls erlaubt, an einer Spannung von einem 0 zu sein. Diese Spannung, bei der der Transistor 12 leitend ist, wird über den Pinchwiderstand 27 erzeugt und reicht aus, den Ausgangstransistor 29 in einen leitenden Zustand zu versetzen. Dabei ist die rechte Seite oder die Vergleichsseite der Vergleichsschaltung einschließlich der Transistoren 12 und 25 in der Lage, einen brauchbaren.Ausgang über den Transistor 29 bei einer Bezugsspannung von null Volt zu· liefern.

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Wenn der Abgriff 33 des Potentiometers 32 in der Nähe des Masseendes liegt, während die sich verändernde Signalspannung, die der Basis des Transistors 24 auf der linken Seite der Verstärkerschaltung zugeführt wird, die Vergleichsspannung an dem Abgriff 33 übersteigt, schaltet der Differenzverstärker 1o von einem Zustand, bei dem der Transistor 11 leitend ist, zu einem Zustand, bei dem der Transistor 12 leitend ist. Während der Abgriff 33 des Potentiometers 32 nach oben oder näher zur Verbindung des Potentiometers 32 mit dem Widerstand 31 bewegt wird, ist ein zunehmend höherer Eingangsspannungssignalpegel an der. Basis des Transistors 24 notwendig, um ein Umschalten der Transistoren 11 und 12 von einem Zustand zu verursachen, bei dem der Transistor 11 leitend ist, zu einem Zustand, bei dem der Transistor 12 leitend ist.

Es ist Vorsorge getroffen, den Verstärker durch Entladen der Kapazität 36 durch den Kollektoremitterpfad eines NPN-Entladetransistors 42 zurückzustellen. Die Basis des Transistors wird mit einem positiven Rückstellungsimpuls versorgt, der von jeder geeigneten Quelle erhalten werden kann und der einem Rückführungsverbindungsstück 44 über einen Koppelwiderstand 45 zugeführt wird. Der Transistor 42 ist normalerweise nichtleitend, da die Basisleitung dieses Transistors über einen Wider-: stand 46 mit dem masseverbundenen Stück 22 verbunden ist. In der Abwesenheit eines positiven Rückstellungsimpulses an dem Verbindungsstück 44 arbeitet der Transistor 42 daher als ein offener Schaltkreis und hat .keinen Effekt auf die Wirkung der übrigen Teile der Schaltung.

Es sollte bemerkt werden, daß die Eingangstransistoren 24 und 25 entweder laterale Transistoren oder Substrattransistoren sein

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können, aber Substrattransistoren werden bevorzugt, da das Signal in den Kollektorleitungen der Transistoren 24 und 25 nicht verwendet wird und ein Substrat-PNP-Transistor eine kleinere Fläche auf der Formanordnung eines monolithischen integrierten Schaltkreises benötigt. In ähnlicher Weise wird der Pinchwiderstand 27 verwendet, um die Formfläche möglichst wirtschaftlich zu gestalten, die für den Schaltkreis benötigt wird, und auch, weil der Pinchwiderstand leicht mit einem großen Widerstandswert hergestellt werden kann, wodurch ein hoher Gewinn für den Betrieb des Schaltkreises geschaffen wird.

Wenn der Vergleichsschaltkreis nur aus den Transistoren 11 und 12 ohne die Transistoren 24 und 25 besteht, würde eine sehr niedrige Gleichspannung, die den Eingängen der Schaltung zugeführt wird, ausreichen, einen der Transistoren 11 oder 12 in die Sättigung zu treiben, insbesondere, wenn eine niedrige Vergleichs schwelle an oder in der Nähe der Masse des Basis des Vergleichstransistors zugeführt wird. Mit der Verwendung der Darlington- oder der modifizierten Darlington-Verstärkeranordnung für den Schaltkreis wird die Basis des inneren Transistors, wie z.B. des Transistors 12, an ein Potential gelegt, das ein Vgg oder ein 0 oberhalb der Vergleichsspannung liegt, sogar dann, wenn die Vergleichsspannung am Massepotential liegt. Dies erlaubt dann, daß das Potential am Kollektor des Transistors mindestens ein 0 oberhalb des Massenpotentials (für eine minimale Einstellung des Abgriffs 33) liegt, was ausreicht, den Ausgangstransistor 29 leitend vorzuspannen oder zu treiben, ohne daß eine Sättigung des Transistors 12 auftritt. Ohne diese eine0-Spannung am Kollektor des Transistors 12 würde es schwierig sein, ein Gleichspannungssignal zu erhalten, das ausreicht, die Schwelle der V„_E des Ausgangstransistors 29 ohne Sättigung des PNP-Treibertransistors zu erreichen.

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Zusätzlich zur Schaffung dieses Vorteils der Veränderung der Sättigung der Transistoren 11 und 12 benötigen die Darlington-Anordnungen auch niedrigeren Eingangsstrom, da sie eine höhere Eingangsimpedanz den Eingängen gegenüber darstellen, die an die Basis der Transistoren 24 und 25 angeschlossen sind.

In Fig. 2 ist eine Schaltung gezeigt, die im wesentlichen die gleiche ist, wie sie in Fig. 1 gezeigt wurde, bei der aber'der Pinchwiderstand 27 durch einen zusätzlichen NPN-Transistor 5o ersetzt wurde. Der Kollektoremitterpfad des Transistors 5o ist über die Basisemitterverbindung des Transistors 29 angeschlossen und der Kollektor des Transistors 5o ist mit dem Kollektor des Transistors 12 in dem Differenzschaltkreis 1o verbunden. Anstatt den Kollektor des Transistors 11 direkt mit dem Massenverbindungsstück 22 zurückzuführen, ist zusätzlich eine Diode 51 zwischen dem Kollektor und dem Transistor 11 und dem Verbindungsstück 22 angeschlossen. Die Basis des Transistors 5o ist mit der Verbindung des Kollektors des Transistors 11 und der Diode 51 verbunden. Die Diode 51 und der Transistor 5o bilden dann einen Differenzial-zu-Einzelanschluß-Konverterschaltkreis, der verwendet werden kann, um den Gewinn der Schaltung gegenüber dem Gewinn zu verdoppeln, der unter Verwendung des Pinchwiderstandes 27 der Fig. 1 erhalten werden kann.

Wenn der Transistor 11 leitend und der Transistor 12 nicht leitend ist, wird ein 0-Potential über der Diode 51 gebildet. Diese spannt den Transistor 5o in eine Leitung vor, wodurch im wesentlichen Massepotential der Basis des Ausgangstransistors 29 zugeführt wird, wodurch dieser nichtleitend wird. Wenn der Transistor 11 nichtleitend ist und' der Transistor 12 leitend,

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ist der Transistor 5o nichtleitend. Auf diese Art arbeitet er im wesentlichen als ein offener Schaltkreis. Dies erlaubt die Zuführung des vollen Stromes von dem Kollektor des Transistors 12 zur Basis des Transistors 29, wenn dieser leitend wird.

Es ist zu bemerken, daß die in Fig. 1 und 2 gezeigten Schaltungen als sehr kleine Raumflächen hergestellt werden können, da in dem Schaltkreis sehr wenige Widerstände verwendet werden.

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Claims

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Patentansprüche:

M .) Ein Differenzialvergleichsschaltkreis mit mindestens ersten und zweiten Transistoren (11 und 12) von gleichem Leitfähigkeitstyp und ersten und zweiten Spannungsversorgungsanschlüssen (16 und 22), wobei einer der Versorgungsanschlüsse für die Verbindung mit einem Gleichspannungsbetriebspotential und der andere der Versorgungsanschlüsse für die Verbindung mit einem Punkt eines Vergleichspotentials vorgesehen ist, wobei die Vergleichsschaltung gekennzeichnet ist durch erste Schaltmittel (13, 14-, 19), die den ersten Versorgungsanschluß mit den Emittern von den ersten und zweiten Transistoren verbinden; durch dritte und vierte Transistoren (24 und 25) .der gleichen Leitfähigkeitsart wie die des ersten und zweiten Transistors, wobei der Emitter des ersten und vierten Transistors mit der Basis des ersten bzw. zweiten Transistors verbunden ist; durch Impedanzvorrichtungen (27 oder 5o), die dem Kollektor des zweiten Transistors mit dem zweiten Versorgungsanschluß und weiteren Schaltvorrichtungen verbindet, die den Kollektor des ersten, dritten und vierten Transistors mit dem zweiten Versorgungsanschluß verbindet; und ersten und zweiten Eingangsvorrichtungen (42, 36 und 32, 33) zur Zuführung von ersten und zweiten EingangsSignalen zur Basis des dritten bzw. vierten Transistors.
2. Vergleichsschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanzvorrichtung und die weiteren Schaltvorrichtungen Halbleitervorrichtungen einschließen, einschließlich Impedanzmittel (51), die den Kollektor des ersten Transistors mit dem zweiten Versorgungsanschluß verbinden, und die aus einem fünften Transistor (5o) eines gegenteiligen

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Leitfähigkeitstyps zum Leitfähigkeitstyp des ersten, zweiten, dritten und vierten Transistors besteht, wobei der Kollektor der fünften Transistorvorrichtung mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist, wobei der Emitter der fünften Transistorvorrichtung mit dem zweiten Versorgungsanschluß verbunden ist, und wobei die Basen der fünften Transistorvorrichtung mit dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist.
3. Vergleichsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanzvorrichtung aus einer Diode (51) besteht, die zwischen dem Kollektor des ersten Transistors und dem zweiten Versorgungsanschluß angeschlossen ist.
4. Vergleichsschaltung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichsschaltung eine monolithische integrierte Schaltung ist, und daß der erste, zweite, dritte und vierte Transistor PNP-Transistoren sind, wobei mindestens der zweite Transistor ein lateraler PNP-Transistor ist, und wobei die fünfte Transistorvorrichtung ein NPN-Transistor ist.
Jp. Vergleichsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichsschaltung ein monolithischer integrierter Schaltkreis ist, und daß die Impedanzvorrichtung ein Pinchwiderstand (27) ist.
6. Vergleichsschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Transistor laterale PNP-Transistoren sind, und daß der dritte und vierte Transistor Substrat-PNP-Transistoren sind.

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7. Vergleichsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichsschaltung ein monolithischer integrierter Schaltkreis ist, und daß der erste, zweite,.dritte und vierte Transistor PNP-Transistören, sind, wobei mindestens der zweite Transistor ein lateraler PNP-Transistor ist, und daß die fünfte Transistorvorrichtung ein NPN-Transistor ist.
8. Vergleichsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein sechster Transistor (29) der gleichen Leitfähigkeitsart wie die der fünften Transistorvorrichtung ist, wobei die Basis des sechsten Transistors mit dem Kollektor der fünften Transistorvorrichtung verbunden ist, und wobei der Emitter des sechsten Transistors mit dem zweiten SpannungsVersorgungsanschluß, verbunden ist, und wobei der Kollektor des sechsten Transistors ein Ausgangsanschluß für den Vergleichsschaltkreis bildet.
9. Vergleichsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Versorgungsspannungsanschluß mit einer positiven Quelle eines Gleichspannungsbetriebspotentials verbunden werden kann, wobei die erste Schaltvorrichtung eine Strom-, quelle ist, wobei eine der ersten und zweiten Eingangsvorrichtungen ein Gleichspannungsbezugseingangssignal liefert und der andere der ersten und zweiten Eingangsvorrichtungen einen zeitveränderlichen Eingangssignalpegel liefert.

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