DE2200580B2 - Differenz verstärker-Verg lei ch sschaltkreis - Google Patents
Differenz verstärker-Verg lei ch sschaltkreisInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen DifferenzverstärkerVergleichsschalrtreis
mit mindestens einem ersten und einem zweiten Transistor vom gleichen Leitfähigkeitstyp,
mit einem ersten und einem zweiten Spannungsversorgungsanschluß, wobei der erste mit einem
Gleichspannungsbetriebspotential und der zweite mil einem Bezugspotential verbunden ist mit einer Konstantstromquelle
zwischen den Emittern des ersten und zweiten Transistors und dem ersten Anschluß füi
das Gleichspannungsbetriebspotential und mit einem dritten und vierten Transistor vom Leitfähigkeitstyp
des ersten und zweiten Transistors, die dem ersten und zweiten Ti ansistor jeweils in Form einer Darlingtonschaltung
zugeordnet sind.
Derartige integrierte Differenzverstärkerschaltkreise
werden häufig benutzt, um eine Ausgangsanzeige darüber zu erhalten, welcher von zwei Eingangssignalpegeln
größer ist. Viele dieser bekannten Vergleichsschaltkreise, wie ζ B. der aus der USA.-Patentschrift
3 262066 bekannte Differenzverstärker-SchaUkreis, bei dem durch Rückkopplung eine möglichst große
Gleichtakt-Unterdrückung erreicht werden soll, arbeiten sowohl mit positiver als auch negativer odei
getrennter Leistungsversorgung und sind daher in dei Lage, Eingangssignale zu vergleichen, die größer,
kleiner oder gleich null Volt sind.
Ist jedoch nur eine einzige Spannungsversorgung vorhanden, z.B. eine B+-Leistungsversorgung, bei
der der negative Anschluß mit Masse verbunden ist, so führt die Verwendung üblicher monolithischer integrierter
Differenzverstärker-Schaltkreise mit NPN-Transistoren zu einem Vergleicher, der nicht in dei
Lage ist, einen Vergleich unterhalb des Pegels durchzuführen, der erforderlich ist, um die Basisemitterstrecken
der Vergleichstransistoren vorzuspannen Bei vielen Fahrzeugsteuersystemen und industrieller
Steuersystemen, die nur eine einzige B+-Leistungs-Versorgung verwenden, ist diese Begrenzung nach·
teilig, da die niedrigere Vergleichsschwelle von der Eigenschaften des Vergleichers selbst bestimmt wird
anstatt von dem niedrigsten möglichen Pegel, der vor den Vergleichereingängen angenommen werden kann
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine ver-
besserte monolithisch integrierte Differenzverstärker- ausgebaut sein kann. Die in den Fig. 1 und 2 gez^g
Vergleichsschaltung zu schaffen, die mit einer einzi- ten TeUe der Schaltung, die auf dem ^tegneruai
aen Stromversorgungsquelle betrieben werden kann Schaltkreis sich befinden und einen Teil davon D""f",
und den Vergleich von Eingangsspannungspegeln bis sind in gestrichelte Linien eingeschlossen wu.
herunter zu null Volt bzw. Massepotential erlaubt. 5 Schaltelemente außerhalb des integrierten bc^^eis>'
Diese Aufgabe wird erfindungf gemäß dadurch ge- chips in der Zeichnung außerhalb der gestricneiicu
löst daß eine Impedanz den Kollektor des zweiten Linien liegen. v„™i<M~h<;
Transistors mit dem zweiten Anschluß für das Be- In Fig. 1 enthält die grundlegende Vergleiubs
7„ast)otential verbindet, wobei die Kollekten sn des schaltung einen Differenzverstärker 10 mi einem
Si dritten und vierten Transistors ebenfalls mit :o Paar lateraler PNP-Transistoren 11 und 12, deren
dem -weiten Anschluß für das Bezugspotential ver- Emitter zusammen über einen gemeinsamen /^
bunden sind, daß eine erste Eingangsschaltung der Schluß mit einem ersten KoU ektor " «ms1>°PP^
Basis des vierten Transistors ein erstes Eingangssignal kollektorstromquellentransistors 14 verbundenJ™£
und eine zweite Eingangsschaltung der Basis des der den Betriebsstrom fur die DifferenzverstarKer^
dritten Transistors ein zweites Eingangssignal zuführt, 15 transistoren 11 und 12 liefert bine e"^g
Sd daß ein Ausgangsschaltkreis mit dem Kollektor Leistungsquelle ist für den Vergleichs*haltkrc«auf
te zweiten Transistors verbunden ist. einem Verbindungsstück 16 vorgesehen, daß nut dem
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Er- Emitter des Transistors 14 über einen WiderstandIIV
findung verbindet eine Diode den Kollektor des '^d außerdem mit eüiem Spaimungsteuer verbunden
ersten Transistors mit dem zweiten Anschluß für das 20 ist, der ein Paar Dioden 17 und 18 n**™*» J*£
^potential, und der Kollektor eines fünften Serie mit einem Widerstand 20 zu_einea[Masawer
Siors vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp bindungsstuck22verbunden^ EtejtoJJJJ^
des ersten, zweiten, dritten und vierten Transistors ist transistor 14 ist ein lateraler PNf-I rans>sw£ " . .
nut dem Kollektor des zweiten Transistors verbun- in der Schaltung verwendet, um den
<J« V«geichs
S hl fühten Strom ™^™™*g£2
em Kollektor des zweiten Transistors verbun in der Schag
wobei der Emitter des fünften Transistors mn ,5 schaltung zugeführten Strom
zweiten Anschluß für das Bezugspotential und stant und unabhängig von V«
Se Basis des fünften Transistors mit dem Kollektor nung zu machen die ™ f// ^^?
ies ersten Transistors verbunden ist. Ein sechster gung dem Verbindung»^ckW n^ghrtj^·
Transistor vom Leitfähigkeitstyp des fünften Tran- Die Transistoren 11 un^ 1^ X^evveüs aie
i d Bi i d Kllkt C füf 3 gangstrans.storen des
Transistor vom Leitfähigkeitstyp des fünften Tran ^ X^
sistors ist mit der Basis mit dem Kollektor Ces fünf- 3= gangstrans.storen des P^^JiJSSttao-„
Transistors und mit dem Emitter mit dem zweiten kreises ems chheßhch^ggS™? den Bafen der
Anschluß für das Bezugspotential verbunden. Der sistoren 24 bzw. 25,^derenν^"«™^η^
Kollektor des sechsten Transistors bildet einen Aus- Transistoren 11 und 12 verbunden sma. in_u
St f d Vlihhlki Fig 1 &™Ρ™*\^™* JZS
echsten Transistors bit
für den Vergleichsschaltkreis. Fig. 1
rste Spannungsversorgungsanschluß kann mit 4» ^jgJ^SÄÄ ΑΪ
einem positiven Gleichspannungsbetnebspotential g^J11^ ^SiSSäck verbunden ist,
verbunden werden, während eme der ersten und zwei- 27 mit dem ^^f^Eistors 25 direkt mit
ten Eingangsschaltungen ein Gleichspannungs-Be- wahrend der Kollektor des ™sistors ^
zugseingingf signal und die andere Eingangsschaltung ^^^^aStT^S^vng^ von
einen zeitveränderlichen Eingangspegel liefert 45 ^.e Impedanz 27 erlauf^aB α g ^ S
Erfindungsgemäß wird damit ein vorteilhafter dem Kollektor des ™s»torajy™zeugte Poten-
monolithischer integrierter Vergleichsschaltkreis ge- ^^^^J^SS^SL·
Merkmale und Anwendung,
das
nSSe^rtle, Merkmale und Anwg ^^^S^^^^S
möglichkeiten der Erfindung ergeben sich aus den das de Basis des Transisto 8^ jJes Transislors25
beiHegenden Darstellungen von Ausführungsbe.spie- 55 J^ergcjitJJg^™ ^ Transistor 12 leitend
l i d folgenden Beschreibung Es zagt ^T^ZL id id Unter
beiHegenden Darstellungen on gp J^gjJJg^ ^ Transistor 12 leitend
len sowie aus der folgenden Beschreibung. Es zagt ^T^Z^mLtonn nichtleitend wird. Unter
F i g. 1 ein Schaltbild einer vorzugswe.sen Ausfuh- -^e^n^Eßt Strom durch den Tran-
in beiden Figuren gleiche oder gleichartige Bestand- 29 leitend wira. wenn auubivn»,.» .
teile. Es wird eine Vergleichsschaltung gezeigt, die als der Basis des Transistors 25 höher (positiver) ist als
monolithischer integrierter Schaltkreis aufgebaut ist, das Potential an der Basis des Transistors 24, wird
der aus einem einzelnen Chip oder Formstück gebil- 65 der Transistor 11 des Differenzverstärkers 10 leitend,
. ~ ·, .._._ „ko„q„ „„π ripr Transistor 12 ist nichtleitend. ™pr
Schaltkreise zur Durchführung weitere Funktionen nichtleitend.
<r
Zur Erläuterung sei angenommen, daß die Tran- fern, wenn das Vergleichspotential am Abgriff des
sistoren 25 und 12 des Vergleichsverstärkers die Be- Potentiometers 33 nach unten an null Volt oder an
zugstransistoren des Verstärkers bilden, wobei ein Massepotentia! liegt. Wenn der Abgriff des Poten-Gleichspannungsbezugspotential
der Basis des Tran- tiometers 33 an Massepotential liegt, ist das am Emitsistors
25 zugeführt wird. Eine Möglichkeit, dieses 5 ter des PNP-Transistors 25 erscheinende Potential
Vergleichspotential zu erhalten, ist die Verwendung gleich dem VBE Spannungsabfall, der über der Emiteines
Spannungsteilers, der aus einem Widerstand 31 terbasisverbindung des Transistors 25 entsteht, wobei
in Serie mit einem. Potentiometer 32 zwischen dem die Transistoren 12 und 25 leitend sind. Dies ermög-B
+ -Versorgungsanschluß und Masse gebildet wird. licht den Betrieb des inneren lateralen PNP-Tran-Ein
einstellbarer Abgriff 33 auf dem Potentiometer io sistors 12 an einer NullvoH-Kollektorbasisvorspan-32
ist mit der Basis des Transistors 25 verbunden, um nung, wodurch dann der Kollektor des Transistors 12
eine Veränderung des Gleichspannungspegels zu er- ebenfalls an der Spannung VBE liegt. Diese Spanlauben,
der der Basis des Transformators 25 in einem nung, bei der der Transistor 12 leitend ist, wird über
Bereich zugeführt wird, der sich von Mmsse bis zu die Impedanz 27 erzeugt und reicht aus, den Auseinem
Maximum erstreckt, das von dem relativen i« gangstransistor 29 in die Leitung zu treiben. Dabei ist
Widerstandswerten des Widerstandes 31 und des die rechte Seite oder die Bezugsseite der Vergleichs-Potentiometers
32 bestimmt wird. Wenn sich der Ab- schaltung einschließlich der Transistoren 12 und 25 in
griff 33 in seiner höchsten Stellung befindet, ist der der Lago, einen brauchbaren Ausgang über den
volle Widerstand des Potentiometers 32 zwischen Transistors 29 bei einer Bezugsspannung von null
dem Abgriff 33 und Masse angeschlossen. Der Wider- ao Volt zu liefern.
stand 31 liefert eine obere Grenze für das Potential, Wenn der Abgriff 33 des Potentiometers 32 in der
das der Basis des Transistors 25 zugeführt werden Nähe des Masseendes liegt, während die sich verkann,
wobei diese obere Grenze ein vorherbestimm- ändernde Signalspannung, die der Basis des Tranter
Wert ist, der niedriger als das dem Verbmdungs- sistors 24 auf der linken Seite der Verstärkerschalstück
16 zugeführte B+-Potential ist. Es sollte je- as tung zugeführt wird, die Vergleiohsspannung an dem
doch vermerkt werden, daß keine gleichartige Vor- Abgriff 33 übersteigt, schaltet der Differenzverstärker
sorge getroffen wurde, um eine untere Grenze zu er- 10 von einem Zustand, bei dem der Iransistor 11 leireichen,
und daß der Abgriff 33 direkt mit Masse tend ist. zu einem Zustand, bei dem der Transistor 12
verbunden werden kann, die der unterste Verbin- leitend ist. Während der Abgriff 33 des Potentiodungspunkt
am Potentiometer 32 ist, wie in den 3° meters 32 nach oben oder näher zur Verbindung des
Zeichnungen dargestellt. Potentiometers 32 mit dem Widerstand 31 bewegt
Eine Art der Zuführung von Eingangssignalen an wird, ist ein zunehmend höherer Eingangsspannungs-
die Basis des Transistors 24 auf der anderen Seite der signalpegel an der Basis des Transistors 24 notwen-
Vergleichsschaltung ist die Zuführung einer zeitver- dig, um ein Umschalten der Transistoren 11 und 12
anderlichen Spannung, die von der sich steigernden 35 von einem Zustand zu verursachen, bei dem der
Ladung gebildet wird, die in einem Speicherkonden- Transistor 11 leitend ist, zu einem Zustand, bei dem
sator 36 gespeichert wird, der zwischen der Basis des der Transistor 12 leitend ist.
Transistors 24 und Masse angeschlossen ist. Der Ep ist Vorsorge getroffen, den Verstärker durch
Ladestrom für den Kondensator 36 wird von einem Entladen der Kapazität 36 durch die Kollektoremitzweiten
Kollektor 37 eines PNP-Stromversorgungs- 40 terstrecke eines NPN-Emladetransistors 42 zurückzutransistors
14 erhalten, der einen vorherbestimmten stellen. Die Basis des Transistors 42 wird mit einem
Strom liefert, um die Kapazität 36 in einer vorherbe- positiven Rückstellimpuls versorgt, der von jeder gestimmten
Weise zu laden, wie durch die Kurvenform eigneten Quelle erhalten werden kann und der einem
39 angedeutet ist. Rückführungsverbindungsstück 44 über einen Kop-
Es sei angenommen, daß die Schaltkreistätigkeit 45 pelwiderstand 45 zugeführt wird. Der Transistor 42
bei völlig entladenem Kondensator 36 beginnt, so daß ist normalerweise nichtleitend, da die Basis dieses
das Potential an der Basis des Transistors 24 auf Transistors über einen Widerstand 46 mit dem masse-Massepotential
liegt. Während sich die Ladung in verbundenen Stück 22 verbunden ist. Bei Nichtanliedem
Kondensator in Übereinstimmung mit dem von gen eines postiven Rückstellimpulses an Verbindungsdem
Kollektor 37 des Stromversorgungstransistors 14 50 stück 44 arbeitet der Transistor 42 daher als offener
gelieferten Strom aufbaut, wird ein zunehmendes po- Schaltkreis und hat keinen Einfluß auf die Wirkung
sitives Potential der Basis des Transistors 24 züge- der übrigen Teile der Schaltung,
führt. Solange dieses Potential niedriger oder dem Es sollte bemerkt werden, daß die Eingangstran-Massepotential näher ist als das Vergleichspotential, sistoren 24 und 25 entweder laterale Transistoren das der Basis des Transistors 25 zugeführt wird, sind 55 oder Substrattransistoren sein können, aber Subdie Transistoren 11 und 24 leitend und die Transisto- strattransistoren werden bevorzugt, da das Signal in ren 25 und 12 nichtleitend. Daher ist der Ausgangs- den Kollektorleitungen der Transistoren 24 und 25 transistor 29 ebenfalls nichtleitend. Wenn das Poten- nicht verwendet wird und ein Substrat-PNP-Trantial an der Basis des Transistors 24 das der Basis sistoF eine kleinere Fläche auf der Formanordnung des Transistors 25 zugeführte Potential überschreitet 60 eines monolithischen integrierten Schaltkreises be- oder positiver ist, kehren sich diese Zustände um. Die nötigt. In ähnlicher Weise wird die Impedanz 27 verTransistoren 11 und 24 werden nichtleitend, während wendet, um die Formfläche möglichst wirtschaftlich die Transistoren 12 und 25 leitend werden, wodurch zu gestalten, die für den Schaltkreis benötigt wird, der Ausgangstransistor 29 leitet Dies ist die normale und auch, weil die Impedanz leicht mit einem großen Wirkungsweise eines Differenzverslärkers. 65 Widerstandswert hergestellt werden kann, wodurch
führt. Solange dieses Potential niedriger oder dem Es sollte bemerkt werden, daß die Eingangstran-Massepotential näher ist als das Vergleichspotential, sistoren 24 und 25 entweder laterale Transistoren das der Basis des Transistors 25 zugeführt wird, sind 55 oder Substrattransistoren sein können, aber Subdie Transistoren 11 und 24 leitend und die Transisto- strattransistoren werden bevorzugt, da das Signal in ren 25 und 12 nichtleitend. Daher ist der Ausgangs- den Kollektorleitungen der Transistoren 24 und 25 transistor 29 ebenfalls nichtleitend. Wenn das Poten- nicht verwendet wird und ein Substrat-PNP-Trantial an der Basis des Transistors 24 das der Basis sistoF eine kleinere Fläche auf der Formanordnung des Transistors 25 zugeführte Potential überschreitet 60 eines monolithischen integrierten Schaltkreises be- oder positiver ist, kehren sich diese Zustände um. Die nötigt. In ähnlicher Weise wird die Impedanz 27 verTransistoren 11 und 24 werden nichtleitend, während wendet, um die Formfläche möglichst wirtschaftlich die Transistoren 12 und 25 leitend werden, wodurch zu gestalten, die für den Schaltkreis benötigt wird, der Ausgangstransistor 29 leitet Dies ist die normale und auch, weil die Impedanz leicht mit einem großen Wirkungsweise eines Differenzverslärkers. 65 Widerstandswert hergestellt werden kann, wodurch
Bei den in den Zeichnungen dargestellten Schalt- ein hoher Gewinn für den Betrieb des Schaltkreises
kreisen ist der Vergleichsverstärker 10 jedoch in der geschaffen wird.
Lage, einen verläßlichen Ausgang sogar dann zn lie- Wenn der Vergleichsschaltkreis nur aus den Tran-
3951
w 8
sistoren 11 und 12 ohne die Transistoren 24 und 25 die Impedanz 27 durch einen NPN-Transistor 50 erbesteht,
würde eine sehr niedrige Gleichspannung, die setzt wurde. Die Kollektoremitterstrecke des Tranden
Eingängen der Schaltung zugeführt wird, aus- sistors50 ist über die Basisemitterverbindung des
reichen, den leitenden der Transistoren I]L oder 12 in Transistors 29 angeschlossen, und der Kollektor des
die Sättigung zu treiben, insbesondere, wenn eine nie- 5 Transistors 50 ist mit dem Kollektor des Transistors 12
drige Vergleichsschwelle von oder in der Nähe von in dem Differenzschaltkreis 10 verbunden. Anstatt
Masse der Basis des Vergleichstransistors zugeführt den Kollektor des Transistors 11 direkt zu dem
wird. Mit der Verwendung der Darlington- oder der Masseverbindungsstück 22 zurückzuführen, ist zumodifizierten
Darlington-Verstärkeranordnung für sätzlich eine Diode 51 zwischen dem Kollektor des
den Schaltkreis wird die Basis des inneren Tran- io Transistors 11 und dem Verbindungsstück 22 angesistors,
wie z. B. die des Transistors 12, an ein Po- schlossen. Die Basis des Transistors 50 ist mit der
tential gelegt, das um die Spannung VBE oberhalb der Verbindung des Kollektors des Transistors U und der
Vergleichsspannung liegt, sogar dann, wenn die Ver- Diode 51 verbunden. Die Diode 51 und der Transistor
gleichsspannung an Massepotential liegt. Dadurch 50 bilden dann einen Konverterschaltkreis, der verliegt
das Potential am Kollektor des Transistors 12 15 wendet werden kann, um den Gewinn der Schaltung
mindestens um die Spannung VBE oberhalb des gegenüber dem Gewinn zu verdoppeln, der unter Ver-Massepotentials
(für eine minimale Einstellung des Wendung der Impedanz 27 der F i g. 1 erhalten wird.
Abgriffs 33), was ausreicht, den Ausgangstransistor Wenn der Transistor 11 leitend und der Tran-29
in die Leitung zu treiben, ohne daß eine Sättigung sistor 12 nichtleitend ist, wird das Potential VBE über
des Transistors 12 auftritt. Ohne die Spannung VBE 20 die Diode 51 gebildet. Dies treibt den Transistor 50
am Kollektor des Transistors 12 würde es schwierig in die Leitung, wodurch im wesentlichen Massesein,
ein Gleichspannungssignal zu erhalten, das aus- potential der Basis des Ausgangstransistors 29 zugereicht,
die Schwelle der Spannung VBE des Aus- führt wird, wodurch dieser nichtleitend wird. Wenn
gangstransistors 29 ohne Sättigung des PNP-Treiber- der Transistor 11 nichtleitend ist und der Transistor
transistors zu erreichen. 25 12 leitend, ist der Transistor 50 nichtleitend. Auf
Zusätzlich zur Schaffung dieses Vorteils der Ver- diese Art arbeitet er im wesentlichen als offener
hinderung der Sättigung der Transistoren 11 und 12 Schaltkreis. Dadurch kann der volle Strom vom KoI-benötigen
die Darlington-Anordnungen auch einen lektor des Transistors 12 der Basis des Transistors
niedrigen Eingangsstrom, da sie eine hohe Eingangs- 29 zugeführt werden und diesen in die Leitung
impedanz gegenüber den Eingängen darstellen, die 30 treiben.
an die Basen der Transistoren 24 und 25 angeschlos- Es ist zu bemerken, daß die in F i g. 1 und 2 gesen
sind. zeigten Schaltungen in sehr kleinen Formflächen herin F i g. 2 ist eine Schaltung gezeigt, die im we- gestellt werden können, da in dem Schaltkreis sehi
sentlichen die gleiche ist wie in F i g. 1, bei der aber wenige Widerstände verwendet werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (8)
1. Differenzverstärker-Vergleichsschaltkreis mit mindestens einem ersten und einem zweiten Transistor
vom gleichen Leitfähigkeitstyp, mit einem ersten und einem zweiten Spannungsversorgungsanschluß,
wobei der erste mit einem Gleichspannungsbetriebspotential und der zweite mit einem
Bezugspotential verbunden ist, mit einer Konstantstromquelle zwischen den Emittern des
ersten und zweiten Transistors und dem ersten Anschluß für das Gleichspannungsbetriebspotential
und mit einem dritten und vierten Transistor vom Leitfähigkeitstyp des ersten und zweiten
Transistors, die dem ersten und zweiten Transistor jeweils in Form einer Darlingtonschaltung
zugeordnet sind, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Impedanz (27 oder 50) den Kollektor des zweiten Transistors (12) mit dem zweiten
Anschluß (22) für das Bezugspotential verbindet, wobei die Kollektoren des ersten (11), dritten (24)
und vierten (25) Transistors ebenfalls mit dem zweiten Anschluß (22) für das Bezugspotential
verbunden sind, daß eine erste Eingangsschaltung (32, 33) der Basis des vierten Transistors (25) ein
erstes Eingangssignal und eine zweite Eingangsschaltung (36) der Basis des dritten Transistors
(24) ein zweites Eingangssignal zuführt und daß ein Ausgangsschaltkreis (29, 30) mit dem Kollektor
des zweiten Transistors (12) verbunden ist.
2. Vergleichsschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Impedanz (51)
den Kollektor des ersten Transistors (11) mit dem zweiten Anschluß (22) für das Bezugspotential
verbindet und daß der Kollektor eines fünften Transistors (50) vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp
des ersten (11), zweiten (12\ dritten (24) und vierten (25) Transistors mit dem Kollektor
des zweiten Transistors (12) verbunden ist, wobei der Emitter des fünften Transistors (50) mit dem
zweiten Anschluß (22) für das Bezugspotential verbunden ist und wobei die Basis des fünften
Transistors (50) mit dem Kollektor des ersten Transistors (11) verbunden ist.
3. Vergleichsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanz aus
einer Diode (51) besteht, die zwischen dem KoI-lektor
des ersten Transistors (11) und dem zweiten Anschluß (22) für das Bezugspotential angeschlossen
ist.
4. Vergleichsschaltung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichsschaltung
ein monolithischer integrierter Schaltkreis ist, daß der erste (11), zweite (12), dritte (24) und
vierte (25) Transistor-PNP-Transistoren sind, wobei mindestens der zweite Transistor (12) ein
lateraler PNP-Transistor ist, und daß der fünfte Transistor (50) ein NPN-Transistor ist.
5. Vergleichsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichsschaltung
ein monolithischer integrierter Schaltkreis ist und daß die Impedanz ein Pinchwiderstand
(27) ist.
6. Vergleichsschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der erste (11) und
zweite (12) Transistor laterale PNP-Transistoren sind und daß der dritte (24) und vierte (25)
Transistor Substrat-PNP-Transistoren sind.
7· Vergleichsschaltung nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet) dilß der Ausgangsschaltkreis
einen sechsten Transistor (29) vom Leitfähigkeitstyp des fünften Transistors (50) aufweist,
wobei die Basis des sechsten Transistors (29) mit dem Kollektor des fünften Transistors
(50) und der Emitter des sechsten Transistors (29] mit dem zweiten Anschluß (2Z) für das Bezugspotential
verbunden ist, und der Kollektor des sechsten Transistors (29) einen Ausgangsanschlu£
für den Vergleichsschaltkreis bildet
8. Vergleichsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Spannungs-Versorgungsanschluß
(16) mit einem positiven Gleichspannungsbetriebspotential verbunden werden
kann und daß eine der ersten (32, 33) unc zweiten (36) Eingangsschaltungen ein Gleichspannungsbezugseingangssignal
liefert und die andere der ersten (32, 33) und zweiten (36) Eingangsschaltungen
einen zeitveränderlichen Eingangssignalpegel liefert.
Applications Claiming Priority (1)
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| GB (1) | GB1322450A (de) |
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