DE3620352A1 - Monolithisch integrierbare kommutierungsschaltung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Steuerschaltung zum Umschalten (Kommutieren) von induktiven Lasten sowie Transistoren. Insbesondere betrifft die Erfindung eine Hochleistungs-Kommutierungsschaltung, die monolithisch integrierbar ist und zum Steuern von induktiven Lasten in Hochgeschwindigkeits-Druckanlagen und in Kommutierungs- Versorgungseinrichtungen (die auch als Umschalt-oder Zerhacker-Versorgungsschaltungen bezeichnet werden) eingesetzt werden kann.

Solche Kommutierungsschaltungen besitzen im allgemeinen einen Endstufen-Leitungstransistor, der zwischen den zwei Polen eines Versorgungsspannungsgenerators in Reihe zu einer induktiven Last geschaltet ist und abwechselnd in einen Zustand hoher Spannung und niedrigen Stroms sowie einen Zustand niedriger Spannung und starken Stroms gebracht wird.

In dem ersten Zustand bildet der Transistor zwischen Emitter und Kollektor praktisch einen offenen Schaltkreis (Zustand "ausgeschaltet", "gesperrt" oder "aus"). Im zweiten Zustand bildet der Transistor praktisch einen Kurzschluß (Zustand "leitend" oder "ein"). In den beiden Zuständen wird also ein Stromfluß durch die induktive Last verhindert bzw. zugelassen.

Arbeitet der Transistor ähnlich wie ein idealer Unter­ brecher, so entspricht dem geschlossenen Unterbrecher der Sättigungszustand des Transistors, während dem geöffneten Unterbrecher der Sperrzustand des Transistors entspricht.

Die maximal mögliche Umschaltfrequenz des Endstufentransistors ist in diesem Fall beschränkt durch sich während der Übergangsphase vom Sättigungszustand in den Sperrzustand (Ausschalten) auswirkende Effekte der Ladungsspeicherung in der Basis, entstanden während des leitenden Zustands des Transistors. Ein Ausschaltvorgang setzt sich aus mehreren Phasen zusammen: In einer ersten Phase bleibt der Transistor im Sättigungszustand; in einer zweiten Phase, der "Quasi-Sättigung", beginnt die Kollektor- Emitter-Spannung zu steigen während der Kollektorstrom konstant bleibt; und in einer Endphase steigt die Kollek­ tor-Emitterspannung rasch an, während der Kollektorstrom auf Null sinkt.

Besonders in der Phase der "Quasi-Sättigung" entsteht im Transistor eine erhöhte Verlustleistung. Eine Reduzierung der Ausschaltgeschwindigkeit wäre daher vorteilhaft sowoh zur Erhöhung der maximal möglichen Umschalt­ frequenz als auch zur Verbesserung des Wirkungsgrades der Kommutierungsschaltung hinsichtlich des Energiever­ brauchs, wobei die Zeiten vermindert werden, in denen sich die Arbeitsweise des Endstufen-Leistungstransistors von der eines idealen Unterbrechers entfernt.

Wenn das Umschalten des Leistungs-Endtransistors schließ­ lich über einen angekoppelten zweiten Transistor ge­ steuert wird, so hängt die Arbeitsgeschwindigkeit der Schaltung auch von der maximalen Umschaltgeschwindigkeit dieses zweiten Transistors ab, welche ihrerseits von den bereits erwähnten Ladungs-Speichervorgängen in der Basis abhängt, insbesondere dann, wenn der Transistor beim Leiten in vollständiger Sättigung arbeitet.

In dem erwähnten Fall können die sich ergebenden Arbeits­ geschwindigkeits-Beschränkungen beachtlich sein, ins­ besondere bei monolithisch integrierten Kommutierungs­ schaltungen, die zum Ansteuern des Leistungs-Endtran­ sistors (der wegen der Integration bekanntlich im all­ gemeinen ein NPN-Transistor ist) einen PNP-Transistor aufweisen, auch wenn der Leistungstransistor im leiten­ den Zustand in der aktiven Zone seines Arbeitsfelds arbeitet, da die integrierten Transistoren vom PNP-Typ eine Ausschaltphase besitzen, die länger andauert als bei NPN-Transistoren.

Schaltungstechnische Lösungen zum raschen Ableiten der in einem Transistor gespeicher­ ten Ladungen beim Ausschaltvorgang des Transistors sind beispielsweise in den GB-Patentanmeldungen 20 53-606 und 15 60 354 beschrieben.

In der italienischen Patentanmeldung Nr. 25 054 A/81 der Anmelderin ist eine Schaltung beschrieben, die dazu dient, die Ausschaltzeit eines Leistungs-Endtransistors zu verkürzen, dessen Umschalten mit Hilfe eines weiteren, an seinen Steuereingang angeschlossenen Transistors gesteuert wird.

Um die maximal mögliche Umschaltfrequenz zu erhöhen und den Gesamtwirkungsgrad der Schaltung zu verbessern, ist an die Steueranschlüsse beider Transistoren eine Ladungs­ ableit-Schaltungseinrichtung angeschlossen, in der die Ableitung der Ladung nur innerhalb einer Zeitspanne ermöglicht wird, die mit dem Beginn des Ausschaltens der Transistoren anfängt, um Verzögerungen beim darauf­ folgenden Neu-Einschalten der Transistoren zu vermeiden. Bei diesem Betrieb vermeidet man auch einen unnützen Speisestrom-Verbrauch, indem man die Ladungsableit- Schaltungseinrichtung aktiv hält, wenn der Endtransistor bereits vollständig ausgeschaltet ist. Die Dauer der Freigabe-Zeitspanne, die nach Belieben voreinstellbar ist, bestimmt sich also unabhängig vom Zustand der beiden Kommutierungstransistoren.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine monolithisch integrierbare Kommutierungsschaltung zu schaffen, in der die Gesamtwirkung besser ist als bei den bekannten Kommutierungsschaltungen.

Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfindung gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert.

Die einzige Figur zeigt eine Schaltungsskizze einer erfindungsgemäßen Kommutierungsschaltung.

Die in der Figur dargestellte erfindungsgemäße Kommu­ tierungsschaltung enthält einen ersten NPN-Bipolartran­ sistor T 1, der den Endstufen-Transistor der Schaltung bildet und mit dessen Hilfe man das Umschalten einer Last steuern kann. Die Last besteht z. B. aus einer Induktivität oder einem weiteren Transistor.

Der Kollektor des Transistors T 1 ist an dem positiven Anschluß +V _CC einer Versorgungsspannungsquelle ange­ schlossen; der Emitter bildet den Ausgangsanschluß OUT, an den eine in der Figur nicht dargestellte Last angeschlossen wird.

Zwischen Basis und Emitter des Transistors T 1 ist ein Widerstand R 1 eingefügt. Ein zweiter Bipolartransistor T 2, bei dem es sich um einen PNP-Transistor handelt, ist mit seinem Emitter an den positiven Anschluß +V _CC und mit seinem Kollektor an die Basis des Transistors T 1 angeschlossen.

Die Basis des Transistors T 2 ist an eine Schaltungs­ anordnung angeschlossen, die in der Figur durch einen Bock C dargestellt ist. Diese Schaltungsanordnung dient zum Festlegen des Leitungszustands und des Sperrzustands des Transistors und ist in dem Fachmann bekannter Weise ausgebildet.

Die in der Figur dargestellte Schaltung enthält einen dritten und einen vierten Bipolar-Transistor T 3 bzw. T 4 , bei denen es sich in beiden Fällen um PNP- Transistoren handelt. Außerdem sind ein fünfter und ein sechster Bipolar-Transistor T 5 bzw. T 6 , beides NPN-Transistoren, vorgesehen.

Der Emitter des Transistors T 3 ist an den Emitter des Transistors T 2, und die Basis des Transistors T 3 ist an die Basis des Transistors T 2 angeschlossen.

Der Kollektor des Transistors T 3 ist an den Emitter des Transistors T 4 und an die Anode einer Diode D 4 ange­ schlossen, deren Kathode an die Basis des vierten Tran­ sistors T 4 und an den Emitter des Transistors T 1 ange­ schlossen ist.

Die Basis des Transistors T 5, gekennzeichnet durch die Buchstaben EN, ist an den Schaltungsblock C angeschlos­ sen, was in der Figur durch eine gestrichelte Linie ange­ deutet ist. Tatsächlich wird der Transistor T 5 im allgemeinen durch die Schaltungsanordnung C aktiviert, wenn diese das Sperren der Transistoren T 2 und T 1 bestimmt, wenngleich der Transistor auch vollständig unabhängig von der Schaltungsanordnung betrieben werden kann. Der Anschluß EN kann auch derart an die Schaltungsanordnung C ange­ schlossen sein, daß dieselben Steuersignale, die an diesen Anschluß gelegt werden, die Schaltungsanordnung selbst deaktivieren.

Der Emitter und der Kollektor des Transistors T 5 sind an den negativen Anschluß -V _CC der Speisespannungsquelle bzw. an den Emitter des Transistors T 6 angeschlossen.

Der Kollektor des Transistors T 4 ist einerseits an die Basis des Transistors T 6 angeschlossen, andererseits über einen Widerstand R 6 an den Kollektor des Transi­ stors T 5.

Eine erfindungsgemäße Kommutierungsschaltung enthält außerdem einen siebten Bipolartransistor T 7 und einen achten Bipolartransistor T 8,beides PNP-Transistoren, sowie einen neunten Bipolartransistor T 9, der ein NPN- Transistor ist. Die Basen von T 7 und T 8 sind gemeinsam an den Kollektor des Transistors T 6 sowie über einen Widerstand R 7 an den positiven Anschluß +V _CC der Ver­ sorgungsspannung angeschlossen.

Die Emitter von T 7 und T 8 sind zusammen an den positiven Anschluß +V _CC angeschlossen. Der Kollektor von T 7 ist an die Basen der Transistoren T 2 und T 3 angeschlossen. Der Kollektor des Transistors T 8 ist an die Basis von T 9 und an die Anode einer Diode D 9 angeschlossen, deren Kathode an den negativen Anschluß -V _CC angeschlossen ist. Auch der Emitter von T 9 ist an den negativen Pol -V _CC angeschlossen. Der Kollektor von T 9 ist an die Kathode einer Diode D 10 gekoppelt, deren Anode an den Kollektor von T 2 und an die Basis von T 1 angeschlossen ist.

Im folgenden soll die Funktionsweise der erfindungs­ gemäßen Kommutierungsschaltung, deren Aufbau in der Figur dargestellt ist, betrachtet werden.

Die Schaltung enthält eine Ladungsableit-Schaltungs­ einrichtung, bestehend aus dem Transistor T 7, dessen Kollektor an die Basen von T 2 und T 3 gekoppelt ist, und aus einer Stromspiegelschaltung, gebildet durch den Transistor T 8, die Diode D 9 und den Transistor T 9, dessen Kollektor über die Diode D 10 an die Basis von T 1 und den Kollektor von T 2 angeschlossen ist.

Wenn die Ladungsableit-Schaltungseinrichtung aktiviert ist, ermöglicht sie den raschen Abfluß der in den Tran­ sistoren T 1 und T 2 gespeicherten Ladungen und absorbiert darüber hinaus den gesamten Kollektorstrom des Tran­ sistors T 2. Bei dieser Betriebsweise geht das Ausschalten oder Sperren des Endstufen-Transistors T 1 sehr rasch von statten.

Die Diode D 10 hat die Aufgabe, einen eventuellen Rück­ strom des Kollektorstroms des Transistors T 9 zu ver­ hindern, wenn in einer induktiven Last beim Sperren des Transistors T eine elektromotorische Kraft induziert wird, welche das Emitter- und das Basis-Potential des Transistors T 1 unter das Potential am negativen Anschluß -V _CC absenkt. Die Ladungsableit-Schaltungseinrichtung wird über die Basen der Transistoren T 7 und T 8 aktiviert von einer Freigabeschaltung, die aus den Transistoren T 4, T 5, T 6, der Diode D 4 und deren Verschaltung gebildet wird. Diese Schaltung arbeitet wie ein logisches UND- Glied. Der Emitter des Transistors T 4, an den die Anode der Diode D 4 angeschlossen ist, bildet einen Eingangs­ anschluß für die Freigabeschaltung, während die Basis des Transistors T 5 einen Steueranschluß EN bildet. Der Kollektor des Transistors T 6 bildet den Ausgangsanschluß zum Aktivieren der Ladungsableit-Schaltungseinrichtung.

Die Freigabeschaltung aktiviert die Ladungsableit-Schal­ tungseinrichtung nur dann, wenn der Transistor T 3 leitet und gleichzeitig der Transistor T 5 über den Steueran­ schluß EN zum Leiten freigegeben wird. Wenn der Tran­ sistor T 5 nicht zum Leiten freigegeben ist, ist auch der Transistor T 6 gesperrt, so daß unter normalen Polari­ sations-Verhältnissen in keinem Fall ein Strom durch diesen Transistor fließen kann, wodurch mit Gewißheit sein eventuelles Leiten über den Transistor T 5 verhin­ dert wird. Der Transistor T 4 arbeitet hingegen als Diode zwischen seinem Emitter und seiner Basis. Deshalb besteht auch dann, wenn der Transistor T 3 leitet, nicht die geringste Gefahr, daß während des leitenden Zustands der Transistoren T 1 und T 2 die Ladungsableit-Schaltungsein­ richtung aktiviert wird, weil der Transistor T 5 von der Schaltungsanordnung C nur dann leitend gemacht wird, wenn die Schaltungsanordnung das Sperren der Transi­ storen T 2 und T 1 veranlaßt.

Zudem wird der Kollektorstrom des Transistors T 3 über die Diode D 4 und den Emitter-Basis-Übergang des Tran­ sistors T 4 wiederverwendet, um die an den Ausgangsan­ schluß der Schaltung angeschlossene Last zu steuern, so daß sich also keine Vergeudung von Speisestrom ergibt.

Wenn andererseits die Transistoren T 1 und T 2 im Sperr­ zustand sind und daher der Transistor T 3 von der Schal­ tungsanordnung C ausgeschaltet gehalten wird, werden die Transistoren T 4 und T 6 gesperrt, da ihren Basen kein Strom zugeführt wird. Auch wenn daher der Transistor T 5 möglicherweise zum Leiten veranlaßt wird, so kann durch diesen Transistor dennoch kein Strom fließen, und zwar aufgrund des Sperrzustands des Transistors T 6, so daß die Ladungsableit-Schaltungseinrichtung auch in diesem Fall sicher deaktiviert bleibt. Außerdem ergibt sich auch in diesem Fall kein Verbrauch von Speisestrom.

Wenn aber die Schaltungsanordnung C das Umschalten der Transistoren T 2 und T 1 vom leitenden in den sperrenden Zustand veranlaßt und gleichzeitig das Leitendwerden des Transistors T 5 über den Steuereingang EN freigegeben wird, während der Ausschaltvorgang des Transistors T 3, dem Transistor T 2 identisch ist, stattfindet, so liegen die Bedingungen vor, die die Aktivierung der Ladungs­ ableit-Schaltungseinrichtung bestimmen.

Die Transistoren T 5 und T 6 und mithin der Transistor T 4 können einen ununterbrochenen Stromfluß zulassen, wodurch, solange der Transistor T 3 leitet, sein Kollektorstrom über den Transistor T 4 zum Teil in die Basis des Transistors T 6 und zum Teil über den Widerstand R 6 in den Transistor T 5 fließt. Deshalb werden auch diese Transistoren T 5 und T 6 wirksam leitend und aktivieren auf diese Weise die gesamte Ladungsableit-Schaltungs­ einrichtung, an die sie angeschlossen sind. Kaum ist jedoch der Ausschaltvorgang abgeschlossen, so ist der Transistor T 2 sowie der an ihn angeschlossene Transistor T 3 vollständig ausgeschaltet, und die Transistoren T 4 und T 6, deren Basen nicht länger gespeist werden, hören auf zu leiten, und zwar unabhängig davon, ob der Tran­ sistor T 5 über den Steuereingang EN zum Leiten veranlaßt wird oder nicht.

Es wird also unmittelbar die gesamte Ladungsableit- Schaltungseinrichtung deaktiviert, und zwar bis zu einem neuen Ausschaltvorgang der Transistoren T 2 und T 1. Keines der aktiven Elemente bleibt eingeschaltet und könnte deshalb Speisestrom verbrauchen.

Da der Transistor T 2, der ein PNP-Transistor ist, typi­ scherweise eine Ausschaltzeit hat, die größer ist als diejenige des Transistors T 1, der ein NPN-Transistor ist, wird die Dauer der Aktivierung der Ladungsableit- Schaltungseinrichtung, welche genau von dem Ausschalt­ vorgang des Transistors T 2 abhängt, optimiert. Überdies sind die Transistoren T 2 und T 1, nachdem sie einmal vollständig ausgeschaltet sind und die Tätigkeit der Ladungsableit-Schaltungseinrichtung unterbrochen ist, in dem optimalen Zustand für ein sehr rasches erneutes Ein­ schalten was beispielsweise mit Hilfe von Schaltungsein­ richtungen erreicht wird, wie sie in der DE-OS 35 39 379 der Anmelderin beschrieben sind. Diese Schaltungseinrichtungen können in der Kommu­ tierungsschaltung enthalten sein.

Aus der obigen Beschreibung ergibt sich, daß die erfin­ dungsgemäße Kommutierungsschaltung eine maximale Kommu­ tierungsgeschwindigkeit erreicht, ohne daß irgendeine Vergeudung an Speisestrom in Kauf genommen werden muß, so daß man eine Gesamtwirkung der Schaltung er­ reicht, die diejenige der bislang bekannten Schaltungen weit übersteigt.

In gewissen Anwendungsfällen darf man nicht die Mög­ lichkeit übersehen, das Leiten des Transistors T 5 unab­ hängig zu machen von der Schaltungsanordnung C, was den Vorteil hat, den Endstufen-Transistor T 1 über den Steuer­ anschluß EN unabhängig von der Schaltungsanordnung C auf einen bevorzugten Ausschaltzustand einzustellen.

Abweichungen von der oben beschriebenen Ausführungsform sind im Rahmen der Erfindung möglich. Beispielsweise kann man die Basis des Transistors T 4 und die Kathode der Diode D 4 anstatt an den Emitter des Transistors T 1 auch über eine Zenerdiode an den negativen Anschluß -V _CC anschließen. Auch der Widerstand R 6 kann, anstatt zwi­ schen die Basis und den Emitter des Transistors T 6 ein­ gefügt zu werden, zwischen die Basis des Transistors T 6 und den negativen Anschluß -V _CC gelegt werden. Der Widerstand kann auch durch eine Diode ersetzt werden.

Claims (8)

1. Monolithisch integrierbare Kommutierungsschaltung, mit einem ersten Transistor (T 1), der einen ersten, einen zweiten und einen Steueranschluß aufweist, wobei der eine von dem ersten und dem zweiten Anschluß an einen ersten Anschluß (+V _CC ) einer Versorgungsspannungs­ quelle angeschlossen ist, während der andere Anschluß ein Ausgangsanschluß (OUT) der Schaltung zur Ankopplung an einen Last ist, und einem zweiten Transistor (T 2) von einem ersten Leitungstyp, der einen ersten, einen zwei­ ten und einen Steueranschluß besitzt, die an den ersten Anschluß (+V _CC ) der Versorgungsspannungsquelle, an den Steueranschluß des ersten Transistors (T 1) bzw. an eine Schalteinrichtung angeschlossen sind, die den leiten­ den und den sperrenden Zustand des zweiten Transistors (T 2) festlegt, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Transistor (T 3) des ersten Leitungstyps vorgesehen ist, der einen ersten, einen zweiten und einen Steueranschluß aufweist, von denen der erste Anschluß und der Steueranschluß an den ersten Anschluß bzw. an den Steueranschluß des zweiten Transistors (T 2) angeschlossen sind, daß eine Freigabeschaltung (T 4, T 5, T 6) mit einem an den zweiten Anschluß des dritten Tran­ sistors (T 3) angeschlosssenen Eingangsanschluß, einem Steueranschluß (EN) und einem Ausgangsanschluß vorge­ sehen ist, und daß eine Ladungsableit-Schaltungsein­ richtung (T 7, T 8, T 9) vorgesehen ist, die an die Steuer­ anschlüsse des ersten (T 1), des zweiten (T 2) und des dritten Transistors (T 3) angeschlossen ist und einen Aktivierungsanschluß besitzt, der an den Ausgangsan­ schluß der Freigabeschaltung (T 4, T 5, T 6) angeschlossen ist, welche die Ladungsableit-Schaltungseinrichtung (T 7, T 8, T 9) nur dann aktiviert, wenn gleichzeitig ein Steuer­ signal an ihren Steueranschluß (EN) gelegt wird und der dritte Transistor (T 3) leitet.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Freigabeschaltung einen vierten (T 4), einen fünften (T 5) und einen sechsten Transistor (T 6) auf­ weist, die jeweils einen ersten, einen zweiten und einen Steueranschluß besitzen, daß der vierte Transistor (T 4) ein Transistor des ersten Leitungstyps ist, daß der fünfte Transistor (T 5) und der sechste Transistor (T 6) Transistoren vom zweiten, dem ersten Leitungstyp ent­ gegengesetzten Leitungstyp sind, daß der ersten Anschluß des vierten Transistors (T 4), der Steueranschluß des fünften Transistors (T 5) und der zweite Anschluß des sechsten Transistors (T 6) der Eingangsanschluß, der Steueranschluß (EN) bzw. der Ausgangsanschluß der Frei­ gabeschaltung sind, daß der ersten Anschluß des fünften Transistors (T 5) an einen zweiten Anschluß (-V _CC ) der Versorgungsspannungsquelle angeschlossen ist, daß zwi­ schen den ersten Anschluß und den Steueranschluß des vierten Transistors (T 4) eine Diode (D 4) eingefügt ist, wobei der Steueranschluß des vierten Transistors (T 4) an den Ausgangsanschluß (OUT) der Kommutierungsschaltung gekoppelt ist, und daß der zweite Anschluß des vierten Transistors (T 4) an den Steueranschluß des sechsten Transistors (T 6) angeschlossen ist und über ein Wider­ standselement sowohl an den zweiten Anschluß des fünften Transistors (T 5) als auch an den ersten Anschluß des sechsten Transistors (T 6) gekoppelt ist.

3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Freigabeschaltung einen vierten (T 4), einen fünften (T 5) und einen sechsten Transistor (T 6) auf­ weist, die jeweils einen ersten, einen zweiten und einen Steueranschluß besitzen, daß der vierte Transistor (T 4) ein Transistor vom ersten Leitungstyp ist, daß der fünfte Transistor (T 5) und der sechste Transistor (T 6) Transistoren vom zweiten, dem ersten Leitungstyp ent­ gegengesetzten Leitungstyp sind, daß der ersten Anschluß des vierten Transistors (T 4), der Steueranschluß des fünften Transistors (T 5) und der zweite Anschluß des sechsten Transistors (T 6) der Eingangsanschluß, der Steueranschluß (EN) bzw. der Ausgangsanschluß der Frei­ gabeschaltung sind, daß der erste Anschluß des fünften Transistors (T 5) an einen zweiten Anschluß (-V _CC ) der Versorgungsspannungsquelle angeschlossen ist, daß zwi­ schen den ersten Anschluß und den Steueranschluß des vierten Transistors (T 4) eine erste Diode (D 4) eingefügt ist, daß der Steueranschluß des vierten Transistors (T 4) über eine Zenerdiode an den zweiten Anschluß (-V _CC ) der Versorgungsspannungsquelle angeschlossen ist, und daß der zweite Anschluß des vierten Transistors (T 4) an den Steueranschluß des sechsten Transistors (T 6) angeschlos­ sen ist und über ein Widerstandselement an den zweiten Anschluß des fünften Tranistors (T 5) und an den ersten Anschluß des sechsten Transistors (T 6) angekoppelt ist.

4. Schaltung nach einem der Ansprüche 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstandselement durch einen Widerstand (R 6) gebildet wird.

5. Schaltung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstandselement eine Diode ist.

6. Schaltung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsableit-Schaltungseinrichtung einen siebten (T 7), einen achten (T 8) und einen neunten Transistor (T 9) aufweist, die jeweils einen ersten, einen zweiten und einen Steueranschluß aufweisen, daß der siebte und der achte Transistor (T 7, T 8) Transistoren vom ersten Leitungstyp sind, während der neunte Transistor (T 9) ein Transistor vom zweiten Leitungstyp ist, daß die Steuer­ anschlüsse des siebten und des achten Transistors (T 7, T 8) zusammengeschaltet sind, um einen Aktivierungsan­ schluß der Ladungsableit-Schaltungseinrichtung zu bilden, daß die ersten Anschlüsse des siebten und des achten Transistors (T 7, T 8) an den ersten Anschluß (+V _CC ) der Versorgungsspannungsquelle angeschlossen sind, daß der erste Anschluß des neunten Transistors (T 9) an den zweiten Anschluß (-V _CC ) der Versorgungsspannungsquelle angeschlossen ist, daß der zweite Anschluß des siebten Transistors (T 7) an die Steueranschlüsse des zweiten und des dritten Transistors (T 2, T 3) angeschlossen ist, daß der zweite Anschluß des achten Transistors (T 8) an den Steueranschluß des neunten Transistors (T 9) sowie über eine zweite Diode (D 9) an den zweiten Anschluß (-V _CC ) der Versorgungsspannungsquelle angeschlossen ist, und daß der zweite Anschluß des neunten Transistors (T 9) über eine dritte Diode (D 10) an den Steueranschluß des ersten Transistors (T 1) angeschlossen ist.

7. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die in ihr enthaltenen Transistoren Bipolartran­ sistoren sind, und daß jeweils die ersten Anschlüsse die Emitter, die Steueranschlüsse die Basen und die zweiten Anschlüsse die Kollektoren der Transistoren sind.

8. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren der Schaltung Bipolartransistoren sind, daß der erste (T 1), der fünfte (T 5), der sechste (T 6 ) und der neunte Tran­ sistor (T 9) NPN-Transistoren sind, und daß der zweite (T 2), der dritte (T 3), der vierte (T 4), der siebte (T 7) und der achte Transistor (T 8) PNP-Transistoren sind.