DE3445167A1 - Totempoltransistor-ausgangsstufenschaltung - Google Patents
Totempoltransistor-ausgangsstufenschaltungInfo
- Publication number
- DE3445167A1 DE3445167A1 DE3445167A DE3445167A DE3445167A1 DE 3445167 A1 DE3445167 A1 DE 3445167A1 DE 3445167 A DE3445167 A DE 3445167A DE 3445167 A DE3445167 A DE 3445167A DE 3445167 A1 DE3445167 A1 DE 3445167A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- output
- conductive
- base
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3083—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type
- H03F3/3084—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type one of the power transistors being controlled by the output signal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Totempoltransitor-Ausgangsstufenschaltung.
Solche Schaltungen dienen zum Betreiben von Lasten, bei denen die Stufe entweder
als Stromquelle oder als Stromsenke dienen kann. Solche Stufen wirken in der Regel gleichzeitig als Stromquelle
und Stromsenke, so daß eine Stromspitze (Stromimpuls auftritt. Die Spitze wird bei den höheren Betriebsfrequenzen beträchtlich groß. Da eine solche Spitze kein
brauchbares Ausgangssignal ergibt, ist sie parasitär und hat nur einen Energieverlust zur Folge. Wenn die Spitze
übermäßig groß ist, kann die dabei auftretende Erhitzung für eine integrierte Schaltung (IC), in der die Stufe verwendet
ist, zerstörend wirken.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Totempoltransistor-Ausgangsstufenschaltung
zu schaffen, bei der die Stromspitzen äußerst klein gehalten werden.
Durch die Erfindung soll weiterhin erreicht.werden,
daß die Wirkung der Totempolschaltung als Stromquelle durch ihre Wirkung als Stromsenke beendet wird, so daß
diese beiden Funktionen nicht gleichzeitig auftreten können.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst. Die Ausgangsstufe verwendet ein
in Darlington-Schaltung angeordnetes Transistorenpaar
mit einem als Stromquelle wirkenden Eingang und wirkt somit als Stromquelle an einem Ausgangsanschluß. Ein mit
"ι dem Ausgangsanschluß verbundener Stromsenkentransistor
liefert die Stromsenkfähigkeit. Der Stromsenkentransistor
weist eine in Reihe mit seinem Kollektor geschal-
tete Diode auf, die so gepolt ist, daß sie den Senkstrom leitet. Eine zweite Diode ist zwischen der Basis des in
Darlington-Schaltung angeordneten Ausgangstransistors und dem Kollektor des Stromsenkentransistors angeordnet.
Eine dritte Diode ist von der Basis des in Darlington-Schaltung
angeordneten Treibertransistors aus zu dem Kollektor des Stromsenkentransistors hin geschaltet.
Da alle drei Dioden gemeinsam von dem Kollektor des Stromsenkentransistors aus betrieben werden, können
sie als Schaltelemente wirken, um die Stromquellenwirkung des in Darlington-Schaltung angeordneten Transistorenpaares
zu steuern. Da die drei Dioden nicht gleichzeitig leitend sein können, kann das in Darlington-Schaltung
angeordnete Transistorenpaar nicht leitend sein, solange der Stromsenkentransistor leitend ist; auf
diese Weise werden Stromspitzen vermieden.
Es kann gegebenenfalls eine vierte Diode zwischen dem Kollektor des Stromsenkentransistors und dem Eingang
eines Quellenfolgetreibers angeordnet sein, um die Sättigungscharakteristik des Stromsenkentransistors abzuflachen.
Im folgenden ist die Erfindung anhand der Zeichnung erläutert.
Fig. 1 und 2 zeigen Totempolausgangsstufenschaltungen
bekannter Art,
Fig. 3 veranschaulicht als Beispiel eine
Totempoltransistor-Ausgangsstufenschaltung gemäß der Erfindung.
COPY
: :" ""' 3U5167
Die Schaltung nach Fig. 1 wird von einer V -Energiequelle
betrieben, deren positiver Anschluß mit der Klemme 10 und deren negativer Anschluß mit der Klemme 11 verbunden
ist. Der Ausgangsanschluß 12 liefert ein invertiertes Signal auf das an dem Eingangsanschluß 13 angelegte
Signal. Beim Einschalten leitet der Transistor 14 den Strom aus dem Anschluß 12 nach Erde ab. Der Emitterfolgetransistor
15 treibt die Basis des Transistors 14. Die Schwelle des Leitungszustandes für den Transistor
beträgt 2 Vn„ an dem Anschluß 13. Wenn der Transistor
13 unten ist (d.h. unterhalb der Schwelle), zieht der Widerstand 16 die Basis des Transistors 14 nach unten und
schaltet ihn aus.
Die Transistoren 17 und 18 sind in Darlington-Schaltung
angeordnet, so daß sie Strom zu dem Anschluß 12 liefern. Wenn der Anschluß 13 unten und der Transistor 14
abgeschaltet ist, leitet die Stromquelle 19 zur Basis des Transistors 18, so daß das Darlington-Paar Strom zu dem
Anschluß 12 leitet und ihn hochzieht.
Wenn der Anschluß 13 hoch (d.h. oberhalb der Schwelle)
und der Transistor 14 eingeschaltet ist, so daß er als Stromsenke wirkt, wird der Transistor 20 gleichfalls
eingeschaltet, so daß die Basis des Transistors 18 nach unten gezogen und dadurch das Darlington-Paar abgeschaltet
wird. Praktisch leitet der Transistor 20 den Strom aus der Quelle 19 von der Basis des Transistors 18 weg. Wenn :
der Transistor 18 abgeschaltet ist, zieht der Widerstand [
28 die Basis des Transistors 17 zu dessen Emitter hin j
j und schaltet ihn dadurch aus. j
j BAD OrtiGJNAL C0PY :
Bei dieser Schaltung besteht die Schwierigkeit, daß wenn der Anschluß 13 sich im Zustand unten befindet, der
Transistor 17 in die Sättigung gehen kann. Dann kommt es, wenn der Anschluß 13 in den Zustand oben gelangt und der
Transistor 20 die Basis des Transistors 18 nach unten zieht, zu einer Abschaltverzögerung am Transistor 17 infolge
Minoritatstragerspeicherung. Da der übergang vom
Zustand unten zum Zustand oben den Transistor 14 einschaltet, entsteht ein leitender Stromweg über die Transistoren
14 und 17, wodurch sich eine Stromspitze ergibt. Diese Spitze hält an, bis der Transistor 17 tatsächlich ausgeschaltet
ist. Zu diesem Zeitpunkt leitet der Transistor 14 normalerweise Strom aus dem Anschluß 12 ab. Eine solche
Stromspitze ist rein parasitär und erzeugt lediglieh
Wärme, die für ein zugeordnetes IC-Plättchen problematisch sein kann.
Fig. 2 zeigt eine andere Ausgangsstufenschaltung bekannter
Art. Die verschiedenen Elemente arbeiten in der gleichen Weise wie bei Fig. 1 und es werden die gleichen
Anzahlen angewendet. Der Hauptunterschied liegt in der Einführung der Dioden 23 und 24 und in der Weglassung
des Transistor? 20. Wenn der Transistor 14 ausgeschaltet ist, wird keine der Dioden 23 oder 24 von Strom durchflossen.
Somit fließt der Strom der Quelle 19 in die Basis des j
Transistors 18 und schaltet dadurch diesen und den Tran- ■
sistor 17 ein. Bei diesem Zustand liefert die Schaltung ■
Strom zu dem Anschluß 12 und wirkt als Hochziehvorrichtung. I Es ist zu erkennen, daß in diesem Zustand die Diode 23 j
COPY
leicht vorwärts vorgespannt ist, keinen Strom führt. Wenn der Signalantrieb den Transistor 14 einschaltet, wird
die Diode 23 gleichfalls eingeschaltet, so daß die Schaltung Strom von dem Anschluß 12 abführt und als Niederziehvorrichtung
wirkt. Gleichzeitig wird die Diode 24 leitend und stiehlt oder entnimmt Basisstrom aus dem
Transistor 18, wodurch sie diesen ausschaltet. Während das Aufhören des Stromflusses in dem Transistor 18 die
Abschaltung des Transistors 17 bewirkt, entsteht eine Verzögerung infolge seiner gespeicherten Ladung. Dadurch werden
ein leitender Stromstoßweg und eine Stromspitze von dem Anschluß 10 zur Erde für die Dauer der Ladungsentfernungszeit
gebildet. Infolgedessen krankt die Schaltung nach Fig. 2 an demselben Nachteil wie diejenige von Fig.
Fig. 3 zeigt ein Schaltschema der Schaltung gemäß der Erfindung, dessen Bestandteile im wesentlichen die
gleichen sind wie bei Fig. 1 und 2, wobei die gleichen Anzahlen verwendet sind und diese grundsätzlich in derselben
Weise wirken. Wie ersichtlich, ist aber der Transitor 20 fortgelassen und es sind zwei Dioden mehr als
bei der Schaltung nach Fig. 2 vorhanden. Der Kollektor des Transistors 14 dient als gemeinsame Kathodenanschlußverbindung
für die Dioden 21 bis 26. Die Diode 23 ist zwischen den Ausgangsanschluß 12 und den Kollektor des
Transistors 14 geschaltet, während die Anoden der Dioden 24 bis 26 an die Basiselektroden der Transistoren 17 bzw.
18 bzw. 15 angeschlossen sind.
Die Diode 23 und der Transistor 17 können wegen
des Vorhandenseins der Diode 25 keinen Strom leiten. j
des Vorhandenseins der Diode 25 keinen Strom leiten. j
Voraussetzung für die Leitfähigkeit der Diode 23 und j
des Transistors 17 ist, daß die Anode der Diode 25 ■
um 2 νπτ, oberhalb von deren Kathode liegt. Da hier kein !
BiV I
größerer Spannungsabfall als 1 νητ, vorhanden sein kann, 1
ist eine gleichzeitige Leitfähigkeit ausgeschlossen. =
Wegen des Vorhandenseins der Diode 24 gilt das gleiche
für den Transistor 18 und die Diode 25. Sie können nicht *; gleichzeitig Strom führen.
für den Transistor 18 und die Diode 25. Sie können nicht *; gleichzeitig Strom führen.
Damit der Anschluß 12 einen Ausgangsstrom abgibt, werden
die Transistoren 18 und 17 in Abhängigkeit von der
Stromquelle 19 stromleitend und dann sind sämtliche Dioden
23 bis 25 nicht stromleitend. Wenn der Transistor 14
Stromquelle 19 stromleitend und dann sind sämtliche Dioden
23 bis 25 nicht stromleitend. Wenn der Transistor 14
stromleitend wird, wird sein Kollektor nach unten gezogen und schaltet dadurch die Dioden 23 bis 25 ein. Die
Diode 24 stiehlt oder entnimmt Basisstrom aus dem Transistor 18, die Diode 25 stiehlt oder entnimmt Basisstrom ; aus dem Transistor 17, und die Diode 23 wird stromleitend,
Diode 24 stiehlt oder entnimmt Basisstrom aus dem Transistor 18, die Diode 25 stiehlt oder entnimmt Basisstrom ; aus dem Transistor 17, und die Diode 23 wird stromleitend,
so daß der Transistor 14 Strom von der Ausgangsklemme
12 abführen kann. · )
Da die Diode 23 und der Transistor 17 nicht gleichzeitig Strom führen können, wie oben auseinandergesetzt, ι
kann keine Stromspitze auftreten. Ebenso ist keine gleich- ;
zeitige Stromleitung der Transistoren 14 und 17 möglich.
Die Diode 26 bezweckt das Weichmachen oder Abflachen
der Sättigungscharakteristik des Transistors 14. Wenn der
Signaleingang am Anschluß 13 den Transistor 14 in die
der Sättigungscharakteristik des Transistors 14. Wenn der
Signaleingang am Anschluß 13 den Transistor 14 in die
COPY
" 10"" ■"■' ■"' "" ""' 3Ά45 1
Sättigung (über den Transistor 15) zu zwingen sucht,
sobald die Spannung am Kollektor des Transistors 14 unter den Wert V abfällt, beginnt die Diode 26 Strom
zu führen. Dadurch wird die Basiselektrode des Transistors 15 nach unten gezogen und klemmt praktisch den
Eingangsanschluß 13 an den Spannungswert von etwa 2V„„
oberhalb des Erdpotentials. Da hierdurch eine Sättigung des Transistors 14 vermieden wird, weist die Schaltung
kein Sättigungsproblem beim Übergang der Eingangsspannung von oben nach unten auf.
Ein anderes,mit der vorbekannten Schaltung nach Fig. 1 verbundenes Problem,ist das sog. Zenern. Es sei
beispielsweise angenommen, daß eine Last mit ziemlich hoher Kapazität am Anschluß 12 angetrieben wird bzw.
angelegt ist. Wenn dieser Kondensator auf eine merkliche Spannung aufgeladen wird, sucht er oben zu bleiben, selbst
wenn der Ausgang nach unten geschaltet wird. Wenn der Anschluß 12 hochgehalten und der Transistor 20 eingeschaltet
ist, werden die Basis-Emitterübergänge der Transistoren 17 und 18 umgekehrt vorgespannt. In manchen Fällen
kann diese Vorspannung den Zenerpegel überschreiten und eine Stromleitfähigkeit aufgrund der umgekehrten Vorspannung
auftreten. Diese ist bei der Schaltung nach Fig. 3 ausgeschlossen.
Claims (3)
- Wdm/Wa {ANMELDER: NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION2900 Semiconductor Drive Santa Clara, Kalif. 95 051 (V.St.A.)BEZEICHNUNG: Totempoltransistor-Ausgangsstufen-schaltung.Patentansprüche :(yTotempoltransistor-Ausgangsstufenschaltung mit der Fähigkeit zur Abgabe und Ableitung von Ausgangsströmen einer Last mit Anschlüssen für den Signaleintritt und -austritt, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:ein erster und zweiter Energieanschluß für eine Betriebsenergiequelle,ein erster Ausgangstransistor, dessen Emitter mit dem Signalausgangsanschluß verbunden ist und dessen Kollektor mit dem ersten Energieanschluß verbunden ist, und der eine Basiselektrode aufweist,ein erster in Darlington-Schaltung angeordneter Treibertransistor, der zum Betreiben des ersten Ausgangstransistors dient und eine Basiselektrode aufweist,copy": '""' '"' 3U5167r:in zweiter Aursqangstran.s i r.tor, dessen Kollektor mit dem Ausgangsanschluß und dessen Emitter mit dem Energieanschluß verbunden ist, und der eine Basiselektrode aufweist,eine erste, in Reihe zwischen dem Kollektor des zweiten Ausgangstransistors und dem Ausgangsanschluß angeordnete Diode, welche so gepolt ist, daß sie leitend ist, wenn der zweite Ausgangstransistor leitend ist,eine zweite zwischen dem Kollektor des zweiten Ausgangstransistors und der Basis des ersten Ausgangstransitors geschaltete Diode, die so gepolt ist, daß sie leitend ist, wenn der zweite Ausgangstransistor leitend ist,eine dritte, zwischen dem Kollektor des zweiten Ausgangstransistors und der Basis des ersten Treibertransistors angeordnete Diode, die so gepolt ist, daß sie leitend ist, wenn der zweite Ausgangstransistor leitend ist, undeine zwischen dem ersten Anschluß der Energiequelle und der Basis des ersten Treibertransistors angeschlossene Konstantstromvorrichtung.
- 2. Totempoltransistor-Ausgangsstufenschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des zweiten Ausgangstransistors von einem als Emitterfolgeglied geschalteten zweiten Treibertransistor aus betrieben wird, dessen Basis mit dem Signaleingangsanschluß verbunden ist.ORIGINAL34Λ5167
- 3. Totempoltransistor-Ausgangsstufenschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine vierte Diode vorgesehen ist, die zwischen dem Kollektor des zweiten Ausgangstransistors und der Basis des zweiten Treibertransistors angeschlossen und so gepolt ist, daß sie leitend ist, wenn der zweite Ausgangstransitor leitend ist.copy
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/561,405 US4603268A (en) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | Totem pole output circuit with reduced current spikes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3445167A1 true DE3445167A1 (de) | 1985-06-27 |
DE3445167C2 DE3445167C2 (de) | 1993-08-12 |
Family
ID=24241825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3445167A Granted DE3445167A1 (de) | 1983-12-14 | 1984-12-11 | Totempoltransistor-ausgangsstufenschaltung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4603268A (de) |
JP (2) | JPS60153205A (de) |
DE (1) | DE3445167A1 (de) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1221009B (it) * | 1984-12-28 | 1990-06-21 | Sgs Ates Componenti Elettonici | Circuito di comando ad alto rendimento,integrato monoliticamente,per la commutazione di transistori |
FR2580444B1 (fr) * | 1985-04-16 | 1987-06-05 | Radiotechnique Compelec | Etage de commutation du type darlington notamment pour un decodeur de lignes d'une memoire |
US4791521A (en) * | 1987-04-07 | 1988-12-13 | Western Digital Corporation | Method and apparatus for reducing transient noise by premagnetization of parasitic inductance |
US4796853A (en) * | 1987-12-22 | 1989-01-10 | General Motors Corporation | Remotely configurable solenoid driver circuit for direct pressure electronic transmission control |
US5012136A (en) * | 1989-12-04 | 1991-04-30 | Motorola, Inc. | High speed ECL to CMOS translator having reduced power consumption |
US5075568A (en) * | 1991-01-22 | 1991-12-24 | Allegro Microsystems, Inc. | Switching bipolar driver circuit for inductive load |
JP3142018B2 (ja) * | 1992-03-12 | 2001-03-07 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 負荷駆動回路 |
US5343092A (en) * | 1992-04-27 | 1994-08-30 | International Business Machines Corporation | Self-biased feedback-controlled active pull-down signal switching |
US5469095A (en) * | 1994-06-27 | 1995-11-21 | Allegro Microsystems, Inc. | Bridge circuit for driving an inductive load with a shoot-through prevention circuit |
US5777496A (en) * | 1996-03-27 | 1998-07-07 | Aeg Schneider Automation, Inc. | Circuit for preventing more than one transistor from conducting |
US20060055437A1 (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-16 | Deere & Company, A Delaware Corporation | Driver circuit |
DE102008034324B4 (de) * | 2008-07-23 | 2013-01-31 | Nambition Gmbh | Verstärkerschaltung |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2249859B2 (de) * | 1972-07-11 | 1975-01-02 | Motorola, Inc., Franklin Park, Ill. (V.St.A.) | Integrierte Verstärkerschalung |
DE2356386B2 (de) * | 1972-11-13 | 1975-10-02 | Sony Corp., Tokio | Schaltungsanordnung zur Gleichspannungsregelverschiebung für Transistorversärker |
US4228371A (en) * | 1977-12-05 | 1980-10-14 | Rca Corporation | Logic circuit |
US4467226A (en) * | 1980-09-05 | 1984-08-21 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Darlington complementary circuit for preventing zero crossover distortion |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5132250A (de) * | 1974-09-13 | 1976-03-18 | Hitachi Ltd | |
JPS52102660A (en) * | 1976-02-24 | 1977-08-29 | Hitachi Ltd | Transistor output circuit |
JPS55128909A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-06 | Toshiba Corp | Amplifying circuit |
-
1983
- 1983-12-14 US US06/561,405 patent/US4603268A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-12-11 DE DE3445167A patent/DE3445167A1/de active Granted
- 1984-12-14 JP JP59264380A patent/JPS60153205A/ja active Pending
-
1994
- 1994-08-15 JP JP010053U patent/JPH0720720U/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2249859B2 (de) * | 1972-07-11 | 1975-01-02 | Motorola, Inc., Franklin Park, Ill. (V.St.A.) | Integrierte Verstärkerschalung |
DE2356386B2 (de) * | 1972-11-13 | 1975-10-02 | Sony Corp., Tokio | Schaltungsanordnung zur Gleichspannungsregelverschiebung für Transistorversärker |
US4228371A (en) * | 1977-12-05 | 1980-10-14 | Rca Corporation | Logic circuit |
US4467226A (en) * | 1980-09-05 | 1984-08-21 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Darlington complementary circuit for preventing zero crossover distortion |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
National Semiconductor Corporation, Inter- face Databook, 1986, S.1-11 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3445167C2 (de) | 1993-08-12 |
US4603268A (en) | 1986-07-29 |
JPS60153205A (ja) | 1985-08-12 |
JPH0720720U (ja) | 1995-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0108283B1 (de) | Elektronischer Schalter | |
EP0665634B1 (de) | Schaltungsanordnung mit einem Feldeffekttransistor | |
DE10046668B4 (de) | Elektrische Lastansteuerungsschaltung mit Schutzeinrichtung | |
DE112017006120T5 (de) | Bootstrap-kondensator-überspannungs-überwachungsschaltung für wandler auf gan-transistorbasis | |
DE69025491T2 (de) | Photokopplerapparat zur Verkürzung der Schaltzeiten der Ausgangskontakte | |
DE19525237A1 (de) | Pegelschieberschaltung | |
DE2252130C2 (de) | Monolithisch integrierte Schmitt-Trigger-Schaltung aus Isolierschicht-Feldeffekttransistoren | |
EP1783910B1 (de) | Schaltungsanordnung und ein Verfahren zur galvanisch getrennten Ansteuerung eines Halbleiterschalters | |
DE3126525A1 (de) | "spannungsgesteuerter halbleiterschalter und damit versehene spannungswandlerschaltung" | |
DE69307368T2 (de) | Treiberschaltung zur Stromsenkung für zwei Spannungsquellen | |
DE3026040A1 (de) | Schalter mit in serie geschalteten mos-fet | |
DE3838962C2 (de) | ||
DE2752473A1 (de) | Gegentakt-treiberschaltung | |
DE1588247A1 (de) | Impulsbreitenmoduliertes Schalt-Servoverstaerkersystem | |
DE3018501A1 (de) | Schalter mit einem als source-folger betriebenen mis-pet | |
DE102004057486A1 (de) | Leistungsvorrichtung mit bidirektionaler Pegelverschiebungsschaltung | |
DE3445167C2 (de) | ||
DE2639233A1 (de) | Einrichtung zur steuerung eines elektromagneten | |
EP0236967A1 (de) | Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines mit sourceseitiger Last verbundenen Mosfet | |
DE69611858T2 (de) | Schalter- und Stromversorgungsmodule unter Verwendung von Thyristoren | |
DE1952576A1 (de) | Schaltvorrichtung fuer einen Lastkreis | |
DE69532423T2 (de) | Gatetreiberschaltung zur Steuerung eines Halbleiterbauelements | |
DE69226004T2 (de) | Bootstrapschaltung zum Treiben von einem Leistungs-MOS-Transistor in einem Erhöhungsmode | |
DE1613705A1 (de) | Energieantriebsstromkreis | |
DE4421249A1 (de) | Schaltstromversorgungsgerät mit Snubber-Schaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: RICHTER, J., DIPL.-ING., 1000 BERLIN GERBAULET, H. |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |