DE3217345A1 - Verfahren zum zusammenbauen einer halbleiteranordnung und des schutzgehaeuses derselben - Google Patents

Verfahren zum zusammenbauen einer halbleiteranordnung und des schutzgehaeuses derselben

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DE3217345A1 DE19823217345 DE3217345A DE3217345A1 DE 3217345 A1 DE3217345 A1 DE 3217345A1 DE 19823217345 DE19823217345 DE 19823217345 DE 3217345 A DE3217345 A DE 3217345A DE 3217345 A1 DE3217345 A1 DE 3217345A1
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NL (1) NL186206C (OSRAM)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3609458A1 (de) * 1985-03-23 1986-10-02 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Halbleitervorrichtung mit parallel geschalteten selbstabschalt-halbleiterbauelementen
US5310701A (en) * 1992-01-24 1994-05-10 Eupec Europaeische Gesellschaft fur Leistungshalbleiter mbH&Co Method for fixing semiconductor bodies on a substrate using wires

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS617647A (ja) * 1984-06-21 1986-01-14 Toshiba Corp 回路基板
JP2712461B2 (ja) * 1988-12-27 1998-02-10 日本電気株式会社 半導体装置の容器
DE3931634A1 (de) * 1989-09-22 1991-04-04 Telefunken Electronic Gmbh Halbleiterbauelement

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3340602A (en) * 1965-02-01 1967-09-12 Philco Ford Corp Process for sealing
DE1564815A1 (de) * 1966-08-27 1970-02-26 Standard Elek K Lorenz Ag Verfahren zum Einbau von Halbleiteranordnungen in miniaturisierte Schaltungen
DE2252830A1 (de) * 1971-10-30 1973-05-30 Nippon Electric Co Halbleiterbaugruppe und verfahren zu ihrer herstellung
DE2352357A1 (de) * 1972-11-03 1974-05-16 Motorola Inc Halbleitergehaeuse
DE3029123A1 (de) * 1979-08-01 1981-02-19 Hitachi Ltd Kunststoffgekapselte halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3515952A (en) * 1965-02-17 1970-06-02 Motorola Inc Mounting structure for high power transistors
FR1468122A (fr) * 1965-02-17 1967-02-03 Motorola Inc Boîtier pour semi-conducteurs
US3641398A (en) * 1970-09-23 1972-02-08 Rca Corp High-frequency semiconductor device
JPS5272170A (en) * 1975-12-12 1977-06-16 Nec Corp Package for semiconductor elements

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3340602A (en) * 1965-02-01 1967-09-12 Philco Ford Corp Process for sealing
DE1564815A1 (de) * 1966-08-27 1970-02-26 Standard Elek K Lorenz Ag Verfahren zum Einbau von Halbleiteranordnungen in miniaturisierte Schaltungen
DE2252830A1 (de) * 1971-10-30 1973-05-30 Nippon Electric Co Halbleiterbaugruppe und verfahren zu ihrer herstellung
DE2352357A1 (de) * 1972-11-03 1974-05-16 Motorola Inc Halbleitergehaeuse
DE3029123A1 (de) * 1979-08-01 1981-02-19 Hitachi Ltd Kunststoffgekapselte halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3609458A1 (de) * 1985-03-23 1986-10-02 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Halbleitervorrichtung mit parallel geschalteten selbstabschalt-halbleiterbauelementen
US4884126A (en) * 1985-03-23 1989-11-28 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having parallel-connected, self turn-off type semiconductor elements
US5310701A (en) * 1992-01-24 1994-05-10 Eupec Europaeische Gesellschaft fur Leistungshalbleiter mbH&Co Method for fixing semiconductor bodies on a substrate using wires

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Publication number Publication date
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IT8221289A0 (it) 1982-05-14
GB2098801B (en) 1985-01-03
KR900002119B1 (ko) 1990-04-02
NL186206B (nl) 1990-05-01
DE3217345C2 (OSRAM) 1987-07-02
JPS57196549A (en) 1982-12-02
FR2506075A1 (fr) 1982-11-19
KR840000076A (ko) 1984-01-30

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