DE3150054A1 - Licht- oder strahlungsempfindliche polymerzusammensetzungen und ihre verwendung - Google Patents
Licht- oder strahlungsempfindliche polymerzusammensetzungen und ihre verwendungInfo
- Publication number
- DE3150054A1 DE3150054A1 DE19813150054 DE3150054A DE3150054A1 DE 3150054 A1 DE3150054 A1 DE 3150054A1 DE 19813150054 DE19813150054 DE 19813150054 DE 3150054 A DE3150054 A DE 3150054A DE 3150054 A1 DE3150054 A1 DE 3150054A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- compounds
- compositions according
- lower alkyl
- formula
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
- C08K5/0041—Optical brightening agents, organic pigments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/12—Nitrogen compound containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/12—Nitrogen compound containing
- Y10S430/121—Nitrogen in heterocyclic ring
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S522/00—Synthetic resins or natural rubbers -- part of the class 520 series
- Y10S522/904—Monomer or polymer contains initiating group
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft neuartige licht- oder strahlungsempfindliche Polymerzusammensetzungen, aus
denen sich hitzefeste Polymermaterialien herstellen lassen.
Als hitzebeständige licht- oder strählungsempfindliche
Materialien sind bereits licht- oder strahlungsempfindliche Polymerzusammensetzungen bekannt, die
durch Mischen eines Polymers mit Polyamidsäuren als Hauptbestandteil, die Polyimidvorläufer sind, mit
einer Aminverbindung, die mindestens eine C=C-Doppelbindung
und mindestens eine Aminogruppe oder ein quaternäres Salz davon enthält, die durch geeignete
Strahlung dimerisiert oder polymerisiert werden kann, erhältlich sind. Derartige Materialien besitzen jedoch
81-A6242-03-SF-Bk
nur eine niedrige Empfindlichkeit von einigen Hundert
bis einigen Tausend mJ/cm und erfordern eine entsprechend
lange Härtungszeit.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, neuartige licht- oder strahlungsempfindliche Polymerzusammensetzungen
anzugeben, die die oben erwähnten Nachteile nicht aufweisen, lagerstabil sind und entsprechend
industriell anwendbar sind sowie hohe Lichtoder Strahlungsempfindlichkeit besitzen.
Die Aufgabe wird anspruchsgemäß gelöst.
Die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen enthalten eine licht- oder strahlungsempfindliche Verbindung
mit einer Aminogruppe sowie einer aromatischen Azidgruppe oder aromatischen Sulfonylazidgruppe im
Molekül als Aminverbindung.
Die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen sind gekennzeichnet durch
(a) eine Polyamidsäure, die als Hauptbestandteil wiederkehrende Einheiten der Formel 1
CO-R1-CONH-R2-NH -4—
(COOM)n (1)
enthält, in der bedeuten:
R eine dreiwertige oder vierwertige organische Gruppe mit mindestens
2 C-Atomen T
R eine zweiwertige organische Gruppe
mit mindestens 2 C-Atomen, M H oder Ammonium
und
η 1 oder 2, .
η 1 oder 2, .
(b) eine oder mehrere licht- oder strahlungsempfindliche Verbindungen mit einer Aminogruppe sowie einer aromatischen
Azidgruppe oder einer aromatischen Sulfonylazidgruppe im Molekül
sowie gegebenenfalls
(c) einen oder mehrere Photosensibilisatoren und/oder Aminverbindungen mit mindestens einer ungesättigten
Bindung
und/oder
(d) eine oder mehrere Verbindungen mit mindestens zwei
ungesättigten Bindungen im Molekül.
Im folgenden werden die erfindungsgemäß verwendbaren
Materialien näher erläutert.
Die Komponente (a), dh die Polyamidsäure, die wiederkehrende Einheiten der Formel (1) als Hauptbestandteil
aufweist, kann durch Erhitzen oder Einwirkung eines geeigneten Katalysators in das ent"
-Mr-
sprechende Polyimid umgewandelt werden, das hohe Hitzefestigkeit aufweist.
Die Polyamidsäure, die als Hauptbestandteil wiederkehrende Einheiten der Formel (1) aufweist,
kann entweder ein Polymer mit wiederkehrenden Einheiten (1) allein oder ein Copolymer sein, das neben
den wiederkehrenden Einheiten (1) auch andere wiederkehrende Einheiten aufweist. Die Art der
anderen wiederkehrenden Einheiten in solchen Copolymeren unterliegt keiner Einschränkung, jedoch
werden vorzugsweise solche Einheiten ausgewählt, daß die Hitzefestigkeit des durch Hitzebehandlung
erhaltenen Polyimids nicht bedeutend herabgesetzt wird.
Die Hitzefestigkeit des Polyimids soll so gut sein, daß erzeugte Reliefbilder auch bei 1 h Erhitzen
des Polyimids in Stickstoffatmosphäre auf 250 bis 450 0C erhalten bleiben.
Die zur Copolymerisation herangezogenen wiederkehrenden Einheiten sind besonders bevorzugt, wenn
sie hitzefeste Polyimide ergeben; typische Beispiele hierfür sind etwa wiederkehrende Einheiten von Polyamidsäuren
und Polyesteramidsäuren, wie sie in der Publikation von Hara et al·, Present State and Tendency
of Heat Resistant High Polymers, Sekiyu Gakkai Shi V7 (1974) 110 - 120) angegeben sind; die Erfindung ist
jedoch nicht auf die Verwendung solcher wiederkehrenden Einheiten beschränkt.
IU
In der obigen Formel (1) bedeutet R eine drei- oder vierwertige Gruppe mit mindestens 2 C-Atomen
und ist im Hinblick auf die Hitzefestigkeit des Polyimids vorzugsweise ein aromatischer Ring oder
ein heteroaromatischer Ring.
Konkrete Beispiele für R sind etwa
wobei die Bindungsstriche jeweils die Bindung mit der
Carbonylgruppe der Polymerhauptkette bezeichnen und sich die Carboxylgruppe in einer o-Stellung zu diesen
Bindungen befindet. R1 ist allerdings nicht auf die oben angeführten Gruppen beschränkt.
Die Polyamidsäure mit wiederkehrenden Einheiten der Formel (1) kann ein Copolymer sein, bei dem
R zwei oder mehr der obigen Gruppen umfaßt. Besonders
bevorzugte Gruppen sind _/q\_ und
R stellt eine zweiwertige organische Gruppe mit mindestens 2 C-Atomen dar und ist im Hinblick
auf die Hitzefestigkeit des aus der Polyamidsäure
resultierenden Polyimide vorzugsweise ein aromatischer
Ring oder ein heteroaromatisGher Ring.
Konkrete Beispiele für R2 sind etwa -/q\-, -/θ) ,
CH.
CH.
-CH2CH2CH2-Si - 0 - Si - CH2CH2CH2-
2CH2CH2
2CH2CH2
CH.
CH.
CH.
CH-
CF
CF
R ist allerdings nicht auf die oben beispielhaft angeführten Gruppen beschränkt. Die Polyamidsäure mit
den wiederkehrenden Einheiten der Formel (1) kann auch ein Copolymer sein, bei dem R zwei oder mehrere der oben an-
1 ο
gegebenen Gruppen umfaßt, wobei R und R zwei oder mehrere der obigen Gruppen sein können. Diese Gruppen können
ferner einen oder mehrere Substituenten wie beispiels-
weise Aminogruppen, Amidgruppen, Carboxylgruppen, Sulfonsäuregruppen, Sulfonamidgruppen odgl aufweisen,
sofern diese Gruppen die Hitzefestigkeit des Polyimids nicht nachteilig beeinflussen.
Als Polyamidsäure mit den wiederkehrenden Einheiten der obigen Formel (1) als Hauptbestandteil
werden vorzugsweise zB solche Verbindungen verwendet, die abgeleitet sind von Pyromellitsäuredianhydrid
und 4,4'-Diaminodiphenyläther; Pyromellitsäuredianhydrid,
3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid
und 4,4'-Diaminodiphenyläther;
Pyromellitsäuredianhydrid, 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid,
4,4'-Diaminodiphenyläther und 4,4'-Diaminodiphenylather-3-carbonamid;
Pyromellitsäuredianhydrid, 3,3'.4.4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid,4,4'-Diaminodiphenyläther,
4,4'-Diaminodiphenylather-3-carbonamid und
Bis(3-Aminopropyl)tetramethyldisiloxan; Pyromellitsäuredianhydrid,
3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid,
4,4'-Diaminodiphenyläther und Bis(3· aminopropyl)tetramethyldisiloxan udgl.
Noch bevorzugtere Beispiele für Polyamidsäuren mit wiederkehrenden Einheiten der obigen Formel (1)
sind
- yr-
HOOC
COOH
HOOC
OH
COOH
HO
HOOC
OH
C-N
COOH
CONHo
und
HO C /7Λ /"Λ I 'I "
HOOC COOH
CH.,
CH.,
HOOC
-Sl-CH2CH2CH2-N-
der
Die Polyamidsäure mit/wiederkehrenden Einheit
Die Polyamidsäure mit/wiederkehrenden Einheit
der obigen Formel (1) kann üblicherweise durch Umsetzung einer Diaminverbindung mit einer nahezu äquimolaren
Menge eines Säuredianhydrids hergestellt wer-
den, wie beispielsweise in den US-PSen 31 79 614
und 37 40 305 beschrieben ist. Als Lösungsmittel für diese Reaktion werden in diesen Fällen im Hinblick
auf die Löslichkeit der herzustellenden Polyamidsäure vorzugsweise polare Lösungsmittel verwendet,
wobei aprotische polare Lösungsmittel besonders geeignet sind.
Typische Beispiele für solche aprotischen polaren
Lösungsmittel sind etwa N-Methyl-2-pyrrolidon, N. N-Dimethylformamid,
N.N-Dimethy!acetamid, Dimethylsulfoxid,
Hexamethylphosphorsäuretriamid, N-Acetyl-
£ -caprolactam, 1 ,3-Dimethyl-2-imidazolidinon u.dgl.
Die Licht- oder Strahlungsempfindlichkeit der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen beruht auf der
Licht- oder Strahlungsempfindlichkeit der Komponente (b), dh der Verbindung mit einer Aminogruppe und
einer aromatischen Azidgruppe oder aromatischen Sulfonylazidgruppe im Molekül. Diese Verbindung bzw
Verbindungen können durch ionische Kombination der Aminogruppe der Komponente (b) mit der Carboxylgruppe
in der wiederkehrenden Einheit der Formel (1) in diese
Einheiten der Formel (1) eingeführt werden. Die
aromatische Azidgruppe sowie die aromatische Sulfonylazidgruppe besitzen eine relativ ausgezeichnete thermische
Stabilität und liefern bei Belichtung mit geeigneter Strahlung wie UV-Strahlung sowie Bestrahlung mit
Elektronenstrahlen, Röntgenstrahlen udgl als aktive Species Nitrene, die Dimerisation, Addition an Doppelbindungen,
Wasserstoffabspaltungsreaktionen udgl hervorrufen. Die licht- oder strahlungsempfindliche Ver-
bindung (b) wird bei Belichtung oder Anwendung entsprechender Strahlung in die wiederkehrenden Einheiten
der Formel (1) eingebaut und führt entsprechend aufgrund der oben erwähnten Reaktionen zu einer Vernetzung
der Polyamidsäure mit den wiederkehrenden Einheiten der Formel (1) als Hauptbestandteil, was
zu unterschiedlicher Löslichkeit der bestrahlten und der unbestrahlten Bereiche führt, wodurch wiederum
eine Bilderzeugung ermöglicht wird.
Hinsichtlich der Lichtempfindlichkeit sind solche Verbindungen bevorzugt, deren Empfindlichkeit
2
100 mJ/cm oder weniger, gemessen bei 365 nm unter
100 mJ/cm oder weniger, gemessen bei 365 nm unter
Verwendung einer 500-W-Xe-Hg-Lampe, beträgt, wobei
die Empfindlichkeit als diejenige Belichtungsdosis mit UV-Licht definiert ist, die zu einem Verhältnis
der nach der Entwicklung resultierenden Schichtdicke zur aufgebrachten Schichtdicke des Beschichtungsfilms
von 0,5 führt.
Zu den licht- oder afcrahlungsenipfindliehen Verbindungen
mit einer Aminogruppe sowie einer aromatischen Azidgruppe oder aromatischen Sulfonylazidgruppe im
Molekül gehören die Verbindungen der allgemeinen Formeln (2) bis (7), die allein oder in Kombination
von zwei oder mehreren verwendet werden können:
in der bedeuten:
X -N, oder -SO9N,.,
Y Alkylen mit vorzugsweise 1 bis 5 C-Atomen und
3 4 R , R und R unabhängig H oder niederes Alkyl;
(ÖVnrV
in der bedeuten:
X -N3 oder -SO3N3
und
3 4 R , R und R unabhängig H oder niederes Alkyl;
in der bedeuten:
X -N3 oder-SO2N3,
3 4 5
R , R und R unabhängig H oder niederes Alkyl
R , R und R unabhängig H oder niederes Alkyl
und
R6 0 0 H H 0 0 0
ti IM . I Il I Il
-0-C-, -C-M-, -N-C-, -C-CH=CH-, -CH=CH-C-,
-O- oder -C
X
X
Ok
R1
in der bedeuten:
X -N3 oder -SO3N3
und
7
R H oder niederes Alkyl;
R H oder niederes Alkyl;
in der bedeuten:
X -N3 oder -SO3N3,
5 1
R eine unter Nitro ,Halogenen, Wasserstoff,
R eine unter Nitro ,Halogenen, Wasserstoff,
niederen Alkylgruppen, niederen Alkoxygruppen und Cyano ausgewählte einwertige
Gruppe,
R H oder niederes Alkyl,
R eine unter H, Cyano, niederen Alkylgruppen und Halogenen ausgewählte einwertige Gruppe,
R eine zweiwertige organische Gruppe, die die ungesättigte Bindung mit der Aminogruppe verbindet,
beispielsweise
O OH
O OH
il Il I
-C-O-C H0 oder -C N-C H0 mit η ± 5,
η 2n η 2n '
4
R und R unabhängig H oder niederes Alkyl
R und R unabhängig H oder niederes Alkyl
und
m 1,2 oder 3;
m 1,2 oder 3;
X - Ar - R10 - NR3R^ m
ι ( ι) ι
R11
in der bedeuten:
Ar eine unter aromatischen Ringen und heteroaromatischen Ringen ausgewählte aromatische
Gruppe,
X -N3 oder -SO3N3,
R eine unter Wasserstoff, niederem Alkyl, niederem Alkoxy, Nitro, Carboxyl, SuIfonsäuregruppen
und Halogenen ausgewählte einwertige Gruppe,
is-
R eine die Gruppe Ar mit dem N-Atom verbindende zweiwertige organische Gruppe
und
4
R und R unabhängig H oder niederes C-- bis C5-Alkyl;
R und R unabhängig H oder niederes C-- bis C5-Alkyl;
wobei Ar beispielsweise die Gruppen
rv
und
R beispielsweise Alkylengruppen, O O OH
Il ίο Il ι r>
"12 1 -C-O-R-, -C-R-, -C N-R, -0-R1 -,
-S-R12-, -SO9-R12, -S-R12- und -SO^-R12
1 2
umfassen, wobei R Alkylen oder eine zweiwertige Kohlenwasserstoffgruppe mit einer
ungesättigten C=C-Doppelbindung darstellt.
In den obigen Formeln (2) bis (7) wird unter einer niederen Alkylgruppe udgl verstanden, daß
die Anzahl der C-Atome vorzugsweise 1 bis 5 beträgt.
Von den Verbindungen der obigen Formeln (2) bis (7) sind die Verbindungen der allgemeinen Formeln (2),
(6) und (7) bevorzugt, wobei die Verbindungen der obigen allgemeinen Formeln (6) und (7) besonders bevorzugt sind, da aufgrund der Verschiebung des Wellenlängenbereichs
der Lichtempfindlichkeit zu einem Be<reich von Wellenlängen über 300 nm durch die Konjuga-
der
tion des aromatischen Rings mit/C=C-Doppelbindung bei den Verbindungen der obigen Formel (6) sowie durch Umwandlung des aromatischen Rings in einen konjugierten polycyclischen Ring bei den Verbindungen der obigen Formel (7) billige, aus Sodaglas oder Emulsionsbeschichtungen hergestellte Photomasken verwendbar sind.
tion des aromatischen Rings mit/C=C-Doppelbindung bei den Verbindungen der obigen Formel (6) sowie durch Umwandlung des aromatischen Rings in einen konjugierten polycyclischen Ring bei den Verbindungen der obigen Formel (7) billige, aus Sodaglas oder Emulsionsbeschichtungen hergestellte Photomasken verwendbar sind.
für
Konkrete Beispiele/diese Verbindungen sind etwa
Konkrete Beispiele/diese Verbindungen sind etwa
N.
\3
COOCH2CH2N(C5H5) 0, CO
N3SO2
Ό)—COOCH2NH2,
Zh ■
M.SO.
N3SO2 N3SO2
N3SO2
N3SO2
/— COOCH2N(CH3)2,
COOCH2CH2N(CH3)2,
N3SO2
N3SO2
)2,
N (C3H5)
CH3
CH.
-N(CH3)2, N3
CH. N3SO2 N3SO2
CH-
N3SO2
N3SO2 CH3 N3SO2
NH2,
CH
N (CH3) 2 ,
"CH-
Ή.
,, N3SO2
CH.
CH
- SfT-
3 ρ
O
C -CH=CH
;- CH=CH-(O Vn(CH-.),
3 Q
OH
I I
OH'
HO
I l
VN I l Ο)- N(CH3)2, (OV- N C-(^O^ N(CH3)
3 Q
1O)-C-O-(O)-N(CHO9,
N.
NH?J
N.
N(CH3)2,
N3SO2
N3S?2 0 H
O >- C- CH=CH-<
O y N ( CH3) 2,
N3SO2
Il
CH=CHC O
CH3
N(CH3)
CU2-ODy N(CH3) 2,
CH3 N3
N3SO2 CH3 H3C CH3
ON ,
N , ΓΟ V-CH=CHCOCH2CH2N(I
*3
!1 CH=CHCOCH2CH2N (C3H5)
CH=CHCNHCH2Ch9N(C2H5)
N3SO2
O )—CH=CHCOCH2CH2N(CH3)
* «I
nT TO)—CH=CHCOCH2CH2N( CH3).
CN
CH=C-COCH2CH2N(C
CN
qV-ch=ch-ch=chcoch2ch2n (CH3) 2,
ν
Y-\ Il
CO Υ-CH=CH-CH=CHCMHCH2CH2If ( CH ) ,
CH=CH-CH=CHCOCH2Ch2N(CH3)
N ( CH
CN
ii
O V- CH=CH-CH=CH-COCh2CH2CH2N(CH3)Ο;
II
CH=CH-CH=CH-COCH2CH2Ch2N(CH3)
Il
Q V- CH=Ch-CH=C-CNHCH2CH2N(CH3)2,
CN
COCH2 CHN(CH3) 2, N -/θ)—COOCH2CH2N(CH3) 0 ,
SO2CH2CH2N(CH3)
' N3"
N. N.
OJ
COOCH2CH2N(CH3)2
COOCH2CH2N(CH3.)
COCH2CH2N(CH3)2J N3SO2
und
N-
SO2CH2CH2N(CH3)
Von den Verbindungen der Formel (2) sind diejenierbindungen, bei denen R und R
gig C-H1- bedeuten, neue Verbindungen.
3 4 gen Verbindungen, bei denen R und R nicht unabhän-
Die Verbindungen der Formel (6) sind ebenfalls neue Verbindungen.
Die Verbindungen der allgemeinen Formeln (2) bzw (6) werden beispielsweise wie folgt synthetisiert:
Eine Carbonsäure mit einer aromatischen Azidgruppe wird zur Herstellung des entsprechenden Säurechlorids
mit einer aromatischen Azidgruppe mit Thionylchlorid umgesetzt, worauf das Säurechlorid
mit einem Dialkylaminoalkohol oder einem Dialkylaminoamin unter Erzeugung von Esterbindungen oder
Amidbindungen umgesetzt wird, wobei das Hydrochloric! des entsprechenden Dialky!amins entsteht. Diese Verbindung
wird anschließend mit einer wäßrigen Lösung eines Alkali wie NaOH, KOH odgl umgesetzt, wodurch
die Verbindungen der Formeln (2) bzw (6) erhalten werden.
Die licht- oder strahlungsempfindliche Verbindungen der Komponente (b) werden vorzugsweise in einer
Menge eingesetzt, die.dem.0,05- bis 5-fachen, günstigerweise
dem 0,05- bis 3-fachen, noch günstiger dem 0,4- bis 3-fachen und am günstigsten dem 0,4 bis 2-fachen
Äquivalent der gesamten COOM-Gruppen der wiederkehrenden Einheiten der Formel (1) entspricht.
Wenn die eingebrachte Menge außerhalb des oben
angegebenen weitesten Bereichs liegt, ist die Lichtoder Strahlungsempfindlichkeit verringert oder die
Entwickelbarkeit aus mehreren Gründen eingeschränkt. Wenn die eingebrachte prozentuale Menge besonders
hoch ist, ist die Hitzefestigkeit der nach der abschließenden Hitzebehandlung erhaltenen Polyimide
ungünstiger.
Die erfindungsgemäßen licht- oder strahlungsempfindlichen
Zusammensetzungen werden üblicherweise in Form eines Lacks angewandt, der durch Lösen
der Polyamidsäure (a) mit den wiederkehrenden Einheiten der Formel (1) als Hauptkomponente und der
Verbindung oder Verbindungen der obigen Komponente (b) in einem geeigneten organischen Lösungsmittel
hergestellt wird. Das in diesem Fall verwendete Lösungsmittel soll die Polyamidsäure mit den wiederkehrenden
Einheiten der Formel (1) sowie die Verbindung (b) zu lösen imstande sein. Aus diesem
Grund werden hauptsächlich und vorzugsweise polare Lösungsmittel und am bevorzugtesten aprotische polare
Lösungsmittel verwendet. Zu den polaren Lösungsmitteln gehören beispielsweise N-Methyl-2-pyrrolidon,
N-Acetyl-2-pyrrolidon, N.N-Dimethylformamid, N.N-Dimethylacetamid,
Dimethylsulfoxid, Hexamethylphosphorsäuretriamid, N-Acetyl-fr-caprolactam, Dimethylimidazolidinon
udgl. Diese Lösungsmittel können allein oder in Form von Gemischen verwendet werden.
Das Lösungsmittel wird vorzugsweise in einer Menge von mindestens 100 Gew.-Teilen und höchstens
10.000 Gew.-Teilen und noch bevorzugter in einer Menge von mindestens 200 und höchstens 5000 Gew.-Teilen, bezogen
auf 100 Gew.-Teile der Gesamtmenge der .Komponente (a), der Polyamidsäure mit wiederkehrenden Einheiten
der Formel (1), der licht- oder strahlungsempfindlichen
Verbindung (b) sowie der ggf verwendeten Komponenten (c) und (d), eingesetzt. Wenn die
Menge des Lösungsmittels zu groß oder zu klein ist, sind die Filmbildungseigenschaften ungünstiger.
Die erfindungsgemäßen licht- oder strahlungsempfindlichen Polymerzusammensetzungen können ferner
erforderlichenfalls neben der Polyamidsäure (a) mit wiederkehrenden Einheiten der Formel (1) als Hauptkomponente
sowie der Verbindung (b) noch ein oder mehrere ungesättigte Amine, Photosensibilisatoren,
Vernetzungshilfsmittel· sowie etwa Haftungsverbesserungsmittel· enthärten.
Die als Komponente (c) verwendbaren Photosensibilisatoren verbessern die Licht- oder Strahiungsempfindlichkeit
durch Erweiterung des lichtempfindiichen We^enlangenbereichs der lichtempfindlichen
Gruppe oder durch wirksame Übertragung von Strahlungsenergie auf die lichtempfindiiche Gruppierung. Die ungesättigten
Amine werden als Reaktionspartner der lichtempfindlichen Gruppen der von den lichtempfindlichen
Verbindungen verschiedenen Bestandteile eingebracht. Der Photosensibilisator sowie das ungesättigte
Amin können sowohl· a^ein ais auch in Kombination
eingesetzt werden.
Als Photosensibilisatoren eignen sich beispielsweise
Anthrachinon, 2-Methylanthrachinon, 2-Ethylanthrachinon,
Benzochinon, 1.2-Naphthochinon,
1.4-Naphthochinon, 1.2-Benzanthrachinon, Benzophenon,
p.p'-Dimethylbenzophenon, Michler's-Keton,
2-Nitrofluoren, 5-Nitroacetonaphthen, 4-Nitro-1-naphthylamin,
Anthron, 1.9-Benzanthron, Dibenzalaceton,
Benzoinäther, 4.4'-Bis(diethylamino)benzophenon,
Acridin, Cyanoacridin, Nitropyren, 1.8-Dinitropyren, Pyren-1,6-chinon, 9-Fluorenon,
Anthanthron, 2-Chlor-1.2-benzanthrachinon, 2-Brombenzanthrachinon,
2-Chlor-1.8-phthaloylnaphthalin
udgl.
Die Menge des ggf zugesetzten Photosensibilisators beträgt vorzugsweise mindestens 0,01 Gew.-%
und höchstens 10 Gew.-% und noch bevorzugter mindestens
1 Gew.-% und höchstens 10 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Komponenten (a), (b) und
Cc). Wenn die Menge des Photosensibilisators zu groß ist, ist die Entwickelbarkeit eingeschränkt
oder die Hitzefestigkeit der als Endprodukte resultierenden
Po Iy imide ungünstiger.
Typische Beispiele für haftungsverbessernde Mittel sind etwa organische Siliconverbindungen wie
Vinyltriethoxysilan, j'-Methacryloxypropyltrimethoxysilan,
3-Mercaptopropyltrimethoxysilan, ,jr-Glycidoxypropyltrimethoxysilan,
^-Aminopropyltriethoxysilan udgl sowie etwa Aluminiumchelatverbindungen wie AIuminiummonoethylacetoacetat-diisopropylat,
Aluminiumtris(ethylacetoacetat), Aluminiumtris(acetylacetat),
Aluminiumtris(ethylmalonat), Aluminiuradiethylacetoacetonat-monoisopropylat,
Aluminiumdiacetylacetonatmonoisopropylat, Aluminiummonomethylacetoacetat-di-
isopropylat, Aluminiumdimethylacetoacetat-monoisopropylat,
Aluminiumtris(methylacetoacetat), AIuminiummonopropylacetoacetat-diisopropylat,
Aluminiumdipropylacetoacetat-monoisopropylat udgl.
Beispiele für Aminverbindungen als Komponente (c) sind etwa ungesättigte Amine der Formel
in der bedeuten:
R14 H oder Methyl,
R H, niederes Alkyl oder Vinyl und
k 1/2 oder 3, wobei k + 1 = 3 ist,
Amine der Formel
fl7
.Rl6-CH=CCOORl8NR19R20
in der bedeuten:
R16 H oder Phenyl,
1 7
R H oder niederes Alkyl,
R H oder niederes Alkyl,
1 8
R eine unsubstituierte oder substituierte
R eine unsubstituierte oder substituierte
Kohlenwasserstoffgruppe
und
R und R unabhängig unsubstituiertes oder substituiertes niederes Alkyl,
sowie Amine der Formel
R21 —CpJ- CH=CH,
mit R = unsubstituiertes oder substituiertes niederes Alkyl.
Unter niederen Alkylgruppen werden hierbei Gruppen mit vorzugsweise 1 bis 5 C-Atomen verstanden.
Konkrete Beispiele für solche ungesättigten Amine sind
CH3
CH2=CHCH2NH2, CH2=C-CH2NH2, CH3CH=CHCH2NH2,
CH0 CH0
f3 I 3
CH3CH=C-CH2NH2, (CH3J2C=C-NH2, CH2=CHCH=CHCh2NH2
CH, 1 j
(CH0=CHCH9)7NH, (CH^CH=CHCH?)2NH, (CH2=
CH-
I :
(CH2=CHCH2)3N, (CH3CH=CHCH2)3N, (CHfC (
CH2=CH-
ι 3
PhCH=CHC00CH5CH,N(CH.)pj PhCH=CHCOOCH2CH2N(C
,. fOWc
H3C
=CHO und
H3C
Der Mengenanteil der obigen Amine beträgt üblicherweise
mindestens 0,05 und höchstens 2 mol, vorzugsweise mindestens
0,1 und höchstens 1 mol und noch bevorzugter mindestens 0,1 und höchstens 0,5 mol pro mol der licht- oder strahlungsempfindlichen
Verbindungen (b), wobei die Gesamtmenge der licht- oder strahlungsempfindlichen. Verbindungen (b) und
der obigen Aminverbindungen (c) höchstens der 3-fachen Äquivalentmenge
der COOM -Gruppen der Komponente (a) entspricht. Wenn der Mengenanteil außerhalb des obigen Bereichs liegt,
ist die Entwickelbarkeit eingeschränkt oder die Hitzefestigkeit des als Endprodukt resultierenden Polyimids ungünstiger.
Die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen können ferner erforderlichenfalls als Komponente (d) (außer den oben angegebenen
ungesättigten Aminen) eine oder mehrere Verbindungen mit mindestens zwei ungesättigten Bindungen im Molekül als Vernetzungshilfsmittel enthalten.
u
Beispiele für solche Verbindungen sind Verbindungen der Formel
0
CH2=CR22-CO(CH2CH2O)lcCCR22=CH2f
·"*>■ in der bedeuten:
R22 H oder Methyl,
und
k 1,2 oder 3,
k 1,2 oder 3,
Verbindungen der Formeln
0 ,23 "
(CH2=CRi;:5GOCH2)JlC(CH2OH)mJ
' 0 CR24C0CH2)3CR25,
c ο-
/ \ / CH2OCCR26*CH2
C C
CH2=CR26COCHp CHp-CHp CHD0.CCR26=CHo und
II c ά d * Ii
COOCH9CH2OCCR27=CH2
COOCH2CH2OCCR27=CH2 ,
worin bedeuten:
R23, R24, R26 und R27 unabhängig H oder Methyl,
25
R niederes Alkyl
R niederes Alkyl
und 1 2,3 oder 4, wobei 1 + m = 4 ist,
Verbindungen der Formeln
COOR
OR I
28
COOR
R28O
0R
CHCOOR
28 CHCOOR und
R28OOCCCH2
worin bedeuten: ,28
R CH2=CH-CH2-
und
ρ eine ganze Zahl von 1 bis 10,
sowie etwa Verbindungen der Formeln R29
/V
?H2 CH2 CH-COx
R29 ir i »29 « N-CH2-CHpOR^ und
R -N N-R * , CH-CO-^ ^ 2
N(CHoCH20R29)2,
29 H
mit R^^ = -C-CH=CH2.
mit R^^ = -C-CH=CH2.
Konkrete Beispiele für solche Verbindungen sind
CH2CH-COO(CH2CH2O)2COCH=CH2,
CH, . CH^
I 3 I 3
CH2=C-COO(CH2CH2O)2COc=CH2,
(CH2=CHCOOCH2)2C(CH2OH)2,
CH3
CH2=CCOOCH2 )3CC2H5<J
CH2=CCOOCH2 )3CC2H5<J
0 0 0
Il Il Il
CH2=CHCOCH2 ^C χ /CH2OCCH-CH2
C C
CH^=CHCOCh/ I I ^CH0OCCH=CH0
• 0
COCH2-CH=CH2
COCH0-CH=CH0 ,
Il 2 ζ
OCH2CH=CH2
COCH2-CH=CH2
NN
p-CH=CH0 , rc
0 CH2=CH-CH2O^ \^/ OCH2CH=CH2,
Il CH2=CH-CH2OC (CH2
CH-COv. ' Il
Il . N-CH„CHpOCCH=CHp CH-CO^ ά ά
Il . N-CH„CHpOCCH=CHp CH-CO^ ά ά
te
COCH=CH2
CH, CH9
I2I2
CH2
Als Trägermaterialien, auf die die erfindungsgemäßen
licht- oder strahlungsempfindlichen Polymerzusammensetzungen
aufgetragen werden, eignen sich beispielsweise Metalle, Glas, halbleitende isolierende
Metalloxide (beispielsweise TiO2, Ta3O5, SiO2 udgl),
Siliciumnitrid udgl.
Die erfindungsgemäßen licht- oder strahlungsempfindlichen
Polymerzusammensetzungen erlauben die Bildmusterherstellung nach üblichen Mikroverfahren,
bei denen beispielsweise UV-Bestrahlung angewandt wird.
Zur Beschichtung der oben angeführten Träger mit der licht- oder strahlungsempfindlichen Polymerzusammensetzung
können Drehbeschichtungsverfahren unter Verwendung eines Spinners, Eintauchverfahren,
Sprühverfahren, Druckverfahren und ähnliche Prozesse angewandt werden, die je nach dem beabsichtigten Verwendungszweck
in geeigneter Weise ausgewählt werden. Die Dicke des Beschichtungsfilms kann über das Beschichtungsverfahren,
den Feststoffgehalt sowie die Viskosität entsprechender Lacke kontrolliert werden.
150054
Die Beschichtungsfilme aus den erfindungsgemäßen
licht- oder strahlungsempfindlichen Polymerzusammensetzungen
auf den obigen Trägern werden bildmustermäßig belichbet, wonach die unbelichteten Bereiche
mit einer Entwicklerlösung aufgelöst und entfernt werden, wodurch ein erwünschtes Reliefbild erzielt
werden kann. Das hierzu verwendbare Licht ist nicht auf UV-Strahlung beschränkt, da auch sichtbares
Licht, Röntgenstrahlung, Elektronenstrahlen udgl herangezogen werden können.
Als Entwicklerlösung können aprotische polare Lösungsmittel wie N-Methyl-2-pyrrolidon, N,N-Dimethylformamid,
Ν,Ν-Dimethylacetamid, Dimethylsulfoxid,
Hexamethylphosphorsäuretriamid, Dimethylimidazolidinon,
N-Benzy1-2-pyrrolidon, N-Acetyl- &-caprolactam. udgl, die die erfindungsgemäßen
Polymerzusammensetzungen lösen, allein oder in Form von Mischlösungen mit Methanol, Ethanol, Isopropanol,
Benzol, Toluol, Xylol, Methylcellosolve udgl verwendet werden.
Das nach der Entwicklung erhaltene Reliefbild wird anschließend zur Entfernung der Entwicklerlösung
mit einer Spülflüssigkeit abgespült. Geeignete Spülflüssigkeiten sind beispielsweise Methanol,
Ethanol, Isopropanol, Benzol, Toluol, Xylol sowie etwa Methylcellosolve, die mit der Entwicklerlösung.
gut mischbar sind.
Das Polymer mit dem durch die obigen Behandlungsschritte erzeugten Reliefbild ist ein Vorläufer des
entsprechenden hitzefesten Polyimide und wird durch Wärmebehandlung bei 150 bis 450 0C in ein hitzefestes
Polymer mit Imidringen oder anderen Ringen umgewandelt.
Die erfindungsgemäßen licht- oder strahlungsempfindlichen
Polymerzusammensetzungen können zur Erzeugung von Passivierungsfilmen für Halbleiter,
Zwischenschichten für Mch.rschichton-.rc ' s , Lötschutzschichten
für gedruckte Schaltungen, Orientierungsfilme für Flüssigkristallanzeigevorrichtungen udgl
vorteilhaft verwendet werden. Sie eignen sich ferner als trockenätzbeständige Photoresists bzw trockenätzbeständige
strahlungsempfindliche Resists, wobei ihre hohe Hitzefestigkeit ausgenützt werden kann.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
100 g (0,5 mol) 4.4'-Diaminodiphenylether wurden unter
einem Stickstoffstrom in 79 g N-Methyl-2-pyrrolidon
zu einer entsprechenden Aminlösung gelöst. Anschließend
wurden 109 g (0,5 mol) pulverförmiges Pyromellitsäuredianhydrid
unter Rühren zugesetzt, wobei die Temperatur der Aminlösung durch Eiskühlung auf etwa
15 0C gehalten wurde.
Nach vollständiger Zugabe wurde das resultierende Gemisch 3 h bei etwa 15 0C umgesetzt, worauf eine Lösung
(A) mit einer Viskosität von 6 Pa-s (60 P) (30 0C)
erhalten wurde.
In 20 g der Lösung (A) wurden 2,34 g (0,01 mol)
2-N.N-Dimethylaminoethyl-p-azidobenzoat gelöst, worauf
ein die resultierende Lösung unter Druck durch/5-^m-Filter
filtriert wurde.
Die so erhaltene Lösung wurde durch Drehbeschichtung mit einem Spinner auf ein Siliciumplättchen
(Wafer) aufgebracht und anschließend 30 min bei 90 0C getrocknet, wodurch ein Beschichtungsfilm von 2,6 μΐη
Dicke erhalten wurde. Der Beschichtungsfilm war glatt
und gleichmäßig und haftete ausreichend auf dem Substrat. Anschließend wurde eine Streifenmaske
dicht auf den Beschichtungsfilm aufgelegt, worauf mit UV-Licht aus einer 500-W-Xe-Hg-Lampe belichtet
wurde. Die Strahlungsintensität auf der belichteten Fläche ]
J 6 5 run.
J 6 5 run.
2
Fläche betrug 25 mW/cm im Wellenlängenbereich um
Fläche betrug 25 mW/cm im Wellenlängenbereich um
Der Beschichtungsfilm wurde danach mit einer gemischten Entwicklerlösung entwickelt, die Dimethylacetamid
und Ethanol (Volumverhältnis 4:1) enthielt, und anschließend mit einer Spülflüssigkeit (Ethanol)
gespült, worauf ein Reliefbild erhalten wurde.
Die Abhängigkeit der nach der Entwicklung resultierenden restlichen Schichtdicke von der Belichtungszeit wurde gemessen; als Empfindlichkeit wurde
50054
diejenige Belichtungsdosis definiert, die zu einem Wert von 0,5 für die auf die Ausgangs-Schichtdicke normierte
Schichtdicke nach der Entwicklung führt. Sie wurde
2 zu 18 mJ/cm berechnet.
Durch Belichtung mit einer Belichtungsdosis von
72 mJ/cm , die dem 4-Fachen der Empfindlichkeit entsprach,
wurde ein Reliefbild mit einer scharf begrenzten Oberfläche erhalten. Das Reliefbild wurde ferner
auch bei 60 min Erhitzen auf 400 0C nicht unscharf
oder verschwommen.
Zu 20 g der Lösung (A) wurden 1,17 g (0,05 mol)
2-(N.N-Dimethylamino)ethyl-p-azidobenzoat und 0,28 g
(0,05 mol) Allylamin zugegeben.
Lösungsherstellung, Beschichtung, Trocknung, Belichtung, Entwicklung und Spülen erfolgten wie in Beispiel
1 .
Die Empfindlichkeit betrug 20 mJ/cm ; die Auflösung und Hitzebeständigkeit des Bildes waren mit
denen des Produkts von Beispiel 1 vergleichbar.
Die Kompoundierungsverhältnisse der Proben, das zur Reaktion verwendete Lösungsmittel, die Entwicklungs-
lösung und andere Parameter sowie die Ergebnisse hinsichtlich der Beschichtungseigenschaften, der Empfindlichkeit
und der Hitzefestigkeit sind für die Versuche 1 bis 33 in den Tabellen 1 bis 6 angegeben.
Die übrigen Reaktionsbedingungen und Verfahrensweisen waren wie folgt:
Eine Diaminverbindung wurde bei etwa 15 0C in
einem Stickstoffstrom in einem aprotischen polaren Lösungsmittel
zu einer entsprechenden Diaminlösung gelöst. In einem Stickstoffstrom wurde ein pulverförmiges
Säuredianhydrid zugesetzt, wobei die Reaktionstemperatur
auf etwa 15 0C gehalten wurde. Nach vollständiger Zugabe wurde das resultierende Gemisch 3 h bei 15 0C
zur entsprechenden PolyamidsäurelÖsung umgesetzt.
Zu der so hergestellten PolyamidsäurelÖsung wurde eine licht- oder strahlungsempfindliche Verbindung
zugegeben. Wenn ein ungesättigtes Amin und/ oder ein Photosensibilisator zugesetzt wurden, wurden
diese zusätzlich in der obigen Lösung zu einer einheitlichen Lösung gelöst. Anschließend wurde die
Lösung zur Herstellung einer lichtempfindlichen Polymerzusammensetzung unter Druck durch ein 5^m-Filter
filtriert.
Der Ausdruck "Äquivalent, bezogen auf COOH im Polymer1 in den Spalten für die lichtempfindlichen
Verbindungen der Tabellen 1, 3 und 5 bzw der ungesättigten Amine der Tabellen 2, 4 und 6 bedeutet
die Anzahl an" Äquivalenten der zugesetzten Verbindung pro Äquivalent Carboxylgruppen der Polyamidsäure.
Die Dimensionsangabe 'Gew.—%' für den Photosensibilisator
in den Tabellen 2, 4 und 6 bezieht sich auf das Gewicht des Photosensxbilisators, dividiert durch
das Gesamtgewicht von Diamin, Säuredianhydrid, licht-
oder strahlungsempfindlicher Verbindung, ungesättigtem Amin und Photosensibilisator, χ 100.
Jede der in der oben angegebenen Weise hergestellten
licht- oder strahlungsempfindlichen Polymerzusammensetzungen wurde durch Drehbeschichtung mit einem
Spinner auf verschiedene Substrate aufgebracht und anschließend 30 min bei 90 0C zu einem Beschichtungsfilm
getrocknet, der anschließend durch eine Streifenmaske
mit einer 500-W-Xe-Hg-Lampe mit UV-Licht belichtet, entwickelt, mit Ethanol gespült und anschließend
1 h bei 350 0C gehärtet wurde.
Die Empfindlichkeit, die als diejenige (bei 365 nm
gemessene) Belichtungsdosis definiert wurde, die zu einem Wert von 0,5 für die auf die Ausgangs-Schichtdicke
normierte Schichtdicke nach der Entwicklung führt,
wurde als 'gut' bewertet, wenn sie höchstens 100 mJ/cm
2 betrug; Empfindlichkeiten über 100 mJ/cm wurden als
'schlecht' bewertet.
Die Hitzefestigkeit ist mit 'gut' bewertet, wenn
nach 1 h Härtung bei 3I3O °C und danach 1 h auf 300 0C
der Gewichtsverlust höchstens 1 % beträgt und das erhaltene Bild nicht verschwommen oder unscharf ist; bei
Gewichtsverlusten über 1 % ist die Hitzefestigkeit als 1 schlecht' bewertet.
Nr. | Diaminverbindung (g, mol) |
Säuredianhydrid (g, mol) |
Lösungsmittel für die Reaktion (g) |
- Fortsetzung - |
1 | H2N ~Y^0~W/~NH2 (20, 0.1) |
(21.8, 0.1) | N-Methy1-2-pyrrolidon (258) |
|
2 | It | Il | Il | |
3 | Il | It | It | |
H | Il | It | It | |
5 | It | It | It | |
6 | Il | It | Il | |
. 7 | It | ti | Il | |
8 | Il | It | It | |
O O cn
Tabelle 1 (Fortsetzung)
Lichtempfindliche Verbindung (Äquivalent, bezogen auf COOH im Polymer)
(0.04)
Il
(0.1)
Il
(1.0)
It
(3.0)
(5.0)
Il
(1.0)
Il
Il Il
- Fortsetzung -
• ft
co cn CD CD cn
Tabelle 1 (Fortsetzung)
9 | If | Il | Il |
lü | Il | Il | Il |
11 | Il | Il | Il |
- Fortsetzung -
Tabelle 1 (Fortsetzung)
Il Ii
ti Il
Nr. | Ungesättigtes Amin (Äquivalent, bezogen auf COOH im Polymer) |
Photosensibilisator (Gew.-%) |
Entwicklerlösung |
1 | - | Mischlösung aus Dimethyl- acetamid und Ethanol (4:1 V/V) |
|
IVl | - | Il | |
3 | - | - | Il |
-, | - | Il | |
5 | - ' | - | Il |
6 | - | Michlers Keton (5) |
ti |
7 | 5-Nitroacetonaphthen (5) |
Il | |
' 8 | Benzophenon (10) |
Il | |
- Fortsetzung -
Tabelle 2 (Fortsetzung)
Empfindlichkeit | Il | Hitzefestigkeit | |
schlecht | ti | - | |
gut | Il | gut | |
Il | Il | ||
ti | Il | ||
ti | schlecht | ||
gut | |||
It | |||
Il | |||
Beschichtungseigen- schaften (Träger) |
|||
gut Si-Wafer |
|||
It | |||
Il | |||
ti | |||
Il | |||
gut (Al2O3) |
|||
gut (Si3N]4) |
|||
gut . (SiO2) |
|||
- Fortsetzung -
CD CD UT
Tabelle 2 (Fortsetzung)
CH2=CCOOGH2CH2N(CH3)2 (0.1) |
- | Il | |
9 | Γ3 CH2 = CCOOCH2CH2N(Ch3) 2 (1.5) |
Il | |
10 | 0 /-λ υ ^Oy-CH = CH-C-O-CH2CH2N (CH3) 2 (0.5) |
- | Il |
11 | |||
- Fortsetzung -
Tabelle 2 (Fortsetzung)
gut | gut | |
Il | Il | |
Il | Il | |
gut | ||
(Al) | ||
gut | ||
(CU) | ||
gut | ||
Si-Wafer | ||
Diaminverbindung (g, mol)
Säuredianhydrid (g, mol) Lösungsmittel für die Reaktion
-NH,
OC
(20, 0.1)
' (21.8, 0.1) Dimethylformamid
(258)
(258)
Dimethylacetamid
(2 58)
(2 58)
Dimethylimidazolidinon
(258)
(258)
Dimethylsulfoxid
(2 58)
(2 58)
N-Methy1-2-pyrrolidon
(258)
(258)
co
cn ο ο cn 4x
- Fortsetzung
Tabelle 3 (Fortsetzung)
Lichtempfindliche Verbindung (Äquivalent, bezogen auf COOH im Polymer)
(0.5)
COOCH2CH2N (CHj)
(1.0)
N -© COOCH2CH2CH2N
(1.0)
- Fortsetzung -
OJ
cn σ σ cn
Tabelle 3 (Fortsetzung)
Il | π | Il | |
18 | η | It | Il |
19 | Il | Il | It |
20 | η | Il | Il |
21 | Il | Il | It |
22 | |||
- Fortsetzung -
Tabelle 3 (Fortsetzung)
(CH \
(1.0) (1.0) (1.0) (1.0) (1.0)
co j\ :
_Λ f "
cn
ι '
CD ** *
u~i ι.,,:.
Nr. | Ungesättigtes Amin (Äquivalent, bezogen auf COOH im Polymer) |
I 1 · |
Photosensi- silisator (Gew.-%) |
Entwickler lösung |
Beschichtungs- eigenschaften (Träger) |
mpfind- ichkeit |
Hitze festigkeit |
12 | CH2=CHCH2NH2 ' (0.5) |
- | Dimethyl formamid |
gut (Si-Wafer) |
gut | gut | |
13 | (CH2=CHCH2),N (0.5) |
- | Il | Il | Il | Il | |
m | C°lcH = CH2 (0.5) |
- | N-Methyl-2- pyrrolidon |
Il | Il | ti | |
15 | Ch2=CHCOOCH2CH2N(CH,)2 (0.5) |
- | Il | ti | It | . Il | |
16 | - | - | Il | Il | Il | Il | |
17 | - | -' | Il | Il | Il | Il | |
18 | 1 - | Il | 1« | It | It | ||
- Fortsetzung -
Tabelle A (Fortsetzung)
19 | - | - | Il | Il | Il | π |
20 | - | - | Il | Il | Il | Il |
21 | - | - | Il | It | Il | π |
22 | - | - | Il | Il | Il | Il |
Nr. | DiaminVerbindung | Säuredianhydrid (q, raol) |
23 | H2N-ZOVo-H^)-NH2 (20, 0.1) |
/OC -v^/v_-- CO ^ ^oc^^^-co^ (21.8, 0.1) |
24 | Il | Il |
25 | Il | ti |
26 ■ | Il | It |
t . · | ||
- Portsetzung -
Tabelle 5 (Fortsetzung)
Lichtempfindliche Verbindung (Äquivalent, bezogen auf COOH im Polymer) |
|
n^so^o^ (l.o) | |
0 N3 \2/~CCH=CH\2/~N(CH3)2 (1.0) |
|
0 N3SO2 -^O/~CCH=CH\5/"N (CH3> 2 (1.0). |
|
0 N3-<O)-CO-<§}-N (CH3) 2 (1.0) |
|
Lösungsmittel für die Reak tion (g) |
|
N-Methyl-2-pyrrolidon (258) |
|
ti | |
If | |
Il | |
- Fortsetzung -
Tabelle 5 (Fortsetzung)
.0 (10.9, 0.05)
(1.6.1 , 0.05)
(32.2, 0.1)
O (10.9, 0.05)
(16.1, 0.05)
- Fortsetzung -
Tabelle 5 (Fortsetzung)
N-Methyl-2-pyrrolidon (253)
N-Methyl-2-pyrrolidon (243)
Dimethylformamid (261)
0VCOOCH2 CH2N ( CH3 )
(1.0)
Fortsetzung -
S HJ
cn
cn ■ρ-
Tabelle 5 (Fortsetzung)
H | 2N-(ö)-0-<S | CH3 | (XO. | 2 | , o. | ) | < | To | CO^ ^co^ |
:o | (10.9, | 0.05) | |
H | 2N-<gh0-(o | 0 | .08) 0.01 |
r co- | rco> | (16.4, 0.05) | |||||||
30 | (12. | 05) | |||||||||||
oN—(O V-O-/O C. \ / \ , j V_ / ' 2 \ / ^\ { |
(16, (2.Ij3 |
2)3NH2 | (2 | ) | oC | C | ^O | (10.9 | , 0.05) | ||||
o< | fco. | ||||||||||||
31 | H | .5, o.oi) | (16.1 | .05) | |||||||||
>-NH2 | |||||||||||||
)-NH2 | |||||||||||||
CONH2 | |||||||||||||
>-NH2 Ym2 |
^oc-^ s0C" |
||||||||||||
CONH2 OH·, |
^-OC \ | ||||||||||||
ON(CH0),-Si-O-Si-(CH 2 2 3 j ! |
|||||||||||||
CH3 | |||||||||||||
/OC-^ "•oc^ |
|||||||||||||
Fortsetzung -
Tabelle 5 (Fortsetzung)
N-Methyl-2-pyrrolidon (251)
N-Methyl-2-pyrrolidon (252)
- Fortsetzung -
cn ο ο αϊ
T »
Tabelle 5 (Fortsetzung)
(19.8, 0.1)
(21.8, 0.1)
h2n-/oV-{ÖVnh2 (18.H3 o.i)
(21.8, 0.1)
- Fortsetzung -
Tabelle 5 (Portsetzung)
Il | |
Il | |
Dimethylformaraid (258) |
|
Dimethylformamid (260) |
|
Nr. | Ungesättigtes Amin (Äquivalent, bezogen auf COOH im Polymer) |
Photosensi- bilisator (Gew.-%) |
Entwickler lösung |
Beschich- tungseigen- schaften (rprägeri |
Empfind lichkeit |
Hitze- festigkei |
23 | - | - | N-Methyl- 2-pyrroli- don |
gut (Si-Wafer) |
gut | gut |
24 | - | - | Il | Il | Il | Il |
25 | - | - | Il | Il | Il | If |
26 | - | - | Il | Il | Il | Il |
27 | - | - | Il | Il | It | ti |
28 | - | - | Il | Il | It | It |
29 | - | Il | Il | Il | Il |
- Fortsetzung -
-tr- ■
Tabelle 6 (Fortsetzung)
Γ» CH2=CCOOCH2CH2N(CH,)2 (0.5) |
Michlers Keton (5) |
Il | Il | Il | Il | |
30 | CH|CHCH=CHCH2NH 2 (0.5) |
Michlers Keton. (D |
Il | Il | ■1 | Il |
31 | - | - | Dimethyl- acetamid |
11 | Il | Il |
32 | - | - | Dimethy1- acetamid |
It | Il | Il |
33 | ||||||
Die Kompoundierungsverhältnisse der Proben, die zur Reaktion verwendeten Lösungsmittel, die ■
Entwicklerlösungen und andere Parameter sowie die auf die Beschichtungseigenschaften, die Empfindlichkeit
und die Hitzefestigkeit bezogenen Ergebnisse sind für die Versuche 34 bis 38 in den Tabellen
7 und 8 aufgeführt.
Die Herstellung der licht- und strahlungsempfindlichen
Polymerzusammensetzungen erfolgte unter den gleichen Bedingungen und in gleicher Weise
wie in Beispiel 3 mit folgenden Unterschieden:
Jede der in der oben beschriebenen Weise hergestellten Polymerzusammensetzungen wurde durch Drehbeschichtung
auf ein Substrat aufgebracht und anschließend 30 min bei 90 0C zu einem Beschichtungsfilm
getrocknet. Die Probe wurde danach mit einem Elektronenstrahl bei einer Beschleunigungsspannung
von 15 kV bestrahlt, wobei die Exposition örtlich unterschiedlich war und die bestrahlten Bereiche
unlöslich wurden; anschließend wurde mit einer Ent— Wicklerlösung entwickelt.
Danach wurde durch Auftragung der Änderung der Schichtdicke nach der Entwicklung gegen die
Bestrahlungsdosis die Elektronenempfindlichkeitskurve ermittelt. Die Empfindlichkeit wurde als
diejenige Expositionsdosis definiert, die zu einem
Wert von 0,5 für die auf die Ausgangs-Schichtdicke normierte Schichtdicke nach der Entwicklung führt;
sie wurde als 'gut1 bewertet, wenn sie höchstens 6 · 10 C/cm betrug; die Bewertung 'schlecht'
~6 bezieht sich auf Empfindlichkeiten über 6-10 C/cm
Die Hitzefestigkeit wurde ferner als 'gut' bewertet,
wenn das Bildmuster bei Erwärmen auf 350 0C nicht verschwommen wurde.
Diaminverbindung (g, mol) |
Säuredianhydrid (g, mol) |
Lösungsmittel für die Reaktion (g) |
|
H2N-/o)-0~(<D^-NH2 (20, 0.1) |
/OC^/^-CO^ o^ ToT ^0 (21.8, o.i) ^OC--'J^/^CO |
N-Methyl-2- pyrrolidon (258)' |
|
35 | It | Il | Il |
36 | Il | /OC\/^^CO>. (10.9, 0,05) 0C T0X ^0 ^ OC -^-^v/^- co-^^ /0C\^v_-CO-^/s^^ COn. 0C JC0J T°X J^0 OC ^^ ^v^-cO (16.1, 0.05) |
N-Methyl-2- pyrrolidon (253) |
37 | Il | Il | Il |
38 | • π · | Il | Il |
- Fortsetzung -
Tabelle 7 (Fortsetzung)
Strahlungsempfindliches Additiv (Äquivalent, bezogen auf COOH im'Polymer)
(1.0).
(1.0)
2N (CH3)
(1.0)
I!
(l.o)
3N(CH^)9
(0.5).
CO
—Λ |
cn ; |
CD · |
CD |
cn |
Nr. | Ungesättigtes Amin (Äquivalent, bezogen auf COOH im Polymer) |
; | CH2=CHCH2NH2 | Photosensi- bilisator (Gew.-%) |
Entwickler lösung |
Beschich- tungseigen- schaften (Träger) |
Empfind lichkeit |
Hitze- festigker |
31J | - | - | N-Methyl- 2-pyrroli don |
gut (Si-Wafer) |
gilt | gut | ||
35 . | - | . ti | Il | Il | Il | |||
36 | 1 - | Il | Il | Il | It | |||
37 | - | Il | Il | It | " | |||
38 | - | Il | Il | Il | It |
Im folgenden sind Ergebnisse von Vergleichsversuchen angeführt, die so erhalten wurden, daß eine
durch UV-Strahlung dimerisierbare oder polymerisierbare Aminverbindung, die mindestens eine C=C-Doppelbindung
und mindestens eine Aininogruppe enthielt, oder ein entsprechendes quaternäres Salz, zur gleichen
Polyamidsäure wie in Beispiel 1 zugegeben wurde.
Vergleichsbeispiel 1
In einem Stickstoffstrom wurden 110 g 4 .4'-Diaminodiphenylether
in 278 g N-Methylpyrrolidon zu einer Aminlösung gelöst. In 308 g Dimethylacetamid wur~
den 120 g Pyromellitsäuredianhydrid zu einer Polyamidsäurelösung (B) dispergiert.
Eine Lösung aus 50 g der Lösung (B) und 1,15 g Michlers Keton in 30 g Dimethylacetamid sowie eine
Lösung von 10,2 g (0,055 mol) Diethylaminoethylmethacrylat
(der Gesamtmenge Carboxylgruppen der Polyamidsäure äquivalent) in 10 g Dimethylacetamid
wurden gemischt, bis eine homogene Lösung erhalten wurde; die resultierende Lösung wurde unter Druck
durch 5-nm-Filter filtriert.
Die so erhaltene Lösung wurde durch Drehbeschichtung mit einem Spinner auf ein Silikonplättchen
(Si-Wafer) aufgebracht und anschließend 5 min bei 100 0C zu einem 2 μΐη dicken Beschichtungsf ilm
getrocknet. Auf dem Beschichtungsfilm wurde eine
getrocknet. Auf dem Beschichtungsfilm wurde eine
Streifenmaske dicht aufgelegt, wonach mit UV-Strahlung aus einer 500-W-Xe-Hg-Lampe belichtet wurde. Die Bestrahlungsintensität
auf der belichteten Fläche be-
2
trug 25 mW/cm bei einer Wellenlänge von 365 nm.
trug 25 mW/cm bei einer Wellenlänge von 365 nm.
Nach der Belichtung wurde der Beschichtungsfilm
mit einer Mischlösung aus Dimethylformamid und Methanol (5:2 V/V) entwickelt und anschließend mit Äthanol
gespült, worauf ein Reliefbild erhalten wurde. Das Bild blieb auch nach 60 min Erhitzen auf 400 0C erhalten.
Die Empfindlichkeit betrug 310 mJ/cm , was etwa
dem 17-Fachen der Empfindlichkeit der Zusammensetzung von
2
Beispiel 1 (18 mJ/cm ) entspricht und eine nur sehr
Beispiel 1 (18 mJ/cm ) entspricht und eine nur sehr
niedrige Lichtempfindlichkeit anzeigt. Vergleichsbeispiel 2
Eine Lösung von 50 g Lösung (B) und 1,15 g Michlers Keton in 30 g Dimethylacetamid und eine
Lösung von 12g (0,055 mol) Dimethylaminoethylcinnamat
(der Gesamtmenge an Carboxylgruppen der Polyamidsäure äquivalent) in 10 g Dimethylacetatamid
wurden gemischt, bis eine homogene Lösung erhalten wurde; die resyltierende Lösung wurde
unter Druck durch ein 5^m-Filter filtriert.
Die so erhaltene Lösung wurde durch Drehbeschichten mit einem Spinner auf ein Siliciumplättchen
(Si-Wafer) aufgebracht und 5 min bei 100 0G
ΛΛ *""' 315DO54
/7
zu einem 2,2 μΐη dicken Beschichtungsfilm getrocknet.
Der Beschichtungsfilm wurde anschließend unter den gleichen Bedingungen wie in Vergleichsbeispiel 1
belichtet, entwickelt und gespült, wonach ein Reliefbild erhalten wurde. Das Reliefbild blieb zwar auch
nach 60 min Erhitzen auf 400 0C erhalten, jedoch be-
2 trug die Empfindlichkeit 1500 mJ/cm , was dem 15-Fachen
der Empfindlichkeit der untersuchten erfindungsgemäßen
Zusammensetzungen entspricht und eine sehr geringe Lichtempfindlichkeit anzeigt.
In 1,791 g N-Methyl-2-pyrrolidon wurden 100 g
(0,5 mol) 4.4'-Diaminodiphenylether in einem Stickstoff
strom zu einer Aminlösung gelöst. Anschließend wurden 109 g (0,5 mol) pulverförmiges Pyromellitsäuredianhydrid
unter Rühren zugegeben, wobei die Temperatur der Lösung durch Eiskühlung auf etwa
15 0C gehalten wurde. Nach vollständiger Zugabe wurde das resultierende Gemisch 3 h bei etwa 15 0C
zu einer Lösung (C) mit einer Viskosität von 6 Pa-s
(60 P) (60 0C) umgesetzt.
In 200 g der Lösung (C) wurden 5,2 g (0,02 mol) 2-(N.N-Dimethylamino)ethyl-p-azidocinnamat gelöst;
die resultierende Lösung wurde unter Druck durch ein 5^m-Filter filtriert.
oi 31SÜQ54
co
Die so erhaltene Lösung wurde durch Drehbeschichtung mit einem Spinner auf ein Siliciuraplättchen (Si-Wafer)
aufgebracht und anschließend 30 min bei 80 0C zu einem 0,5 μπι dicken Beschichtungsfxlm getrocknet.
Der Beschichtungsfxlm war glatt und gleichmäßig und haftete ausreichend am Substrat.
Auf den Beschichtungsfxlm wurde anschließend eine Streifenmaske aus Sodaglas dicht aufgelegt,
worauf mit UV-Licht aus einer 500-W-Xe-Hg-Lampe belichtet wurde. Die UV-Strahlungsintensität auf der
belichteten Fläch«
länge von 365 niti.
länge von 365 niti.
2 belichteten Fläche betrug 10 mW/cm bei einer Wellen-
Nach der Belichtung wurde der Beschichtungsfxlm
mit einer Mischlösung aus N-Methyl-2-pyrrolidon und Ethanol (4:1 V/V) entwickelt und danach.mit einer .
Spülflüssigkeit (Ethanol) gespült, worauf ein Reliefbild
erhalten wurde.
Die Abhängigkeit der nach der Entwicklung resultierenden Schichtdicke von der Belichtungszeit
wurde gemessen und eine entsprechende Belichtungs-Eichkurve aufgestellt. Als Empfindlichkeit wurde
diejenige Belichtungsdosis definiert, die zu einem Wert von 0,5 für die auf die Ausgangs-Schichtdicke
normierte Schichtdicke nach der Entwicklung führt;
2
sie wurde zu 50 mJ/cm berechnet.
sie wurde zu 50 mJ/cm berechnet.
Durch Belichtung bei einer- Belichtungsdosis von
2
200 mJ/cm , also dem 4-Fachen der Empfindlichkeit,
200 mJ/cm , also dem 4-Fachen der Empfindlichkeit,
«ί -
wurde ein Reliefbild mit scharf begrenzter Oberfläche
erhalten. Das Reliefbild war auch nach 60 min Erhitzen auf 400 0C nicht verschwommen.
Zu 100 g der Lösung (C) von Beispiel 5 wurden 10,4 g (0,4 mol) 2-(N.N-Dimethylamino)-ethyl-pazidocinnamat.
zugesetzt. Die Herstellung der Lösung, Beschichtung, Trocknung, Belichtung, Entwicklung
und Spülung wurdaiwie in Beispiel 1 durchgeführt.
Die Empfindlichkeit betrug 60 mJ/cm , wobei
die Auflösung sowie die Hitzefestigkeit des Reliefbilds/denen des Reliefbilds von Beispiel 5 vergleichbar
waren.
Zu 200 g der Lösung (C) von Beispiel 5 wurden 5,2 g (0,02 mol) 2-(N.N-Dimethylamino)-ethyl-pazidocinnamat
und 1,1 g (0,02 mol) Allylamin zugegeben. Die Herstellung der Lösung, Beschichtung,
Trocknung, Belichtung, Entwicklung und Spülung wurden wie in Beispiel 5 durchgeführt.
Die Empfindlichkeit betrug 50 mJ/cm , wobei
die Auflösung und die Hitzefestigkeit mit denen des
Reliefbilds von Beipiel 5 vergleichbar waren;
/♦
"315Ό054
10Og (0,5 mol) 4.4'-Diaminodiphenylether wurden
in einen Stickstoffstrom in N-Methyl-2-pyrrolidon zu
einer Aminlösung gelöst. Anschließend wurden 109 g (0,5 mol) Pyromellitsäuredianhydrid unter Rühren
zugesetzt, wobei die Lösung in einem Eisbad auf etwa 15 0C gehalten wurde. Nach vollständiger Zugabe
wurde das resultierende Gemisch 3 h bei etwa 15 0C zu einer Lösung (D) einer Polyamidsäure umgesetzt,
die wiederkehrende Einheiten der Formel
HOOC
COOH
aufwies; die Viskosität betrug 6 Pa-s (60 P) (30 "C)
In 20 g der Lösung (D) wurden 2,68 g (0,01 mol) 2-(N.N-Dimethylamino)ethyl-4-azidonaphthylketon gelöst,
worauf die resultierende Lösung unter Druck durch ein 5-um-Filter filtriert wurde.
Die so erhaltene Lösung wurde durch Drehbeschichtung
mit einem Spinner auf ein Siliciumplättchen (Si-Wafer)
aufgebracht und anschließend 30 min bei 70 °C
zu einem 0,8 μπι dicken Beschichtungsfilm getrocknet.
"3ib'0054
Auf den Beschichtungsfilm wurde eine Streifenmaske
dicht aufgelegt, worauf mit UV-Licht aus einer 5OO-W-
Xe-Hg-Lampe belichtet wurde. Die UV-Strahlungsinten-
sität auf der belichteten Oberfläche betrug 10 mW/cm bei einer Wellenlänge von 365 nm.
Nach der Belichtung wurde der Beschichtungsfilm mit einer Mischlösung aus N-Methyl-2-pyrrolidon und
Ethanol (5:1 V/V) entwickelt und danach mit einer Spülflüssigkeit (Ethanol) gespült, worauf ein Reliefbild
erhalten wurde.
Die Abhängigkeit der nach der Entwicklung resultierenden Schichtdicke von der Belichtungszeit
wurde gemessen. Als Empfindlichkeit wurde diejenige Belichtungsdosis definiert, die zu einem Wert von
0,5 für die auf die Ausgangs-Schichtdicke normierte Schichtdicke nach der Entwicklung führt; sie betrug
20 mJ/cm . Bei einer Belichtungsdosis, die dem 3-Fachen der Empfindlichkeit entsprach, wurde ein Reliefbild
mit scharf begrenzter Oberfläche erhalten. Das Reliefbild war auch nach 60 min Erhitzen auf 400 0C
nicht verschwommen.
Iri 20 g der Lösung (D) von Beispiel 8 wurden
0,27 g (0,001 mol) 2-(N.N-Dimethylamino)ethyl-4-azidonaphthylketon
gelöst; die resultierende Lösung wurde unter Druck durch ein 5-pm-Filter filtriert.
j1duO54
- X5 -
Die so erhaltene Lösung wurde durch Drehbeschichtung mit einem Spinner auf ein Siliciumplättchen (Si-Wafer)
aufgebracht und anschließend 30 min bei 70.0C zu einem 1 ,0 μπι dicken Beschichtungsfilm getrocknet.
Auf den Beschichtungsfilm wurde eine Streifenmaske dicht aufgelegt, worauf mit UV-Licht aus einer
500-W-Quecksilberhochdrucklampe belichtet wurde. Die
UV-Strahlungsintensität auf der belichteten Oberflä-
2 ehe betrug 8 mW/cm bei 365 nm.
Nach der Belichtung wurde der Beschichtungsfilm mit einer Mischlösung aus N.N-Dimethylacetamid und
Ethanol (4:1 V/V) entwickelt und danach mit einer Spülflüssigkeit (Ethanol) gespült, worauf ein Relief-
bild erhalten wurde. Die Empfindlichkeit betrug
2
140 mJ/cm ; das erhaltene Reliefbild war auch nach
140 mJ/cm ; das erhaltene Reliefbild war auch nach
60 min Erhitzen auf 400 0C nicht verschwommen.
In 20 g der Lösung (D) von Beispiel 8 wurden 5,36 g (0,02 mol) 2-(N.N-Dimethylamino)ethyl-4-azidonaphthylketon
gelöst; die resultierende Lösung wurde unter Druck durch ein 5-|im-Filter filtriert.
Die so erhaltene Lösung wurde durch Drehbeschichten mit einem Spinner auf ein Siliciumplättchen
(Si-Wafer) aufgebracht und 30 min bei 70 0C zu
einem 3,2 um dicken Beschichtungsfilm getrocknet.
Auf dem Beschichtungsfilm wurde eine Streifenmaske dicht aufgebracht, worauf mit UV-Licht aus
einer 500-W-Quock.silbcrhochdruck] ampe belichtet
wurde. Die UV-Strahlungsintensität auf der belichteten
Oberfläche betrug 8 mW/cm bei 365 nm.
Nach der Belichtung wurde der Beschichtungsfilm mit einer Mischlösung aus Dimethylformamid und
Ethanol (3:2 V/V) entwickelt und danach mit einer Spülflüssigkeit gespült, worauf ein Reliefbild erhalten
wurde.
Die Empfindlichkeit betrug 21 mJ/cm ; das Relief-
bild war auch nach 60 min Erhitzen auf 400 0C nicht
verschwommen.
Beispiel 11 .
In 1,764 g N-Methyl-2-pyrrolidon wurden 90 g
(0,45 mol) 4.4'-Diaminodiphenylether und 11,4 g
(0,05 mol) 4.4'-Diaminodiphenylether-S-carbonsäureamid
zu einer Aminlösung gelöst. Anschließend wurden 54,5 g (0,25 mol) Pyromellitsäuredianhydrid und 80,5 g
(0,25 mol) 3.3'.4.4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid
unter Rühren zugesetzt, wobei die Temperatur der Aminlösung in einem Eisbad auf etwa 15 0C gehalten
wurde. Nach vollständiger Zugabe wurde das resultierende Gemisch 3 h bei etwa 15 0C zu einer Lösung
(E) einer Polyamidsäure umgesetzt, die wiederkehrende Einheiten der Formel
SI
O OH
J- 8-R*0 -SJ-R31- NH-
HOOC
GOOIl
in der bedeuten: «30.
Il
und
im Verhältnis 1:1 und
31
O-Vo-C O V und -<O>0-\O
CONH,
im Verhältnis 9:1
aufwies; die Viskosität betrug 5,5 Pa's (55 P) (30 "C)
In der Lösung (E) wurden 2,84 g (0,01 mol)
2'-(N.N-Dimethylamino)ethy1-4-azido-1-naphthalincarboxylat
gelöst; die resultierende Lösung wurde unter Druck durch ein 5^m-Filter filtriert.
Die so erhaltene Lösung wurde durch Drehbeschichtung mit einem Spinner auf ein Siliciumplättchen (Si-
Wafer) aufgebracht und 30 min bei 70 0C zu einem
2,4 (im dicken Beschichtungsf ilm getrocknet.
Auf den Beschichtungsfilm wurde eine Streifenmaske dicht aufgelegt, worauf mit UV-Licht aus einer
500-W-Xe-Hg-Lampe belichtet wurde. Die UV-Strahlungsintensität auf der belichteten Oberfläche betrug
8 mW/cm2 bei 365 nm.
Nach der Belichtung wurde der Beschichtungsfilm mit einer Mischlösung aus N-Methyl-2-pyrrolidon
und Ethanol (5:1 V/V) entwickelt und danach mit einer Spülflüssigkeit (Ethanol) gespült, worauf
ein Reliefbild erhalten wurde.
Die Empfindlichkeit betrug 15 mJ/cm . Das
Reliefbild war auch nach 60 min Erhitzen auf 400 0C nicht verschwommen.
Beispiel 12
In 20 g der Lösung (E) von Beispiel 11 wurden
3,16 g (0,01 mol) 5-Azido-1-naphthyl-2'-(N.N-dimethylamino)ethylsulfon
gelöst; die resultierende Lösung wurde unter Druck durch ein 5^m-Filter
filtriert.
Die so erhaltene Lösung wurde durch Drehbeschichtung mit einem Spinner auf ein Siliciumplättchen
(Si-Wafer) aufgebracht und 30 min bei 70 0C zu
einem 2,7 μπι dicken Beschichtungsfilia getrocknet.
Auf den Beschichtungsfilm wurde eine Streifenmaske dicht aufgelegt, worauf mit UV-Licht aus einer
500-W-Quecksilberhochdrucklampe belichtet wurde. Die
UV-Strählungsintensität auf der belichteten Oberflä-
2 ehe betrug 9 mW/cm bei 365 nm.
Nach der Belichtung wurde der Beschichtungsfilm mit einer Mischlösung aus N-Methyl-2-pyrrolidon und Ethanol
(5:1 V/V) entwickelt und danach mit einer Spülflüssigkeit
(Ethanol) gespült, worauf ein Reliefbild mitscharf begrenzter Oberfläche erhalten wurde.
Die Empfindlichkeit betrug 25 mJ/cm ; das Reliefbild
war auch nach 60 min Erhitzen auf 400 0C nicht verschwommen.
In 20 g der Lösung (E) von Beispiel 11 wurden 3,34 g (0,01 mol) 2'-(N.N-Dimethylamino)ethyl-9-azido-10-naphthalincarboxylat
gelöst; die resultierende Lösung wurde unter Druck durch ein 5-μΐη-Filter
filtriert.
Die so erhaltene Lösung wurde durch Drehbeschichtung mit einem Spinner auf ein Siliciumplättchen
(Si-Wafer) aufgebracht und danach 30 min bei
70 0C zu einem 2,2 μπι dicken Beschichtungsfilm getrocknet.
Auf den Beschichtüngsfilm wurde eine Streifenmaske
dicht aufgelegt, worauf mit UV-Licht aus einer 5OO-W-Quecksilberhochdrucklampe
belichtet wurde. Die UV-Strahlungsintensität auf der belichteten Oberfläche
2
betrug 9 mW/cm bei 365 ran.
betrug 9 mW/cm bei 365 ran.
Nach der Belichtung wurde der Beschichtüngsfilm
mit einer Mischlösung aus N-Methyl-2-pyrrolidon und Ethanol (5:1 V/V) entwickelt und danach mit einer
Spülflüssigkeit (Ethanol) gespült, worauf ein Reliefbild
mit scharf begrenzter Oberfläche erhalten wurde.
Die Empfindlichkeit betrug 18 mJ/cm ; das Reliefbild
war auch nach 60 min Erhitzen auf 400 0C nicht verschwommen
.
Vergleichsbeispiel 3
Im folgenden sind zu Vergleichszwecken experimentelle Ergebnisse angeführt, die durch Zugabe einer
durch UV-Bestrahlung dimerisierbaren oder polymerisierbaren Aminverbindung mit mindestens einer C=C-Doppelbindung
und mindestens einer Aminogruppe bzw eines entsprechend quaternären Salzes zu einem Polymer
mit einer Polyamidsäure als Hauptkomponente erhalten worden.
In 20 g der Lösung (D) von Beispiel 8 wurden
1,57 g (0,01 mol) 2-(KLN-Dimethylamino)ethylmethacrylat
gelöst; die resultierende Lösung wurde unter Druck durch ein. 5-iiin-Filter filtriert.
Die so erhaltene Lösung wurde durch Drehbeschichtung
mit einem Spinner auf ein Siliciumplättchen
(Si-Wafer) aufgebracht und anschließend 30 min bei 70 0C zu einem 3,2 μπι dicken Beschichtungsfilm
getrocknet.
Auf den Beschichtungsfilm wurde eine Streifenmaske dicht aufgelegt, worauf mit UV-Licht aus einer
500-W-Quecksilberhochdrucklampe belichtet wurde.
Nach der Belichtung wurde der Beschichtungsfilm
mit einer Mischlösung aus N.N-Dimethylacetamid
und Ethanol (.5:1 V/V) entwickelt und danach mit Ethanol gespült, worauf ein Reliefbild erhalten
wurde.
Die Empfindlichkeit betrug 3200 nuT/cm , war
also höher als Ln sämtlichen Beispielen 8 bis 13/
was einer erheblich geringeren Lichtempfindlichkeit entspricht.
In 1 ,791 g N-Methyl-2-pyrrolidon wurden 100 g
(0,5 mol) 4.4'-Dxamxnodiphenylether in einen Stickstoff
strom zu einer Aminlösung gelöst. Anschließend wurden 109 g (0,5 mol) pulverförmiges Pyromellitsäure-
dianhydrid unter Rühren zugegeben, wobei die Temperatur
der Lösung durch Eiskühlung auf etwa 15 0C erhalten
wurde. Nach vollständiger Zugabe wurde das resultierende Gemisch 3 h bei etwa 15 0C zu einer Lösung (F)
mit einer Viskosität von 6 Pa-s (60 P) (30 0C) umgesetzt.
In 100 g der Lösung (F) wurden 11,7 g (0,05 mol) - 2-(N.N-Dimethylamino)ethyl-p-azidobenzoat und 2 g
(0,01 mol) Ethylenglycoldimethacrylat gelöst; die resultierende Lösung wurde unter Druck durch ein
5-nm-Filter filtriert.
Die so erhaltene Lösung wurde durch Drehbeschich-
tung mit einem Spinner auf ein Siliciumplättchen (Si-
Wafer) aufgebracht und danach 1 h in einem Vakuum
von 267 Pa (2 Torr) zu einem 1,5 μΐη dicken Beschichtungsf
ilm getrocknet.
Der Beschichtungsfilm war glatt und gleichmäßig
^x und haftete ausreichend am Substrat. Auf den Beschich-
tungsfilm wurde eine Streifenmaske dicht aufgelegt, worauf mit UV-Licht aus einer 500-W-Quecksilberhoch-
drucklam'pe belichtet wurde. Die UV-Strahlungsintensi-
2 tat auf der belichteten Oberfläche betrug 15 mW/cm
bei 365 nm.
Nach der Belichtung wurde der Beschichtungsfilm mit einer Mischlösung aus N-Methyl-2-pyrrolidon und
Ethanol (4:1 V/V) entwickelt und danach mit einer Spülflüssigkeit (Ethanol) gespült, worauf ein ReliefbiLd
erhalten wurde.
Die wie oben definierte Empfindlichkeit wurde zu
2
20 mJ/cm ermittelt.
20 mJ/cm ermittelt.
2 Bei einer Belichtungsdosis von 100 mJ/cm , also
der 5-fachen Empfindlichkeit, wurde ein Reliefbild
mit scharf begrenzter Oberfläche und einer minimalen Linienbreite von 3 um erhalten, das auch nach 60 min
Erhitzen auf 400 0C nicht verschwommen war.
Die Versuche wurden unter Verwendung der Polymerlösung (F) von Beispiel 14 durchgeführt, wobei die
lichtempfindliche Verbindung (b) und die ungesättigte
Verbindung (d) variiert wurden.
Die untersuchten Materialien und die erhaltenen Ergebnisse sind als Versuche 39 bis 62 in den Tabellen
bis 11 aufgeführt. In den Tabellen bedeutet die Bezeichnung 'Äquivalent, bezogen auf COOH im Polymer1
in der auf die lichtempfindliche Verbindung (b) bezogenen Spalte die Anzahl an Äquivalenten der Verbindung
(b) pro Gesamtzahl Carboxylgruppen des Polymers (a). Die in den auf die Verbindung (d) bezogenen
Spalten angegebene Molzahl bezieht sich auf die Anzahl Mole der Verbindung (d), die der lichtempfindlichen
Verbindung (b) zugegeben wurden.
Die wie oben hergestellten licht- oder strahlungsempfindlichen
Polymerzusammensetzungen wurden
durch Drehbeschichtung mit einem Spinner auf einen Träger aufgebracht und anschließend 1 h unter einem
Vakuum von 267 Pa (2 Torr) zu einem Beschichtungsfilm getrocknet, der danach durch eine Streifenmaske
mit UV-Licht aus einer 500-W-Quecksilberhochdrucklampe
belichtet, entwickelt, mit Ethanol gespült und schließlich 1 h bei 350 0C gehärtet wurde.
Die wie oben definierte Empfindlichkeit wurde
2 als 'gut' bewertet, wenn sie höchstens 100 mJ/cm
(gemessen bei 365 nm) betrug; darüber liegende Werte sind als 'schlecht' bewertet.
Die Hitzefestigkeit wurde als 'gut' bewertet,
wenn nach 1 h Härtung bei 350 0C und anschließend
1h Erhitzen auf 300 0C der Gewichtsverlust höchstens
1 % betrug und das erhaltene Reliefbild nicht verschwommen war; die Bewertung 'schlecht' bezieht
sich auf Gewichtsverluste über 1 %.
Wie aus den Tabellen 9 bis 11 hervorgeht, war
die Empfindlichkeit schlecht, wenn die zugegebene Menge der lichtempfindlichen Verbindung (b) 0,4 Äquivalent
oder weniger, bezogen auf die COOH -Gruppen des Polymers, betrug, während bei Mengen über 3 Äquivalent
die Hitzefestigkeit schlecht war.
Nr. | Lichtempfindliche Verbindung (b) (Äquivalent,bezogen auf COOH im |
M | 0 I |
(LO) | Verbindung (d) (inol) |
0 0 | (0 | • 1) | Empfind lichkeit |
Hitzefestig keit |
39 | O | B | (0.8) | CH, O O CH, I3H It I 3 CH0=C — CO (CH0CH0O)OC-C=CHO |
(0 | .1) | « gut | gut | ||
40 | 0 | CH3 (1.0) | 0 0 (1 I CH2=CH-CH2CC(CH2)4COCH2-CH=CH2 |
(0 | ■ JL ψ | π | η | |||
41 | M | (0.8) | CH-OV 11 s CH-CO^ |
(0 | m JL J | M | H | |||
42 | η | (0.5) | (0 | -D | η | N | ||||
43 |
2 2 2 XCH3
3ILO) |
6 | (0 | .1) | U | Il | ||||
44 | (LO) | (0 | η | Il | ||||||
45 | 0 Il .NCH0CH0OC-CH=CH0 |
(0 | H | Il | ||||||
46 | N | M | Il | |||||||
;OOCH2-CH=CH2 LCOOCH2-CH=CH2 |
||||||||||
CHCOOCH2-Ch=CH2 CHCOOCH2-CH=Ch2 |
||||||||||
(CHn=CHCOOCH^1) nC (CH~OH) ~ / ZZZZ |
||||||||||
CH2=CH |
cn ο ο cn
Il
ro
K
CJ
Os 8
η
υ
Il
. CS
W
U
OmA
CO
CN
CN
B CJ
U Il CM
ta
υ
ϋ ■g
tn
es
te U Il
cc
CJ
CN
O-CJ
<N
CJ
CS
cn
CJ
CJ
Il
CS
B CJ
Il
ücs
es
B CJ
Il
B CJ
rs
1 r
O-Ü
5S«Ü
/ N
O-i
B U
B O Il CS
B CJ
ΙΛ
in
-μ
es m
cn rn
m in
•Η
-P
O)
τι | O |
CN | |
j? | CJ |
'S | O |
-S | CN |
Xl | |
,0) | a |
>. | 8 |
ο-υ | |
a | |
Ϋ | |
κ1 | |
U |
in
in
in
ο* ι
in
o-l
a a
in
oo
m
cn ο
ta —
CJ II-
te υ
O-8
CN
CN
a ü
O-8
CJ
Il CN
a u
in
Tabelle 11 (Fortsetzung)
Nr. | Lichtempfindliche Verbindung (Äquivalent, bezogen auf COOH Polymer) |
(b) im |
0) | Verbindung (d) (mol) | (0. | 1) | Empfind lichkeit |
Hitzefestig keit |
61 | 0 I NWoV-COCH0NH0 |
(1. | D |
CH0=CHCOCH0 0 CH0OCCH=CH0
0 Χ Ν ° CH0=CHCOCH0 1—· CH0OCCH=CH0 2 , 2 2 κ 2 0 0 |
(0. | 1) | gut | ' gut |
62 | H | (0. | COOCH2-CH=CH2 (glCOOCH 2-CH=CH 2 |
U | ■1 | |||
Das folgende Vergleichsbeispiel bezieht sich auf experimentelle Ergebnisse, die durch Zugabe einer durch
UV-Strahlung dimerisierbaren oder polymerisierbaren Aminverbindung mit mindestens einer C=C-Doppelbindung
und mindestens einer Aminogruppe oder eines entsprechenden quaternären Salzes zur gleichen Polyamidsäure
wie in Beispiel 14 (Verfahren (a)) erhalten wurden.
Vergleichsbeispiel 4
In 100 g der Polymerlösung (F) von Beispiel 14
wurden 7,85 g (0,05 mol) 2-(N.N-Dimethylamino)ethylmethacrylat
gelöst; die resultierende Lösung wurde unter Druck durch ein 5^m-Filter filtriert.
Die so erhaltene Lösung wurde durch Drehbeschichtung mit einem Spinner auf ein Siliciumplättchen
(Si-Wafer) aufgebracht und anschließend 30 min bei 70 0C zu einem 1,8 μΐη dicken Beschichtungsfilm
getrocknet.
Auf den- Beschichtungsfilm wurde anschließend
eine Streifenmaske aus Sodaglas dicht aufgelegt, worauf mit UV-Licht aus einer 500-W-Quecksilberhochdrucklampe
belichtet wurde.
Nach der Belichtung wurde der Beschichtungsfilm
mit einer Mischlösung aus N-Methyl-2-pyrrolidon und Ethanol (5:1 V/V) entwickelt und danach mit
Ethanol gespült, "worauf ein Reliefbild erhalten wurde.
Die Empfindlichkeit betrug 2500 mj/cm2, was erheblich
höher ist als bei sämtlichen Versuchen bis 62 der Tabellen 9 bis 12 und eine erheblich
geringere Lichtempfindlichkeit anzeigt.
Synthese von N.N-Diethylamino-N1-(p-azidobenzy
lidenacetyl ) ethy lendiamin
Reaktionsschema:
NH0CH0CH5N(C2H5), /_v Ϊ
— — *-
· N-(O)- CH»CHCNHCH2CH2N (C2H5)
Zu 17g (90 mmol) p-Azidozimtsäure wurden 53 g
(450 mmol) Thionylchlorid zugegeben/ die resultierende Lösung wurde am Rückfluß erhitzt. Nach Beendigung der
SO2'-Bildung wurde das Erhitzen am Rückfluß unterbrochen;
anschließend wurde das überschüssige Thionylchlorid unter vermindertem Druck abdestilliert, wonach
14,8 g p-Azidocinnamoylchlorid als Destillationsrückstand
erhalten wurden.
Anschließend wurden 8,5 g (40 mmol) des p-Azidocinnamoylchlorids in Chloroform gelöst und mit 4,8 g
(40 nunol) N.N-Diethylaminoethylendiamin bei einer
Reaktionstemperatur von 10 bis 20 0C versetzt,
worauf die resultierende Lösung noch 1 h umgesetzt wurde.
Anschließend wurde das Chloroform unter vermindertem
Druck abdestilliert; die resultierende ölige Substanz wurde mit 100 ml Wasser versetzt,
worauf eine Lösung von 1,7 g Natriumhydroxid in 20 ml Wasser im Eisbad zugegeben wurde.
Die abgetrennte organische Phase wurde mit Chloroform extrahiert; der Extrakt wurde mit Wasser
gewaschen und über wasserfreiem Natriumsulfat getrocknet.
Nach Abdestillieren des Lösungsmittels wurden 11g einer öligen Substanz als Destillationsrückstand
erhalten. Diese ölige Substanz zersetzte sich bei 130 0C unter Blasenbildung und Wärmeentwicklung.
Sie wurde aufgrund der nachstehenden analytischen Daten als erfindungsgemäße Verbindung identifiziert.
HH N
H H (g) (■£) (S)
<d) (C) (b) (a) (i)
- V&r-
Die in Deuterochloroform gemessenen chemischen Verschiebungen sind in ppm angegeben; in Klammern sind die
Peakart, die Kopplungskonstante, das Integrationsverhältnis sowie die Zuordnung angegeben:
1,1 (Triplett, 6 Hz, 6H, a),
2,7 (Quartett und Triplett, 6 Hz, 6H, b und c), 3,5 (Quartett, 6 Hz, 4H, d),
/■> 6,45 (Dublett, 16 Hz, 1H, f) ,
7,0 (Dublett und Singulett, 10 Hz, 3H, e und h), 7,5 (Dublett, 10 Hz, 2H, i),
■ 7,65 (Dublett, 16 Hz, 2H, g).
IR-Absorptionsspektrum:
Nachstehend sind die Haupt-Absorptionsmaxima angegeben,
die an dünnen Filmen gemessen wurden; in Klammern ist die Zuordnung angegeben:
2130 cm (Azidogruppen),
1650 cm (Doppelbindungen) 1620 cm" (Carbony!gruppen)
1650 cm (Doppelbindungen) 1620 cm" (Carbony!gruppen)
Die obige erfindungsgemäße Verbindung besitzt ein UV-Absorptionsmaximum im Bereich von 305 nm; die
Absorptionskante reicht im langwelligen Bereich bis 380 nm, so daß die Verbindung im Bereich langer Wellenlängen
gegen UV-Strahlung empfindlich ist.
fof
- Αβ-3 -
BeispJ_el_J 7
Synthese von 2-(N.N-Diethylamino)ethyl-pazidocinnamat
Reaktionsschema:
!I HOCH2CH2N (C2H5 ) 2
N3-^)-CH=CHCCl — —>
H-CHCOCH2CH2N(C2H5)2.
In 80 g Chloroform wurden 6,2 g (30 mmol) des in Beispiel 16 erhaltenen p-Azidocinnamoylchlorids
gelöst, worauf 3,5 g (30 mmol) 2-Dxethylaminoethänol tropfenweise zugesetzt wurden, wobei die Temperatur
der Lösung auf 10 bis 20 0C gehalten wurde. Das resultierende
Gemisch wurde noch 1 h umgesetzt.
Das Chloroform wurde anschließend unter vermindertem Druck abdestilliert, wonach zu der resultierenden
öligen Substanz 100 ml Wasser zugesetzt wurden und in einem Eisbad eine Lösung von 1,3 g Natriumhydroxid
in 20 ml Wasser zugegeben wurde.
Die abgetrennte organische Schicht wurde mit Chloroform extrahiert; der Extrakt wurde mit Wasser
gewaschen und über wasserfreiem Natriumsulfat getrocknet.
IDS
Nach Abdestillieren des Lösungsmittels wurden 7,2 g einer öligen Substanz als Destillationsrückstand
erhalten. Die ölige Substanz zersetzte sich bei 130 0C unter Blasenbildung und Wärmeentwicklung.
Sie wurde aufgrund der nachstehenden analytischen Daten als erfindungsgemäße Verbindung identifiziert.
NMR-Spektrum:
Die in Deuterochloroform gemessenen chemischen
Verschiebungen sind in ppm angegeben; in Klammern sind die Peakart, die Kopplungskonstante/ das Integrationsverhältnis sowie die Zuordnung angegeben:
Verschiebungen sind in ppm angegeben; in Klammern sind die Peakart, die Kopplungskonstante/ das Integrationsverhältnis sowie die Zuordnung angegeben:
HH O
H CH-CH-CO-CH2-CH2-N (CH2-CH3)
H H (f) (β)
(g)
1,1 (Triplett, 6 Hz, 6H, a),
2,75 (Quartett und Triplett, 6 Hz, 6H, b und c),
4,35 (Triplett, 6 Hz, 2H, d),
6,45 (Dublett, 16 Hz, 1H, e),
7,08 (Dublett, 8 Hz, 2H, g),
7,52 (Dublett, 8 Hz, 2H, h),
7,63 (Dublett, 16 Hz, 1H, f).
50054
- «J5 -
Nachstehend sind die Haupt-Absorptionsmaxima angegeben,
die an dünnen Filmen gemessen wurden; in Klammern ist die Zuordnung angegeben:
2120 cm" (Azidogruppen),
_1
1710 cm· (Carbonylgruppen),
1710 cm· (Carbonylgruppen),
— 1
16 40 cm (Olefingruppen).
16 40 cm (Olefingruppen).
Die obige erfindungsgemäße Verbindung besitzt ein UV-Absorptionsmaximum im Bereich von 314 nm, wobei
die Absorptionskante im langwelligen Bereich bis nm reicht, so daß die Verbindung im langwelligen
Bereich gegen UV-Strahlung empfindlich ist.
Synthese von 2-(N.N-Dimethylamino)ethyl-pazidocinnamat
Re ak t i on s s chema
I HOCH2CH2N(CH3)
N3-@-CH»CHCCl
. (CH3) 2.
14g (70 mmol) des in Beispiel 16 erhaltenen
p-Azidocinnamoylchlorids wurden in Tetrachlorkohlenstoff
gelöst; zu der resultierenden Lösung wurden » bei 10 bis 20 0C 6 g (70 mmol) 2-Dimethylamino-
ethanol tropfenweise zugegeben, worauf das resultierende
Gemisch 1 h weiter umgesetzt wurde. Der abgeschiedene Niederschlag wurde abfiltriert und mit
100 ml Wasser versetzt.
"/""·>
Die so erhaltene Lösung wurde in einem Eisbad
mit einer Lösung von 2,8 g Natriumhydroxid in 50 ml Wasser versetzt. Die organische Phase wurde abgetrennt
und mit Chloroform extrahiert; der Extrakt wurde mit Wasser gewaschen und über wasserfreiem
Natriumsulfat getrocknet.
Nach Abdestillieren des Lösungsmittels verblieben als Rückstand 9,5 g einer öligen Substanz. Die
ölige Substanz zersetzte sich bei 125 0C unter Blasenbildung
und Wärmeentwicklung. Sie wurde aufgrund der nachstehend angegebenen analytischen Daten als erfindungsgemäße
Verbindung identifiziert.
Die in Deuterochloroform gemessenen chemischen Verschiebungen sind in ppm angegeben; in Klammern sind
die Peakart, die Kopplungskonstante, das Integrationsverhältnis sowie die Zuordnung angegeben:
- VST -
(g) Cf)-
H Η O
M "
N3 (Q)
H H (e) (d) (c) (b) Ca)
CH=CH-C-O-CH2-CH2-N (CH3)
Cg) Cf)
2,4 (Singulett, 6Η, a), 2,7 (Triplett, 8 Hz, 2Η, b),
4,4 (Triplett, 8 Hz, 2H, c), 6,45 (Dublett, 16 Hz, 1H, d), 7,05(Dublett, 8 Hz, 2H, f),
7,57 (Dublett, 8 Hz, 2H, e), 7,72 (Dublett, 16 Hz, 1H, e) .
Nachstehend sind die Haupt-Absorptionsmaxima angegeben,
die an dünnen Filmen gemessen wurden; in Klammern ist die Zuordnung angegeben:
2140 cm ■ (Azidogruppen), 1720 cm (Carbonylgruppen),
16 30 cm" (Doppelbindungen).
Die obige erfindungsgemäße Verbindung besitzt ein UV-Absorptionsmaximum im Bereich von 315 nm, wobei
ihre Absorptionskante im langwelligen Bereich bis 370 nm reicht, so daß die Verbindung im langwelligen
Bereich gegen UV-Strahlung empfindlich ist.
Claims (1)
- BEETZ-LAMPRECHT-BE ETZ Steinsdorfstr. 10 · D-8000 München 22 Telefon (089) 227201 - 22 7244 - 295910 Telex 522048 - Telegramm Allpatent München81-33.158PPatentanwälte Zugelassene Vertreter beim Europäischen Patentamt Dipl.-Ing. R. BEETZ sen.Dipl.-Ing. K. LAMPRECHT Dr.-Ing. R. BEETZ jr.Rechtsanwalt Dipl.-Phys. Dr. jur. U. HEIDRICH Dr.-Ing. W. TIMPE Dipl.-Ing. J. SIEGFRIED Priv.-Doz Dipl. Chem. Dr. rer. nat. W. SCHMITT-FUMIAN17. Uuz. 198Ansprüche1. Licht- oder strahlungsempfindliche Polymerzusammensetzungen,gekennzeichnet durch(a) eine Polyamidsäure mit wiederkehrenden Einheiten der FormelCO-R1-CONH-R2-NH(COOM)als Hauptkomponente, wobei bedeuten:R eine drei- oder vierwertige organische Gruppe mit mindestens 2 C-Atomen;2
R eine zweiwertige organische Gruppe mitmindestens 2 C-Atomen; M Wasserstoff oder Ammoniumund
η 1 oder 2,(b) eine oder mehrere licht- oder strahlungsempfindliche Verbindungen mit einer Aminogruppe sowie einer81-A6242-03-SF-Bk■» κ·*«aromatischen Azidgruppe oder einer aromatischen SuIfonylazidgruppo im Molekül.2. Zusammensetzungen nach Anspruch 1, ferner gekennzeichnet durch(c) einen oder mehrere Photosensibilisatoren und/oder Aminverbindungen mit mindestens einer ungesättigten Bindung.3. Zusammensetzungen nach Anspruch 1 oder 2, ferner gekennzeichnet durch(d) eine oder mehrere Verbindungen mit mindestens zwei ungesättigten Bindungen im Molekül.4. Zusammensetzungen nach einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner gekennzeichnet durch(c) einen oder mehrere Photosensibilisatoren und/oder Aminverbindungen mit mindestens einer ungesättigten Bindungund(d) eine oder mehrere Verbindungen mit mindestens zwei ungesättigten Bindungen im Molekül außer den oben genannten Aminverbindungen.5. Zusammensetzungen nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine Polyamidsäure (a) mit folgenden wiederkehrenden Einheiten der Formel (1):O OH HIl III ■-_ v-\ ' -—C CN-(O)-O-(O)-NHOOC COOH0 OH!IC CN-Co]HOOH• O -(Q)- NC C HOOC COOH HOOC COOHH •0-<O>-N-HOOCOH«ICN-COOHHOIII■O-<O>-NCHOOCOHΝ—Ι·CONH2oderO OHIl— Cx HOOC^OOHHOIII■ NC HOOC O OHC CN-CH2CH2CH2-Si-O-Si-CH, CH.COOHCH, CH-6. Zusammensetzungen nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch Verbindungen (b) der Formel (2)COYN-A-. in der bedeuten: .X -N3 oder -SO3N3, Y eine Alkylengruppeund3 4 5
R , R und R unabhängig H oder niederes Alkyl.7. Zusammensetzungen nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch Verbindungen (b) der Formel (3.)in der bedeuten:X -N3 oder -SO3N3 und3 4 5
R , R und R unabhängig H oder niederes Alkyl.8. Zusammensetzungen nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch Verbindungen (b) der Formel (4)in der bedeuten:X -N3 oder -SO2N3,R , R und R unabhängig H oder niederes Alkylund' ? ? OOHHOO**X. 4-0-, -oi-, -Ii-, -U-. 4-CH-CH-,-CH-CH-C-, -o-oder ..Q1 .9. Zusammensetzungen nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch Verbindungen (b) der Formel (5)in der bedeuten:X -N3 oder -SO2N3
undRH oder niederes Alkyl.10. Zusammensetzungen nach einem der Ansprüche 1 bis 9, gekennzeichnet durch Verbindungen (b) der Formel (6)in der bedeuten:X -N3 oder -SO2N3,3 4 R und R unabhängig H oder niederes Alkyl,C IR H, Halogen, Nitro, niederes Alkoxy, niederes Alkyl oder Cyano,R H oder niederes Alkyl,R H, Halogen, Cyano oder niederes Alkyl,R eine zweiwertige organische Gruppe, die zwischen dem N-Atom und der Gruppe mit einer ungesättigten Bindung gebunden ist,und m 1,2 oder11. Zusammensetzungen nach einem der Ansprüche 1 bis TO, gekennzeichnet durch Verbindungen (b) der Formel in der bedeuten:R3-uin der bedeuten:X -N3 oder -SO3N3,Ar eine unter Benzolringen, die ggf kondensiert sind, und heterocyclischen Ringen ausgewählte aromatische Gruppe, 4
R und R unabhängig H oder niederes Alkyl,R eine zweiwertige organische Gruppe, die zwischen der Gruppe Ar und dem N-Atom gebunden ist, .undR H, Halogen, niederes Alkyl, niederes Alkoxy, Nitro, Carboxyl oder eine Sulfonsäuregruppe.12, Zusammensetzungen nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch eine Verbindung (b) der FormelCH 3V-COO(CH-) -N<^ 3W * Pmit p = 2 oder 3.13. Zusammensetzungen nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine Verbindung (b) der FormelnN. 0CHeCHCOCH-CH-NN, 0• CH«CHCNHCH.,CH,N C * /.H3oderC2H5CH=C-COCH2CH2N:
CN14. Zusammensetzungen nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine Verbindung (b) der FormelN3 °~ CH=CH-CH=CH-COCH2Ch2N15. Zusammensetzungen nach einem der Ansprüche 2 bis 14, gekennzeichnet durch N.N'-Tetramethyl-4.4'-diaminobenzophenon oder N.N1-Tetraäthyl-4.4'-diamxnobenzophenon als Photosensibilisator (c).16. Zusammensetzungen nach einem der Ansprüche 3 bis 15, gekennzeichnet durch eine Verbindung (d) mit Acryloyl- oder Methacryloylgruppen. ■17. Verbindungen der Formel.(2)— ".- 315005Ain der bedeuten:X -N3 oder -Y C1- bis C5-Alkylen,3 4 R und R unabhängig Methyl, Propyl, Butyloder Heptyl und R H oder niederes Alkyl.18. Verbindung nach Anspruch 17 der Formel N3\~ IlTqV- COCH2CH2N19. Verbindungen der Formel (6)in der bedeuten:X -N3 oder -SO3N3,3 4 R und R unabhängig H oder niederes Alkyl,ClR H, Halogen, Nitro, niederes Alkyl,niederes Alkoxy oder Cyano, 7 R H oder niederes Alkyl,R H, Halogen, Cyano oder niederes Alkyl,q R eine zweiwertige organische Gruppe,die zwischen dem N-Atom und der Gruppe mit der ungesättigten Bindung gebunden ist,und m 1,2 oder20. Verbindungen nach Anspruch 19 der FormelnN.CH-CHCOCH-CH-NN.CH»CHCNHCH,CH,N
2 2CHN.-C2H5 oder C2H5N.CH-CH=C-COCH0CH-N ^
I 2 2 \CNCH-- 10a -/11- 20* -21. Verwendung der Polymerzusammensetzungen nach einem der Ansprüche 1 bis 16 nur Erzeugung von Rolicfbildorn auf Substraten.22. Verwendung der Polymerzusammensetzungen nach einem der Ansprüche 1 bis 16 für Passivierungsfilme für Halbleiter, Zwischenschichten für Mehrschichten-IC's, Lötschutzschichten für gedruckte Schaltungen, Orientierungsfilme für Flüssigkristallanzeigevorrichtungen und
trockenätzbeständige Resists.- 11 -
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17720080A JPS57102926A (en) | 1980-12-17 | 1980-12-17 | Light- or radiation-sensitive polymer composition |
JP9649381A JPS57212432A (en) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | Photosensitive polymer composition |
JP9648981A JPS57212151A (en) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | Photosensitive substance |
JP9649481A JPS57212433A (en) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | Photosensitive polymer composition |
JP16580681A JPS5867724A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 感光性重合体組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3150054A1 true DE3150054A1 (de) | 1982-07-22 |
DE3150054C2 DE3150054C2 (de) | 1985-10-31 |
Family
ID=27525793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3150054A Expired DE3150054C2 (de) | 1980-12-17 | 1981-12-17 | Licht- oder strahlungsempfindliche Polymerzusammensetzungen und ihre Verwendung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4451551A (de) |
DE (1) | DE3150054C2 (de) |
FR (1) | FR2496111B1 (de) |
GB (1) | GB2092164B (de) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57168942A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | Photosensitive polymer composition |
US4554237A (en) * | 1981-12-25 | 1985-11-19 | Hitach, Ltd. | Photosensitive resin composition and method for forming fine patterns with said composition |
JPS58223149A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | Toray Ind Inc | 感光性ポリイミド用現像液 |
US4556625A (en) * | 1982-07-09 | 1985-12-03 | Armstrong World Industries, Inc. | Development of a colored image on a cellulosic material with monosulfonyl azides |
US4579809A (en) * | 1982-10-22 | 1986-04-01 | Ciba-Geigy Corporation | Positive image formation |
DE3463576D1 (en) * | 1983-03-03 | 1987-06-11 | Toray Industries | Radiation sensitive polymer composition |
JPS59160139A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-10 | Hitachi Ltd | 感光性重合体組成物 |
US4657832A (en) * | 1983-05-18 | 1987-04-14 | Ciba-Geigy Corporation | Photosensitive polymers as coating materials |
EP0131992B1 (de) * | 1983-07-01 | 1988-03-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Derivat von lichtempfindlicher Polyamischsäure, Verfahren zur Herstellung von Polyimide-Mustern auf einem Träger, und daraus hergestellte Polyimide-Muster enthaltende Halbleiter-Vorrichtung |
JPS6042425A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-06 | Toray Ind Inc | 化学線感応性重合体組成物 |
US4656116A (en) * | 1983-10-12 | 1987-04-07 | Ciba-Geigy Corporation | Radiation-sensitive coating composition |
US4640885A (en) * | 1983-11-25 | 1987-02-03 | Armstrong World Industries, Inc. | Mono-sulfonyl azide composition used to photolytically develop a colored image on a cellulosic material |
US4786569A (en) * | 1985-09-04 | 1988-11-22 | Ciba-Geigy Corporation | Adhesively bonded photostructurable polyimide film |
US4942108A (en) * | 1985-12-05 | 1990-07-17 | International Business Machines Corporation | Process of making diazoquinone sensitized polyamic acid based photoresist compositions having reduced dissolution rates in alkaline developers |
EP0224680B1 (de) * | 1985-12-05 | 1992-01-15 | International Business Machines Corporation | Photoresistzusammensetzungen mit vermindertem Lösungsgrad in basischen Entwicklern, auf Basis von durch Diazochinon sensibilisierter Polyamidsäure |
US4830953A (en) * | 1986-08-18 | 1989-05-16 | Ciba-Geigy Corporation | Radiation-sensitive coating composition with polyazide and polyimide and process of photo-crosslinking the coating |
EP0452986A3 (en) * | 1986-09-04 | 1991-12-18 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Photosensitive amphiphilic high molecular weight polymers and process for their production |
US4792506A (en) * | 1986-09-19 | 1988-12-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Polymerizable compositions containing iodonium photoinitiators and photosensitizers therefor |
US5019482A (en) * | 1987-08-12 | 1991-05-28 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Polymer/oxime ester/coumarin compound photosensitive composition |
US4791045A (en) * | 1988-01-25 | 1988-12-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photosensitizers and polymerizable compositions with mannich bases and iodonium salts |
US4908096A (en) * | 1988-06-24 | 1990-03-13 | Allied-Signal Inc. | Photodefinable interlevel dielectrics |
DE3837612A1 (de) * | 1988-11-05 | 1990-05-23 | Ciba Geigy Ag | Positiv-fotoresists von polyimid-typ |
WO1990012051A1 (en) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Brewer Science, Inc. | Base-soluble polyimide release layers for use in microlithographic processing |
US5057399A (en) * | 1989-03-31 | 1991-10-15 | Tony Flaim | Method for making polyimide microlithographic compositions soluble in alkaline media |
EP0430221B1 (de) * | 1989-11-30 | 1997-04-16 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Fotoempfindliche Harzzusammensetzung |
US5177181A (en) * | 1991-06-06 | 1993-01-05 | Occidental Chemical Corporation | Diamines and photosensitive polyimides made therefrom |
US5206117A (en) * | 1991-08-14 | 1993-04-27 | Labadie Jeffrey W | Photosensitive polyamic alkyl ester composition and process for its use |
US5310862A (en) * | 1991-08-20 | 1994-05-10 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive polyimide precursor compositions and process for preparing same |
US5472823A (en) * | 1992-01-20 | 1995-12-05 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Photosensitive resin composition |
JP2635901B2 (ja) * | 1992-03-13 | 1997-07-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | ポリイミドのネガティブ像形成方法 |
US5614354A (en) * | 1993-02-03 | 1997-03-25 | Toray Industries, Inc. | Method of forming positive polyimide patterns |
JP3687988B2 (ja) | 1993-09-03 | 2005-08-24 | 日立化成工業株式会社 | i線ステッパ用感光性樹脂組成物 |
US5446074A (en) * | 1993-12-17 | 1995-08-29 | International Business Machines Corporation | Photosensitive polyimide precursors |
JP2974279B2 (ja) * | 1995-07-06 | 1999-11-10 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ポリアミド酸を含有するホトレジスト層を有するインクジェットヘッド |
US6001517A (en) * | 1996-10-31 | 1999-12-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Positive photosensitive polymer composition, method of forming a pattern and electronic parts |
JP3477077B2 (ja) * | 1997-07-01 | 2003-12-10 | 株式会社東芝 | ネガ型感光性樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品 |
US20030083753A1 (en) * | 2001-10-22 | 2003-05-01 | Rajdeep Kalgutkar | Photocuring system database |
JP4637839B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2011-02-23 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 反応性メソゲンを有する、液晶分子を配向させるための配向層 |
US7358223B2 (en) * | 2004-10-04 | 2008-04-15 | Nitto Denko Corporation | Biodegradable cationic polymers |
CN103554494A (zh) * | 2013-10-24 | 2014-02-05 | 倚顿新材料(苏州)有限公司 | 一种离子型负性光敏聚酰亚胺材料的制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2261494A1 (de) * | 1971-12-15 | 1973-07-05 | Unitika Ltd | Lichtempfindliche polyamid-zubereitung |
JPS49127708A (de) * | 1973-04-16 | 1974-12-06 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3179614A (en) * | 1961-03-13 | 1965-04-20 | Du Pont | Polyamide-acids, compositions thereof, and process for their preparation |
DE1572070C3 (de) * | 1966-03-12 | 1979-03-22 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches Kopiermaterial |
DE1597614B2 (de) * | 1967-07-07 | 1977-06-23 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliche kopiermasse |
US3984250A (en) * | 1970-02-12 | 1976-10-05 | Eastman Kodak Company | Light-sensitive diazoketone and azide compositions and photographic elements |
US3740305A (en) * | 1971-10-01 | 1973-06-19 | Gen Electric | Composite materials bonded with siloxane containing polyimides |
US3923522A (en) * | 1973-07-18 | 1975-12-02 | Oji Paper Co | Photosensitive composition |
US4197133A (en) * | 1977-10-14 | 1980-04-08 | Ciba-Geigy Corporation | Photo-curable compositions of matter containing bis-azidophthalimidyl derivatives |
US4242437A (en) * | 1979-05-11 | 1980-12-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photosensitized polyamic acids curable by exposure to actinic radiation |
BR8002860A (pt) * | 1979-05-11 | 1980-12-23 | Minnesota Mining & Mfg | Processo para a cura de uma pelicula de um acido poliamico ou sal deste, processo para a formacao de uma construcao de imagem, artigo que consiste de um substrato tendo areas de imagem de poliimida sobre este e artigo sensivel a luz |
-
1981
- 1981-12-16 GB GB8137851A patent/GB2092164B/en not_active Expired
- 1981-12-17 DE DE3150054A patent/DE3150054C2/de not_active Expired
- 1981-12-17 US US06/331,875 patent/US4451551A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-12-17 FR FR8123637A patent/FR2496111B1/fr not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2261494A1 (de) * | 1971-12-15 | 1973-07-05 | Unitika Ltd | Lichtempfindliche polyamid-zubereitung |
JPS49127708A (de) * | 1973-04-16 | 1974-12-06 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2496111B1 (fr) | 1987-05-07 |
GB2092164A (en) | 1982-08-11 |
FR2496111A1 (fr) | 1982-06-18 |
DE3150054C2 (de) | 1985-10-31 |
GB2092164B (en) | 1984-12-05 |
US4451551A (en) | 1984-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3150054A1 (de) | Licht- oder strahlungsempfindliche polymerzusammensetzungen und ihre verwendung | |
EP0138768B1 (de) | Strahlungsempfindliche Polykondensate, Verfahren zu deren Herstellung, beschichtetes Material und dessen Verwendung | |
DE69730273T2 (de) | Lichtempfindlicher Polyimid-Vorläufer und seine Verwendung zur Herstellung eines Bildes | |
DE3424216C2 (de) | Lichtempfindliches Gemisch mit einer Polyamidsäure, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung | |
DE2626769A1 (de) | Vernetzbare polymere verbindungen | |
DE2557940B2 (de) | Maleimidgruppen enthaltende Organosiliciumverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung | |
DE2914619A1 (de) | Lichtempfindliches material | |
EP0141781A2 (de) | Strahlungsempfindliches Beschichtungsmittel und dessen Verwendung | |
DE2626795A1 (de) | Imidylverbindungen | |
EP0182745B1 (de) | Polyimide, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung | |
DE60035482T2 (de) | Positiv arbeitende lichtempfindliche polyimidvorstufen-zusammensetzung | |
DE69922155T2 (de) | Vorläufer einer photoempfindlichen harzzusammensetzung und verfahren zu dessen herstellung | |
DE69938082T2 (de) | Lichtempfindliche harzzusammensetzungen | |
EP0157930A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Polyimid- und Polyisoindolochinazolindion-Reliefstrukturen | |
EP0157931A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Polyimidazol- und Polyimidazopyrrolon-Vorstufen | |
DE1940065B2 (de) | Verfahren zur Verminderung der Viskosität von Polytrimellithamidimidlösungen | |
EP0905170B1 (de) | Polybenzoxazol- und Polybenzothiazol-Vorstufen | |
DE2849996A1 (de) | Zur herstellung eines durch bestrahlung erzeugten positivbildes verwendbarer abdecklack und verfahren zur herstellung eines positivbildes durch bestrahlung | |
JPS6042425A (ja) | 化学線感応性重合体組成物 | |
DE69827429T2 (de) | Strahlungsempfindliche Polymerzusammensetzung | |
EP0203030A2 (de) | Beschichtetes Material und seine Verwendung | |
DE69736168T2 (de) | Lichtabsorbierendes polymer, verfahren zu dessen synthese und filmbildende zusammensetzung und antireflektionsfilm der unter verwendung dieses polymers hergestellt wird | |
DE69908487T2 (de) | Polyimide, Verfahren zu ihrer Herstellung und diese enthaltende photoempfindliche Zusammensetzungen | |
JPH0658534B2 (ja) | 化学線感応性重合体組成物 | |
DE4406282A1 (de) | Lichtempfindliche Harzzusammensetzung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 3153255 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 3153255 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |