DE3147505A1 - "schutzschaltung fuer integrierte schaltelemente" - Google Patents
"schutzschaltung fuer integrierte schaltelemente"Info
- Publication number
- DE3147505A1 DE3147505A1 DE19813147505 DE3147505A DE3147505A1 DE 3147505 A1 DE3147505 A1 DE 3147505A1 DE 19813147505 DE19813147505 DE 19813147505 DE 3147505 A DE3147505 A DE 3147505A DE 3147505 A1 DE3147505 A1 DE 3147505A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- zone
- main surface
- semiconductor layer
- layer
- protection circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/87—Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
-A-
Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung für integrierte Schaltelemente.
Integrierte Schaltungen werden oft durch momentane Überspannungen bzw. Spannungssprünge beschädigt, welche ein
oder mehrere einzelne Bauelemente der Schaltung überlasten und dadurch schmelzen oder auf andere Weise zerstören.
Es gibt bereits zahlreiche Vorrichtungen und Schaltungen zum Schutz integrierter Schaltanordnungen vor solchen
Überbelastungen. Als innerer bzw. in die Schaltung eingebauter Überlastschutz wurden Dioden- und Transistorkreise
verwendet. Hierdurch ließ sich ein gewisser Schutz für den integrierten Schaltkreis, dessen Bestandteil sie
waren, erzielen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine integrierte Schutzschaltung mit gegenüber dem Stand der Technik
verbesserter Schutzwirkung zu schaffen. Die Aufgabe wird gelöst durch
a. ein Substrat aus Halbleitermaterial eines ersten Leitung styps;
b. eine auf dem Substrat liegende, aus Halbleitermaterial
des anderen, zweiten Leitungstyps bestehende Halbleiterschicht mit dem Substrat abgekehrter Hauptfläche;
c. eine sich von der Hauptfläche in die Halbleiterschicht hineinerstreckende, an der Grenze zur Halbleiterschicht
einen PN-Übergang bildende erste Zone des ersten Leitungstyps;
d. eine sich von der Hauptfläche in die erste Zone hineinerstreckende, an der Grenze zur ersten Zone einen PN-Übergang
bildende zweite Zone des zweiten Leitungstyps;
2 U75Ü5
e. eine sich von der Hauptfläche durch die Halbleiterschicht
bis zum Substrat erstreckende, von der ersten Zone durch einen bis zu der Hauptfläche reichenden
Teil der Halbleiterschicht getrennte, dritte Zone des ersten Leitungstyps;
f. eine sich auf der Hauptfläche von der zweiten Zone
zur dritten Zone erstreckende, die an die Hauptfläche heranreichenden Teile der ersten Zone und der Halbleiterschicht
sowie zumindest Teile der zweiten und dritten Zone an der Hauptfläche überdeckende Isolierschicht;
g. Mittel zum elektrischen Kontaktieren der dritten Zone;
h. eine auf der Isolierschicht über zumindest Teilen der ersten Zone, der dritten Zone und dem dazwischenliegenden
Teil der Halbleiterschicht liegende Leiteranordnung, welche zusammen mit der Isolierschicht den darunterliegenden
Teilen der ersten und dritten Zone sowie der Halbleiterschicht einen Feldeffekttransistor
mit isoliertem Gate bildet; und
i. Mittel zum gleichzeitigen elektrischen Kontaktieren der zweiten Zone und der Halbleiteranordnung.
Zu der erfindungsgemäßen Schutzschaltung gehört demgemäß ein gesteuerter Gleichrichter bzw. Thyristor, insbesondere
ein Silizium-Gleichrichter bei Verwendung von Silizium als Halbleitermaterial. Der Thyristor wird als
Zweipol, vorzugsweise als Teil des zu schützenden integrierten Schaltkreises, aufgebaut. Die Schutzschaltung
enthält also eine PNPN-Struktur mit einer über einer von zwei P-Zonen flankierten N-Zone liegenden Isolierschicht.
Über der Isolierschicht liegt eine leitende, die N-Zone am Ende der PNPN-Struktur kontaktierende Schicht, die
zugleich als Gate eines P-Kanal-Transistors (PMOS) und
als einer der Anschlußpole der Schutzschaltung wirkt.
Wenn also eine gegenüber der am Ende der PNPN-Struktur
liegenden P-Zone negative Überspannung auftritt, wird der PMOS-Transistor leitend und die Schutzschaltung wirkt als
Diode, durch die der Strom ohne Gefahr für den zu schützenden Kreis fließen kann.
Anhand der schematischen Darstellung in der Zeichnung werden weitere Einzelheiten der Erfindung erläutert. Es
zeigen:
. Fig. 1 einen Schnitt durch ein Ausführungsbeispiel der
Schutzschaltung; und
Fig. 2 ein Ersatzschaltbild von Fig. 1.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen, insgesamt mit
10 bezeichneten Schutzschaltung. Diese enthält ein vorzugsweise aus P-leitendem Silizium bestehendes Substrat
12. Mit dem P-leitenden Substrat 12 bildet eine ^-leitende
Epitaxialschicht 14 einen PN-Übergang 16. In der.EpI-taxialschicht
14 wird eine P-leitende Zone 18 gebildet, welche mit einem PN-Übergang 20 an die Epitaxialschicht
14 angrenzt. In der P-leitenden Zone 18 wird eine ^-leitende
Zone 22 gebildet, die wiederum über einen PN-Übergang 24 an die P-leitende Zone 18 angrenzt.
Eine P+-leitende Zone 32 erstreckt sich von der halbleitenden
Hauptfläche 25 der Schutzschaltung 10 zum Substrat 12, um dieses ohmisch zu kontaktieren. Die P+-leitende
Zone wird von einem Leiter 34 kontaktiert.
j1 47505
Auf der halbleitenden Hauptfläche 25 der Schutzschaltung 10 liegt eine Isolierschicht 26. Vorzugsweise besteht
die Isolierschicht 26 aus Siliziumdioxid. Auf der Isolierschicht 26 wird eine leitende Schicht 28 dort angeordnet,
wo die N-leitende Epitaxialschicht 14 an die Hauptfläche
25 tritt und zumindest Teile der P+-Zone 32 und der P-leitenden
Zone 18 überdeckt werden. Die leitende Schicht 28 erstreckt sich auch durch eine Öffnung 30 der Isolierschicht
26 und kontaktiert die N+-leitende Zone 22. Die leitende Schicht 28 und der Leiter 34 bestehen typisch
aus Aluminium, sie können aber auch aus einem anderen Material, z.B. aus einem Dreimetallsystem, hergestellt
werden.
In Fig. 2 zeigt ein insgesamt mit 100 bezeichnetes Ersatzschaltbild
der Schutzschaltung 10 von Fig. 1. Hiernach besteht die Schutzschaltung aus einem PNP-Transistor Ql,
einem NPN-Transistor Q2, einem P-Kanal-Feldeffekttransistor
Q3 mit isoliertem Gate (IGFET) und einem Paar Kapazitäten
Cl , C2. Der Transistor Ql gibt die P-, N~- und
P-Zonen 32, 14 bzw. 18 von Fig. 1 wieder. Im Ersatzschaltbild 100 werden demgemäß Emitter, Basis und Kollektor
des Transistors Ql der Reihe nach mit den Bezugsziffern 132, 114 und 118 bezeichnet. In ähnlicher Weise repräsentiert
der Transistor Q2 der Reihe nach die N~~-, P- und ^-Schichten 14, 18 bzw. 32 von Fig. 1. Kollektor, Basis
und Emitter des Transistors Q2 werden daher der Reihe nach durch die Bezugsziffern 114, 118 und 122 gekennzeichnet.
Der Kollektor des Transistors Q2 ist gleichzeitig Basis des Transistors Ql, und die Basis des Transistors
Q2 ist gleichzeitig Kollektor des Transistors Ql.
In ähnlicher Weise gehören zu dem Feldeffekttransistor Q3
eine Drainzone 118, eine Sourcezone 132 und ein Gate 128, wobei das Gate 128 zugleich einen Anschlußpol der Ersatzschaltung
100 bildet. Die Kapazitäten Cl und C2 entsprechen
den Kapazitäten der PN-Übergänge 20 und 24 des Aufbaus nach Fig. 1. Die beiden Anschlußpole 128 und 134
des Ersatzschaltbildes 100 entsprechen den beiden Metallanschlüssen 28 und 34 von Fig. 1.
Der erfindungsgemäße Schutzschaltkreis arbeitet ähnlich wie ein gesteuerter Siliziumgleichrichter, er wird jedoch
als Zweipol aufgebaut, welcher einen P-Kanal-Feldeffekttransistor
mit isoliertem Gate enthält. Außerdem wird die Schutzschaltung so ausgelegt, daß sie entweder durch eine
hohe Spannung an den beiden Anschlüssen 128 und 134 oder durch eine starke Spannungsänderung (dv/dt) an den Anschlüssen
128, 134 zu triggern ist. Die erfindungsgemäße Schutzschaltung unterscheidet sich daher von einem herkömmlichen,
gesteuerten Gleichrichter darin, daß der Gleichrichter in der Form eines Dreipols gerade nicht
durch eine Spannung oder Spannungsänderung zwischen Anode
und Kathode zu triggern sein soll.
In der Praxis wird der Leiter 34 bzw. Anschluß 134 geerdet, während der Leiter 28 bzw. der Anschluß 128 parallel
zu dem zu schützenden Schaltkreis zu schalten ist. Wenn also der Anschluß 128 gegenüber dem Erdpotential mit hoher
Geschwindigkeit negativ wird, erfolgt ein Einschalten der Schutzschaltung, d.h. die Anschlüsse 128 und 134 werden
elektrisch miteinander verbunden, und Überschußstrom wird zur Erde abgeleitet. Anders als die erfindungsgemäße
Schutzschaltung würde ein herkömmlicher gesteuerter Gleichrichter einen niederohmigen Widerstand über die
Kapazität C2 besitzen, die wiederum das Zünden verhin-
2 ■; Λ 7 5 O
derte. Für den Fall, daß sich die Spannung am Anschluß 128 langsam ändert, fließt ein sehr geringer Strom - in
der Größenordnung von Nanoampere - durch · den Transistor Q2, ohne daß der Kreis sich verriegelt, weil die gesamte
Schleifenverstärkung kleiner als 1 gewählt wird. Wenn die Spannung am Anschluß 128 ausreichend negativ wird, schaltet
sich der Isolierschicht-Feldeffekttransistor Q3 ein und macht dadurch den Transistor Q2 leitend mit der Folge
einer so starken Erhöhung der Schleifenverstärkung, daß die Gesamt-Schleifenverstärkung größer als 1 wird. Also
kann die Schutzschaltung dann widerum überschüssigen Strom zur Erde ableiten.
Zum Herstellen der erfindungsgemäßen Schutzschaltung kann
man von einem halbleitenden Substrat ausgehen, welches vorzugsweise .aus P-leitendem Silizium mit einem spezifischen
Widerstand zwischen 10 und 30 Ohm-cm besteht. Auf dem Substrat wird eine N-leitende Epitaxialschicht mit
einem Flächenwiderstand von etwa 1000 Ohm/Quadrat bis zu einer Dicke zwischen etwa 10 und 30 Mikrometer aufgewachsen.
Als nächstes wird eine Photoresistschicht auf die Oberfläche der Epitaxialschicht aufgebracht.
Die Photoresistschicht wird mit Hilfe einer Photomaske mit einem Muster von Öffnungen begrenzt und entwickelt.
Durch die Öffnungen wird P-Dotierstoff, z.B. Bornitrid,
auf dem Halbleitermaterial niedergeschlagen und zum Bilden einer P -Trennzone 32 eindiffundiert. Die P+-Zonen 32
besitzen einen Flächenwiderstand von etwa 5 Ohm/Quadrat; nach dem Diffundieren berühren sie das Substrat 12. Als
nächstes wird eine neue Photoresistschicht aufgebracht und mit Hilfe einer zweiten Photomaske zum Bilden einer
Öffnung zum Herstellen der P-leitenden Zone 18 begrenzt. Es wird dann eine Akzeptor-Verunreinigung (entwe-
der direkt oder durch Ionenimplantation) niedergeschlagen und zum Bilden der P-leitenden Zone 18 bis zu einer Tiefe
von etwa 2,1 bis 2,2 Mikrometern eindiffundiert. Vorzugsweise soll die P-leitende Zone 18 einen Flächenwiderstand
von etwa 200 Ohm/Quadrat erhalten..
In ähnlicher Weise wird die N -Zone 22 mit Hilfe einer dritten Photomaske und einem entsprechenden photolithographischen
Schritt hergestellt. Es werden dazu Donator-Verunreinigungen solcher Art und Menge niedergeschlagen
und eindiffundiert, daß die Zone 22 einen Flächenwiderstand von etwa 2 bis 5 Ohm/Quadrat erhält.
Als nächstes wird die Oxidschicht 26 aufgewachsen. In der Schicht 26 werden Öffnungen begrenzt und in einem weiteren
photolithographischen Schritt gebildet.
Schließlich wird eine leitende Schicht 28, z.B. aus Aluminium, auf die Oberfläche des wie beschrieben vorbereiteten
Bauelements aufgebracht. Unter Zuhilfenahme eines vierten photolithographischen Schritts wird die leitende
Schicht 28 begrenzt und damit die Schutzschaltung 10 fertiggestellt.
Claims (7)
1.) Schutzschaltung für integrierte Schaltelemente, gekennzeichnet durch
a. ein Substrat (12) aus Halbleitermaterial eines ersten Leitungstyps;
b. eine auf dem Substrat (12) liegende, aus Halbleitermaterial
des anderen, zweiten Leitungstyps bestehende Halbleiterschicht (14) mit dem Substrat abgekehrter
Hauptfläche (25);
c. eine sich von der Hauptfläche (25) in die Halbleiterschicht (14) hineinerstreckende, an der Grenze zur
Halbleiterschicht einen PN-Übergang (20) bildende erste Zone (18) des ersten Leitungstyps;
d. eine sich von der Hauptfläche (25) in die erste Zone
(18) erstreckende, an der Grenze zur ersten Zone (18) einen PN-Übergang (24) bildende zweite Zone (22) des
zweiten Leitungstyps;
e. eine sich von der Hauptfläche (25) durch die Halbleiterschicht (14) bis zum Substrat (12) erstreckende,
von der ersten Zone (18) durch einen bis zu der Hauptfläche (25) reichenden Teil der Halbleiterschicht
(14) getrennte, dritte Zone (32) des ersten Leitungstyps;
f. eine sich auf der Hauptfläche (25) von der zweiten Zone (22) zur dritten Zone (32) erstreckende, die
an die Hauptfläche heranreichenden Teile der ersten Zone (18) und der Halbleiterschicht (14) sowie zumindest
Teile der zweiten und dritten Zone (22, 32) an der Hauptfläche (25) überdeckende Isolierschicht (26);
g. Mittel (34) zum elektrischen Kontaktieren der dritten Zone (32);
h. eine auf der Isolierschicht (26) über zumindest Teilen der ersten Zone (18), der dritten Zone (32) und
dem dazwischenliegenden Teil der Halbleiterschicht (14) liegende Leiteranordnung (28), welche zusammen
mit der Isolierschicht (26), den darunterliegenden Teilen der ersten und dritten Zone (18, 32) sowie
der Halbleiterschicht (14) einen Feldeffekttransistor (Q3) mit isoliertem Gate bildet; und
i. Mittel zum gleichzeitigen elektrischen Kontaktieren
der zweiten Zone (22) und der Leiteranordnung (28).
2. Schutzschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
ein P-leitendes Substrat (12).
3. Schutzschaltung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet
durch eine N-leitende Epitaxialschicht als Halbleiterschicht (14), eine P-leitende erste Zone (18) und eine
N-leitende zweite Zone (22).
4. Schutzschaltung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1" bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (12)
aus Silizium besteht. ■
ί ; π γ λ
C ; ■ :■ / Ö U
5. Schutzschaltung nach einem oder mehreren der Ansprüche
1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht
(26) aus Siliziumdioxid besteht.
6. Schutzschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Leiteranordnung (28) aus einer auf der Siliziumdioxidschicht (26) liegenden Metallschicht besteht.
7. Schutzschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die dritte Zone (32) als hochdotierte P-Zone sich von der Oberfläche der Schicht (14) bis zum darunterliegenden
P-Substrat (12) erstreckt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US21253480A | 1980-12-03 | 1980-12-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3147505A1 true DE3147505A1 (de) | 1982-10-21 |
DE3147505C2 DE3147505C2 (de) | 1991-02-28 |
Family
ID=22791421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19813147505 Granted DE3147505A1 (de) | 1980-12-03 | 1981-12-01 | "schutzschaltung fuer integrierte schaltelemente" |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6048906B2 (de) |
CA (1) | CA1161968A (de) |
DE (1) | DE3147505A1 (de) |
FR (1) | FR2495378A1 (de) |
GB (1) | GB2088634B (de) |
IT (1) | IT1139888B (de) |
MY (1) | MY8500877A (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4484244A (en) * | 1982-09-22 | 1984-11-20 | Rca Corporation | Protection circuit for integrated circuit devices |
IT1212767B (it) * | 1983-07-29 | 1989-11-30 | Ates Componenti Elettron | Soppressore di sovratensioni a semiconduttore con tensione d'innesco predeterminabile con precisione. |
JPS62295448A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-12-22 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | 静電気に対する保護装置を備えた集積回路 |
US9281682B2 (en) * | 2013-03-12 | 2016-03-08 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and method for over-voltage event protection |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3940785A (en) * | 1974-05-06 | 1976-02-24 | Sprague Electric Company | Semiconductor I.C. with protection against reversed power supply |
DE2951421A1 (de) * | 1979-02-23 | 1980-09-04 | Hitachi Ltd | Integrierte halbleiterschaltung |
-
1981
- 1981-11-26 GB GB8135659A patent/GB2088634B/en not_active Expired
- 1981-12-01 CA CA000391274A patent/CA1161968A/en not_active Expired
- 1981-12-01 DE DE19813147505 patent/DE3147505A1/de active Granted
- 1981-12-01 IT IT25385/81A patent/IT1139888B/it active
- 1981-12-02 FR FR8122584A patent/FR2495378A1/fr active Granted
- 1981-12-02 JP JP56195101A patent/JPS6048906B2/ja not_active Expired
-
1985
- 1985-12-30 MY MY877/85A patent/MY8500877A/xx unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3940785A (en) * | 1974-05-06 | 1976-02-24 | Sprague Electric Company | Semiconductor I.C. with protection against reversed power supply |
DE2951421A1 (de) * | 1979-02-23 | 1980-09-04 | Hitachi Ltd | Integrierte halbleiterschaltung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MY8500877A (en) | 1985-12-31 |
FR2495378B1 (de) | 1984-01-13 |
CA1161968A (en) | 1984-02-07 |
IT1139888B (it) | 1986-09-24 |
FR2495378A1 (fr) | 1982-06-04 |
GB2088634B (en) | 1984-08-15 |
JPS6048906B2 (ja) | 1985-10-30 |
DE3147505C2 (de) | 1991-02-28 |
JPS57120366A (en) | 1982-07-27 |
IT8125385A0 (it) | 1981-12-01 |
GB2088634A (en) | 1982-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69610035T2 (de) | Siliziumthyristor für esd-schutz | |
DE3203066C2 (de) | Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung mit zwei gegenpolig geschalteten Dioden | |
DE19964481B4 (de) | MOS-Halbleiteranordnung mit Schutzeinrichtung unter Verwendung von Zenerdioden | |
DE69208349T2 (de) | Allgemeine Schutzvorrichtung eines integrierten Schaltkreises gegen Überlastungen und elektrostatische Entladungen | |
DE69230362T2 (de) | Konstantspannungsdiode, diese enthaltender Leistungswandler und Verfahren zur Herstellung einer Konstantspannungsdiode | |
DE69311001T2 (de) | Diodenstruktur zum Schutz von IC-Anschlüssen | |
DE69834315T2 (de) | Integrierte Schaltung mit einem VDMOS-Transistor, der gegen Überspannungen zwischen Source und Gate geschützt ist | |
DE2559360A1 (de) | Halbleiterbauteil mit integrierten schaltkreisen | |
DE2313312A1 (de) | Integrierte schaltung mit isolierte gate-elektroden aufweisenden feldeffekttransistoren | |
DE2722892A1 (de) | Schutzschaltung fuer mos-bauelemente | |
DE3333896A1 (de) | Ueberspannungsschutzschaltung und halbleiterstruktur zum schutz eines integrierten schaltkreises gegen ueberspannungen | |
DE19654163B4 (de) | Schutzvorrichtung für eine Halbleiterschaltung | |
DE3852986T2 (de) | Vertikale MOSFET-Vorrichtung mit Schutz. | |
DE69326543T2 (de) | Monolithisch integrierte Struktur einer elektronischen Vorrichtung mit einer bestimmten unidirektionalen Konduktionsschwellenspannung | |
DE69121860T2 (de) | Überspannungen zwischen ausgewählten Grenzen begrenzende Schutzschaltung und deren monolitsche Integration | |
DE2707843B2 (de) | Schutzschaltungsanordnung für einen Feldeffekttransistor | |
DE3806164A1 (de) | Halbleiterbauelement mit hoher durchbruchspannung | |
DE3227536A1 (de) | Darlington-transistorschaltung | |
DE2234973A1 (de) | Mis-halbleitervorrichtung | |
DE69619265T2 (de) | Esd-schutzstruktur für halbleiterchips | |
DE4304273C2 (de) | Schalt-Bauelement | |
DE3787848T2 (de) | Halbleiterdiode. | |
DE3337156C2 (de) | ||
DE2030423A1 (de) | Integrierte Metall Oxid Halbleiter schaltung mit einer Schutzschaltung gegen Spannungsstoßc | |
DE2628273A1 (de) | Halbleiterbauteil |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 27/06 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |