DE3333896A1 - Ueberspannungsschutzschaltung und halbleiterstruktur zum schutz eines integrierten schaltkreises gegen ueberspannungen - Google Patents
Ueberspannungsschutzschaltung und halbleiterstruktur zum schutz eines integrierten schaltkreises gegen ueberspannungenInfo
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Description
— 4 —
Die Erfindung betrifft eine Überspannungsschutzschaltung eines integrierten Schaltkreises mit einem eine auf einem
getrennten bzw. isolierten Einzelbereich eines Halbleiterkörpers gebildete Anschlußstelle mit dem zu schützenden
Schaltkreis verbindenden Leiter, bestehend aus je einer zwischen den Leiter und eine Referenzspannungsquelle eingeschalteten
ersten Teilschaltung gegen negative Überspannungen und einer zweiten Teilschaltung gegen positive
Überspannungen. Die Erfindung betrifft ferner eine Halbleiterstruktur zum Schutz eines integrierten Schaltkreises
gegen negative und positive Überspannungen mit einem Leiter zum Verbinden einer angrenzend an eine Oberfläche
eines den einen Leitungstyp aufweisenden und auf einem halbleitenden Substrat des anderen Leitungstyps liegenden
Halbleiterbereichs gebildeten Anschlußklemme mit dem zu schützenden Schaltkreis; mit einem ersten Paar von
zwischen den Leiter und eine Referenzspannungsquelle geschalteten Transistoren komplementär entgegengesetzten
Leitungstyps als Teilschutzschaltung gegen negative Überspannungen; und mit einem zweiten Paar von zwischen den
Leiter und die Referenzspannungsquelle geschalteten Transistoren komplementär entgegengesetzten Leitungstyps als
Teilschutzschaltung gegen positive Überspannungen. Unter dem Begriff "Überspannung" werden im vorliegenden Zusammenhang
vor allem Spannungssprünge, momentane Überspannungen,
Ein- oder Ausschaltspannungen und sonstige Spannungsausgleichsvorgänge verstanden.
Integrierte Schaltkreise werden oft durch Überspannungen beschädigt, die einen oder mehrere individuelle Bereiche
der Schaltung mit dem Ergebnis eines Schmelzens, Kurzschlusses
oder anderer Zerstörung der Vorrichtung überlasten. Es werden daher verschiedene Vorrichtungen und
tm β β ο
Schaltungen zum Schutz der integrierten Schaltkreise gegen Beschädigung durch Überspannungen eingesetzt. Als
Schutzvorrichtung dieser Art werden als interner Überspannungsschutz beispielsweise auf einem Halbleiterchip integrierte
Dioden oder Transistoren verwendet. Solche Vorrichtungen bieten zwar einen gewissen Schutz für den integrierten
Schaltkreis, in dem sie enthalten sind, sie erfordern jedoch einen erheblichen Raum, der zur Erhöhung
der Packungsdichte besser für den Hauptteil der Schaltung zu verwenden wäre.
Ein Beispiel einer Überspannung ist eine Hochspannungs-Spitze bzw. -Impulszacke, die in einem z.B. zur Bild- und
Tonverarbeitung dienende integrierte Niederspannungs-Schaltkreise enthaltenden Fernsehgerät auftreten kann.
Die Anode einer Bildröhre wird typisch mit etwa 25.000 Volt vorgespannt, so daß bei schneller Entladung der Anode
eine hohe Überspannung an der Stromversorgung auftreten kann. Ebenfalls unvorhersehbar kann sich ein Lichtbogen
in der Bildröhre zwischen der Anode und einer oder mehreren Elektroden mit niedrigem Potential bilden. In
jedem Fall gelangt die hohe Überspannung, die entweder ■ ' eine positiv gerichtete oder eine negativ gerichtete Spitze
von mehr als 100 Volt haben kann, über den normalen Netzanschluß oder durch elektrostatische Beladung der
Verbindungsleiter einer gedruckten Leiterplatte auf die Anschlußstelle der integrierten Schaltung.
Hohe Überspannungen können in einem Fernsehempfänger auch durch elektrostatische Entladung verursacht werden. Eine
elektrostatische Ladung wird im allgemeinen über die Steuerknöpfe od.dgl. des Fernsehgerätes vom Benutzer entladen.
Auch hierbei entstehen Überspannungen, die im Fernsehgerät enthaltene integrierte Schaltungen beschädigen
können.
Es gibt zwar viele Schutzvorrichtungen gegen hohe Überspannungen, der Konstrukteur wird in diesem Zusammenhang
jedoch regelmäßig mit dem Problem konfrontiert, daß er zum Herstellen der recht voluminösen Schutzschaltungen
wertvollen Raum auf dem jeweiligen Halbleiterchip benötigt. Bei Vorrichtungen mit einer großen Zahl von Kontaktstiften
hat sich ergeben, daß die Schutzschaltungen einen beträchtlichen Raum einnehmen, derart, daß der Chip übermäßig
groß wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schutzschaltung
zu schaffen, deren Raumbedarf auf dem Halbleiterchip gegenüber dem Stand der Technik wesentlich vermindert
ist. Die erfindungsgemäße Lösung besteht für die zwei Teilschaltungen enthaltende Überspannungsschutzschaltung
eines integrierten Schaltkreises mit einem eine Anschlußstelle aufweisenden isolierten Einzelbereich eines
Halbleiterkörpers darin, daß sich die erste und zweite Teilschaltung innerhalb des isolierten Einzelbereichs
befindet. Für die entsprechende Halbleiterstruktur zum Schutz eines integrierten Schaltkreises gegen Überspannungen
mit in jeder Teilschaltung enthaltenem Paar entgegengesetzt leitender Transistoren und mit an einer Oberfläche eines den einen Leitungstyp aufweisenden, halbleitenden
Einzelbereichs gebildeter Anschlußstelle des zu schützenden Schaltkreises besteht die erfindungsgemäße
Lösung darin, daß das erste Paar und das zweite Paar von Transistoren in dem halbleitenden Einzelbereich des ersten
Leitungstyps gebildet sind.
Durch das Anordnen sowohl der Schutzmittel gegen negative Überspannungen als auch der Schutzmittel gegen positive
Überspannungen in einem einzigen isolierten Bereich
bsi *· «ft ο *
— 7 —
zusammen mit einer Anschlußstelle bzw. einem Anschlußfeld wird erheblicher Raum auf der Fläche des den zu schützenden
integrierten Schaltkreis aufnehmenden Halbleiterchips eingespart. Vorzugsweise besteht die Erfindung darin,
eine integrierte Schutzschaltung mit einem ersten und einem zweiten Paar von komplementär leitenden Transistoren
in einer gemeinsamen (N~)-Wanne zu bilden. In einer weiteren Ausgestaltung wird ein Widerstandselement in
die Halbleiterstruktur integriert, um ein Fühlglied zu schaffen. Grundsätzlich wird jedes Paar von Transistoren
komplementären Leitungstyps sowie des gemeinsamen Fühloder Peilwiderstandes in einem gemeinsamen, der Umgebung
gegenüber isolierten Bereich angeordnet, und jedes Transistorpaar wird so geschaltet, daß ein Dipol entsteht,
der einen hohen Strom führen kann, wenn die Spannung (entweder in negativer oder in positiver Richtung) einen vorbestimmten
Wert übersteigt.
Anhand der schematischen Darstellung von Ausführungsbeispielen werden Einzelheiten der Erfindung erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild eines ersten Ausführungsbeispiels einer Dipol-Überspannungs-Schutzschaltung;
Fig. 2 ein Schaltbild eines v/eiteren Ausführungsbeispiels einer Dipol-Überspannungs-Schutzschaltung;
Fig. 3 eine Draufsicht auf die Struktur der Dipol-Überspannungs-Schutzschaltung
nach Fig. 2;
Fig. 3A einen Schnitt längs der Linie A-A der Struktur
nach Fig. 3;
Flg. 3Β einen Schnitt längs der Linie B-B der Struktur
nach Fig. 3;
Fig. 3C einen Schnitt längs der Linie C-C der Struktur
nach Fig. 3; und
Fig. 3D einen Schnitt längs der Linie D-D der Struktur
nach Fig. 3. ,
In Fig. 1 wird dargestellt, wie ein Schaltkreis gegenüber negativen Überspannungen durch die Teilschaltung
10 und gegenüber positiven Überspannungen durch die Teilschaltung 12 geschützt werden kann. Erfindungsgemäß werden
die Teilschaltungen 10 und 12 gegen negative bzw.
positive Überspannungen in einem gemeinsamen, isolierten Bereich bzw. in einer gemeinsamen, isolierten Wanne gebildet.
Die Teilschaltung 10 besteht aus einem NPN-Transistor
Q4, dessen Emitter mit einem ein Signal zwischen einer
Anschlußstelle 14 und dem (nicht gezeichneten) zu schützenden Schaltkreis führenden Leiter verbunden wird. Der
Kollektor des Transistors Q4 wird mit der Basis eines
PNP-Transistors QQ verbunden, während die Basis des Transistors
Q. auf den Kollektor des Transistors Q3 geschaltet
wird. Der Emitter des Transistors Q^ wird mit einer Referenzspannungsquelle 16, z.B. Masse oder Erde, verbunden.
Der Schutz gegen negative Überspannungen wird daher durch ein Transistorpaar erzielt, das wie ein gesteuerter
Silizium-Dipolgleichrichter geschaltet wird und funktionieren soll.
Die Teilschaltung 12 zum Schutz gegen positive Überspannungen besteht aus einem PNP-Transistor Q1, dessen Emitter
mit dem das Signal zwischen der Anschlußstelle 14 und dem zu schützenden Kreis führenden Leiter verbunden wird.
Der Kollektor des Transistors Q1 wird mit der Basis eines
NPN-Transistors Q? verbunden, während die Basis des Transistors
Q1 sowohl auf den Kollektor des Transistors Qp
als auch auf die Basis des Transistors Q3 geschaltet
wird. Die Basis des Transistors Q_ wird über einen niedrigen Widerstand 18 mit der Referenzspannungsquelle bzw.
Masse 16 verbunden. Ebenso wird der Emitter des Transistors Q2 mit Masse gekoppelt.
Der Betrieb der Teil-Schutzschaltung 10 ist bei Auftreten
eines negativen Überspannungsimpulses an der Anschlußstelle 14 in etwa ähnlich demjenigen eines gesteuerten
Silizium-Gleichrichters, mit Ausnahme der Tatsache, daß die Teilschaltung 10 als Dipol konstruiert wird. Hierdurch
unterscheidet sich die erfindungsgemäße Schaltung von einem herkömmlichen gesteuerten Silizium-Gleichrichter,
der ein Dreipol-Bauelement ist und so ausgelegt wird, daß ein Triggern durch die Spannung zwischen Anode
und Kathode oder durch die Geschwindigkeit der Spannungsänderung zwischen Anode und Kathode vermieden wird. Demgegenüber
wird die erfindungsgemäße Schutzschaltung gegen negative Überspannungen entweder durch eine hohe Überspannung
zwischen den Anschlüssen 14 und 16 oder durch eine große Änderung der Spannung (dv/dt) zwischen den Anschlüssen
14 und 16 getriggert. In der Praxis ist der Anschluß 16 eine Referenzspannungsquelle, z.B. das Substrat oder
Erde, während die Anschlußstelle 14 mit dem zu schützenden Schaltkreis l&itend verbunden wird.
Bei in der Schaltung nach Fig. 1 an der Anschlußstelle 14 mit hoher Geschwindigkeit ins Negative relativ zur Masse
abfallender Spannung wird die Teilschaltung 10 leitend, so daß die Anschlüsse 14 und 16 elektrisch verbunden
werden und Überstrom zur Erde abfließen kann. Im Unterschied zur erfindungsgemäßen Schaltung würde ein herkömmlicher,
gesteuerter Silizium-Gleichrichter einen niedrigen Widerstand zwischen Basis und Emitter des Transistors
Q4 und/oder Basis und Emitter des Transistors Q3
besitzen, so daß ein Zünden des gesteuerten Gleichrichters verhindert würde. Wenn dagegen an dem Anschluß 14
eine geringe Spannungsänderung auftritt, fließt nur ein
kleiner Strom- in der Größenordnung von Pikoampere durch den Transistor Q4, ohne daß die Schaltung sich
verriegelt, weil die Gesamt-Schleifenverstarkung auf einen
Wert von weniger als 1 ausgewählt werden soll. Bei ausreichend negativer Spannung an der Anschlußstelle 14
's
wird jedoch der Transistor Q4 stark leitend und liefert
daher einen ausreichenden Beitrag zur Schleifenverstärkung, so daß die gesamte Schleifenverstärkung größer als
1 wird. Unter dieser Bedingung wird die Teilschaltung 10 wiederum leitend, und Überstrom kann zur Erde abfließen.
Die Teilschaltung 12 gegen positive Überspannungen unterscheidet sich von einem üblichen gesteuerten Silizium-Gleichrichter
darin, daß die Verbindungen der Transistoren Q1 und Q2 so ausgebildet werden, daß der gesteuerte
Dreipolr-Gleichrichter zu einem Zweipol-Gleichrichter wird, der also leitend wird, wenn die Spannung zwischen
den Anschlüssen 14 und 16 eine vorbestimmte positive Schwelle überschreitet. Für die Beschreibung der Betriebsweise
wird angenommen, daß die Transistoren Q1 und Q? zu
Anfang nicht leiten. Der Widerstand 18 verhindert sowohl
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ein elektrisches als auch ein thermisches Rauschen für den Fall, daß die Transistoren Q1 und Q? unbeabsichtigt
leitend werden. Im Grundsatz wird die Teilschutzschaltung 12 während des Auftretens einer einen Spannungsabfall am
Widerstand 18 verursachenden, positiv gerichteten Überspannung durch den Kollektor-Basis-Durchbruch des Transistors
Q2 getriggert. Wenn der entsprechende Spannungsabfall
ein V7,- (etwa 0,7 Volt) übersteigt, wird der Transi-
.DJIi
stor Q2 eingeschaltet. Hierdurch wird ausreichender Basisstrom
zum Leitendwerden des Transistors Q1 geliefert mit
der Folge eines positiven RUckkopplungseffekts, durch den beide Transistoren Q1 und Q2 gesättigt werden, um die
Anschlußstelle 14 wirksam mit Masse zu koppeln. (Die Größe "ein Vn-," bezeichnet den Spannungsabfall am Basis/-Emitter-Übergang
eines Transistors im Zustand der Leitung; ein V__ ist auch das Minimum der zum Aufrechterhalte
ten eines Stroms vom Emitter zum Kollektor erforderlichen
Basis/Emitter-Spannung; bei einem Siliziumtransistor beträgt ein VßE etwa 0,7 Volt).
In Fig. 2 werden gegenüber negativ gerichteten und positiv gerichteten Überspannungen wirksam schützende Teilschaltungen
10 und 12 dargestellt. Ähnliche Elemente werden in Fig. 2 ebenso wie in Fig. 1 bezeichnet. Die Teilschaltung
10 gegen negativ gerichtete Überspannungen wird ebenso wie die die Transistoren Q1 und Q2 aufweisende
Teilschaltung 12 gegen positive Überspannungen ähnlich wie im Ausführungsb ei spiel nach Fig. 1 geschaltet. Im
Ausführungsbeispiel nach Fig.. 2 wird jedoch ein Fühlbzw. Peilwiderstand 20 in Serie zwischen die Anschlußstelle
14 und den zu schützenden Schaltkreis gesetzt, wobei der Emitter des NPN-Transistors Q. der Teilschaltung
10 und der Emitter des PNP-Transistors Q1 der Teilschaltung
12 mit dem mit der Anschlußstelle 14 verbundenen Pol des Peilwiderstandes 20 verbunden werden, während
- 12 -
die Basen der Transistoren Q1 und Q2 zusammen mit den
Kollektoren der Transistoren Q2 und Q4 auf den mit dem zu
schützenden Schaltkreis verbundenen Pol des Peilwiderstandes 20 geschaltet werden. Außerdem wird in Fig. 2
eine zwischen dem zu schützenden Schaltkreis und Masse 16 eingeschaltete Diode 22 dargestellt. Die Diode 22 ist
Bestandteil der Konstruktion.
Bei Betrieb hat eine hohe negativ gerichtete, an der Anschlußstelle 14 erscheinende Überspannung einen Stromfluß
durch den Peilwiderstand 20 und die Diode 22 zur Folge. Der Strom ist dabei so gerichtet, daß die Diode 22
in Durchlaßrichtung vorgespannt wird. Diese Vorspannung wird über die gemeinsame Verbindung der Basis des Transistors
Q1 und der Basis des Transistors Q2 auf den Emitter/Basis-Übergang
des Transistors Q3 gekoppelt. Durch die Kombination der Diode 22 und des Transistors Q3 wird
also ein Stromspiegel gebildet. Ein Basisstrom im Transistor Qq bewirkt in dem Transistor einen Kollektorstrom,
der in die Basis des Transistors Q4 fließt. Das hat einen
Kollektorstrom im Transistor Q4 zur Folge, der wiederum
den Basisstrom des Transistors Q3 vergrößert. Das Ergebnis
ist ein positiver Rückkopplungskreis, der die Transistoren Q3 und Q4 sättigt und die Anschlußstelle 14 durch
die Arbeitsweise der Transistoren Q3 und ' Q4 nach Art
eines gesteuerten Silizium-Gleichrichters wirksam erdet. Wenn die Überspannung wieder abgefallen oder unter einen
vorbestimmten Wert gefallen ist, nimmt das Potential der Anschlußstelle 14 wieder seinen normalen Wert ein, der
Stromfluß sowohl durch die Diode 22 als auch durch die Teilschaltung 10 hört auf, und die Teilschaltung 10 kehrt
in den geöffneten Zustand zurück.
* I» » O · ο
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Eine hohe positiv gerichtete Überspannung hat einen Strom durch den Peilwiderstand 20 zur Folge. Dieser fließt je
nach der Kollektor/Basis-Durchbruchspannung des Transistors Qp entweder in den zu schützenden Schaltkreis oder
zur Erde. Wenn der durch den Peilwiderstand 20 fließende Strom an dem Peilwiderstand 20 einen Spannungsabfall von
ein V1..-, (etwa 0,7 Volt) zwischen dessen Polen erzeugt,
.DjCj
wird der Transistor Q. leitend, da diese Spannung zwischen
der Basis und dem Emitter des Transistors Q1 liegt.
Der Kollektorstrom des Transistors Q1 fließt durch den Widerstand 18 und entwickelt an diesem einen Spannungsabfall,
durch den - wenn die Spannung ein Vnr, (etwa 0,7
jDJd
Volt) überschreitet - der Transistor Q2 leitend gemacht
wird. Der Kollektorstrom in den Transistor Q2 vergrößert
nun den anfänglichen Basisstrom des Transistors Q1 und
verursacht eine positive Rückkopplung, durch die die beiden Transistoren Q1 und Q2 gesättigt werden und die Anschlußstelle
14 wegen ihrer Arbeitsweise nach Art eines herkömmlichen gesteuerten Silizium-Gleichrichters wirksam
erden. Wenn die positiv gerichtete Überspannung abgefallen ist und/oder unter ein vorbestimmtes Niveau fällt,
wird die Teilschaltung 12 wieder nichtleitend, da durch den Peilwiderstand 20 ein zum Aufrechterhalten von ein
V01-, für den Transistor Q1 nur noch unzulänglicher Strom
fließt.
Es sei darauf hingewiesen, daß die Teilschaltung 12 blockiert, wenn Strom von der Anschlußstelle 14 zu dem zu
schützenden Kreis fließt, daß aber nicht blockiert wird, wenn Strom von dem zu schützenden Kreis zu der Anschlußstelle
14 fließt, weil die Polarität der am Peilwiderstand 20 abfallenden Spannung im letztgenannten Fall
den Emitter/Basis-Übergang des Transistors Q1 und damit
den entsprechenden Stromweg sperrt.
Diese Schaltungsweise ist besonders vorteilhaft im Verhältnis
zu herkömmlichen Schutzschaltkreisen nach Art gesteuerter Silizium-Gleichrichter, da ein NPN-Emitterfolger-Ausgangskreis,
der durch die erfindungsgemäße Schaltung geschützt werden soll, bei solchen Überspannungen
geerdet wird, welche ein Auslösen bzw. Entriegeln des erfindungsgemäßen Schutzschaltkreises verursachen und dadurch
verhindern, daß übermäßiger Strom durch den geschützten Emitterfolger hindurchfließt und diesen beschädigt.
In Fig. 3 wird die Draufsicht auf ein AusfUhrungsbeispiel einer Festkörperschaltung mit den Merkmalen gemäß Fig. 2
schematisch dargestellt. Die Teilschaltung 10 gegen negative Überspannungen befindet sich zugleich mit der Teilschaltung
12 gegen positive Überspannungen in einer gemeinsamen N~"-leitenden, gegenüber der Umgebung isolierten
Wanne bzw. Zone 26, zu der auch das Anschlußfeld bzw. die Anschlußstelle 14 gehört. Die gestrichelten Linien bezeichnen
den Umfang einer Metallschicht 44, die die Oberfläche der Anschlußstelle 14 ebenso wie die Verbindungen
zwischen den Emittern der Transistoren Q1 und Q. zur
Anschlußstelle 14 und zu einem Ende des Peilwiderstandes 20 bildet. Die äußere durchgezogene Linie 26 bezeichnet
die Grenze einer gemeinsamen N -leitenden isolierten Zone 26, während die innere durchgezogene Linie 24 die Grenzen
einer N+-leitenden vergrabenen Tasche 24 andeutet. Mit 28
wird eine P -Isolierung bezeichnet, die die isolierte Zone 26 umgibt, während die punktierten Linien verschiedene
P-leitende Zonen, wie die Zonen 30, 34, 36 und .20, repräsentieren. Die durchgezogenen Linien innerhalb der
punktierten Linien bezeichnen N+-leitende Diffusionszonen,
die innerhalb der P-leitenden Diffusionszonen gebildet werden und im vorliegenden Fall beispielsweise als
N+-Zone 32 innerhalb der P-Zone 30 und N+-Zone 38 inner-
halb eines Teils der P-Zone 36 dargestellt werden. Die diagonal durchkreuzten Bereiche stellen Kontaktöffnungen
in der Isolierschicht 42 dar. In der Zeichnung werden die Kontaktöffnungen 40, 47, 48, 56 und 58 dargestellt.
In den Fig. 3 sowie 3A bis 3D werden verschiedene Elemente dargestellt, die in oder auf einem isolierten Einzelbereich
bzw. einer Wanne so gebildet sind, daß sie die Funktion einer Schutzschaltung sowohl gegen negative als
auch gegen positive Überspannungen erfüllen können. Die Teilschaltung 10 gegen positive Überspannungen nach Fig.
1 und 2 besteht beispielsweise aus dem PNP-Transistor Q„
und NPN-Transistor Q4 gemäß Fig. 3, 3A und 3C, wobei die
N+-Zone 32 den Emitter, die P-Zone 30 die Basis und die
N~-Zone 26 den Kollektor des Transistors Q4 bilden. In
ähnlicher Weise wird der Transistor Q3 in Fig. 3 und 3C
dargestellt mit der P-Zone 36 als Emitter, der N~-Zone 26 als Basis und der P-Zone 30 als Kollektor. Da die N~-
Zone 26 sowohl die Basis des Transistors Q3 als auch den
Kollektor des Transistors Q. bildet, sind die entsprechenden
Transistorbereiche elektrisch miteinander verbunden. In ähnlicher Weise ist die P-Zone 30 gemeinsamer Bestandteil
des Kollektors des Transistors Q3 und der Basis des
Transistors GK. Auch diese Transistorbereiche sind daher elektrisch miteinander verbunden. Da der Emitter des Transistors
Q4 (N+-Zone 32) über die Kontaktöffnung 48 der
Isolierschicht 42 mit der Anschlußstelle 14 verbunden wird und da der Emitter des Transistors Q3 (P-Zone 36)
über die Metallisierung 46 geerdet wird, enthält Fig. 3 den exakten Aufbau einer zum Schutz gegen negative Überspannungen
vorgesehenen Teilschaltung 10 nach Fig. 1 und
2 als Festkörperschaltung.
Die Fig. 3, 3A und 3D zeigen die gegen positive Überspannungen schützende Teilschaltung 12 gemäß Fig. 1 und 2
mit dem PNP-Transistor Q1 und den NPN-Transistor Q0 als
Festkörperschaltung. In den Fig. 3A und 3D bilden die P-Zone 34 den Emitter, die N~-Zone 26 die Basis und die
P-Zone 36 den Kollektor des PNP-Transistors Q-. In ähnlicher Weise wird der NPN-Transistor Q2 in den Fig. 3A und
3B mit der N+-Zone 38 als Emitter, der P-Zone 36 als Basis
und der N~-Zone 26 als Kollektor dargestellt. Da die N~-Zone 26 sowohl die Basis des Transistors Q1 als auch
den Kollektor des Transistors Q2 bildet, sind die entsprechenden
Transistorbereiche elektrisch miteinander verbunden. Ähnliches gilt für die elektrische Kopplung zwischen
dem Kollektor des Transistors Q1 und der Basis des Transistors
Q2, die beide in der P-Zone 36 liegen. Zur Vervollständigung
der Teilschaltung 12 gegen positive Überspannungen wird der Emitter des Transistors Q1 durch die
Kontaktöffnung 40 mit der Anschlußstelle 14 verbunden,
während der Emitter des Transistors Q2 über die Kontaktöffnung
47 und die Metallisierung 46 geerdet wird.
Die N+-leitende, vergrabene Tasche 24 bildet eine Verbindung
mit niedrigem .Widerstand als gemeinsame Leitung zwischen den Basen der Transistoren Q1 und Q3 und den Kollektoren
der Transistoren Q2 und Q4. Die N+-Tasche 24 hat
im übrigen elektrischen Kontakt mit der N~-leitenden, vorzugsweise epitaktisch erzeugten Zone 26. Mit diesen
Verbindungen wird die Schutzschaltung nach Fig. 1 vervollständigt.
Für die praktische Ausführung der Schaltung nach Fig. 2 wird eine zusätzliche P-Diffusion 20 zwischen der Anschlußstelle
14 und einer den Ausgangskontakt bildenden
- 17 -
Metallisierung 54 vorgesehen. Gemäß Fig. 3, 3B und 3D werden in diesem Fall der Emitter des Transistors Q1 und
der Emitter des Transistors Q4 mit dem Anschlußfeld bzw.
der Anschlußstelle 14 und diese über eine KontaktÖffnung
58 mit einer Seite der P-Zone 20 verbunden. Diese P-Zone stellt den Peilwiderstand 20 nach Fig. 2 dar. Die !^-leitende
Tasche 24 und die gemeinsame Verbindung zwischen der Basis des Transistors Q1, dem Kollektor des Transistors
Q0, der Basis des Transistors QQ und dem Kollektor
des Transistors Q4 wird über eine N -Diffusionszone 52
und eine Metallisierung 54 mit der P-Zone 20 (dem anderen Ende des Peilwiderstandes 20) verbunden. Die elektrische
Verbindung zu dem zu schützenden Schaltkreis führt über eine KontaktÖffnung 56 zur Metallisierung 54.
-Bie Festkörperstruktur entsprechend der Schutzschaltung
nach Fig. 2 wird durch die zwischen der N+-Diffusionszone
52 und der P+-leitenden Trenn- bzw. Isolierzone 28 (Fig.
3B) gebildete Diode 22 und den Widerstand 18 vervollständigt, der in der P-Zone 36 zwischen der geerdeten Metallisierung
46 und dem Bereich der P-Zone 36 zwischen der N+-Zone 38 und der N~-leitenden epitaktischen Zone 26
hergestellt wird.
In der beschriebenen Halbleiterstruktur befinden sich die Teilschaltungen zum Schutz gegen negative und positive
Überspannungen zusammen mit einem Anschlußfeld bzw. einer Anschlußstelle in einer einzigen, isolierten Zone, so daß
Platz auf dem Halbleiterchip eingespart wird. Auch ein Peilwiderstand zum Differenzieren der Wirkung der Schaltung
je nach Ursprungsort der Überspannung kann in die Festkörperschaltung integriert werden.
Claims (5)
- Qp.-lng. Reimar Könfcg: J ·· i^Oiplr-in^Klaus BergenWilhelm-Tell-Str. 14 4OOO Düsseldorf 1 Telefon 39 7O2B Patentanwälte19.Sept. 1983
35 154 BRCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza,
New York, N.Y. 10020 (V.St.A.)"Uberspannungsschutzschaltung und Halbleiterstukturzum Schutz eines integrierten Schaltkreisesgegen Überspannungen"Patentansprüche:Uberspannungsschutzschaltung eines integrierten Schaltkreises mit einem eine auf einem getrennten bzw. isolierten Einzelbereich (26) eines Halbleiterkörpers gebildeten Anschlußstelle (14) mit dem zu schützenden Schaltkreis verbindenden Leiter, bestehend aus je einer zwischen den Leiter und eine Referenzspannungsquelle (16) eingeschalteten ersten Teilschaltung (10) gegen negative Überspannungen und einer zweiten Teilschaltung (12) gegen positive Überspannungen, dadurch gekennzeichnet, daß sich die erste und die zweite Teilschaltung (10, 12) innerhalb des isolierten Einzelbereichs (26) befinden. ' .' - 2. Halbleiterstruktur zum Schutz eines integrierten Schaltkreises gegen negative und positive Überspannungen mit einem Leiter zum Verbinden einer angrenzend an eine Oberfläche eines den einen Leitungstyp aufweisenden und auf einem halbleitenden Substrat des anderen Leitungstyps liegenden, halbleitenden Einzelbereichs (26)gebildeten Anschlußstelle (14) mit dem zu schützenden Schaltkreis; mit einem ersten Paar von zwischen den Leiter und eine Referenzspannungsquelle (16) geschalteten Transistoren (Q3 und Q4) komplementär entgegengesetzten Leitungstyps als Teilschaltung (10) gegen negative Überspannungen; und mit einem zweiten Paar von zwischen den Leiter und die Referenzspännungsquelle (16) geschalteten Transistoren (Q1 und Q2) komplementär entgegengesetzten Leitungstyps als Teilschaltung (12) gegen positive Überspannungen, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Paar (Qq, Qa) und das zweite Paar (Q1, Qp) von Transistoren in dem halbleitenden Einzelbereich (26) des ersten Leitungstyps gebildet sind.
- 3. Schutzschaltung bzw. Halbleiterstruktur nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Teilschaltung (10) bzw. das erste Paar von Transistoren (Q3, Q4) folgende Merkmale aufweisen:einen ersten NPN-Transistor (Q4) und einen ersten PNP-Transistor (Q3) jeweils mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor;eine Verbindung zwischen der Basis des ersten NPN-Transistors (Q4) und dem Kollektor des ersten PNP-Transistors (Q3);eine Verbindung zwischen der Basis des ersten PNP-Transistors (Q3) und dem Kollektor des ersten NPN-Transistors (Q4);eine Verbindung zwischen dem Emitter des ersten NPN-Transistors (Q4) und dem Leiter; undeine Verbindung zwischen dem Emitter des ersten PNP-Transistors (Q„) und der Referenzspannungsquelle (16).
- 4. Schutzschaltung bzw. Halbleiterstruktur nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Teilschaltung (12) bzw. das zweite Paar von Transistoren (Q-, Q2) folgende Merkmale aufweist:einen zweiten NPN-Transistor (Q2) und einen zweiten PNP-Transistor (Q1 ) jeweils mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor;eine Verbindung zwischen der Basis des zweiten NPN-Transistors (Q2), dem Kollektor des zweiten PNP-Transistors (Q1) und der Referenzspannungsquelle (16);eine Verbindung zwischen dem Kollektor des zweiten NPN-Transistors (Q2), der Basis des ersten PNP-Transistors (Q^) und der Basis des zweiten PNP-Transistors (Q1);
eine Verbindung zwischen dem Emitter des zweiten PNP-Transistors (Q1) und dem Leiter; undeine Verbindung zwischen dem Emitter des zweiten NPN-Transistors (Q2) und der Referenzspannungsquelle (16). - 5. Schutzschaltung bzw. Halbleiterstruktur nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Anschlußstelle (14) und den zu schützenden Schaltkreis ein Peilwiderstand (20) in Reihe mit dem Leiter geschaltet ist, daß der Emitter des ersten NPN-Transistors (Q4) und der Emitter des zweiten PNP-Transistors (Q1) mit dem mit der Anschlußstelle (14) verbundenen Pol des Peilwiderstandes (20) verbunden sind und daß die Basen der ersten sowie zweiten PNP-Transistoren (Q3J Qi) und die Kollektoren der ersten sowie zweiten NPN-Transistoren (Q4, Q2) mit dem anderen PolMes Peilwiderstandes (20) verbunden sind.
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