IT8322946A1

IT8322946A1 - Circuito di protezione per dispositivi a circuito integrato

Info

Publication number: IT8322946A1
Application number: IT1983A22946A
Authority: IT
Original assignee: Rca Corp
Priority date: 1982-09-22
Filing date: 1983-09-21
Publication date: 1985-03-21
Also published as: FR2533369B1; JPS5990120A; DE3333896A1; DE3333896C2; CA1195432A; US4484244A; IT8322946A0; GB2128829B; JPH069018B2; GB2128829A; IT1171088B; GB8324445D0; FR2533369A1

Description

Descrizione dell' invenzione avente per titolo:

" Circuito di protezione per dispositivi a circuito integrato"

RIASSUNTO

Due circuiti di protezione, ognuno formante un raddrizzatore controllato al silicio (SCR) per la protezione di un circuito nei confronti dei transitori di tensione, di polarit? negativa o positiva, vengono formati in una singola regione isolata, congiuntamente ad un'area di collegamento. Una seconda versione include pure un resistore di lettura nella regione isolata.

DESCRIZIONE DELL'INVENZIONE

La presente invenzione si riferisce,in generale ai circuiti di protezione e riguarda, in particolare i circuiti di protezione per dispositivi a circuito integrato.

E' ben noto il fatto che un circuito integrato (IC) viene spesso danneggiato da transitori di tensione i quali sovraccaricano uno o piu' dispositivi indivi -duali contenuti entro il circuito integrato, con con~ seguente fusione, cortocircuito o distruzione del dispositivo. In passato, sono stati impiegati vari dispositivi e circuiti per proteggere un circuito integrato e per impedirne quindi la distruzione da parte di tali transi-tori.Questi dispositivi di protezione hanno assunto la forma di circuiti a diodi o a transistori i quali sono stati inclusi su di una piastrina di materiale semiconduttore per una protezione interna dei transitori. Quantunque tali dispositivi consentano di garantire una certa protezione nei confronti del circuito integrato nel quale gli stessi vengono inclusi, ? stato riscontrato che gli stessi occupano aree notevoli che potrebbero altrimenti venire utilizzate per -un complesso circuitale, con conseguen te possibilit? di incremento della densit? di impaccamento ?

Un esempio di un transitorio ? rappresentato da un guizzo ad alta tensione che pu? verificarsi in un ricevitore televisivo contenente circuiti integrati di bassa tensione utilizzati, ad esempio, in circuiti di elaborazione dei segnali audio e dei segnali video. Tipicamente, l'anodo di un tubo per la ripr?duzione delle immagini viene polarizzato da una tensione pari, all'incirca a 25.000 volt e se l'anodo ad alta tensione viene rapidamente scaricato, in corrispondenza dell'alimentatore si evidenzier? un transitorio ad alta tensione. Fra l'anodo ed uno o piu' degli elettrodi alimentati da un basso potenziale, pu? verificarsi la formazione imprevedibile di archi nel tubo di riproduzione delle immagini. In ogni caso, il transitorio ad alta tensione, il quale pu? presentare un picco ad andamento positivo o un picco ad andamento negativo superiore a 100 volt, viene applicato al terminale del circuito integrato attraverso l'alimentatore comune^o per effetto di una captazione elettrostatica sui conduttori di collegamento di un pannello stampato di cablaggio.

Un'altra causa di formazione di transitori ad alta tensione, in un ricevitore televisivo ? rappresentata da una scarica elettrostica. Una carica elettrostatica accumulata viene normalmente scaricata , da parte dell'utente, attra verso i sistemi di controllo del ricevitore teievisivo,con conseguente produzione di un transitorio ad alta tensione che pu? danneggiare i circuiti stampati presenti nel ricevitore televisivo.

Quantunque siano disponibili, per un pr?? gettista, vari dispositivi di protezione nei confronti dei transistoi ad alta tensione, deve essere rilevato che esiste il problema di disporre di un prezioso spazio sulle piastrine dei circuiti integrati per la formazione dei voluminosi dispositivi di protezione. Su dispositivi contenenti un numero elevato di piedini ? stato riscontrato che i dispositivi di protezione occupano uno spazio significativo e, conseguentemente, la piastrina, vale a dire il cosiddetto "chip" diventa indebitamente largo e quindi indesiderabile.

La presente invenzione viene concretizzata in un circuito per la protezione dei circuiti integrati, comprendente una prima coppia ed una seconda coppia di transistori a conduttivit? complementare, formati in un pozzetto comune di tipo N-. In una versione, un elemento resistivo risulta integrale con la struttura a semiconduttore, in modo tale da costituire un elemento di rivelazione. In tutte le versioni descritte, ogni coppia di transistori a conduttivit? complementare ( e il resistore comune di rivelazione) sono disposti in una regione isolata comune, mentre ogni coppia di transistori ? collegata in modo tale da formare un dispositivo a due terminali in grado di convo gliare ima corrente di valore elevato quando il transitorio di tensione (di polarit? negativa o di polarit? positiva) supera un valore predeterminato.

La presente invenzione risulter? piu1 evidente dall'analisi della seguente descrizione dettagliata, la quale deve essere considerata in unione ai disegni allegati, nei quali:

la figura 1 costituisce un diagramma schematico di una fonila pratica realizzativa di un circuito per la protezione dei transitori di doppia polarit?, incorporato nell'invenzione in oggetto;

la figura 2 rappresenta un diagramma schematico di un'altra versione di un circuito per la protezione dai transitori di 'entrambe le polarit?, incorporato nella presente invenzione;

la figura 3 cost ituisce una vista in pianta della struttura del circuito di protezione dai transitori, di entrambe le polarit?, schematizzato nella figura 2;

la figura 3A rappresenta una sezione trasversale della struttura di protezione dai transitori di doppia polarit?, considerata presa lungo la linea A-A della figura 3;

la figura 3B rappresenta una sezione trasversale della struttura di protezione dai transitori di doppia polarit?, considerata presa lungo la linea B -B della figura 3;

la figura 3C rappresenta una sezione trasversale della struttura di protezione dai transitori, di doppia polarit?, presa lungo la linea C-C della figura 3; e

la figura 3D rappresenta una sezione trasversale della struttura di protezione dai transitori di entrambi le pola rit?, considerata preaa lungo la linea D-D della figura 3.

La figura 1 illustra un circuito che viene protetto nei confronti dei transitori negativi, per mezzo di un circuito 10 e, dai transitori positivi, per mezzo diuncircuito 12, entrambi i circuiti'per la protezione dai transitori di polarit? negativa e di polarit? positiva 10 e 12, essendo formati in una regione isolata comune?

Il circuito 10 consiste di un transistore Q^, a conduttivit? di tipo NPN, presentante il proprio emettitore collegato ad un conduttore checonvoglia un segnale fra un terminale 14 e il circuito protetto (non rappresentato).Il collettore del transistore ? collegato alla base di un transistore Q^, a conduttivit? di tipo PNP, mentre la base del transistore Q ? collegata al collettore del transistore Q^. L'emettitore del transistore ? collegato ad una sorgente di potenziale di riferimento rappresentata dal substrato utilizzato come massa circuitale 16* Pertanto, viene garantita una protezione nei confronti dei transitori negativi da parte di una coppia di transistori interconnessi ed operanti come un raddrizzatore controllato al silicio (SCR - Silicon controlled rectifier),a due terminali? ;Il circuito 12 per la protezione nei confronti dei transitori positivi, consiste di un transistore Q.^, a conduttivit? di tipo PNP il quale presenta il proprio emettitore collegato al conduttore che convoglia il segnale fra il.terminale 14 e il circuito protetto. Il collettore del transistore Q.j ? collegato alla base di un transistore Q2, a conduttivit? di tipo NPN, mentre la base del transistore Q1 ? collegata al collettore del transistore Q e alla base del transistore Q ?.La base del transistore Q? ? collegata al substrato 16 attra verso un resistore 18 presentante un basso valore ohmico, mentre l'emettitore del transistore Q? ? pure collegato al substrato 16. ;Il principio di funzionamento del circuito di protezione 10 per un impulso transitorio, di polarit? negativa, presente in corrispondenza del terminale 14, ? molto analogo a quello di un dispositivo SCR, salvo il fatto che il circuito 10 viene realizzato sotto forma di un dispositivo a due terminali. Questa caratteristica distinque il dispositivo in questione nei confronti di un raddrizzatore con trollato al silicio SCR di tipo tradizionale, in virt?? del fatto che un classico SCR ? rappresentato da un dispositivo a tre terminali, progettato in modo tale da evitare l'eccitazione basata sulla tensione fra il proprio anodo e il proprio catodo o sulla velocit? di variazione della tensione fra il proprio anodo e il proprio catodo. ;Il circuito di protezione, nei confronti dei transitori di polarit? negativa, proposto dalla presente invenzione, verr? eccitato da un transitorio ad alta tensione presente fra i terminali 14 e 16 o per effetto di una elevata velocit? di variazione della tensione (dv/dt) ai capi dei due terminali 14 e 16. In pratica, il? terminale 16 rappresenta una sorgente di potenziale di riferimento rappresentata, ad esempio, da un substrato o dalla massa circuitale, mentre il terminale 14 ? collegato al complesso circuitale che deve venire protetto. Conseguentemente, se il terminale 14 assume una polarit? negativa rispet? to alla massa circuitale con una elevata velocit?, il circuito di protezione 10 verr? commutato allo stato di conduzione(i terminali 14 e 16 verranno elettricamente collegati), provocando il trasferimento, verso massa, della corrente in eccesso, A differenza di quanto si verifica in conformit? ;all 'invenzione, un classico SCR presenta un resistere di basso valore ohmico collegato fra la base e l'emettitore del transistore e/o fra la base e l'emettitore del transistore Q3, in modo tale da impedire questo innesco. Nel caso in cui si verificasse una lenta variazione della tensione in corrispondenza del terminale 14, una piccolissima corrente dell'ordine dei picoampere circoler? attraverso il transistore Q4, senza che il circuito debba bloccarsi, poich? il guadagno totale dell'anello ? stato scelto di valore inferiore a 1, Tuttavia, qunndo la tensione, ad andamento negativo, presente sul terminale 14 assume un valore sufficientemente negativo, il transistore Q diventer? fortemente conduttivo, fornendo in tal modo un guadagno dell'anello sufficiente a garantire che il guadagno totale dell'anello risulti maggiore di 1, Anche in questo caso, l'intero circuito di protezione diventa conduttivo in modo tale da convogliare, verso massa, qualsiasi corrente in eccesso. ;Il circuito 12 per la protezione nei confronti dei transitori di polarit? positiva, differisce da un classico SCR per il fatto che le interconnessioni dei transistori e Qg sono tali da convertire un classico dispositivo SCR della tecnologia anteriore, del tipo a tre terminali, in un dispositivo a due terminali, il quale viene commutato allo stato di conduzione , quando la tensione ai capi dei propri terminali supera una soglia positiva predeterminata. Nel funzionamento, ? stato assunto che i transistori Q? e Q_ risultino inizialmente allo stato di non conduzione.il resistere 18 impedisce una inavvertita commutazione allo stato di conduzione dei transistori e Q da parte del rumore elettrico e del rumore termico. Fondamentalmente, il funzionamento del circuito di protezione 12 viene innescato dalla rottura, vale a dire dal "breakdown" fra collettore e base del transistore Q2 durante una escursione di un transitorio ad andamento positivo, in modo tale da provocare una determinata caduta di tensione ai capi del resistore 18. Quando questa caduta di tensione supera un valore corrispondente alla tensione fra base ed emettitore di un transistore (VBE il cui valore ? pari , all' incirca, a 0 ,7 volt) BE ;11 transistore viene commutato allo stato di conduzione. Questo garantisce l'ottenimento di una corrente di base, per il transistore sufficiente a provocarne la commutazione allo stato di conduzione, provocando in tal modo un effetto di retroazione, a carattere positivo che consente di pilotare allo stato di saturazione entrambi i transistori e Q2 "fissando" effettivamente il terminale , vale a dire l'area di contatto 14 al potenziale della massa circuitale. ;La figura 2 illustra i circuiti 10 e 12 per la protezione dei transitori ad andamento negativo e dei transitori ad andamento positivo. ;Deve essere rilevato che?gli elementi analoghi sono stati contraddistinti dagli stessi numeri di riferimento. Sotto questo aspetto, deve essere rilevato che il circuito 10 per la protezione nei confronti dei transitori ad andamento negativo, rappresentato nella figura 2, risulta interconnesso in modo analogo al circuito 10 di protezione nei confronti dei transitori ad andamento negativo della figura 1, mentre il circuito 12 per la protezione nei confronti dei transi?tori ad andamento positivo presenta i transistori Q.J e Qg che risultano interconnessi in modo analogo a quanto precedentemente descritto con riferimento al circuito di protezione 12 nei confronti dei transitori positivi, del tipo schematizzato nella figura 1. Tuttavia, questa versione include un resistere di rivelazione 20 in serie tra il terminale 14 e il circuito che deve venire protetto, l'emettitore del transistore Q4, a conduttivit? di tipo NPN, presente nel circuito 10 per la protezione dai transitori negativi e l'emettitore del transistore Q1a conduttivit? di tipo PNP, del circuito 12 per la protezione nei confronti dei transitori positivi, essendo collegati ad un estremo del resistore 20, vale a dire a quell'estremo che risulta collegato .al terminaie 14, mentre le basi dei transistori e Q3, unitamente ai collettori dei transistori Q e Q sono collegate al terminale del resistore 20 che risi&ta collegato al circuito protetto# Inoltre, ? stato rappresentato un diodo 22 collegato fra il circuito protetto e la massa circuitale 16 che risulta inerente nella struttura. ;Nel funzionamento, un transitorio ad andamento negativo, ad alta tensione, presente in corrispondenza del terminale 14, provoca la circolazione di una determinata corrente attraverso il resistore 20 e il diodo 22, in una direzione tale da polarizzare, in senso diretto, il diodo 22. ;Questo potenziale di ba_se viene alimentato alla giunzione emettitore -base del transistore Q3, attraverso la connessione comune della base del transistore Q1 e della base del transistore Q3? Conseguentemente, la combinazione del diodo 22 e del transistore Q forma, in effetti, uno specchio di corrente. La conente di base circolante nel transistore Q provoca la circolazione di una conente di collettore nel transistore Q3, tale corrente di collettore circolando quindi nella base del transistore Q ? Questo provoca la circolazione della corrente di collettore nel transistore Q?, con conseguente aumento della corrente di base del transistore Q 3 Il risultato netto ? rappresentato da un circuito a retroazione, a carattere positivo, il quale pilota i transistori Q3 e Q4 allo stato di saturazione, allo scopo di vincolare, o "fissare" in effetti, il terminale 14, al potenziale della massa circuitale, per effetto dell'azione a raddrizzatore controllato al silicio dei transistori Q e Q^? Quando termina la presenza del transi-torio,o quando il transitorio scende al di sotto di un valore predeterminato, il potenziale in corrispondenza del terminale 14 ritorna ad assumere il proprio normale potenziale d? funzionamento, e cessa la circolazione della corrente attraverso il diodo 22 e il circuito 10 di protezione nei confronti dei transitori negativi e, pertanto, il circuito 10 ritorna nella propria condizione di apertura. ;Un transitorio ad alta tensione, di pola rit? positiva, provocher? la circolazione di una determinata corrente attraverso il resistore 20,nel circuito protetto o verso la massa circuitale, dipendentemente dalla tensione di "rottura" o di "break down" collettore-base del transistore Q2? Quando la corrente circolante attraverso il resistore 20 provoca la presenza di una tensione pari a VBE il cui valore corrisponde? all'incirca a 0,7 volt , ai capi dei propri terminali, il transistore Q1 verr? commutato allo stato di conduzione, poich? questa tensione viene effettivamente applicata fra la base e l'emettitore del transistore . La corrente di collettore del transistore Q1 circola attraverso il resistore 18 e sviluppa, ai capi dello stesso, una determinata tensione, mentre quando questa tensione supera un valore corrispondente a V , il cui valore ? pari, all*incirca a 0,7 volt, il transistore Q2 viene commutato allo stato di conduzione. La corrente di collettore nel transistore Q2 deter? mina quindi un aumento della corrente iniziale di base del transistore Q1, provocando un effetto a retroazione, a carattere positivo, il quale pilota entrambi i tranaistori Q1 e 02 allo stato di saturazione, allo scopo di fissare, effettivamente, il terminale 14 al potenziale di massa, per dietto dell'azione a raddrizzatore controllato al silicio dei transistori Q1 e Q2. Quando termina il transitorio ad andamento positivo e/o quando lo stesso assume un valore inferiore ad un livello predeterminato, il circuito 12 verr? commutato allo stato di non conduzione, poich? si verifica la circolazione di una corrente attraverso il resistore 20 di valore inadeguato a mantenere una tensione corrispondente a V BE per il transistore Q, ?.?

Deve essere rilevato che il circuito 12 fornir? un'azione di fissaggio del livello quando si verifica la circolazione di una corrente dal terminale 14 al circuito che deve venire protetto, mentre non si verificher? nessuna azione di fissaggio del livello quando la corrente circola dal circuito protetto al terminale 14, poich? la polarit? del potenziale presente ai capi del resistore 20 invertir? la polarizzazione della giunzione emettitore base del transistore , con conseguen? te commutazione dello stesso allo stato di non conduzione. Questo rappresenta un vantaggio considerevole nei confronti dei circuiti di protezione a raddrizzatori controllati al silicio, proposti dalla tecnologia anteriore poich? un circuito di uscita a ripetitore di emettitore,di tipo NPN, che viene protetto dall'invenzione in oggetto, viene fissato al potenziale di massa durante i transitori che provocano un aggancio nel circuito di protezione della invenzione in oggetto, impedendo in tal modo il passaggio di una corrente eccessiva attraverso il ripetitore di emettitore protetto e impedendo quindi la formazione di danni allo stesso?

La figura 3 rappresenta una vista in pianta della versione schematizzata nella figura 2 e indica che il cir cuito 10 per la protezione dai transitori di polarit? negativa (figure 1 e 2) e il circuito 12 di protezione dai transitori di polarit? positiva (figure 1 e 2) vengono fornati in una regione comune isolata, 26, a conduttivit? di tipo N-unitamente all'area di contatto o terminale 14 per la ricezione dei segnali. Nella figura 3, le linee tratteggiate 44 delimitano il confine dello strato di metallo formante la superficie dell'area di contatto di ingresso 14 come pure le connessioni dagli emettitori dei transistori Q e Q all?area di contatto 14 e ad un terminale del resistore 20.La linea piena contraddistinta dal numero di riferimento 26 traccia il confine di una regione comune isolata 26, a conduttivit? di tipo N-, mentre la linea indicata in 24, indica i limiti di una regione,o sacca affondata 24, a conduttivit? di tipo N+. Il numero di riferimento

28 rappresenta un isolamento di tipo P+ circondante la regione 26 di tipo N-, mentre le line punteggiate rappresentano varie regioni P contraddistinte ,ad esempio dai numeri di riferimento 30, 34, 36 e 20. Le linee continue entro le linee tratteggiate indicano regioni diffuse a conduttivit? di tipo N+ formate entro le regioni di diffusione di tipo P e le stesse sono state rappresentate, ad esempio, come una regione 32 a conduttivit? di tipo N+ formata entro la regione 30 di tipo P e come regione 38, a conduttivit? di tipo N+ formata entro una porzione della regione 36 di tipo P. Le parti contraddistinte dalla lettera X rappresentano aperture di contatto nello strato di isolamento 42 e le stesse sono state indicate dai numeri di riferimento 40, 47, 48, 56 e 58.

Le figure 3 e 3A - 3D illustrano come i vari elementi della presente invenzione vengono formati su, e in una singola regione isolata, per lo svolgimento della funzione di protezione nei confronti sia dei transitori negativi sia di quelli positivi. Ad esempio, il circuito 10 di protezione dai transitori di polarit? negativa rappresentato nelle figure 1 e 2 consistente del transistore Q a cond-uttivit? di tipo PNP e del transistore Q a conduttivit? di tipo NPNf ? stato rappresentato nelle figure 3? 3A e 30, in cui la regione 32, a conduttivit? di tipo N+ rappresenta l'emettitore, la regione 30 di tipo P rappresenta la base, mentre la regione 26, di tipo N- rappresenta il collettore. Questi costituiscono gli elementi del transistore Q^? In modo analogo, il transistore Q^ ? stato rappresentato nelle figure 3 e 3C, in cui la regione 36 di tipo P rappresenta la regione di emettitore a conduttivit? di tipo N-f-il numero di riferimento 26 indicando la base^mentre la regione 30 a conduttivit? di tipo P rappresenta il collettore. Pertanto, poich? la regione 26, a conduttivit? di tipo N-, risulta comune alla base del transistore Q e al collettore del transistore Q , gli stessi elementi devono venire considerati come elettricamente collegati. In modo analogo, poich? la regione 30, di tipo P ? comune al collettore del transistore Q_ e alla base del transistore Q , anche questi eiementi devono essere considerati oome collegati fra di loro. Poich? l'emettitore del transistore Q (regione 32 a conduttivit? di tipo N+) ? collegato all'area di contatto 14 attraverso lfepertura di contatto 48 praticata nello strato di isolamento 42 e poich? l'emettitore del transistore (regione 36 di tipo p) ? collegato alla massa circuitale, attraverso la metallizzazione 46, vengono soddisfatti i requisiti circuitali per la formazione del circuito 10 di protezione nei confronti dei transitori negativi(figure 1 e 2).

Le figure 3, 3A e 3D indicano le interconnessioni. del circuito 12 di protezione nei confronti dei transitori di polarit? positiva (figure 1 e 2)consistente del transistore , a conduttivit? di tipo PNP e del transistore Q2 a conduttivit? di tipo NPN. Nelle figure 3A e 3D, la regione 34 di tipo P rappresenta l'emettitore, la regione 26, a conduttivit? di tipo N- rappresenta la base^mentre la regione 36 di tipo P rappresenta il collettore, tali regioni rappresentando gli elementi del transistore di tipo PNP. In modo analogo, il transistore Q2, di tipo NPN ? stato rappresentato nelle figure 3A e 3D, in cui la regione 38, a conduttivit? di tipo N+ rappresenta le emettitore, la regione 36 di tipo P rappresenta la baseymentre la regione 26 di tipo N- rappresenta il collettore. Pertanto, poich? la regione N- 26

? comune alla base del transistore Q e al collettore del transistore Q2, questi elementi risultano elettricamente interconnessi. In modo analogo, poich? la regione 36 di tipo P ? comune al collettore del transistore e alla base del transistore Q2? questi elementi risultano interconnessi. Per completare le connessioni riguardanti il circuito 12 di protezione nei confronti dei transitori positivi, l'emettitore del transistore viene collegato all'area di contatto 14 attraverso l'apertura di contatto 40, mentre l'emettitore del transistore viene collegato alla metallizzazione di massa 46 attraverso l'apertura di contatto 47.

La regione a sacca 24, a conduttivit? di tipo N+ forma una interconnessione di bassa resistenza per la connessione comune fra le basi dei transistori e e i collettori dei transistori Q? e e stabilisce il conteto elettrico con lo strato epitassiale 26, a conduttivit? di tipo N-.

Queste connessioni completeranno il dispositivo schematizzato nella figura 1.

Per la versione rappresentata nella figu-ra 2, viene formata una diffusione supplementare 20, di tipo P fra l'area di contatto 14 e la metallizza-zione di collegamento di uscita 54. In quest'ultima versione, secondo quanto rappresentato nelle figure 3, 3B e 3D, l'emettitore del transistore Q1 e l'emettitore del transistore sono collegati all?area di contatto 14 la quale risulta connessa ad un lato della regione 20, di tipo P, attraverso l'apertura di contatto 58, La diffusione 20, di tipo P, rappresenta il resistore di rivelazione 20 (figura 2), La regione a sacca 24, a conduttivit? di tipo N+, la connessione comune fra la base del transistore , il collettore del transistore Q2, e la base del transistore Q3 e il collettore del transistore Q^, ? collegata alla diffusione 20 di tipo P (altra estremit? del resistore di rivelazione 20), attraverso una regione a diffusione 52, a conduttivit? di tipo N+ e la metallizzazione 54. La connessione con il circuito che viene protetto viene effettuata attraverso la metallizzazione 54, passante attraverso l'apertura 56.

Per completare la descrizione della nuova struttura proposta dall'invenzione, deve essere rilevato che il diodo 22 viene formato; fra la diffusione 52 di tipo N e l'isolamento 28 di tipo P+(figura 3B)^ mentre il resistore 18 viene forn ato, nella regione 36, fra la metallizzazione di massa 46 e la porzione della regione 36 di tipo P disposta fra la regione 38

Claims

RIVENDICAZIONI

1)circuito di protezione per proteggere un circuito integrato nei confronti dei? transitori di tensione, comprendente:

mezzi conduttivi per collegare un terminale al circuito integrato che deve venire protetto, detto terminale essendo formato su di una singola regione isolata, in un corpo semiconduttore;

primi mezzi circuitali collegati fra i mezzi conduttivi ed una sorgente di potenziale di riferimento per proteggere il circuito integrato nei confronti dei transitori di tensione, di polarit? negativa;'

secondi mezzi circuitali collegati fra i mezzi condjuttivi e la sorgente di potenziale di riferimento per proteggere il circuito integrato nei confronti dei transitori di tensione, di polarit? positiva;

entrambi i primi e secondi mezzi ciruxiita -li essendo formati entro detta singola regione isolata.

2) Circuito di protezione secondo la rivendicazione 1, in cui i primi mezzi circuitali comprendono:

un primo transistore di tipo NPN presentante un emettitore, una base e un collettore;

un primo transistore di tipo PNP presentante un emettitore, una base e un collettore;

mezzi colleganti la base del transistore NPN al collettore del transistore PNP;

mezzi colleganti la base del transistore PNP al collettore del transistore NPN;

mezzi colleganti l'emettitore del transistore NPN ai mezzi conduttivi; e

mezzi colleganti l?emettitore del transistore PNP alla sorgente di potenziale di riferimento.

3) Circuito di protezione secondo la rivendicazione 2, in cui i secondi mezzi circuitali comprendono un secondo transistore PNP.presentante un emettitore, una base e un collettore;

un secondo transistore NPN presentante un emettitore, una base e un collettore;

mezzi colleganti la base del secondo transistore NPN al collettore del secondo transistore PNP e alla sorgente di potenziale di riferimento;

mezzi colleganti il collettore del secondo transistore NPN alle basi del primo e del secondo transistore, a conduttivit? di tipo PNP;

mezzi colleganti l?emettitore del secondo transistore PNP ai mezzi conduttivi; e

mezzi colleganti l'emettitore del secondo transistore NPN alla sorgente di potenziale di riferimento;

4) Circuito di protezione secondo la rivendicazione 3, comprendente pure:

un resistore di rivelazione collegato in serie ai mezzi conduttivi, fra il terminale e il circuito integrato protetto;

l'emettitore del primo transistore NPN e l'emettitore del secondo transistore PNP essendo collegati all'estremit? del resistore di rivelazione collegata al terminale; e

le basi del primo e del secondo transistore di tipo FNP e i collettori del primo e del secondo transistor^ di tipo NPN essendo collegati all'altra estremit? del resistore di rivelazione.

5)struttura a semiconduttori per proteggere un circuito integrato da transitori ad andamento negativo e ad andamento positivo, comprendente:

mezzi conduttivi per collegare un terminale al circuito integrato, detto terminale essendo formato adiacentemente ad una superficie di una regione a semiconduttore, di un primo tipo di conduttivit?, disposta in corrispondenza di una superficie di un substrato, di materiale semiconduttore, del secondo tipo di conduttivit?;

una prima coppia di transistori, a conduttivit? di tipo opposto, collegata fra i mezzi conduttivi ed una sorgente di potenziale di riferimento per la protezione nei confronti dei transitori ad andamento negativo;

una seconda coppia di transistori a conduttivit? di tipo opposto, collegata fra i mezzi conduttivi e la sorgente di potenziale di riferimento, per la protezione nei confronti dei transitori ad andamento positivo;

dette prima coppia e detta seconda coppia di transistori a conduttivit? di tipo opposto essendo formate entro detta regione del primo tipo di conduttivit?.

6) Struttura a semiconduttori secondo la rivendicazione 5, in cui la prima coppia di transistori comprende:

un primo transistore NPN, e un primo transistore PNP, ognuno presentante un emettitore, una base e un collettore, la base del primo transistore NPN essendo collegata al collettore del primo transistore PNP;

la base del primo transistore PNP essendo collegata al collettore del primo transistore NPN;

l?emettitore del primo transistore NPN essendo collegato ai mezzi conduttivi; e lfenettitore del primo transistore PNP essendo collegato alla sorgente che fornisce il potenziale di riferimento.

7) Struttura a semiconduttori secondo la rivendicazione 6, in cui la seconda coppia di transistori comprende:

un secondo transistore NPN e un secondo transistore PNP, ognuno presentante un emettitore, una base e un collettore;

la base del secondo transistore NPN essendo collegata al collettore del secondo transistore PNP e alla sorgente di potenziale di riferimento;

il collettore del secondo transistore PNP essendo collegato alla base del primo transistore PNP e alla base del secondo transistore PNP;

l?emettitore del secondo transistore PNP essendo collegato ai mezzi conduttivi;e l'emettitore del secondo transistore NPN essendo collegato alla sorgente che fornisce il potenziale di riferimento.

8) Circuito di protezione secondo la rivendicazione 7? comprendente pure:

un resistore di rivelazione collegato in serie ai mezzi conduttivi fra il terminale e il circuito integrato protetto;

le basi del primo transistore e del secondo transistore, di tipo PNP e i collettori del primo e del secondo transistore, di tipo NPN, essendo collegati all'altra estremit? del resistore di rivelazione.