FI114053B - Puolijohdekomponentti sysäysjännitteiden rajoittamiseksi ja puhelinpiiri - Google Patents
Puolijohdekomponentti sysäysjännitteiden rajoittamiseksi ja puhelinpiiri Download PDFInfo
- Publication number
- FI114053B FI114053B FI935590A FI935590A FI114053B FI 114053 B FI114053 B FI 114053B FI 935590 A FI935590 A FI 935590A FI 935590 A FI935590 A FI 935590A FI 114053 B FI114053 B FI 114053B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- diode
- semiconductor component
- diodes
- region
- multilayer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 79
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 9
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/747—Bidirectional devices, e.g. triacs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0814—Diodes only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0817—Thyristors only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/7404—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action structurally associated with at least one other device
- H01L29/7412—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action structurally associated with at least one other device the device being a diode
- H01L29/7416—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action structurally associated with at least one other device the device being a diode the device being an antiparallel diode, e.g. RCT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/87—Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
114053
Puolijohdekomponentti sysäysjännitteiden rajoittamiseksi ja puheiinpiiri -Haivledarkomponent för att begränsa transientspänningar och telefonkrets
Esillä olevan keksinnön kohteena on puolijohdekomponentti sysäysjännitteiden 5 rajoittamiseksi järjestelmän syöttöjohdoissa.
Puolijohdekomponentti on erityisen soveltuva suojaamaan puhelinjärjestelmäkompo-nentteja sysäyshäiriöiltä, jotka saattavat esiintyä signaalilinjoissa puhelinjärjestelmässä.
Ennen vanhaan puhelinjärjestelmissä käytettiin sähkömekaanisia komponentteja, 10 jotka kestivät suuria sysäysjännitteitä, jotka esiintyvät signaalijohdoissa luonnollisten sähköhäiriöiden seurauksena, kuten esim. salamaniskun seurauksena. Moderneissa puhelinjärjestelmissä käytetään komponentteja, jotka koostuvat lähinnä puolijohdekomponenteista, jotka ovat alttiita vaurioitumaan suurjännitesysäyksistä, jotka esiintyvät puhelinjärjestelmissä, jolloin on olemassa tarve aikaansaada suojaava laite tai 15 suojaavia laitteita puhelinjärjestelmäkomponentteja varten.
Puolijohdekomponentit ovat myös syrjäyttäneet järeämpiä laitteita muissa järjestelmissä, joissa ne myös saattavat olla alttiita ja jossa niitä on myös suojattava suurilta sysäysjännitteiItä, jolloin on olemassa tarve aikaansaada laite tai aikaansaada suo-: : jaavia laitteita puolijohdekomponentteja varten myös muihin järjestelmiin kuin puhe- : 20 linjärjestelmiin.
’ Keksinnön tarkoituksena on aikaansaada komponentti, joka kytkettynä järjestelmän syöttölinjoihin pystyy rajoittamaan näihin indusoitua sysäysjännitettä.
: Keksintö kohdistuu tarkemmin määriteltynä sellaiseen puolijohdekomponenttiin, joka soveltuu rajoittamaan sysäysjännitteitä järjestelmän syöttölinjoissa, jossa järjestel-25 mässä on ainakin kolme syöttölinjaa, yhden syöttölinjan muodostaessa virtanielun, _ jolloin puolijohdekomponentissa on ainakin kolme ottoelintä liitettäviksi vastaaviin syöttölinjoihin, ja kullakin ottoelimellä vastaava monikerrosliitosdiodi, jolla on kyn- * j nysjännite, jolla se siirtyy suurimpedanssitilasta pienimpedanssiseen tilaan, ja jol- : loin kukin monikerrosliitosdiodi on kytketty samalla tavalla vastaavan ottoelimen ja '30 yhteisen liittimen välille, ja kukin monikerrosliitosdiodi on kytketty pareittain vastaa-vaan lisädiodin kanssa, joka on kytketty rinnakkain ja vastakkaissuuntaisesti tä-' * män suhteen, jolloin keksinnölle on tunnusomaista se, että yhdellä diodiparilla, jo- 2 114053 ka pari on liitetty mainittuun virtanieluun, on virtakapasiteetti, joka olennaisesti vastaa toisten diodiparien yhdistettyjä virtakapasiteetteja.
Puolijohdekomponentti, jossa on kolme ottoelintä, soveltuu erityisen hyvin käytettäväksi puhelinjärjestelmässä.
5 Edullisesti monikerrosliitosdiodien katodielektrodit on kytketty vastaaviin ottoelimiin.
Puolijohdekomponentin edullisessa suoritusmuodossa kukin lisädiodeista on monikerrosliitosdiodi.
Puolijohdekomponentin toisessa suoritusmuodossa kukin lisädiodeista on diodi, jossa on yksi ainoa PN-liitos.
10 Puolijohdekomponentin edelleen toisessa suoritusmuodossa ainakin yksi, mutta eivät kaikki lisädiodeista on monikerrosliitosdiodi, ja kukin muista lisädiodeista omaavat yhden ainoan PN-liitoksen.
Edullisesti puolijohdekomponentti on muodoltaan puolijohdekappale, jossa on kaksi olennaisesti yhdensuuntaista pääpintaa, jossa diodien elektrodit sijaitsevat pääpin-15 noissa, ja ottoelimet ovat useita sähköjohtimia, jotka ovat kosketuksessa toiseen pääpintaan, ja siten vastaavien diodiparien elektrodeihin, ja jossa on lisäsähköjohdin, joka on yhteinen liitin, joka on kosketuksessa toiseen pääpinnoista ja kaikkiin elekt-·, rodeihin tällä pinnalla.
» • Edullisesti diodit ovat vaihtoehtoisesti monikerrosliitosdiodi ja lisädiodi, sekä pääpin- : 20 taa pitkin että sen yli, ja kukin ottoelin sijaitsee kosketuksessa diodiparin kanssa, jo- : hon kuuluu monikerrosliitosdiodi ja lisädiodi, ja edullisesti kukin ottoelin ulottuu : pääpinnan osan yli.
Puolijohdekomponentin yhdessä suoritusmuodossa kukin lisädiodeista on moniliitos-diodi ja eristetty alue eristää kunkin diodiparin sähköisesti muista monikerrosliitos-25 diodi-pareista, jotka sijaitsevat samalla puolijohdekappaleella.
*
Vaihtoehtoisessa suoritusmuodossa kukin lisädiodeista omaa PN-liitoksen, ja seos-, |: tettu alue puolijohdekappaleessa on yhteinen kaikille diodipareille.
Erityisen nopeatoimisessa vaihtoehtoisessa sovitelmassa puolijohdekomponentissa, monikerrosliitosdiodit on ryhmitelty puolijohdekomponenttikappaleen keskiosan ym-: 30 pärille, ja seostettu alue puolijohdekappaleessa on yhteinen kaikille diodipareille.
3 114053
Edullisesti kukin monikerrosliitosdiodi sisältää katodi (n+)-alueen, jossa on useita aukkoja, jotka täytetään vierekkäisen p-tyyppiportin alueen materiaalilla.
Vierekkäisen p-tyyppialueen tunkeutuminen katodialueeseen aikaansaa sen, että ka-todi-porttiliitos on kytketty rinnakkain osalla p-tyyppi-porttialueen kanssa. Tämä jär-5 jestelmä lisää virta-arvoa, joka tarvitaan komponentin pitämiseksi johtavassa tilassa verrattuna komponenttiin, jolla on tavanomainen katodialue, ja komponentin suunnittelija pystyy säätämään pitovirtaa muuttamalla tunkeutumista katodialueeseen. Puolijohdekomponentin toisessa suoritusmuodossa kukin puolikerrosliitosdiodi voi olla olennaisesti rakenteeltaan PNPN-tyyppinen siten, että siinä on hieman seostettu n-10 tyyppinen (n') sisempi N-alue, jolloin kullakin lisädiodilla voi olla paljon seostettu n-tyyppinen (n+) -alue, hieman seostettu n-tyyppinen (n ) -alue n+ -alueen vieressä, ja p-tyyppinen alue n' -alueen vieressä, ja monikerrosliitosdiodin n-tyyppinen sisempi N-alue voi olla paksumpi kuin lisädiodin n' -alue, jolloin paksuus mitataan virran virtaus-suunnassa puolijohdekomponentin läpi.
15 Edullisesti kullakin monikerrosliitosdiodilla on olennaisesti PNPN-rakenne, ja käsittää sisemmällä N-alueella, joka on hieman seostettu n-tyyppinen (n) -alue upotetun n-tyyppisen alueen, jolla on suurempi epäpuhtauskonsentraatio kuin n' -alueella, jolloin upotettu n-tyyppinen alue sijaitsee PNPN-rakenteen sisemmän P-alueen vieressä.
Puolijohdekomponentin toinen suoritusmuoto on rakenteeltaan sellainen, että mikäli 20 yksi ensimmäisistä diodipareista johtaa sen sähkövaraus on vapaa virtaamaan aina-<, kin yhteen toiseen diodipariin ja aikaansaamaan sen, että tämä alkaa johtaa.
: Edullisesti monikerrosliitosdiodit on ryhmitelty puolijohdekappaleen keskiosan ympä- : rille, ja edullisesti monikerrosliitosdiodit ovat rakenteeltaan sellaisia, että ne johtavat : virtaa paremmin puolijohdekomponentin keskiosan läheisyydessä kuin kappaleen 25 muissa osissa.
Puolijohdekomponentin toisen suoritusmuodon modifioidussa rakenteessa kukin monikerrosliitosdiodi on rakenteeltaan sellainen, että se toimii ensimmäisenä moni-kerrosliitosdiodina puolijohdekappaleen keskiosan lähellä, ja toisena monikerroslii-: tosdiodina muualla puolijohdekomponentissa, jolloin ensimmäinen monikerrosliitos- 30 diodi on pienempi ja herkempi kuin toinen monikerrosliitosdiodi.
!· Keksintö kohdistuu myös puhelinpiiriin, joka sisältää keksinnön mukaisen puolijohde- ·,: komponentin.
> · 4 114053
Seuraavassa selostuksessa monikerrosliitosdiodin edullista suoritusmuotoa kutsutaan zener-diodiksi. Patenttijulkaisussa GB-2.113.907B esitetään tällainen zener-diodi.
Seuraavassa esitetään esimerkkejä puolijohdekomponenteista sysäysjännitteiden 5 rajoittamiseksi esillä olevan keksinnön mukaisesti, esimerkin avulla, viittaamalla oheisiin kuviin, joissa: kuva 1 esittää leikkauskuvana perspektiivikuvaa integroidusta piiristä puolijohdekomponentin ensimmäisestä suoritusmuodosta sysäysjännitteiden muutosten rajoittamiseksi, joka soveltuu puhelinjärjestelmän suojaamiseen, 10 kuva 2 on perspektiivileikkauskuva esillä olevan keksinnön mukaisesta puolijohdekomponentin toisesta suoritusmuodosta, jolla rajoitetaan sysäysjännitteiden muutoksia, ja joka soveltuu puhelinjärjestelmien suojaamiseen, kuva 3 on piirikaavio, jossa esitetään puolijohdekomponentin ensimmäinen muoto, ja nähdään laite useina zener-diodeina, 15 kuva 4 on piirikaavio, jossa esitetään puolijohdekomponentin toinen suoritusmuoto, jossa nähdään komponentti useana zener-diodina ja suuntaajadiodina, kuva 5 on piirikaavio, jossa esitetään jompi kumpi puolijohdekomponentin muoto, jossa nähdään komponentti useana lohkona, kuva 6 on yksinkertaistettu rakenne-esitys yhdestä ainoasta zener-diodista, 20 kuva 7 on zener-diodin yksinkertaistetun rakenne-esityksen kehitelmä, : kuva 8 on piirikaavio, jossa esitetään kuvasta 7 kehitetty yksinkertaistettu zener- : diodi, : kuva 9 on symboli, jolla esitetään zener-diodi, . kuva 10 on yksinkertaistettu rakenne-esitys yhdistetystä zener-diodista ja estosuun- „ ·. 25 taisesti liitetystä suuntaajadiodista, ' t kuva 11 on symboli-esitys kuvan 10 rakenteesta, kuva 12 on kuvan 10 komponentin jännite-virtaominaisuuksien esitys, kuva 13 on esitys parin zener-diodin virta-jänniteominaisuuksista, jotka toimivat laitteena, jotka on kytketty rinnakkain toistensa kanssa, mutta vastakkaissuuntaisesti, • : 30 kuva 14 on tasokuva monoliittipiiristä, zener-diodista ja vastasuuntaisesti kytketystä ·.· suuntaajadiodista, *. kuva 15 on leikkauskuva monoliittipiiristä, joka esitetään kuvassa 14 pitkin viivaa XX, kuva 16 on tasokuva monoliittipiiristä kaksisuuntaisesta zener-diodista, •; kuva 17 on tasokuva monoliittipiiristä, joka esitetään kuvassa 16 pitkin viivaa XX, 35 kuva 18 on tasokuva vaihtoehtoisesta integroidusta piiristä puolijohdekomponentin toisen suoritusmuodon mukaisesti, ja 5 114053 kuva 19 on tasokuva monoliittipiiristä, joka on esitetty kuvassa 18 pitkin viivaa YY.
Seuraavassa viitataan kuvaan 1 oheisissa piirustuksissa, jossa nähdään puolijohdekomponentin ensimmäinen suoritusmuoto sysäysjännitteiden rajoittamiseksi, ja joka sisältää ensimmäisen parin zener-diodeja 1, toisen parin zener-diodeja 2, ja kolman-5 nen parin zener-diodeja 3, jotka kolme zener-diodiparia 1, 2 ja 3 kuuluvat monoliitti-piiriin 4, ja jotka monoliittipiirissä 4 on eristetty toisistaan jatkuvalla sululla 5. Sulku 5 muodostaa integroidun piirin 4 sivut sen lisäksi, että se ulottuu zener-diodien 1,2 ja 3 välille.
Seuraavassa viitataan kuvaan 1, jossa zener-diodien ensimmäinen pari 1 sisältää 10 ensimmäisen kerroksen 10, joka on p-tyyppistä puolijohdemateriaalia, ja toisen kerroksen 11, joka on n' -tyyppistä puolijohdemateriaalia, joka on kosketuksessa ensimmäiseen kerrokseen 10. p-tyyppinen alue 13 sijaitsee toisella alueella 11, ja sillä on yhteinen pinta toisen alueen 11 kanssa, p-tyyppisen alueen 13 alapuolella sijaitsee n-tyyppinen alue 12, joka on kosketuksessa p-tyyppiseen alueeseen 13, ja n+ 15 -tyyppiseen alueeseen 14 p-tyyppisellä alueella 13. n+ -tyyppinen alue 14 omaa yhteisen pinnan toisen pinnan 11 kanssa ja p-tyyppisen alueen 13 kanssa, p-tyyppinen alue 13 tunkeutuu määrävälein useasta kohdasta n+ -tyyppiseen alueeseen 14. n+ -tyyppinen rengas 15 toisessa kerroksessa 11 omaa yhteisen pinnan toisen kerroksen 11 kanssa.
. . 20 Viitataan edelleen kuvaan 1, jossa n+ -tyyppinen alue 14 vie olennaisesti puolet p- , *: ·. tyyppisen alueen 13 pituudesta ja lähes koko leveyden, vaikkakaan ei täysin, tästä p- tyyppisestä alueesta, n-tyyppisen alueen 12 rajat sijaitsevat olennaisesti kohdakkain .". ‘ n+ -tyyppisen alueen 14 rajojen kanssa.
f’’.* Ensimmäinen zener-diodipari 1 sisältää, vaikkakaan ei ole esitetty kuvassa 1, lisä-n- ’: 25 tyyppisen alueen, joka sijaitsee kosketuksessa p-tyyppisen alueen 10 ja n' -tyyppisen alueen 11 kanssa, ja edelleen n+ -tyyppisen alueen, joka sijaitsee p-tyyppisen alueen 10 sisällä ja omaa yhteisen pinnan p-tyyppisen alueen 10 alapinnan kanssa (kuten nähdään kuvassa 1). Lisäalueet sijaitsevat ensimmäisen zener-diodiparin 1 raken- ’ i' teen alemmassa takapäässä.
»· f · 30 Kuvassa 17 esitetään leikkauskuvana kuva zener-diodiparin rakenteesta, kuten kuvan 1 zener-diodiparista 1, pitkin viivaa edestä taaksepäin (katsottuna kuvassa 1), ; : _ jossa kuvassa 17 esitetty n-tyyppinen alue 16 on yllä selostettu lisä-n-tyyppinen alue, • ‘: ja n+ -tyyppinen alue 17 on yllä selostettu n+ -tyyppinen lisäalue.
6 114053
Kuvassa 17 esitetty zener-diodipari sisältää sähkökoskettimet 19 ja 110 vastaavasti ylä- ja alaosassa (kuvassa 16), kun toisaalta kuva 1 ei sisällä laitteen sähkökosket-timia.
Seuraavassa viitataan kuvaan 17, jossa vierekkäisen p-tyyppialueen 13 tunkeutumi-5 nen n+ -tyyppiseen alueeseen 14 aikaansaa sen, että n+ -tyyppinen alue 14 kytketään rinnakkain p-tyyppisen alueen 13 osien kanssa, jotka tunkeutuvat tähän, p-tyyppisen alueen 13 rinnakkain kytkennän vaikutusta käytetään zener-diodien säätämiseksi virran suhteen, jolla niiden impedanssitila muuttuu, jota virtaa kutsutaan pi-tovirraksi. Zener-diodeilla on pieni impedanssi johtaessaan virtoja, jotka ovat suu-10 rempia kuin pitovirtansa, ja siirtyy suurimpedanssiseen tilaan, mikäli virta putoaa pi-tovirran alle. Mahdollisuutta asettaa pitovirta zener-diodilla käytetään varmistamaan, että zener-diodi kytkeytyy suurimpedanssiseen tilaan virta-arvolla, joka sijaitsee järjestelmän oikosulkuvirran yläpuolella, mahdollistaen järjestelmän paluun normaalitoimintaan kun kerran sysäysjännite on ohi. Zener-diodin pitovirta on pienin mikäli p-15 tyyppinen alue 13 ei tunkeudu n+ -tyyppiseen alueeseen 14, ja lisääntyy mikäli esiintyy enemmän tunkeutumista. Zener-diodi, joka sisältää alueet 10, 11, 12, 13 ja 14 suorittaa "sorkkarauta"-kytkennän, kuten on selostettu yllä kun p-tyyppinen alue 10 on positiivinen suhteessa n+ -tyyppiseen alueeseen 14. Ilman n-tyyppistä aluetta 12 diodilla olisi todellinen läpilyöntijännite, jonka määrittäisi n' -tyyppinen alue 11, ja io-20 nipitoinen n-alue 12 määrittää läpi lyönti jän n itteen, joka on alhaisempi kuin todellinen läpilyöntijännite. lonipitoisen n-alueen 12 lisääminen mahdollistaa zener-diodin liipai-sujännitteen tarkan asettamisen, ja mikäli halutaan, voidaan zener-diodipari valmis-: taa eri liipaisujännitteillä. Tämä tarkoittaa sitä, että ionipitoisen n-tyyppisen alueen 16 ; : ei tarvitse olla samanlainen kuin n-tyyppinen alue 12.
! 25 Viitataan jälleen kuvaan 1, jossa kolmas zener-diodipari 3 on olennaisesti samanlai- • # nen kuin ensimmäinen zener-diodi 1 rakenteeltaan ja suuntaukseltaan, kun toisaalta toinen zener-diodipari 2 on vastakkaissuuntainen suhteessa kahteen toiseen zener-diodipariin 1 ja 2, ja on rakenteeltaan olennaisesti samanlainen.
Kuvan 1 esittämässä komponentissa tarvitaan sähkökosketus pitkin alempaa pintaa . 30 (kuvassa 1) yhteisesti kolmelle zener-diodiparille 1, 2 ja 3, ja tarvitaan myös sähkö koskettimet zener-diodiparien 1,2 ja 3 yläpinnassa (katso kuva 1).
Sovitettaessa kuvan 1 komponenttiin sähkökoskettimet, ne voidaan esittää kuvan 3 ‘ : esittämällä piirillä, jossa zener-diodipareilla 1, 2 ja 3 on yhteinen liitäntä 6, ja vastaa villa zener-diodipareilla on vapaat liittimet 7, 8 ja 9. Kuvan 3 vapaat liittimet 7, 8 ja 9 7 114053 esittävät sähkökoskettimia vastaavia kuvan 1 zener-diodipareja varten, ja yhteinen liitäntä 6 on kolmen zener-diodiparin yhteinen sähköliitäntä.
Kuvien 1 ja 3 integroitujen piirien toiminnassa positiivissuuntainen häiriö liittimessä 7 suhteessa liittimeen 8 rajoitetaan zener-diodiparin 1 myötäkytketyn zener-diodin lii-5 paisujännitteen ja zener-diodiparin 2 myötäkytketyn zener-diodin liipaisujännitteen summaksi. Liittimessä 7 esiintyvä negatiivissuuntainen jännite suhteessa liittimeen 8 rajoitetaan zener-diodiparien 1 ja 2 kahden muun zener-diodin liipaisujännitteen summaksi. Liittimessä 9 esiintyvät häiriöjännitteet suhteessa liittimeen 8 rajoitetaan vastaavilla zener-diodiparien 2 ja 3 zener-diodien sarjayhdistelmällä samalla tavalla 10 kuin mitä selostettiin liittimen 7 osalta.
Seuraavassa viitataan kuvaan 5, jossa puolijohdekomponentti sisältää kolme suoja-piiriä 2000, 2100 ja 2200, joiden kunkin tarvitsee kestää ainoastaan osan jännitteestä, jonka suojaelimet, jotka on kytketty delta-muotoon, olisi kestettävä. Koska tässä käytetään tähtimuotoa, komponentti toteutetaan käyttämällä pystysuoria rakenteita 15 yksinään, ja omaa suuremman virtakäsittelykapasiteetin kuin tunnetut suojaelimet.
Viitataan kuvaan 1 ja 3, jossa ensimmäisellä zener-diodiparilla 1, käytettäessä puhelinjärjestelmän suojana, omaa terminaalin 7, joka on kytketty R- tai A-linjaan, ja liitin 9 on kytketty T- tai B-liittimiin, ja liitin 8 on kytketty maahan, puhelinjärjestelmässä. Kuvien 1 ja 3 integroidun piirin toiminnassa sekä R (tai A) ja T (tai B) -linjoilla esiintyvät 20 sysäysjännitteiden muutokset aiheuttavat virtoja sekä molemmissa zener-diodipa-·. reissä 1 ja 3, ja zener-diodin 2 on poistettava molemmat virrat, jolloin toisen zener- . diodi 2 on omattava kaksinkertainen virtakapasiteetti verrattuna kuhunkin zener-dio- .* diin 1 ja 3. Zener-diodiparien suhteelliset virtakapasiteettivaatimukset täytetään siten, että tehdään toisen zener-diodiparin 2 diodien aktiivisten n+ -tyyppisten alueiden alu-• 25 eet kaksi kertaa suuremmiksi kuin vastaavat alueet zener-diodiparien 1 ja 3 kahdes- ’ sa muussa diodissa.
Kuvien 1 ja 17 integroitujen piirien toiminnassa missä tahansa zener-diodiparissa generoitunut sähkövaraus rajoitetaan tähän zener-diodipariin eristävän sulun 5 kautta, joka ympäröi kutakin zener-diodiparia.
30 Viitaten kuvaan 2, jossa esitetään toista puolijohdekomponenttia sysäysjännitteiden muutosten rajoittamiseksi, se sisältää ensimmäisen zener-diodi - suuntaajadiodi -yh-:t distelmän 200, toisen zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmän 210, ja kolmannen “: zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmän 220.
8 114053
Viitaten kuvaan 2 ensimmäinen zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmä 200 sisältää p-tyyppisen alueen 201, n' -tyyppisen alueen 202, joka sijaitsee kosketuksessa p-tyyppiseen alueeseen 201, ja n-tyyppisen alueen 203, joka sijaitsee n‘ -tyyppisen alueen 202 sisällä, p-tyyppisen alueen 204, joka myös sijaitsee n -tyyppisen alueen 5 202 sisällä, ja on kosketuksessa n-tyyppiseen alueeseen 203, ja omaa yhteisen pin nan n' -tyyppisen alueen 202 kanssa, ja n+ -tyyppisen alueen 205, joka sijaitsee p-tyyppisen alueen 204 sisällä, ja omaa yhteisen pinnan p-tyyppisen alueen 204 kanssa, ja n' -tyyppisen alueen 202 kanssa. n+ -tyyppinen rengas 206 n' -tyyppisellä alueella 202 ympäröi aluetta 204, ja omaa yhteisen pinnan tämän alueen kanssa.
10 Viitaten kuvaan 2 ensimmäinen zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmä 200 sisältää n+ -tyyppisen alueen p-tyyppisen alueen 201 takaosassa (katsottuna kuvassa 2). Kuvassa 2 ei nähdä p-tyyppisen 201 -alueen takana olevaa n+ -tyyppistä aluetta, mutta se nähdään kuvassa 14, joka on leikkauskuva zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmästä 200 pitkin viivaa sen etuosasta sen takaosaan (katsottuna kuvassa 2). Kuvan 15 14 esittämä n+ -tyyppinen alue 207 vastaa kuvan 2 n+ -tyyppistä aluetta p-tyyppisen alueen 201 takana.
Viitaten kuvaan 2 toisella zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmällä 210 on olennaisesti sama rakenne kuin ensimmäisellä zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmällä 200, mutta se on käänteinen suhteessa ensimmäiseen zener-diodi - suuntaajadiodi -20 yhdistelmään 200. Kuten nähdään kuvassa 2 toiseen zener-diodi - suuntaajadiodi -*: yhdistelmään 210 kuuluu n+ -tyyppinen alue 211, n' -tyyppinen alue 212, joka on kos- : ketuksessa n+ -tyyppiseen alueeseen 211, p-tyyppinen alue 213, joka sijaitsee n‘ > ; -tyyppisellä alueella 212, ja omaa yhteisen pinnan n' -tyyppisen alueen 212 kanssa, ; . ja n+ -tyyppinen alue 214, joka sijaitsee p-tyyppisellä alueella p-tyyppisen alueen 213 25 takana (katsottuna kuvassa 2) ja omaa yhteisen pinnan p-tyyppisen alueen 213 ’.:kanssa. n+ -tyyppinen alue 211 vastaa kuvan 14 n+ -tyyppistä aluetta 207, ja on ym-' ’ märrettävää, että toisessa zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmässä 210 on aluei ta, jotka vastaavat ensimmäisen zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmän 200 alueita 201 ja 203.
30 Viitaten kuvaan 2, kolmas zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmä 220 on olennai- ,.· sesti samanlainen ja on suunnattu samalla tavalla kuin ensimmäinen zener-diodi - ·;·* suuntaajadiodi -yhdistelmä 200. Kolmannen zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistel- y män 220 alueet 221, 222, 223, 224 ja 225 vastaavat ensimmäisen zener-diodi - :' , j suuntaajadiodi -yhdistelmän 200 alueita 201,202, 203, 204 ja vastaavasti 205.
» · 9 114053
Viitaten kuvaan 2 n+ -tyyppinen rengas 206 on osa rengassysteemiä, joka ulottuu kunkin zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmän 200, 210 ja 220 ympäri. Tällöin tarvitaan koskettimia pitkin integroidun piirin alapintaa, ja kosketin tarvitaan kunkin zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmän 200, 210 ja 220 yläpinnalla (ylä- ja alaosalla 5 viitataan kuvan 2 järjestelyyn).
Kun kuvan 2 esittämä integroitu piiri varustetaan koskettimilla, se voidaan esittää kuvan 4 piirinä, jossa zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmillä 200, 210 ja 220 on yhteinen liitäntä 250 ja liittimet 251,252 ja 253.
Viitaten kuvaan 2 on huomattava, että kolmen zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdis-10 telmän 200, 210 ja 220 vastaavat n' -tyyppiset alueet 202, 212 ja 222 ovat varustetut yhteisellä n" -tyyppisellä alueella. On myös huomattava, että integroidun piirin etuosassa (katsottuna kuvassa 2) keskimmäisen zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmän 210 suuntaajadiodi sijaitsee ulompien zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmien 200 ja 220 zener-diodien välissä; integroidun piirin takaosassa (katsottuna kuvassa 15 2) ja ulompien zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmien 200 ja 220 suuntaajadiodit ympäröivät keskellä sijaitsevan zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmän 210 zener-diodia. Täten keskimmäinen zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmä 210 sijaitsee vastakkaissuuntaisesti suhteessa kahteen ulompaan zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmään 200 ja 220, ja tämä käänteisyys vastaa integroidun piirin vierekkäisten 20 komponenttien suhteista, jotka muuttuvat integroidun piirin etuosasta sen takaosaan (katsottuna kuvassa 2).
; Kuvien 2 ja 4 integroitujen piirien toiminnassa positiivissuuntainen häiriö liittimessä 2 251 suhteessa liittimeen 252 rajoitetaan zener-diodi - suuntaajadiodi -parin 200 ;; .: suuntaajadiodin myötäsuuntaisen läpilyöntijännitteen ja zener-diodi - suuntaajadiodi - > » :t f 25 parin 210 zener-diodin liipaisujännitteen summaan. Liittimessä 251 esiintyvä nega-v * tiivissuuntainen häiriö suhteessa liittimeen 252 rajoitetaan zener-diodi - suuntaaja- diodi -parin 200 zener-diodin liipaisujännitteen ja zener-diodi - suuntaajadiodi -parin 210 suuntaajadiodin myötäsuuntaisen läpilyöntijännitteen summaan. Liittimessä 253 esiintyvät häiriöjännitteet suhteessa liittimeen 252 rajoitetaan zener-diodi - suuntaa-,2 . 30 jadiodi -parien 220 ja 210 komponenteilla samalla tavalla kuin liittimen 251 yhteydes sä on selostettu.
t » ,Kuvien 2 ja 4 esittämien integroitujen piirien toiminnassa zener-diodi - suuntaajadiodi • ’ : -parien 200 ja 220 zener-diodit hipaistaan olennaisesti samanaikaisesti mikäli esiintyy } %» yhteinen häiriöjännite liittimissä 251 ja 253, ja mikäli tämä yhteinen häiriöjännite ylit-35 tää jomman kumman näiden liittimien jänniterajan. Tämä saavutetaan johtuen siitä, 10 114053 että häiriö liittimessä 251 suhteessa liittimeen 252, mikäli se on negatiivinen ja ylittää jännitteen, joka sallitaan tämän liittimen häiriöksi, aiheuttaisi tilanteen, jossa zener-diodi - suuntaajadiodi -parin 210 suuntaajadiodi ja zener-diodi - suuntaajadiodi -parin 200 zener-diodi alkaisi johtaa. Suuntaajadiodin johtaessa se sysää varauksenkanta-5 jia n' -tyyppiselle alueelle 212, jotka varauksenkantajat kulkevat n' -tyyppiseltä alueelta 212 n' -tyyppiselle alueelle 222. Varauksenkantajien läsnäolo alueella 222 aiheuttaa kolmannen zener-diodi - suuntaajadiodi -parin 220 zener-diodin liipaisun. Ensimmäisen zener-diodi - suuntaajadiodi -parin 200 ja kolmannen zener-diodi - suuntaajadiodi -parin 220 liipaisu tapahtuisi olennaisesti samanaikaisesti, ja tämän tuloksena 10 häiriöjännitteet liittymissä 251 ja 253 poistettaisiin olennaisesti samanaikaisesti. Mikäli vaihtoehtoisesti yhteinen positiivinen häiriöjännite esiintyisi liittimissä 251 ja 253 ja zener-diodi - suuntaajadiodi -parin 210 zener-diodi liipaistuu, liittimien 251 ja 253 jännitteet lukittuvat zener-diodi - suuntaajadiodi -parien 200 ja 220 suuntaaja-diodien johtamisen kautta. Suuntaajadiodit johtaisivat olennaisesti samanaikaisesti, 15 ja omaisivat olennaisesti saman jännitehäviön.
Viitaten kuvaan 2, jossa nähdään, että olennaisesti samanaikainen usean diodiparin liipaisu yllä mainituissa tilanteissa aiheutuu komponentin kolmen rakenneaspektin kautta. Ensimmäinen aspekti on se, että zener-diodit on siten sovitettu, että ne mahdollistavat varauksenkantajien pääsyn yhdeltä zener-diodialueelta liipaistuna ainakin 20 yhteen toiseen zener-diodiin yhteisen n' -tyyppisen alueen 202-212-222 kautta. Täten keskeisen zener-diodi - suuntaajadiodi -yhdistelmän 210 zener-diodi pystyy syöt- ;* tämään varauksenkantajia kullekin ja vastaanottamaan kultakin muulta zener-diodi - » · ’ suuntaajadiodi -yhdistelmältä 200 ja 220 sillä tuloksella, että kaikki zener-diodi - i . i suuntaajadiodi -yhdistelmät Hipaistaan kun kerran keskeinen zener-diodi - suuntaaja- ·,; * 25 diodi -yhdistelmä 210 on Hipaistu. Toinen aspekti on se, että sovittamalla kuvan 2 p- ; ‘tyyppiset alueet, jotka on esitetty alueena 201 ja 211, yhteisiksi kolmen diodiparin ; : zener-diodeille virta-peili -vaikutuksen aikaansaamiseksi, jolloin minkä tahansa ze ner-diodin Hipaisu aiheuttaa vierekkäisen zener-diodin Hipaisun. Kolmas aspekti on se, että sovitetaan suuntaajadiodit siten, että ne ollessaan johtavassa tilassa mahdol-30 listavat varauksenkantajien virtauksen vierekkäiseen zener-diodiin, joka mahdollisesti ei ole liipaistunut, ja joka tällöin liipaistuu syötettäessä varauksenkantajia suuntaaja-ί diodilta.
On ymmärrettävää, että kaikki diodit voidaan sovittaa käänteisesti ilman, että poike-:( taan kuvan 4 esittämän piirin toiminnasta.
1 I
• I • 35 Seuraavassa viitataan kuvaan 2, jossa nähdään toinen puolijohdekomponentti sy-säysjännitteiden rajoittamiseksi, ja joka komponentti on pinta-alaltaan pienempi kuin 11 114053 ensimmäinen puolijohdekomponentti. Tässä on jätetty pois ensimmäisen komponentin diffuusioeristys, jolla pienennetään komponentin kokoa. Komponentissa esiintyy ensisijainen johtuminen pystysuunnassa (eli p-tyyppiseltä alueelta 201 n+ -tyyppiselle alueelle 205 ensimmäisessä zener-diodi - suuntaajadiodi -parissa 200, esimerkiksi) 5 eikä sivusuunnassa (eli p-tyyppiseltä alueelta 213 esim. n+ -tyyppiselle alueelle esim. ensimmäisen ja toisen zener-diodi - suuntaajadiodi -parin 200 ja 210 välissä). Suun-taajadiodin vaatima alue on pienempi kuin zener-diodin vaatima alue johtuen siitä, että suuntaajadiodi aikaansaa alhaisemman johtamisjännitteen ja sen tarvitsee käyttää vähemmän tehoa kuin vastaavan zener-diodin. Komponentin toisen muodon käyttä-10 mät zener-diodit tarvitsevat läpilyöntijännitteen, joka on suurin piirtein kaksinkertainen kuin komponentin ensimmäisen muodon tarvitsema zener-diodi (koska komponentin toisessa suoritusmuodossa on yksi ainoa zener-diodi, joka asettaa suojeltavan systeemin jänniterajan kun toisaalta komponentin ensimmäisessä suoritusmuodossa käytetään kahta sarjaan kytkettyä zener-diodia, jotka asettavat suojatta-15 van järjestelmän rajajännitteen). Aina liipaisujännitteisiin 200 V asti zener-diodin vaatima tila pienenee ylijänniteaallon virtakapasiteetin lisääntyessä; koska komponentin ensimmäisen ja toisen suoritusmuodon tarvitsemat zener-diodit ovat 200 V -rajan sisällä, kukin zener-diodi komponentin toisessa suoritusmuodossa vaatii alueen, joka ei ylitä ensimmäisen suoritusmuodon jomman kumman ensimmäisen tai kolmannen 20 zener-diodin pinta-alaa.
Viitaten kuvaan 2, jossa esitetään komponentin toinen suoritusmuoto, n-tyyppiset alueet, jotka edustavat n-tyyppisiä alueita 203 ja 223 (on olemassa kolmas n-tyyppi-: nen alue toisessa zener-diodissa, mutta tämä ei näy kuvassa 2) sovitetaan samassa j työvaiheessa, jolloin saadaan kolmen zener-diodin läpilyöntijännitteen hyvä yhteen- : 25 sovitus. Edelleen, koska kaikki muodostelmat (n+ -tyyppiset alueet), jotka säätävät : zener-diodien liipaisujännitteitä, sijaitsevat puolijohdekomponentin yhdellä puolella, : saavutetut tulokset ovat parempia kuin tilanteessa, jossa käytetään jännitteen säätä viä muodostelmia puolijohdekappaleen kummallakin puolella.
Viitaten kuvaan 2 n' -alueen 212 paksuutta voidaan säätää n+ -alueen 211 vieressä 30 vaihtelemalla n+-alueen 211 syvyyttä, ja erityisesti zener-diodi / suuntaajadiodi-parin : 210 zener-diodin n" -alue voi olla paksumpi kuin tämän parin suuntaajadiodin n" alue 212. Järjestelmässä, jossa on ohuempi n' alue 212 aikaansaadaan suuntaajadiodi, jolla on pienempi ylitys myötäkytkennällä, kuin järjestelyllä, jossa n -alueella 212 on olennaisesti sama paksuus kuin esimerkiksi 202 ja 222. Paksuus mitataan virran • 35 suunnassa puolijohdekomponentin läpi, eli n+ -alueelta 210 p-alueelle 213. Vaihto ehdot, joilla pienennetään n' -alueen 212 paksuutta ovat: (i) lisätään n+ -alueen 211 12 114053 syvyyttä, (ii) lisätään p-alueen 213 syvyyttä, tai (iii) lisätään sekä alueen 211 että alueen 213 syvyyttä.
Viitaten kuvaan 6 tasasuuntaava zener-diodi voidaan esittää, yksinkertaistetulla rakenteella, johon sisältyy p-tyyppinen kerros 50, n‘ -tyyppinen kerros 51, ja n-tyyppi-5 nen kerros 52, p-tyyppinen kerros 53, sekä n+ -tyyppinen kerros 54.
Viitaten kuvaan 7 kuvan 6 yksinkertaistettu rakenne voidaan piirtää erottamalla kerrokset 51,52 ja 53 alueeksi 501-502-503, 521-522-523, ja 531-532-533, vastaavasti.
Kuva 2 esittää vastaavaa piiriä kuin kuvissa 6 tai 7, viitaten kuvaan 8 asteittain lisääntyvä jännite, joka on sovitettu transistoreiden emitteri-elektrodien väliin, sovite-10 taan edelleen PNP-transistorin 55 emitteri-kantadiodin kautta, ja kasvaa mahdollisesti riittävän suureksi aiheuttaakseen sen, että zener-diodi 58 johtaa virtaa; tämä virta aiheuttaa latauksen injisioinnin NPN-transistorin 56 kantaelektrodiin, joka tekee NPN-transistorin 56 johtavaksi. Kun NPN-transistori 56 kerran siirtyy johtavaan tilaan, tapahtuu regeneratiivinen kytkentä PNP-transistorin 55 kanssa. Pois kytkeminen ta-15 pahtuu kun käytettävissä oleva virta putoaa laitteen pitovirran alapuolelle, kun vastusten 59 ja 60, jotka on kytketty rinnakkain, virta vähentää NPN-transistorin 56 kan-tavirtaa, ja se kytkeytyy pois päältä degeneratiivisesti PNP-transistorin 55 kanssa.
Viitaten kuvaan 8, nopeasti lisääntyvä jännite sovitetaan transistoreiden emitterien välille, ja johdetaan NPN-transistorin 56 kantaelektrodille, joka saa transistorin joh-20 tamaan. Hetkellinen johtaminen tapahtuu, koska NPN-transistori 56 ja zener-diodi 58 muodostaa "vahvistetun zenerin", mutta PNP-transistori 55, NPN-transistorin 56 ot-: tämän suuren käyttövirran vaikutuksesta, pakotetaan kytkeytymään päälle ja edes- : auttaa regeneratiivista päällekytkemistä. Laite vastaa selostetulla tavalla, koska : PNP-transistori 55 on sovitettu suurelle vastakytketylle emitteri-kantaläpilyöntijännit- : 25 teelle (jolloin laite pystyy estämään suuren vastakytketyn jännitteen) ja on täten hidas toiminnaltaan.
Kuvassa 10 on yksinkertaistettu rakenne-esitys yhdistetystä zener-diodi ja suuntaa-’ jadiodista, jotka on kytketty kuvan 11 tavalla, ja koostuvat n+ -tyyppisestä kerroksesta ' · j 70, p-tyyppisestä kerroksesta 71, n' -tyyppisestä kerroksesta 72, n-tyyppisestä ker- "'. 30 roksesta 73, p-tyyppisestä kerroksesta 74, ja n+ -tyyppisestä kerroksesta 75.
Kuvassa 12 esitetään zener-diodin 81 ja suuntaajadiodin 80 yhdistelmän toiminta- ominaispiirteet kuvan 11 esittämänä.
13 114053
Viitaten kuvaan 12 - OA edustaa zener-diodin alkuperäistä läpilyöntiä, - AB edustaa siirtymistä pienimpedanssiseen tilaan, ja - BC edustaa johtavaa pienimpedanssista tilaa. - OD edustaa suuntaajadiodin myötäkytkentää.
Kuvassa 13 esitetään zener-diodiparin toimintaominaisuuksia, jotka zener-diodit vält-5 tämättä eivät ole identtisiä.
Kuvassa 18 esitetään tasokuvana vaihtoehtoinen integroitu piirijärjestelmä kolmannesta puolijohdekomponenttityypistä, joka soveltuu rajoittamaan sysäysjännitteitä, joka on vaihtoehtoinen integroitu piirijärjestelmä kuvan 4 komponentille, ja kuvassa 19 esitetään leikkauskuva pitkin kuvan 18 integroidun piirin viivaa Y-Y.
10 Viitaten kuvaan 18 integroitu piiri sisältää vastaavasti ensimmäisen, toisen ja kolmannen zener-diodi - suuntaajadiodi -parin 170, 171 ja 172. Integroitu piiri esitetään kuvassa 18 ilman kosketinpintoja zener-diodi - suuntaajadiodi -parien 170, 171 ja 172 vastaavilla yläpinnoilla, jolloin n+ -tyyppiset alueet 174, 175 ja 176 ovat näkyvissä. Integroitu piiri sisältää kolme erillistä p-tyyppistä aluetta 177, 178 ja 179, ja n+ 15 -tyyppisen muodostelman 173, joka kulkee integroidun piirin ulkokehää pitkin ja p-tyyppisten alueiden 177,178 ja 179 välillä.
Viitaten kuvaan 19 kunkin zener-diodi - suuntaajadiodi -parin 170, 171 ja 172 rakenne on olennaisesti sama kuin mitä esitetään kuvassa 15; kuvassa 18 p-tyypin alue 177, n' -tyypin alue 181 ja n+ -tyypin alue 185 vastaa vastaavasti kuvan 14 alueita 20 204, 202 ja 207, ja kuvassa 19 n+ -tyypin alue 176, p-tyypin alue 179 ja n-tyypin alue : 180, n‘ -tyypin alue 181 ja p-tyypin alue 187 vastaavat kuvan 14 vastaavia alueita * 205, 204, 203, 202 ja 201. Kuvan 13 alueet 177, 181 ja 185 kuuluvat ensimmäiseen j zener-diodi - suuntaajadiodi -pariin 170, ja alueet 176, 179, 180, 181 ja 187 kuvassa : 19 kuuluvat kolmanteen zener-diodi - suuntaajadiodi -pariin 172.
25 Viitaten kuvaan 18 zener-diodi - suuntaajadiodi -parien 170, 171 ja 172 suhteelliset sijainnit ovat sellaisia, että ne pyrkivät lisäämään yhden zener-diodin pyrkimystä hipaistuna hipaisemaan muita zener-diodeja. Ensimmäisellä zener-diodi - suuntaaja-diodilla 170 on olennaisesti suorakulmainen muoto kuvassa, kun toisaalta kummalla-: kin toisella ja kolmannella zener-diodi - suuntaajadiodi -parilla 171 ja 172 on olennai- 30 sesti neliönmuotoinen muoto kuvassa. Toinen ja kolmas zener-diodi - suuntaajadiodi ‘ -pari 171 ja 172 sijaitsee vierekkäin ja ensimmäisen zener-diodi - suuntaajadiodi - yhdistelmän 170 pitkällä sivulla. Zener-diodi - suuntaajadiodi -parien zener-diodit on ; ryhmitelty integroidun piirin keskiosan ympärille, jolla saadaan rakenne, jossa sähkö- varaus, joka on generoitunut yhdessä kolmesta zener-diodi - suuntaajadiodi -parista 14 114053 liipaisun kautta, virtaa nopeasti vierekkäisiin zener-diodeihin, ja aiheuttaa näiden liipaisun. Kuten esitetään kuvassa 19, n' -tyyppinen alue 181 on yhteinen kaikille ze-ner-diodi - suuntaajadiodi -pareille 170, 171 ja 172, ja varaus, joka on generoitunut tällä alueella missä tahansa näistä zener-diodi - suuntaajadiodi -pareista, omaa suh-5 teellisen lyhyen matkan päästäkseen kuhunkin muista zener-diodi - suuntaajadiodi -pareista. Siksi kuvien 18 ja 19 esittämä komponentti toimii olennaisesti samalla tavalla kuin kuvan 2 esittämä komponentti, mutta zener-diodi - suuntaajadiodi -parien läheinen ryhmittely aikaansaa komponentin, jolla on nopeampi keskinäisen liipaisu kuin kuvan 2 komponentilla.
10 Viitaten kuviin 18 ja 19 kaksi zener-diodeista, joiden katodialueet 175 ja 176 on kytketty vastaavasti liittimiin 251 ja 153 kuvassa 4, sijaitsevat vierekkäin ja suuntaaja-diodia pitkin, joka sijaitsee rinnakkain kolmannen zener-diodin kanssa (kolmannen zener-diodin katodialue 174 on kytketty kuvan 4 liittimeen 252). Siksi zener-diodit, jotka olisi kytketty A- tai Rengas- (liitin 251) ja B- tai Kärki- (liitin 253) linjoihin puhelin-15 järjestelmässä, sijaitsevat lähellä suuntaajadiodia, joka olisi kytketty puhelinjärjestelmän maajohtoon. Lisäksi, ne osat katodialueista 1175 ja 176, jotka sijaitsevat lähinnä vierekkäistä suuntaajadiodia, ja lähellä toisiaan, eivät omaa aukkoja, jotka on täytetty vierekkäisen p-tyyppisen alueen 179 tunkeumilla, jolloin saadaan zener-diodeja, jotka ovat herkempiä näillä alueilla kuin muualla. Vaihtoehtoisesti herkkyys näillä alueil-20 la voidaan parantaa sovittamalla vähemmän aukkoja näille alueille, tai sovittamalla pienempiä aukkoja näille alueille.
Zener-diodien keskinäinen liipaisu kuvien 18 ja 19 esittämässä komponentissa, voidaan edelleen parantaa sovittamalla sellaisia n-tyypin alueita kuin alue 180 kuvassa •, 19 komponentin keskeiselle alueelle virran keskittämiseksi komponentin keskialueel- : [ 25 le. Keskinäisen liipaisun parantamiseen voi liittyä komponentin liipaisuvirran piene- ' ;l( neminen ja nopeasti lisääntyvien virtojen lisääntynyt jännitteen ylitys. Modifioidun komponentin pyrkimystä sallia jänniteylityksen määritetyissä olosuhteissa, voidaan vähentää sovittamalla toinen n-tyypin alue, joka ulottuu komponentin koko aktiivisen ··: alueen yli. Jokainen zener-diodi, jossa on kaksi n-tyypin aluetta, olisi tällöin saman- 30 lainen kuin kaksi zener-diodia, joista toinen on pienempi kuin toinen ja omaa suu-; *.,; remman herkkyyden ja pienemmän liipaisujännitteen kuin toinen. Zener-diodi, jossa on kaksi n-tyypin aluetta, toimii ensimmäisenä ja toisena zener-diodina, jossa en-simmäinen, pienempi zener-diodi, liipaistuu ensin ja on ainoa virtaa johtava diodi kunnes virran kohoaminen saavuttaa asetetun arvon; joka virta-arvo vastaa jännit- * * :. ’ · · 35 teen ylitystä, joka aktivoi toista, suurempaa zener-diodia.
15 114053
Seuraavassa viitataan kuvaan 17, jossa n-tyypin alue 12 on sovitettu liitokseen n -tyyppisen alueen 11 ja p-tyyppisen alueen 13 väliin, ja jolle n-tyyppiselle alueelle 12 on tunnusomaista zener-diodi, joka on PNPN-laite. Kuten nähdään kuvasta 17, alue 11 ja alue 12 ovat samaa johtavuustyyppiä, ja alue 12 on enemmän seostettu kuin 5 alue 11. Kuvan 17 esittämä komponentti, joka on osa zener-diodiparia, sisältää ensimmäisen n-tyypin alueen 12 toisella zener-diodilla ja toisen n-tyypin alueen 16 toisella zener-diodilla.
Viitaten kuviin 17 ja 19 kuvan 19 alue 180 vastaa joko aluetta 12 tai aluetta 16 kuvassa 19.
10 Viitaten kuviin 1,2, 15, 17 ja 19 on ilmeistä, että zener-diodi on PNPN-diodi, eli mo-nikerrosliitosdiodi.
Kuvissa 3 ja 4 esitetyt komponentit tunnistetaan tähteen kytketyiksi komponenteiksi. Kuvan 3 komponentin osalta yksi zener-diodipareista, joka muodostaa tähden varren, joka on liitetty järjestelmän maalinjaan, johon komponentti on kytketty, liipaistuu 15 mikäli zener-diodi jommassa kummassa tähden varressa liipaistuu. Tähtijärjestelmän tuloksena on, että tähden keskiosa siirtyy maapotentiaaliin, mikäli esiintyy sysäys-jännitemuutos, joka aiheuttaa komponentin liipaisun. Tämä ei ole saavutettavissa delta-kytketyllä komponentilla, ja vastaavasti delta-kytketyllä ja tähteen kytketyillä komponenteilla, joilla on identtiset zener-diodit, tähteen kytketty komponentti sallii ai-20 noastaan puolet sysäysjännitteen muutoksesta syöttölinjojen välillä suhteessa mitä . delta-kytketty komponentti sallii.
: Yllä selostetut komponentit ovat yhden ainoan sirun ylijännitesuojia, joissa on kolme : liitintä tai enemmän. Kaikki selostetut rakenteet voidaan valmistaa yhteen ainoaan si- ruun, jossa on kolme tai enemmän liitintä. Kaikki rakenteet toimivat pystysuorilla vir-25 roilla, ja omaavat suuremman virtakapasiteetin kuin tunnetut ratkaisut, jotka toimivat sivuttaisvirroilla. Komponentit reagoivat yhteisiin häiriöjännitteisiin syöttölinjoissa, vä-hentämällä impulssijännitettä, joka kehittyy syöttölinjojen välille. Komponentit saattavat sisältää zener-diodeja, joilla on toisistaan poikkeavat liipaisujännitteet, jotka säädetään eri implementointitasoilla n-tyypin alueille. Zener-diodi - suuntaajadiodi- ja ze-: 30 ner-diodipari -yhdistelmiä voidaan käyttää komponenteissa. Komponentit aikaansaa- .: vat kytkennän zener-diodien välillä.
Claims (20)
1. Puolijohdekomponentti (4), joka soveltuu rajoittamaan sysäysjännitteitä järjestelmän syöttölinjoissa, jossa järjestelmässä on ainakin kolme syöttölinjaa, yhden syöttölinjan (8, 252) muodostaessa virtanielun, jolloin puolijohdekomponentissa on 5 ainakin kolme ottoelintä (7, 8, 9; 251, 252, 253) liitettäviksi vastaaviin syöttölinjoihin, ja kullakin ottoelimellä vastaava monikerrosliitosdiodi (1, 2, 3; 200, 210, 220), jolla on kynnysjännite, jolla se siirtyy suurimpedanssitilasta pienimpedanssiseen tilaan, ja jolloin kukin monikerrosliitosdiodi (1, 2, 3; 200, 210, 220) on kytketty samalla tavalla vastaavan ottoelimen (7, 8, 9; 251, 252, 253) ja yhteisen liittimen (6; 250) välille, ja 10 kukin monikerrosliitosdiodi (1, 2, 3; 200, 210, 220) on kytketty pareittain vastaavan li-sädiodin kanssa, joka on kytketty rinnakkain ja vastakkaissuuntaisesti tämän suhteen, tunnettu siitä, että yhdellä diodiparilla (2, 210), joka pari on liitetty mainittuun virtanieluun, on virtakapasiteetti, joka olennaisesti vastaa toisten diodiparien yhdistettyjä virtakapasiteetteja.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu siitä, että kukin lisädiodeista on monikerrosliitosdiodi ja että eristysvyöhyke (5) eristää kunkin diodiparin sähköisesti puolijohdekomponenttikappaleen muista diodipareista.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen puolijohdekomponentti, jonka puolijohde-komponenttikappaleessa on kaksi olennaisesti yhdensuuntaista pääpintaa, tunnettu . 20 siitä, että diodien (1, 2, 3) elektrodit sijaitsevat pääpinnoilla, että ottoelimet (7, 8, 9) : . ovat joukko sähköjohtimia, jotka yhdessä pääpinnassa ovat kosketuksessa vastaavi en diodiparien elektrodien kanssa, lisäsähköjohdin, joka on mainittu yhteinen liitin (6), , V on toisella pääpinnalla kosketuksessa kaikkien tämän pinnan elektrodien kanssa, ja . γ toiset diodiparit (1, 3) sijaitsevat symmetrisesti suhteessa diodipariin (2), jolla on vir- 25 takapasiteetti, joka olennaisesti vastaa toisten diodiparien yhdistettyjä virtakapasi-. : teetteja.
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu siitä, että kukin lisädiodeista omaa yhden PN-liitoksen ja seostettu puolijohdekomponenttikappaleen alue (202, 212, 222) on yhteinen kaikille diodipareille. ·'. 30
5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu siitä että * ’ monikerrosliitosdiodien katodien elektrodit on kytketty vastaaviin ottoelimiin.
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen puolijohdekomponentti tunnettu siitä että, ai nakin yksi, mutta eivät kaikki, lisädiodeista on monikerrosliitosdiodi ja että muista lisä-diodeista kullakin on yksi ainoa PN-liitos. 17 114053
7. Patenttivaatimuksen 4, 5 tai 6 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu siitä, että diodit ovat vuorotellen monikerrosliitosdiodeja sekä lisädiodeja, laskettuna pää-pinnan sekä pituus- että poikittaissuunnassa.
8. Jonkin patenttivaatimuksista 4-7 mukainen puolijohdekomponentti tunnettu sii-5 tä, että kullakin monikerrosliitosdiodina (200, 210, 220) on olennaisesti PNPN-raken- ne, ja sisäinen N-alue, joka on kevyesti seostettu n-tyypin (n')-alue, joka on paksumpi kuin kevyesti seostettu n-tyypin (n )-alue kussakin lisädiodissa, jolloin kunkin alueen paksuus mitataan virran virtaussuunnassa komponentin läpi.
9. Jonkin patenttivaatimuksista 4-8 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu 10 siitä, että se on puolijohdekomponenttikappaleen muodossa, joka on rakenteeltaan sellainen, että kun jokin ensimmäisistä diodipareista johtaa, sen sähkövaraus on vapaa virtaamaan ainakin yhteen toisista diodipareista ja käynnistämään tämän johtamisen.
10. Patenttivaatimuksen 4 tai 9 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu siitä, et-15 tä monikerrosliitosdiodit on ryhmitelty puolijohdekomponenttikappaleen keskiosan ympärille.
11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu siitä, että monikerrosliitosdiodit ovat rakenteeltaan sellaisia, että ne johtavat varauksia paremmin puolijohdekomponenttikappaleen keskiosan ympäristössä kuin muualla puoli- ;; ’ 20 johdekomponenttikappaleessa.
: : 12. Patenttivaatimuksen 11 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu siitä, että ; kukin monikerrosliitosdiodi on rakenteeltaan sellainen, että se toimii ensimmäisenä : *. ·. monikerrosliitosdiodina puolijohdekomponenttikappaleen keski-osan ympäristössä ja toisena monikerrosliitosdiodina muualla puolijohdekomponenttikappaleessa, jolloin 25 ensimmäinen monikerrosliitosdiodi on pienempi ja herkempi kuin toinen monikerrosliitosdiodi.
13. Jonkin patenttivaatimuksista 4-12 mukainen puolijohdekomponentti, joka on 2. sellainen puolijohdekomponenttikappale, jossa on kaksi olennaisesti yhdensuuntais- ;. / ta pääpintaa, tunnettu siitä, että • · !:. 30 diodien elektrodit sijaitsevat pääpinnoissa, : · * *: ja että ottoelimet ovat: 18 114053 (i) joukko sähköjohtimia, jotka yhdessä pääpinnassa liittyvät vastaavien diodiparien elektrodeihin (ii) toinen sähköjohdin, joka on yhteinen terminaali ja joka toisessa pääpinnassa liittyy kaikkiin siinä pinnassa oleviin diodien elektrodeihin.
14. Patenttivaatimuksen 13 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu siitä, että pääpinnat ovat olennaisesti suorakaiteenmuotoiset.
15. Patenttivaatimuksen 14 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu siitä, että kukin ottoelin ulottuu pääpinnan osan yli.
16. Patenttivaatimuksen 13, 14 tai 15 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu 10 siitä, että monikerrosliitosdiodit on ryhmitelty puolijohdekomponenttikappaleen keskiosan ympärille ja seostettu osa komponenttikappaleesta on yhteinen kaikille diodipa-reille.
16 114053 Patentti vaatim ukset
17. Jonkin patenttivaatimuksen 13-16 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu siitä, että kussakin lisädiodissa on vahvasti seostettu n-tyyppinen (n+) alue, joka on 15 mainitun toisen johtimen vieressä, kevyesti seostettu n-tyyppinen (n ) alue n+-alueen vieressä, sekä p-tyyppinen alue n' -alueen vieressä.
18. Patenttivaatimuksen 17 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu siitä, että kunkin monikerrosliitosdiodin katodialueella (n+) on joukko välejä, jotka on täytetty •: ·. viereisen p-tyyppisen hila-alueen aineella. . : : 20
19. Jonkin patenttivaatimuksista 1-18 mukainen puolijohdekomponentti, tunnettu j siitä, että kullakin monikerrosliitosdiodilla on olennaisesti PNPN-rakenne ja sisältää *·*: sisemmällä N-alueella, joka on kevyesti seostettu n-tyypin (n') -alue, upotetun n-tyy- pin alueen, jolla on suurempi epäpuhtauskonsentraatio kuin n' -alueella, jolloin upotettu n-tyypin alue sijaitsee PNPN-rakenteen sisemmän P-alueen vieressä. ···; 25
20. Puhelinpiiri, tunnettu siitä, että se sisältää jonkin edellisen patenttivaatimuksen * ·.. * mukaisen puolijohdekomponentin.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9112484 | 1991-06-11 | ||
| GB9112484A GB2256743A (en) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | A semiconductor component for transient voltage limiting |
| PCT/GB1992/001056 WO1992022927A2 (en) | 1991-06-11 | 1992-06-11 | A semiconductor component for transient voltage limiting |
| GB9201056 | 1992-06-11 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI935590A FI935590A (fi) | 1993-12-13 |
| FI935590A0 FI935590A0 (fi) | 1993-12-13 |
| FI114053B true FI114053B (fi) | 2004-07-30 |
Family
ID=10696421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI935590A FI114053B (fi) | 1991-06-11 | 1993-12-13 | Puolijohdekomponentti sysäysjännitteiden rajoittamiseksi ja puhelinpiiri |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5401984A (fi) |
| EP (3) | EP1209746A3 (fi) |
| JP (1) | JP2810788B2 (fi) |
| DE (1) | DE69232056T2 (fi) |
| FI (1) | FI114053B (fi) |
| GB (1) | GB2256743A (fi) |
| HK (1) | HK1042776A1 (fi) |
| WO (1) | WO1992022927A2 (fi) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2713400B1 (fr) * | 1993-11-29 | 1996-02-16 | Sgs Thomson Microelectronics | Composant de protection triangle. |
| US6411155B2 (en) | 1994-12-30 | 2002-06-25 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Power integrated circuit |
| FR2729008B1 (fr) | 1994-12-30 | 1997-03-21 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit integre de puissance |
| FR2764112B1 (fr) * | 1997-05-28 | 1999-08-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Mur d'isolement entre composants de puissance |
| GB2336728B (en) * | 1998-04-25 | 2002-03-20 | Power Innovations Ltd | Overvoltage protection |
| FR2785089B1 (fr) * | 1998-10-23 | 2002-03-01 | St Microelectronics Sa | Realisation de mur d'isolement |
| GB0108795D0 (en) * | 2001-04-07 | 2001-05-30 | Power Innovations Ltd | Overvoltage protection device |
| GB0123323D0 (en) * | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Power Innovations Ltd | Ignitor circuit PNPN device |
| GB0215089D0 (en) * | 2002-06-29 | 2002-08-07 | Power Innovations Ltd | Overvoltage protection |
| US7924079B2 (en) * | 2008-09-12 | 2011-04-12 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Baseline restore based on diode star configuration and transformer coupling |
| CN104412339B (zh) * | 2012-07-05 | 2017-10-17 | 保险丝公司 | 用于电压瞬变电路保护的撬棒器件 |
| CN105552873B (zh) * | 2016-01-05 | 2024-03-29 | 深圳市槟城电子股份有限公司 | 一种浪涌防护器件 |
| EP3891800A1 (en) | 2018-12-03 | 2021-10-13 | MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | Pin diodes with multi-thickness intrinsic regions |
| CN113424317A (zh) * | 2019-02-12 | 2021-09-21 | 镁可微波技术有限公司 | 单片多i区二极管限制器 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DK139798C (da) * | 1973-12-03 | 1979-09-17 | Licentia Gmbh | Thyristor med monolitisk integreret diode og fremgangsmaade til fremstilling deraf |
| SE414357B (sv) * | 1978-08-17 | 1980-07-21 | Asea Ab | Overspenningsskydd for skydd av halvledarkomponenter av lageffekttyp |
| US4377832A (en) * | 1981-01-09 | 1983-03-22 | Motorola, Inc. | Voltage transient suppressor circuit |
| JPS6074677A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Toshiba Corp | 複合型サイリスタ |
| US4661878A (en) * | 1984-01-25 | 1987-04-28 | Motorola Inc. | Overvoltage protection circuit |
| FR2613131B1 (fr) * | 1987-03-27 | 1989-07-28 | Thomson Csf | Circuit integre protege contre des surtensions |
| GB8713440D0 (en) * | 1987-06-09 | 1987-07-15 | Texas Instruments Ltd | Semiconductor device |
| GB2208257B (en) * | 1987-07-16 | 1990-11-21 | Texas Instruments Ltd | Overvoltage protector |
| US4905119A (en) * | 1988-06-27 | 1990-02-27 | Teccor Electronics, Inc. | Solid state overvoltage protection circuit |
| FR2670340B1 (fr) * | 1990-12-07 | 1993-03-12 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit de protection a faible capacite. |
-
1991
- 1991-06-11 GB GB9112484A patent/GB2256743A/en not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-06-11 JP JP5500775A patent/JP2810788B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-11 WO PCT/GB1992/001056 patent/WO1992022927A2/en active IP Right Grant
- 1992-06-11 DE DE69232056T patent/DE69232056T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-11 EP EP02002940A patent/EP1209746A3/en not_active Withdrawn
- 1992-06-11 EP EP92912070A patent/EP0589963B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-11 EP EP00103702A patent/EP1020924A3/en not_active Withdrawn
- 1992-06-11 US US08/162,083 patent/US5401984A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-12-13 FI FI935590A patent/FI114053B/fi not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-12-20 HK HK02104022.2A patent/HK1042776A1/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1209746A2 (en) | 2002-05-29 |
| GB2256743A (en) | 1992-12-16 |
| GB9112484D0 (en) | 1991-07-31 |
| US5401984A (en) | 1995-03-28 |
| FI935590A (fi) | 1993-12-13 |
| DE69232056D1 (de) | 2001-10-18 |
| EP0589963A1 (en) | 1994-04-06 |
| EP0589963B1 (en) | 2001-09-12 |
| EP1209746A3 (en) | 2004-09-29 |
| JP2810788B2 (ja) | 1998-10-15 |
| DE69232056T2 (de) | 2002-05-16 |
| FI935590A0 (fi) | 1993-12-13 |
| EP1020924A3 (en) | 2000-11-08 |
| WO1992022927A3 (en) | 1993-02-04 |
| EP1020924A2 (en) | 2000-07-19 |
| WO1992022927A2 (en) | 1992-12-23 |
| HK1042776A1 (zh) | 2002-08-23 |
| JPH06510635A (ja) | 1994-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI78581C (fi) | Halvledarkonstruktion och skyddskrets foer skyddande av en intergrerad krets. | |
| US6580142B1 (en) | Electrical control methods involving semiconductor components | |
| KR101394913B1 (ko) | 트렌치 소자분리를 사용한 래치업 없는 버티컬 ｔｖｓ 다이오드 어레이 구조 | |
| FI114053B (fi) | Puolijohdekomponentti sysäysjännitteiden rajoittamiseksi ja puhelinpiiri | |
| US6919603B2 (en) | Efficient protection structure for reverse pin-to-pin electrostatic discharge | |
| US7019338B1 (en) | Subscriber interface protection circuit | |
| US6411155B2 (en) | Power integrated circuit | |
| US4567500A (en) | Semiconductor structure for protecting integrated circuit devices | |
| GB2128829A (en) | Protection circuit for integrated circuit devices | |
| US5696391A (en) | Overload protection circuit | |
| US5844280A (en) | Device for protecting a semiconductor circuit | |
| USRE35854E (en) | Programmable protection circuit and its monolithic manufacturing | |
| US5828089A (en) | Full protection component for a subscriber line interface circuit | |
| US5781392A (en) | Balanced overvoltage protector for a dual-wire system | |
| US5808326A (en) | Delta protection component | |
| FI74166B (fi) | Skyddskrets foer integrerade kretsanordningar. | |
| US6531717B1 (en) | Very low voltage actuated thyristor with centrally-located offset buried region | |
| US5274253A (en) | Semiconductor protection device against abnormal voltage | |
| TWI777880B (zh) | 具有高保持電壓的低電容瞬態電壓抑制器及設備 | |
| CN114121944B (zh) | 具有高维持电压的瞬态电压抑制保护器件及静电放电电路 | |
| US5304823A (en) | An equipment protection semiconductor integrated circuit | |
| US4516037A (en) | Control circuitry for high voltage solid-state switches | |
| JP2003282865A (ja) | サイリスタ | |
| KR0168323B1 (ko) | 집적회로 | |
| WO1980001337A1 (en) | High voltage dielectrically isolated solid-state switch |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GB | Transfer or assigment of application |
Owner name: POWER INNOVATIONS LIMITED |
|
| MA | Patent expired |